JPH0828436B2 - 気密封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
気密封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH0828436B2 JPH0828436B2 JP62131632A JP13163287A JPH0828436B2 JP H0828436 B2 JPH0828436 B2 JP H0828436B2 JP 62131632 A JP62131632 A JP 62131632A JP 13163287 A JP13163287 A JP 13163287A JP H0828436 B2 JPH0828436 B2 JP H0828436B2
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- Japan
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- semiconductor device
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- insulating
- sealed semiconductor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は気密封止型半導体装置の製造方法に関し、特
に外部との絶縁処理に改良を施した気密封止型半導体装
置の製造方法に係わる。
に外部との絶縁処理に改良を施した気密封止型半導体装
置の製造方法に係わる。
（従来の技術） 従来、気密封止型半導体装置として、例えば第４図及
び第５図に示すものが知られている。ここで、第４図は
気密封止型半導体装置の一部切欠した斜視図、第５図は
第４図のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
び第５図に示すものが知られている。ここで、第４図は
気密封止型半導体装置の一部切欠した斜視図、第５図は
第４図のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図中の１は、金属製のステムである。このステム１の
端子位置に対応する箇所には開口部が上下方向に貫通し
て設けられ、該開口部には上下方向にリード用貫通穴を
有したガラス材２が設けられている。前記ステム１の上
部の中央にはチップ３が搭載され、かつ該チップ３の周
辺部にはガラスエポキシ基板（以下、基板という）４が
設けられている。前記基板４には複数の配線パターン5,
パッド部６が設けられ、所定のパッド部６と前記チップ
２表面はボンディングワイヤ７により接続されている。
前記ステム１のガラス材２には、複数のリード８が前記
パッド部６に電気的に接続してリング状に設けられてい
る。前記ステム１上には、キャップ９が前記チップ３や
基板４を覆うように冠着されている。同ステム１の裏面
側の端子８を除く部分には、外部との絶縁を保つために
絶縁材料10が被覆されている。
端子位置に対応する箇所には開口部が上下方向に貫通し
て設けられ、該開口部には上下方向にリード用貫通穴を
有したガラス材２が設けられている。前記ステム１の上
部の中央にはチップ３が搭載され、かつ該チップ３の周
辺部にはガラスエポキシ基板（以下、基板という）４が
設けられている。前記基板４には複数の配線パターン5,
パッド部６が設けられ、所定のパッド部６と前記チップ
２表面はボンディングワイヤ７により接続されている。
前記ステム１のガラス材２には、複数のリード８が前記
パッド部６に電気的に接続してリング状に設けられてい
る。前記ステム１上には、キャップ９が前記チップ３や
基板４を覆うように冠着されている。同ステム１の裏面
側の端子８を除く部分には、外部との絶縁を保つために
絶縁材料10が被覆されている。
ところで、上述した構造の半導体装置において、ステ
ム１の裏面側に絶縁材料10を取付けるには、従来下記の
様に行なっている。
ム１の裏面側に絶縁材料10を取付けるには、従来下記の
様に行なっている。
（イ） 従来技術Ｉ（第２図図示） この技術は、ステム１を裏返しにした状態でリード８
を液状樹脂の中に浸漬して樹脂被膜11を形成した後、オ
ーブンなどの加熱装置により前記樹脂被膜11を硬化させ
て樹脂材料を形成する方法である。なお、図中の12はス
テム１の開口部、13はガラス材２の貫通穴である。
を液状樹脂の中に浸漬して樹脂被膜11を形成した後、オ
ーブンなどの加熱装置により前記樹脂被膜11を硬化させ
て樹脂材料を形成する方法である。なお、図中の12はス
テム１の開口部、13はガラス材２の貫通穴である。
（ロ） 従来技術II（第３図図示） この技術は、樹脂を含浸させた絶縁シート14に半導体
装置の端子取出し用の穴15をあけた物をステム１に被
せ、圧力を加えたままオーブンなどの加熱装置により接
着させる手段である。
装置の端子取出し用の穴15をあけた物をステム１に被
せ、圧力を加えたままオーブンなどの加熱装置により接
着させる手段である。
しかしながら、従来技術によれば、以下に述べる問題
点を有する。
点を有する。
（イ） 従来技術Ｉの場合； 液状の樹脂を用いて浸漬すると、半導体装置の外部
への端子８に表面張力により這い上がり等が発生し、場
合によっては端子８の機能が失われることがある。
への端子８に表面張力により這い上がり等が発生し、場
合によっては端子８の機能が失われることがある。
浸漬した後、引上げて余滴滴下をしなければならな
い。
い。
余滴滴下の時に半導体装置は液を滴下させるため多
少傾けられるが、その際端子８には樹脂が付着して行
き、結果として端子８の機能する部分が少なくなる恐れ
がある。
少傾けられるが、その際端子８には樹脂が付着して行
き、結果として端子８の機能する部分が少なくなる恐れ
がある。
樹脂の粘度が高い時には、余滴滴下する時間が長く
なりムラも発生し易く、装置表面が平坦にならないし、
端子８への這上がり部分も増える。
なりムラも発生し易く、装置表面が平坦にならないし、
端子８への這上がり部分も増える。
粘度が低いと、余滴滴下の時間は短縮されるが、一
般に被膜は薄くなり傷等に弱く、絶縁性が損われかねな
い。
般に被膜は薄くなり傷等に弱く、絶縁性が損われかねな
い。
（ロ） 従来技術IIの場合； 絶縁シート14を用いた場合、硬化させる時に装置と
の熱膨張係数の違いや組立て等により誤差が生じ、端子
付根部分には十分な絶縁性が得られなくなる恐れが出
る。
の熱膨張係数の違いや組立て等により誤差が生じ、端子
付根部分には十分な絶縁性が得られなくなる恐れが出
る。
端子８が特異な形状をしている場合、絶縁シート14
の加工が難しくなる等の欠点を持っている。
の加工が難しくなる等の欠点を持っている。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、端子部分
の絶縁性，耐環境性に優れた気密封止型半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
の絶縁性，耐環境性に優れた気密封止型半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、上部にチップ及びパッド形成用基板を載置
し、下部に前記パッドに接続する端子を複数個取付けた
金属製ステムの端子側に絶縁材料を被覆する気密封止型
半導体装置の製造方法において、前記ステムを裏返しに
した状態でステムの裏面に液状の絶縁樹脂を滴下した
後、前記端子を除くステム部分に絶縁シートを圧力をか
けて取付けることにより絶縁材料を形成することを要旨
とする。
し、下部に前記パッドに接続する端子を複数個取付けた
金属製ステムの端子側に絶縁材料を被覆する気密封止型
半導体装置の製造方法において、前記ステムを裏返しに
した状態でステムの裏面に液状の絶縁樹脂を滴下した
後、前記端子を除くステム部分に絶縁シートを圧力をか
けて取付けることにより絶縁材料を形成することを要旨
とする。
（作用） 本発明によれば、 絶縁シートをステム裏面に滴下した前記絶縁樹脂の
上から適当な圧力をかけて固定し、オーブン等により硬
化，接着することにより、絶縁樹脂を少量で短時間にス
テムに塗布させることができる。従って、樹脂の使用効
率が高くなり、端子への這い上がりも従来に比べて少な
くなる。
上から適当な圧力をかけて固定し、オーブン等により硬
化，接着することにより、絶縁樹脂を少量で短時間にス
テムに塗布させることができる。従って、樹脂の使用効
率が高くなり、端子への這い上がりも従来に比べて少な
くなる。
絶縁シートを用いるため、従来の絶縁樹脂のみによ
る場合（従来技術Ｉ）と比べて、樹脂のムラなどもな
く、平坦な部分を形成することができる。
る場合（従来技術Ｉ）と比べて、樹脂のムラなどもな
く、平坦な部分を形成することができる。
従来技術IIに比べ、端子部分の強度が向上する。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図，第４図及び第５図
を参照して説明する。但し、従来と同部材は同符号を付
して説明を省略する。
を参照して説明する。但し、従来と同部材は同符号を付
して説明を省略する。
（１）．まず、上下方向に貫通する複数の開口部12を有
したステム１を用意した後、前記開口部12に端子挿通用
のガラス材２をかつ該ガラス材２の貫通穴13にリード８
を同時に焼成し封止し、貫通穴13にリード８を挿入し
た。つづいて、ステム１上に、表面に複数のパッド部6,
配線パターン５を形成した環状のガラス基板４をセット
した。次いで、前記ステム１上にチップ３を搭載した
後、ボンディングワイヤ７でチップ３と基板４上のパッ
ド部６を電気的に接続した。更に、前記ガラス材２の貫
通穴13内に挿通された複数の端子８と前記パッド部６を
電気的に接続させた。この後、前記ステム１上にキャッ
プ９を嵌着した。
したステム１を用意した後、前記開口部12に端子挿通用
のガラス材２をかつ該ガラス材２の貫通穴13にリード８
を同時に焼成し封止し、貫通穴13にリード８を挿入し
た。つづいて、ステム１上に、表面に複数のパッド部6,
配線パターン５を形成した環状のガラス基板４をセット
した。次いで、前記ステム１上にチップ３を搭載した
後、ボンディングワイヤ７でチップ３と基板４上のパッ
ド部６を電気的に接続した。更に、前記ガラス材２の貫
通穴13内に挿通された複数の端子８と前記パッド部６を
電気的に接続させた。この後、前記ステム１上にキャッ
プ９を嵌着した。
（２） 次に、前記ステム１を裏返しにした状態でステ
ム１の裏面中央に液状の絶縁樹脂を滴下した。ここで、
絶縁樹脂の滴下場所は必ずしもステム裏面の中央である
必要はなく、例えば端子８近傍を除くステム１の裏面全
面に滴下してもよい。つづいて、端子部分に該当する位
置に穴の開いた絶縁シート14を、前記絶縁樹脂の上から
適当な圧力をかけて固定し、そのままオーブンなどの加
熱装置に入れ、硬化，接着させた。その結果、絶縁樹脂
層11と絶縁シート14からなる絶縁材料がステム１の裏面
に形成された。
ム１の裏面中央に液状の絶縁樹脂を滴下した。ここで、
絶縁樹脂の滴下場所は必ずしもステム裏面の中央である
必要はなく、例えば端子８近傍を除くステム１の裏面全
面に滴下してもよい。つづいて、端子部分に該当する位
置に穴の開いた絶縁シート14を、前記絶縁樹脂の上から
適当な圧力をかけて固定し、そのままオーブンなどの加
熱装置に入れ、硬化，接着させた。その結果、絶縁樹脂
層11と絶縁シート14からなる絶縁材料がステム１の裏面
に形成された。
しかして、上記実施例は、ステム１を裏返しにした状
態でステム１の裏面中央に液状の絶縁樹脂を滴下した
後、端子部分に該当する位置に穴の開いた絶縁シート14
を前記絶縁樹脂の上から適当な圧力をかけて固定し、そ
のままオーブンなどの加熱装置に入れ、硬化，接着さ
せ、絶縁樹脂層11と絶縁シート14からなる絶縁材料をス
テム１の裏面に形成する。つまり、絶縁シート14を前記
絶縁樹脂の上から適当な圧力をかけて固定し、オーブン
等により効果，接着することにより、絶縁樹脂を少量で
短時間にステム１に塗布させることができる。従って、
樹脂の使用効率が高くなり、端子８への這い上がりも従
来に比べて少なくなる。また、絶縁シート14を用いるた
め、従来の絶縁樹脂のみによる場合（従来技術Ｉ）と比
べて、樹脂のムラなどもなく、平坦な部分を形成するこ
とができる。更に、従来技術IIに比べ、端子８部分の強
度が向上する。
態でステム１の裏面中央に液状の絶縁樹脂を滴下した
後、端子部分に該当する位置に穴の開いた絶縁シート14
を前記絶縁樹脂の上から適当な圧力をかけて固定し、そ
のままオーブンなどの加熱装置に入れ、硬化，接着さ
せ、絶縁樹脂層11と絶縁シート14からなる絶縁材料をス
テム１の裏面に形成する。つまり、絶縁シート14を前記
絶縁樹脂の上から適当な圧力をかけて固定し、オーブン
等により効果，接着することにより、絶縁樹脂を少量で
短時間にステム１に塗布させることができる。従って、
樹脂の使用効率が高くなり、端子８への這い上がりも従
来に比べて少なくなる。また、絶縁シート14を用いるた
め、従来の絶縁樹脂のみによる場合（従来技術Ｉ）と比
べて、樹脂のムラなどもなく、平坦な部分を形成するこ
とができる。更に、従来技術IIに比べ、端子８部分の強
度が向上する。
［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明によれば、端子への樹脂の這
い上がり等をなく平坦に絶縁材料を形成し、端子部分の
絶縁性，耐環境性に優れ、並びに端子部分の強度を向上
し得る気密封止型半導体装置の製造方法を提供できる。
い上がり等をなく平坦に絶縁材料を形成し、端子部分の
絶縁性，耐環境性に優れ、並びに端子部分の強度を向上
し得る気密封止型半導体装置の製造方法を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係る気密封止型半導体装置
の製造方法の説明図、第２図及び第３図は夫々従来の気
密封止型半導体装置の製造方法の説明図、第４図は気密
封止型半導体装置の一部切欠した斜視図、第５図は第４
図のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 １……ステム、２……ガラス材、３……チップ、４……
ガラスエポキシ基板、５……配線パターン、６……パッ
ド部、７……ボンディングワイヤ、８……リード、９…
…キャップ、12……開口部、13……貫通穴、14……絶縁
シート。
の製造方法の説明図、第２図及び第３図は夫々従来の気
密封止型半導体装置の製造方法の説明図、第４図は気密
封止型半導体装置の一部切欠した斜視図、第５図は第４
図のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 １……ステム、２……ガラス材、３……チップ、４……
ガラスエポキシ基板、５……配線パターン、６……パッ
ド部、７……ボンディングワイヤ、８……リード、９…
…キャップ、12……開口部、13……貫通穴、14……絶縁
シート。
Claims (1)
- 【請求項１】上部にチップ及びパッド形成用基板を載置
し、下部に前記パッドに接続する端子を複数個取付けた
金属製ステムの端子側に絶縁材料を被覆する気密封止型
半導体装置の製造方法において、前記ステムを裏返しに
した状態でステムの裏面に液状の絶縁樹脂を滴下した
後、前記端子を除くステム部分に絶縁シートを圧力をか
けて取付けることにより絶縁材料を形成することを特徴
とする気密封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131632A JPH0828436B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 気密封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131632A JPH0828436B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 気密封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299254A JPS63299254A (ja) | 1988-12-06 |
| JPH0828436B2 true JPH0828436B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=15062587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62131632A Expired - Lifetime JPH0828436B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 気密封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828436B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2828283B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1998-11-25 | 新光電気工業株式会社 | 半導体容器及びその製造方法 |
| CN114284836B (zh) * | 2022-01-01 | 2023-03-17 | 江苏常荣电器股份有限公司 | 一种过流过热电保护器的绝缘胶的覆盖工艺 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62131632A patent/JPH0828436B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63299254A (ja) | 1988-12-06 |
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