JPS6331127A - 半導体装置用絶縁性基板 - Google Patents
半導体装置用絶縁性基板Info
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- JPS6331127A JPS6331127A JP17505686A JP17505686A JPS6331127A JP S6331127 A JPS6331127 A JP S6331127A JP 17505686 A JP17505686 A JP 17505686A JP 17505686 A JP17505686 A JP 17505686A JP S6331127 A JPS6331127 A JP S6331127A
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- Japan
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- bonding
- lead
- insulating substrate
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- bonding pads
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁性基板に半導体チップを取付けてなる半
導体装置用絶縁性基板に関する。
導体装置用絶縁性基板に関する。
従来のこの種の絶縁性基板を有する半導体装壁としては
、第４図の平面図及び第５図の断面図に示すようなもの
がある。これら図において、一般にプリント基板と称さ
れているガラスエポキン等からなる絶縁性基板１ａは、
その表面に多数のリードボンディング用パッド２ａ、配
線層３ａ、外部導出用端子４ａが形成され、また半導体
チップ５ａが入るデバイスホール６ａが形成されている
。
、第４図の平面図及び第５図の断面図に示すようなもの
がある。これら図において、一般にプリント基板と称さ
れているガラスエポキン等からなる絶縁性基板１ａは、
その表面に多数のリードボンディング用パッド２ａ、配
線層３ａ、外部導出用端子４ａが形成され、また半導体
チップ５ａが入るデバイスホール６ａが形成されている
。
また、半導体チップ５ａｔｉ、フィルムキャリヤー方式
によってリードボンディングされている。即ち、第６図
に示すような搬送及び位置決め用のスプロケットホール
７ａと半導体チップ５ａが入るフィルムキャリヤーテー
プのデバイスホール８ａとを有する絶縁フィルム上に一
端をデバイスホール８ａ内に突出させたリード９ａとし
、他端を電気選別用パッド１０ａとして所定のパターン
を形成したフィルムキャリヤーテープｌｌａの前記リー
ド９ａと、あらかじめ電極上に金属突起物１２ａを設け
た半導体チップ５ａの金属突起物１２ａとをインナーリ
ードボンディングし、次に第７図に示すようにリード９
ａを所望の長さに切断して、半導体チップ５ａをフィル
ムキャリヤーチー７’ｌｌａから分離し、第４図に示し
た絶縁性基板１ａのポンディングパッド２ａにリード９
ａをアウターリードボンディングするフィルムキャリヤ
一方式によって、リードボンディングされている。なお
、リードボンディング後の半導体チップ５ａの表面には
第５図の断面図に示すように、コーティング樹脂１３ａ
がコーティングされる。
によってリードボンディングされている。即ち、第６図
に示すような搬送及び位置決め用のスプロケットホール
７ａと半導体チップ５ａが入るフィルムキャリヤーテー
プのデバイスホール８ａとを有する絶縁フィルム上に一
端をデバイスホール８ａ内に突出させたリード９ａとし
、他端を電気選別用パッド１０ａとして所定のパターン
を形成したフィルムキャリヤーテープｌｌａの前記リー
ド９ａと、あらかじめ電極上に金属突起物１２ａを設け
た半導体チップ５ａの金属突起物１２ａとをインナーリ
ードボンディングし、次に第７図に示すようにリード９
ａを所望の長さに切断して、半導体チップ５ａをフィル
ムキャリヤーチー７’ｌｌａから分離し、第４図に示し
た絶縁性基板１ａのポンディングパッド２ａにリード９
ａをアウターリードボンディングするフィルムキャリヤ
一方式によって、リードボンディングされている。なお
、リードボンディング後の半導体チップ５ａの表面には
第５図の断面図に示すように、コーティング樹脂１３ａ
がコーティングされる。
前述した従来の構造の半導体装置のうち、少数リードの
半導体チップの場合、半導体チップが宙吊りの状態であ
るため、第４図に示すようなダミーのり一ド１４ａとダ
ミーのボンディング用パッド１５ａとを設けて、リード
数を増加させ、半導体チップ５ａの支持強化とすること
が多い。
半導体チップの場合、半導体チップが宙吊りの状態であ
るため、第４図に示すようなダミーのり一ド１４ａとダ
ミーのボンディング用パッド１５ａとを設けて、リード
数を増加させ、半導体チップ５ａの支持強化とすること
が多い。
しかしながら、リード９ａ及びダミーのり−ド１４ａを
絶縁性基板のボンティング用パッド２ａ及びダミーのボ
ンディング用パッド１５ａにアウターリードボンディン
グする際、通常リードをボンディング用パッド上に位置
合わせ後、治具を押し当てて加熱し、熱圧着法または共
晶法等によって１モリードを同時にボンディングを実施
するが、ガラスエポキシまたはガラス入シポリイミド等
の樹脂を主成分とする絶縁性基板の熱伝導率はＣｕにＡ
ｕメッキ等からなるボンディング用パッドや配線層の熱
伝導率と比べ著しく劣るため、配線層と接続されている
ポンディング用パッ）ｌａＫ加えられる熱が配線層を通
して分散するのに対し、ダミーのボンディング用パッド
１５ａに加えられる熱はダミーのボンディング用パッド
下の部分の絶縁性基板に直に加えられることになシ、こ
れにより配線層と接続されているボンディング用パッド
２ａに対応するリード９ａに加えられる熱量とダミーの
ボンディング用パッド１５ａに対応するダミーのリード
１４ａに加えられる熱量とが異なることＫなシ、リード
の接着性に差が生じる。
絶縁性基板のボンティング用パッド２ａ及びダミーのボ
ンディング用パッド１５ａにアウターリードボンディン
グする際、通常リードをボンディング用パッド上に位置
合わせ後、治具を押し当てて加熱し、熱圧着法または共
晶法等によって１モリードを同時にボンディングを実施
するが、ガラスエポキシまたはガラス入シポリイミド等
の樹脂を主成分とする絶縁性基板の熱伝導率はＣｕにＡ
ｕメッキ等からなるボンディング用パッドや配線層の熱
伝導率と比べ著しく劣るため、配線層と接続されている
ポンディング用パッ）ｌａＫ加えられる熱が配線層を通
して分散するのに対し、ダミーのボンディング用パッド
１５ａに加えられる熱はダミーのボンディング用パッド
下の部分の絶縁性基板に直に加えられることになシ、こ
れにより配線層と接続されているボンディング用パッド
２ａに対応するリード９ａに加えられる熱量とダミーの
ボンディング用パッド１５ａに対応するダミーのリード
１４ａに加えられる熱量とが異なることＫなシ、リード
の接着性に差が生じる。
さらに、配線層と接続されているボンディング用パッド
２ａＫ対応するリードが接着するのに十分な熱量を加え
た場合は、ダミーのボンディング用パッド１５ａに対し
ては熱量が過多となるため、耐熱性が十分でない樹脂を
主成分とする絶縁性基板が熱で劣化し、ダミーのボンデ
ィング用パッド１５ａ直下の絶縁性基板部分がはがれる
という問題があった。特に、アクタ−リードボンディン
グにおける熱圧着法または共晶法等による温度条件は２
００°Ｃ乃至４５０℃であるのに対し、ガラスエポキシ
またはガラス入シポリイミド等からなる絶縁性基板の耐
熱温度もほぼ同程度であるため、ボンディングはできる
だけ低温でかつ短時間に実施する必要があり、前述した
ようなボンディング用パッドによる温度差は、ボンディ
ングの条件設定や信頼性の高いボンディング状態に少な
がらず影響を及ぼしていた。
２ａＫ対応するリードが接着するのに十分な熱量を加え
た場合は、ダミーのボンディング用パッド１５ａに対し
ては熱量が過多となるため、耐熱性が十分でない樹脂を
主成分とする絶縁性基板が熱で劣化し、ダミーのボンデ
ィング用パッド１５ａ直下の絶縁性基板部分がはがれる
という問題があった。特に、アクタ−リードボンディン
グにおける熱圧着法または共晶法等による温度条件は２
００°Ｃ乃至４５０℃であるのに対し、ガラスエポキシ
またはガラス入シポリイミド等からなる絶縁性基板の耐
熱温度もほぼ同程度であるため、ボンディングはできる
だけ低温でかつ短時間に実施する必要があり、前述した
ようなボンディング用パッドによる温度差は、ボンディ
ングの条件設定や信頼性の高いボンディング状態に少な
がらず影響を及ぼしていた。
また、アウターリードボンディングの際、前記の如く、
加熱した治具を押しあてて実施するが、通常治具の中央
部よシも端の方が温度が低いため、絶縁性基板に設けら
れたボンディング用パッド１５ａにおいて、各辺の端と
中央部にあるボンディング用パッドに加えられる熱量が
異なることになシ、ボンディング条件の設定に影響を及
ぼしていた。
加熱した治具を押しあてて実施するが、通常治具の中央
部よシも端の方が温度が低いため、絶縁性基板に設けら
れたボンディング用パッド１５ａにおいて、各辺の端と
中央部にあるボンディング用パッドに加えられる熱量が
異なることになシ、ボンディング条件の設定に影響を及
ぼしていた。
本発明の目的は、前記問題点を改善し、各パッドに適量
の熱量が加えられ、パッド下の絶縁性基板がけがれると
いう事故が生じないようにした半導体装置用絶縁性基板
を提供することにある。
の熱量が加えられ、パッド下の絶縁性基板がけがれると
いう事故が生じないようにした半導体装置用絶縁性基板
を提供することにある。
本発明の構成は、半導体チップの設置部を有し、かつ表
面に配線層と外部導出用端子とボンディング用パッドと
全形成した半導体装置用絶縁性基板において、前記ボン
ディング用パッドに、ダミーの配線層を設けたことを特
徴とする。
面に配線層と外部導出用端子とボンディング用パッドと
全形成した半導体装置用絶縁性基板において、前記ボン
ディング用パッドに、ダミーの配線層を設けたことを特
徴とする。
次に、本発明について図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体装置用絶縁性基
板を示す平面図である。同図において、ガラスエポキシ
またはガラス入りポリイミド等の樹脂を主成分とする材
料からなる絶縁性基板１ｂは、その表面には多数の配線
層３ｂ、外部導出用端子４ｂ及びフィルムキャリヤ一方
式によるアウターリードボンディング用のボンディング
用パッド２ｂが形成され、ボンディング用パッドの一部
はダミーのボンディング用パッド１５ｂとなっておシ、
また半導体チップ５ａが入るデバイスホール６ｂが形成
されている。さらにダミーのボンディング用パッド１５
ｂ ＫＨ，ダミーの配線層１６ｂが形成されている。
板を示す平面図である。同図において、ガラスエポキシ
またはガラス入りポリイミド等の樹脂を主成分とする材
料からなる絶縁性基板１ｂは、その表面には多数の配線
層３ｂ、外部導出用端子４ｂ及びフィルムキャリヤ一方
式によるアウターリードボンディング用のボンディング
用パッド２ｂが形成され、ボンディング用パッドの一部
はダミーのボンディング用パッド１５ｂとなっておシ、
また半導体チップ５ａが入るデバイスホール６ｂが形成
されている。さらにダミーのボンディング用パッド１５
ｂ ＫＨ，ダミーの配線層１６ｂが形成されている。
このダミーの配線層１６ｂは、他のボンディング用パッ
ド２ｂ、配線Ｍ３ｂ及び外部導出用端子４ｂ等のパター
ンと同時に工 。
ド２ｂ、配線Ｍ３ｂ及び外部導出用端子４ｂ等のパター
ンと同時に工 。
ッチング法等により容易に形成可能である。
このような構造の絶縁性基板１ｂのボンディング用パッ
ドに、第７図に示しだようなフィルムキャリヤ一方式に
よってインナーリードボンディングされた半導体チップ
５ａのリード９ａを熱圧着法または共晶法等によってア
ウターリードボンディングする際、各ボンディング用パ
ッド２ｂ及び１５ｂに加えられる熱は、配線層３ｂまた
はダミーの配線層１６ｂを通して分散され、各ボンディ
ング用パッドに対応するリードに加えられる熱量はほぼ
均一化され均一なリード接着性が得られると共に、一部
のボンディング用パッド直下の絶縁性基板に過多の熱量
が加えられその部分の絶縁性基板が熱で劣化し、ボンデ
ィング用パッド下からはがれを生じるという問題を緩和
させることができる。
ドに、第７図に示しだようなフィルムキャリヤ一方式に
よってインナーリードボンディングされた半導体チップ
５ａのリード９ａを熱圧着法または共晶法等によってア
ウターリードボンディングする際、各ボンディング用パ
ッド２ｂ及び１５ｂに加えられる熱は、配線層３ｂまた
はダミーの配線層１６ｂを通して分散され、各ボンディ
ング用パッドに対応するリードに加えられる熱量はほぼ
均一化され均一なリード接着性が得られると共に、一部
のボンディング用パッド直下の絶縁性基板に過多の熱量
が加えられその部分の絶縁性基板が熱で劣化し、ボンデ
ィング用パッド下からはがれを生じるという問題を緩和
させることができる。
第２図は本発明の第２の実施例の半導体装置用絶縁性基
板を示す平面図である。絶縁性基板１ｂは、第１の実施
例と同様に、配線層３ｂ、外部導出用端子４ｂ、及びフ
ィルムキャリヤ一方式によるアウターリードボンディン
グ用のボンディング用パッド２ｂが形成されておシ、こ
のボンディング用パッド２ｂの各辺の中央部のものにつ
いては、ダミーの配線層１６ｂが設けられ、さらにフィ
ルムキャリヤ一方式によってインナーリードボンディン
グされた半導体チップ５ａのリード９ａがボンディング
用パッド２ｂにアウターリードボンディングされている
。
板を示す平面図である。絶縁性基板１ｂは、第１の実施
例と同様に、配線層３ｂ、外部導出用端子４ｂ、及びフ
ィルムキャリヤ一方式によるアウターリードボンディン
グ用のボンディング用パッド２ｂが形成されておシ、こ
のボンディング用パッド２ｂの各辺の中央部のものにつ
いては、ダミーの配線層１６ｂが設けられ、さらにフィ
ルムキャリヤ一方式によってインナーリードボンディン
グされた半導体チップ５ａのリード９ａがボンディング
用パッド２ｂにアウターリードボンディングされている
。
ここで、リード９ａを加熱した治具によってボンディン
グ用パッド２ｂにアウターリードボンディングする際、
通常治具の中央部が端よシも温度が高くなるのに対し、
各辺の中央部のボンディング用パッド２ｂにはダミーの
配線層が設けられているため熱量の分散が多く、ダミー
の配線層の形状や大きさを考慮しておけば、各辺の中央
部と端のリード９ａ及びボンディング用パッド２ｂに加
えられる熱量がほぼ等しくなり、安定したボンディング
状態を得ることができる。
グ用パッド２ｂにアウターリードボンディングする際、
通常治具の中央部が端よシも温度が高くなるのに対し、
各辺の中央部のボンディング用パッド２ｂにはダミーの
配線層が設けられているため熱量の分散が多く、ダミー
の配線層の形状や大きさを考慮しておけば、各辺の中央
部と端のリード９ａ及びボンディング用パッド２ｂに加
えられる熱量がほぼ等しくなり、安定したボンディング
状態を得ることができる。
なお、前記第１．第２の実施例では、耐熱性の十分でな
い樹脂等からなる絶縁性基板について説明したが、各ボ
ンディング用パッドに均一な熱量を加えて安定したボン
ディング状態を得る効果を得ることについては、セラミ
ック等の耐熱性の十分な材料からなる絶縁性基板につい
ても適用可能である。
い樹脂等からなる絶縁性基板について説明したが、各ボ
ンディング用パッドに均一な熱量を加えて安定したボン
ディング状態を得る効果を得ることについては、セラミ
ック等の耐熱性の十分な材料からなる絶縁性基板につい
ても適用可能である。
また、第３図に本発明の第３の実施例として。
示すように、フィルムキャリヤ一方式によってインナー
リードボンディング済みの半導体チップ５ａをボンディ
ング用パッド２ｂと配線層３ｂ等を形成した絶縁性基板
１ｂの半導体チップ搭載部１７ｂ上に接着剤を介して接
着し、リード９ａをボンディング用パッド２ｂ上にアウ
ターリードボンディングしてなる半導体装置についても
ダミーの配線層を設けることができ、要するにフィルム
キャリヤ一方式によってアウターリードボンディングす
るものであれば実施できる。
リードボンディング済みの半導体チップ５ａをボンディ
ング用パッド２ｂと配線層３ｂ等を形成した絶縁性基板
１ｂの半導体チップ搭載部１７ｂ上に接着剤を介して接
着し、リード９ａをボンディング用パッド２ｂ上にアウ
ターリードボンディングしてなる半導体装置についても
ダミーの配線層を設けることができ、要するにフィルム
キャリヤ一方式によってアウターリードボンディングす
るものであれば実施できる。
以上錠明したように、本発明によれば、ボンディング用
パッドを有する絶縁性基板において、ダミーのボンディ
ング用パッドにダミーの配線層を設けることによシ、フ
ィルムキャリヤーのリードをアウターリードボンディン
グする際にリードとボンディング用パッドとこのボンデ
ィング用パッド下の絶縁性基板部分に加えられる熱量が
均一化され、リードの安定したかつ均一な接着性が得ら
れ、また一部のボンディング用パッド下の絶縁性基板部
分が熱によシ劣化してボンディング用パッド下からはが
れを生じるという問題点が緩和され、信頼性の高いリー
ドボンディング性を得ることができ、また各辺の中央部
のボンディング用パッドにダミーの配線層を設けておく
ことによシ、加熱した治具の中央部が端よυも温度が高
くなることに対し、実際にボンディングする各ボンディ
ング用パッド及びリードが達する温度をほぼ均一化する
ことができ、安定したリードボンディング性を得ること
ができる。
パッドを有する絶縁性基板において、ダミーのボンディ
ング用パッドにダミーの配線層を設けることによシ、フ
ィルムキャリヤーのリードをアウターリードボンディン
グする際にリードとボンディング用パッドとこのボンデ
ィング用パッド下の絶縁性基板部分に加えられる熱量が
均一化され、リードの安定したかつ均一な接着性が得ら
れ、また一部のボンディング用パッド下の絶縁性基板部
分が熱によシ劣化してボンディング用パッド下からはが
れを生じるという問題点が緩和され、信頼性の高いリー
ドボンディング性を得ることができ、また各辺の中央部
のボンディング用パッドにダミーの配線層を設けておく
ことによシ、加熱した治具の中央部が端よυも温度が高
くなることに対し、実際にボンディングする各ボンディ
ング用パッド及びリードが達する温度をほぼ均一化する
ことができ、安定したリードボンディング性を得ること
ができる。
第１図、第２図及び第３図は各々本発明の第１゜第２及
び第３の実施例の半導体装置用絶縁性基板の平面図及び
断面図、第４図、第６図、第７図は従来の半導体装置用
絶縁性基板の製造方法を示す平面図、第５図は第４図の
断面図である。
び第３の実施例の半導体装置用絶縁性基板の平面図及び
断面図、第４図、第６図、第７図は従来の半導体装置用
絶縁性基板の製造方法を示す平面図、第５図は第４図の
断面図である。
Claims (1)
- 半導体チップの設置部を有し、かつ表面に配線層と外
部導出用端子とボンディング用パッドとを形成した半導
体装置用絶縁性基板において、前記ボンディング用パッ
ドにダミーの配線層を設けたことを特徴とする半導体装
置用絶縁性基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17505686A JPS6331127A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 半導体装置用絶縁性基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17505686A JPS6331127A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 半導体装置用絶縁性基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331127A true JPS6331127A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15989460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17505686A Pending JPS6331127A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 半導体装置用絶縁性基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331127A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5724381A (en) * | 1994-09-22 | 1998-03-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Receiver for spread spectrum communication |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP17505686A patent/JPS6331127A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5724381A (en) * | 1994-09-22 | 1998-03-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Receiver for spread spectrum communication |
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