JPH0210571B2 - - Google Patents

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JPH0210571B2
JPH0210571B2 JP59064747A JP6474784A JPH0210571B2 JP H0210571 B2 JPH0210571 B2 JP H0210571B2 JP 59064747 A JP59064747 A JP 59064747A JP 6474784 A JP6474784 A JP 6474784A JP H0210571 B2 JPH0210571 B2 JP H0210571B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、厚膜多層配線基板上にICチツプそ
の他のチツプ部品を搭載し、ポツテイングにより
封止する電子部品の製造方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、電子機器の小型化、軽量化、高信頼性化
の要求が多くの分野において高まつてきており、
これらの要求を満足するハイブリツドICの開発
がすすめられている。
このハイブリツドICに使用される多層配線基
板の製造法の１つとして厚膜法による製造方法が
知られている。
この厚膜法においては、第１図および第２図に
示すように、セラミツク基板１上に、Au、Pt、
Au、AgPd、Cu等を導電金属として用いた導体
ペーストによる下部導体配線層２ａと上部導体配
線層２ｂと結晶化ガラスペースト等による下部絶
縁層３ａ、上部絶縁層３ｂとが印刷、乾燥、焼成
の繰り返しにより交互に形成されて、厚膜回路配
線基板が形成される。
この厚膜回路配線基板の最上層には、部品を搭
載するための導体パターン４ａ，４ｂ、搭載され
たICチツプと厚膜回路配線基板との電気的接続
を形成するためのボンデイング用導体パターン４
ｃ、入出力リードを取り付けるための導体パター
ン４ｄ、およびこれ等の導体パターン４ａ〜４ｄ
を電気的に相互接続するための導体配線パターン
４ｅが形成される。
ところでこのような厚膜回路配線基板では、そ
の上にICチツプ等のチツプ部品を搭載した後、
外気とチツプ部品を遮断するためにその最上層を
封止する必要がある。
このような封止方法としては、封止用の金属キ
ヤツプあるいはセラミツクキヤツプ（図示を省
略）で厚膜回路配線基板の上面を覆い、その接合
部をハンダシールあるいは溶接シール等により封
止する方法がとられている。
この方法によれば、気密に対する高信頼性が得
られるがこうして得られるハイブリツドIC等の
電子部品はコストが高くなるという難点がある。
一方、多少信頼性の点ではキヤツプを用いた半
田等による封止シールよりも劣るが、電子部品の
製品コストを低減させる封止方法として、ICチ
ツプ等のチツプ部品を搭載した厚膜回路配線基板
上にエポキシ樹脂やシリコーンゴム等の硬化性組
成物をポツテイングし外気と前記ICチツプ等の
チツプ部品とを遮断する樹脂ゴム封止法が考えら
れる。
しかしながらこのポツテイングによる封止法で
は、信頼性の面、特に耐湿性の面で問題があり、
厚膜回路配線基板の表面の導体配線パターン４ｅ
の間隔の狭い場所ではポツテイングされたエポキ
シ樹脂あるいはシリコーンゴム等の内部に湿気が
侵入して、特にAg系の導体配線においては、マ
イグレーシヨンによる配線の短絡事故が発生する
という難点があつた。
このような問題を回避するため、例えば厚膜回
路配線基板表面のチツプ部品搭載用の導体パター
ン４ａ，４ｂ，４ｃあるいは入出力リードを取付
けるための導体パターン４ｄ等の部品搭載用導体
パターンを除いた部分５（第１図の散点部分）に
絶縁体である結晶化ガラスペーストを印刷、乾
燥、焼成することが考えられる。
しかしながら結晶化ガラス層は有孔性（ポーラ
ス）であつた、湿気が結晶化ガラス層を透過して
しまい、耐湿性の向上にはあまり寄与しないとい
う問題があつた。
さらにまたオーバーグレースとして用いられる
非結晶化ガラス層６を印刷、乾燥、焼成すること
により耐湿性を向上させることも考えられるが、
非結晶化ガラス層は、第２図に示すように表面が
平滑に過ぎて、第３図に示すようにICチツプ等
のチツプ部品７を実装後、エポキシ樹脂あるいは
シリコーンゴム等の硬化性組成物１０をポツテイ
ングして硬化させた場合、硬化したエポキシ樹脂
やシリコーンゴム等が厚膜回路配線基板表面から
容易にはがれてしまうという欠点があつた。なお
第３図において、８はチツプ部品を接着した接着
剤層、９はボンデイングワイヤを示している。
〔発明の目的〕
本発明は、このような事情に対処してなされた
もので、その目的とするところは、耐湿性が良好
で、しかも封止のためにポツテイングされたエポ
キシ樹脂やシリコーンゴム等の硬化性組成物が強
固に厚膜回路配線基板上に接着し、これによつて
信頼性の高い封止がなされた電子部品を製造し得
る方法を提供することにある。
〔発明の概要〕 すなわち本発明の電子部品の製造方法は、厚膜
回路配線基板表面のICチツプその他の部品搭載
用導体パターンを除く部分に非結晶化ガラスペー
ストを印刷、乾燥、焼成する工程と、この工程に
より形成された非結晶化ガラス層上に結晶化ガラ
スペーストを印刷、乾燥、焼成する工程と、この
工程において形成された厚膜回路配線基板上にチ
ツプ部品その他の部品を実装する工程と、前記
ICチツプその他の部品上に硬化性組成物による
ポツテイングを施す工程とを具備することを特徴
としている。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照しながら本発明の一実施例を説
明する。
第４図は本発明の一実施例により製造された電
子部品を示す断面図である。なお同図において、
第１図ないし第３図と共通する部分には同一符号
が付されている。
この実施例においては、アルミナ等のセラミツ
ク基板１上にAu、PtAu、Ag、Pd、Cu等の導体
ペーストにより下部導体配線層２ａが形成され、
その上に結晶化ガラスペーストにより下部絶縁層
３ａが形成され、この下部絶縁層３ａにはスルー
ホールが形成されてその上に導体ペーストにより
上部導体配線層２ｂが形成され、同時にこの上部
導体配線層２ｂと下部導体配線層２ａとを電気的
に接続する接続導体２ｃがスルーホール内に形成
される。
さらに同様にして上部導体配線層２ｂ上には、
上部絶縁層３ｂおよびその層内にスルーホールが
形成され、その上に表面導体パターンおよびこの
表面導体パターンと上部導体配線層２ｂとを電気
的に接続する接続導体とが順に形成される。
この表面導体パターンのうち部品搭載用の導体
パターン４ａ〜４ｄを除いた部分には、オーバー
グレースタイプの軟化点500℃程度の非結晶化ガ
ラス層６ａと軟化点900℃程度の結晶化ガラス層
６ｂとが、それぞれのガラスペーストの印刷、乾
燥、焼成により順に形成される。
次いで表面導体層のチツプ部品を搭載するため
の導体パターン４ａ，４ｂ上には、ICチツプ等
のチツプ部品７が導電エポキシ等の接着剤により
搭載され、例えばAuあるいはAl線等からなるボ
ンデイングワイヤ９を用いてワイヤボンデイング
により、このチツプ部品上の端子パツドと基板上
の導体配線パターン４ｃとが電気的に接続され
る。
一方、導体パターン４ｄ（第４図において図示
せず）上には入出力リードが導電エポキシ等の接
着剤により搭載される。
この後ICチツプ７、ボンデイングワイヤ９、
入出力リード（図示せず）の基部上にエポキシ樹
脂あるいはRTVタイプのシリコーンゴム等の硬
化性組成物１０によるポツテイングが施され、硬
化されて外気と遮断される。
第５図は本発明の他の実施例により得られた電
子部品の横断面図である。この実施例は、ポツテ
イングする領域が異なる点を除いて第４図に示し
た実施例と同一構成とされている。
この実施例においては、入出力リード１１を除
いてセラミツク基板１の裏面を含む全面が硬化性
組成物１０によりポツテイングされている。
この実施例によれば第３図に示した実施例より
もさらに信頼性の高い電子部品を得ることができ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、厚膜回
路配線基板の部品搭載用導体パターンを除く部分
に非結晶化ガラスの層と結晶化ガラスの層とを順
に形成し、その上にポツテイングを行なうように
したので、最上層に形成されたポーラスな結晶化
ガラス層がポツテイング用の硬化性組成物と非常
に強固に接着し、またその結晶化ガラス層の下部
の非結晶化ガラス層が外部からの湿気の侵入を完
全に防止して信頼性の非常に高い樹脂封止による
電子部品を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の樹脂封止による電子部品に用い
られる厚膜回路配線基板の斜視図、第２図はその
断面図、第３図は従来の厚膜回路配線基板上に
ICチツプ等のチツプ部品を実装した後樹脂封止
した電子部品の断面図、第４図は本発明により得
られた電子部品の断面図、第５図は本発明の他の
実施例により得られた電子部品の断面図である。 １……セラミツク基板、２ａ，２ｂ……導体ペ
ースト、３ａ，３ｂ……絶縁体ペースト、４ａ，
４ｂ……部品を搭載するための導体パターン、４
ｃ……ICチツプと厚膜回路配線基板との電気的
接続を形成するための導体パターン、４ｄ……入
出力リードを取り付けるための導体パターン、４
ｅ……導体パターン間を電気的に接続するための
導体配線パターン、５……部品搭載用の導体パタ
ーンを除いた部分、６，６ａ……非結晶化ガラス
層、６ｂ……結晶化ガラス層、７……ICチツプ、
８……接着剤層、９……ボンデイングワイヤ、１
０……硬化性組成物。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 厚膜回路配線基板表面のICチツプその他の
    部品搭載用導体パターンを除く部分に非結晶化ガ
    ラスペーストを印刷、乾燥、焼成する工程と、こ
    の工程により形成された非結晶化ガラス層上に結
    晶化ガラスペーストを印刷、乾燥、焼成する工程
    と、この工程において形成された厚膜回路配線基
    板上にICチツプその他の部品を実装する工程と、
    前記ICチツプその他の部品上に硬化性組成物に
    よるポツテイングを施す工程とを具備することを
    特徴とする電子部品の製造方法。
JP59064747A 1984-03-31 1984-03-31 電子部品の製造方法 Granted JPS60208886A (ja)

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