JPS5817651A - 多層回路板とその製造方法 - Google Patents

多層回路板とその製造方法

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JPS5817651A
JPS5817651A JP56115039A JP11503981A JPS5817651A JP S5817651 A JPS5817651 A JP S5817651A JP 56115039 A JP56115039 A JP 56115039A JP 11503981 A JP11503981 A JP 11503981A JP S5817651 A JPS5817651 A JP S5817651A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、配線導体のみならず抵抗体、誘電体をも多層
化した多層回路板（多層混成回路板も含む）とその製造
方法に関する。
近年、電子回路には、半導体ＩＣを装着した回路板が使
用されズいる。モし【、半導体ＩＣにはセラ建ツクなど
で封止した、いわゆる封止ＩＣが使用されている。
半導体ＩＣを装着した回路板の小形化は、ＩＣチップ自
体を回路板に装置すれば、以下（１１）、（ｂ）の理由
で達成される。
（暑）　チップ素子自体は、封止ＩＣより小さい。
（ｂ）　　接続用端子間隔が狭くなる。
この場合、基板上のＩＣ接続用導体間隔は２００即程度
と微細で高密度にする必要がある。しかし、このような
微細パターンはセラ建ツク基板上に導体ペーストを印刷
し、乾燥し、焼成する厚膜技術では、印刷だれ、印刷ペ
ースト乾燥中の低粘度化によるにじみなどにより導体間
隔が４ｏＯＪＩ１ｍｌ！度となり製造できなかった。
これに対し、アル２すな主成分とするグリーンシート（
未焼成板）に導体ペーストを印刷し、乾燥し、焼成する
いわゆるグリーンシート法は、以下（ａ）、（ｂ）の理
由で微細で高密度な配線導体を形成するのに適している
。
（ＩＩ）　　印刷したペースト中の溶剤がグリーンシー
ト中にしみ込むため、印刷したペーストはだれ、にじみ
を生じない。
（ｂ）　　グリーンシートは焼結時にシートが１０Ｐ−
２０−収縮する。
しかし、アルミナのグリーンシートは１５００〜１６０
０°Ｃで焼結させるため、導体は焼結時変質しないモリ
ブデン、タングステン、マンガンなどの高融点金属にせ
ねばならず、抵抗体は多層構造の内層に設けると、グリ
ーンシート焼結時変質するため、多層板ではこれを焼結
してから最上層に抵抗体を形成せざるを得なかった。
ここで、アルミナの替りに、１ｏｏｏ℃程度以下で焼結
する絶縁材料をグリーンシート、層間絶縁層とすれば、
導体、抵抗体などの各種厚膜材料が適用でき、微細で高
密度な配線の形成と、導体と抵抗体よりなる抵抗回路の
多層化ができると思われる。
このような材料には、βリチア輝石を主成分としメタ珪
酸リチウムを副成分とした微結晶を析出する結晶化ガラ
ス、α−菫實石を主成分とし斜頑輝石を副成分とした微
結晶を析出する結晶化ガラスが知られている。これら材
料は昇温速度２°Ｃ／分以下、高温保持時間１〜５時間
、降温速度４℃／分以下と加熱時間が長く、かつ短時間
加熱では導体が基板よりはく離することがあった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、グ
リーンシート法により微細で高密度な導体配線を有し、
かつ抵抗体と誘電体をその層間に形成した新規な小形多
層回路板と短時間焼成で上記の多層回路板が製造できる
方法を提供するにある。
本発明は、低温で焼結する各種無機材料、厚膜導体、厚
膜抵抗体、厚膜誘電体の各種材料の巾広い探索とその緒
特性の解析ならびに熱処理工程の詳細な検討によって成
されたものである。
本発明を達成するためのグリンシートおよび層間絶縁用
無機材料、厚膜導体材料、厚膜抵抗体材料、厚膜誘電体
材料は、相互に適用できる材料の特性の範囲を限定する
が、これらの材料を総括的に述べると、 上記目的は、グリンシートおよび層間絶縁用無機材料は
、（鳳）結晶化ガラス、（ｂ）絶縁性酸化物結晶粒子と
非晶質ガラスの混合物、あるいは、（Ｃ）低融点の絶縁
性酸化物多結晶体であり、厚膜導体は（ａ）金属粒子単
独あるいは（ｂ）金属粒子と非晶質ガラスの混合物であ
り、厚膜抵抗体は）Ｌｕｇ。
やその他の導電性微粒子とガラスの混合瞼であり、厚膜
抵抗体はチタン酸バリウム等の高融点高誘電率誘電体微
粉末とガラスの混合物、あるいは、鉄−タングステン酸
鉛等の低融点高誘電率防電体を厚膜誘電体であることで
達成される。
また、本発明の多層混成集積回路基板の製造にあたって
は、 （ａ）絶縁材料を構成する粉末に高分子結合剤を加えた
グリンシートを印刷基板とし、また高分子結合剤と有機
溶剤を加えたベヒクルに絶縁材料、厚膜導体、厚膜抵抗
体、厚膜誘電体を構成する粉末をそれぞれ加えて絶縁ペ
ースト、抵抗体ペースト、誘電体ペーストとし、 Φ）グリンシート上に導体ペースト、抵抗体ペースト、
絶縁ペーストの印刷を繰返し、あるいは導体ペースト、
抵抗体ペースト、誘電体ペーストを印刷したグリンシー
トヲ積層し、導体、抵抗体、誘電体を層間および層上に
形成した多層回路板を作成し、 （Ｃ）絶縁材料が焼結し、かつ導体、抵抗体、誘電体を
構成するガラス材が軟化溶融する４００〜１ｏｏｏ’ｅ
の温度で熱処理する。
本発明の多層回路板の基体となる絶縁材料の組成や熱的
特性について述べると、 （１）熱処理により微結晶が析出する結晶化ガラスを用
いる場合には、アノ−サイ）　（ＣｍＡ１１８ｉ、０＠
）、セルジアン（ＢｔＡｌ、８１，０．）、ネ７エリン
（Ｎ■１８１０．）、スフエン（ＣａＴｌ５ｌｙ、）、
コージェライト（Ｍｇ＊Ａ１を別ｓ　Ｏｓｓ　）、スボ
ジ為メン（ＬｉＡ１８１．０．）等のケイ酸塩あるいは
アルｔノケイ酸塩を析出するガラス組成物を用いる。
（ｂ）絶縁性酸化物結晶の微粉末と非晶質ガラスの混合
物を用いる場合には、酸化物としてアル電す（Ａ’＊Ｏ
ｓ　）、シリカ（８ｉ０．）、！グネシア（ＭｇＯ）、
カルシア（ＣｉＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、ジル：
ｙ　＝　７　（ＺｒＯ，）等の金属酸化物、！グネシア
スピネル（ＭｇＡｌ、０４）、ジルコン酸カルシウム（
ＣａＺｒ０．）、コージェライト、セルジアン、アノー
サイト、ジルコン（Ｚｒ８１０．　）等のアル建ノケイ
酸塩、ケイ酸塩の絶縁性複合金属酸化物を用い、非晶質
ガラスとしては特にその組成を限定されないがＢａＱ　
ＣａＱ　Ｚｎ０．８ｒＱ　Ｔｌ０１　ｅＢｌ、Ｏ，等を
含むアル建ノホウケイ酸鉛ガラスがよく、Ｎａ、０．Ｌ
ｌ！Ｑへ０等のアルカリ金属の酸化物を少量加えてもよ
い。この時、非晶質ガラスの軟化点は、１０００°Ｃ以
下で熱処理するに７５０°Ｃ以下であることが必要であ
る。
（Ｃ）また、低融点の絶縁性酸化物多結晶体を用いる場
合には、酸化ゲルｗニウムと酸化ゲＡｔ　ｗ　ニウムを
主成分とし８１０．　ＡＩ、０．、　ＣａＱＰｂＯ、Ｂ
ｉ、Ｏ，、Ｂ、０．等を加え、１０００°Ｃ以下で焼結
するセラミック組成物が用いられる。
以下、前記絶縁材料のグリンシートおよび絶縁層上ある
いは絶縁層間に形成する導体、抵抗体、誘電体の組成、
熱的特性等につい【、絶縁材の熱処理温度との関係につ
いて述べる。
（１）導体：導体用の金属としては、金、銀、白金、パ
ラジウムのそれぞれの単独の微粉末、あるいは混合粉末
、合金粉末等を用いる。この時、回路基体（前記絶縁材
のグリンシートあるいはグリンシート上の絶縁層）との
接着性を向上するために、非晶質ガラスを加えることが
できる。
しかし、この非晶質ガラスは次の要件を満たさなければ
導体の発泡、はく離等を生じる。これらは、 （１）非晶質ガラスの軟化点が、絶縁剤の熱処理温度に
対して１５０〜２５０”Ｃ低い温度範囲にあること、 （４）非晶質ガラスの熱膨張係数が、絶縁剤の熱膨張係
数に対して一３０Ｘ１０Ｊ〜＋１０ＸＩ　Ｄ’／ｄｅｇ
の範囲にあること、 である。
（ｂ）抵抗体：導電性粉末として、金、銀、白金。
パラジウム等の金属やＲｕ（％ｅ　Ｂ１！Ｒｕ２０ｙｐ
　ＰＩ）ｔＲｕ宏０６等の酸化ルテニウム、ルテニウム
酸塩、ｂρ。
Ｂｉ、Ｒｈ、０．、　Ｐｂ、Ｒｂ、Ｏ藝等の酸化バリウ
ム、ロジウム酸檄酸化イリジウム、イリジウム酸塩ある
いはケイ化物勢が用いられ、このバインダガラスとして
は（１）非晶ガラスや（１）結晶化ガラスが用いられる
。
バインダガラスが非晶質ガラスの時には、非晶質ガラス
の軟化点が絶縁材の熱処理温度に対して、１５０　％２
５０’Ｃ低い温度範囲にあり、かつ熱膨張係数が絶縁材
の熱膨張係数に対して＋１０×１０’〜−３０Ｘ１０　
／ｄ＠７１の範囲にあることが必要である。非晶質ガラ
スの軟化点が規定の温度より低いと、絶縁材の熱処理温
度でガラスが異常に流動して抵抗体の形状が崩れ、また
、このガラスが絶縁材へ浸み込んで焼結収縮が不均一と
なって、絶縁材の反りを生じる。軟化点が規定の温度よ
り高いとガラスの溶解が不充分となり、ち密な抵抗膜が
形成できない。また、熱膨張係数が規定の範囲を越える
と、抵抗膜にクラックを生じる。バインダガラスに結晶
化ガラスを用いる時には、絶縁材の熱処理温度に対して
、−５０〜＋５０°Ｃの範囲の温度で結晶化するガラス
組成−を用いる必要がある。結晶化温度が規定より低い
と、絶縁材の熱処理温度ではガラスの結晶化による高粘
性同化のため絶縁材の均一な焼結収縮が妨げられ、絶縁
材の反りや抵抗膜のはく離を生じる。規定より高いとガ
ラスは熱処理温度では未だ溶融状態にあり、実質的には
非晶質ガラスをバインダとし【用いたのと同様であり、
ガラスの軟化温度、熱膨張係数は前記非晶質ガラスの規
定が適用される。
（Ｃ）誘電体：高誘電率誘電体材料としては、（１）チ
タン酸バリウムにチタン酸マグネシウム、チタン酸カル
シウム、チタン酸ス）０ンチウム、ジルコン酸カルシウ
ム、ジルコン酸バリウム、Ｍｌｋ＝ッケル、錫酸カルシ
ウム、酸化バリウム、酸化ランタン等を加えた高融点誘
電体セラミックスと、（■）鉛を含む複合ぺ田ブスヵイ
）ＩＩ酸化物や鉛を含むビス！ス層状蓋酸化物等の低融
点誘電体セラミックスな用いる。
高融点誘電体セラミックスを用いる場合には、誘電体材
料自体が１０００６Ｃ以下の絶縁材の熱処理温度で焼結
しないため、非晶質ガラスや結晶化ガラス等の粒子結合
剤を必要とする。
非晶質ガラスを用いる場合には、絶縁材の熱処理温度に
対して、１５０°Ｃ低い温度に軟化点をもつガラス組成
物とすることが必要である。誘電体用の非晶質ガラスは
、一般的に１０ｗｔ＄以下であり、抵抗体はとその影響
は大きくないか、軟化点が規定の温度より高いと、絶縁
材の熱処理温度ではガラスの溶融が不充分で誘電体粉体
の強固な結合ができず、誘電体膜の機械的強度が極めて
小さい。
結晶化ガラスをバインダとして用いる場合には、絶縁材
の熱処理温度に対して一５０〜＋５０°Ｃの温度範囲で
結晶化するガラス組成物とすることが必要である。規定
温度より結晶化温度が低いと絶縁材の熱処理温度ではガ
ラスの結晶化による高粘性固化のために絶縁材の均一な
焼結収縮が妨げられ、絶縁材の反りや誘電体膜のはく離
を生じる。規定温度より結晶化温度が高いと絶縁材の熱
処理温度では未だガラスは溶融状態にあり、実質的には
非晶質ガラスをバインダとして用いる場合と同様に、そ
のガラスの軟化点が規定される。
低融点誘電体セラミツ、クスを用いる場合には、多′く
の場合誘電体自体の焼結のためにガラス等の粒子結合剤
を必要としない。本発明で用いる低融点誘電体は、絶縁
材の熱処理温度に対して一５０〜＋１５０℃の温度範囲
で焼結するものを用いる。この誘電体の焼結が絶縁材の
熱処理温度で規定される温度より低いと、絶縁材の焼結
以前に誘電体膜の焼結収縮がおこり、熱処理後に誘電体
膜のはく離を生じる。規定の温度より誘電体の焼結温度
が高いと、絶縁材の熱処理温度では誘電体粒子の反応・
焼結がおこらず、機械的強度の高い誘電体膜を形成する
ことができない。
上記各種材料を用いる多層回路板の製造方法において、
ガラスおよびガラス粉末の製造、絶縁材のグリンシート
化、各種素子組成物の製造およびペースト化そのものは
従来からよく知られた方法により後述の実施例で示すよ
うにして行なりた。
本発明の製造上の特徴となる点は、絶縁材のグリーンシ
ート上、および絶縁層上に導体のみならず、抵抗体や誘
電体をも印刷形成し、これを多層化した回路基板を、そ
の絶縁材の焼結収縮によって規定される１０００℃以下
の温度にて１０〜３０分間熱処理することである。
この時、絶縁材や抵抗体に非晶質ガラスを用いる場合に
は、そのいずれかの低い軟化点以上の＾降温速度は５０
〜１００°Ｃ／分であるのがよい。
これより昇、降温変度速か遅い場合には、過度のガラス
の流動により、回路パターンの変形や基板の焼結収縮の
不均一による反りを生じる。
また、これより速い昇、降温では、加熱、冷却の不均一
性による基板の反りやうねりを生じる。
以上のように、本発明で規定した範囲の材料の組み合せ
、およびその熱処理により、襄好な素子膜および平滑な
回路基板が形成でき′る。
、以下具体例により詳しく説明する。
実施例を 絶縁材に結晶化ガラス、抵抗体のバインダガラスに非晶
質ガラス、そして低融点の誘電体材料を用い、第１図で
示す構成の多層混成集積回路基板を作成した例について
述べる。
グリーンシート用および層間絶縁体材料は、次のように
して調製した。重量百分率で８ｉ０゜がｓｏ−、ＣａＯ
が１ｓ＊　＊　Ａｔ、Ｏｓが１２％、　ＺｒＯ，カ１１
％、ＰｂＯが２８％、　Ｂ、０．が４％、ＭｇＯが２−
トするよう酸化物、炭酸塩あるいは水酸化物を秤量し、
ボール虐ルで混合し、これを白金ビー力に入れて１５０
０°Ｃで溶融し、次いで水中に注いで急冷してガラスの
粗砕物をつくる。これをメノー製乳鉢およびボールさル
で粋砕して、平均粒径が２．０縄のガラス微粉末とした
。これは、８２０°Ｃでアノーサイト（Ｃ■１，８ｉｙ
Ｏｓ）の結晶を析出する発熱ピークをもち、８５０°Ｃ
で熱処理しに時の熱膨張係数は５２ｘ１０　　ｐｐｒｒ
４／”０でありた。
ガラス微粉末は、通常のグリーンシートの製造方法なら
びに厚膜用ペーストの製造方法により、次のようにして
グリンシートおよび絶縁、ペーストとした。ガラス微粉
末にポリビニルブチラールを加えて混合後、プチルフタ
リルフチルクリコレートトトリクレンー／（−クレンー
ブチルアルコールの混合溶剤を加えてアルミナボールミ
ル中で混練してスラリー状とする。これをドクターブレ
ードに通して。
） 乾燥後膜厚α−のシートを作成し、適轟に切断して回路
形成用の印刷用基体（グリンシート：未焼成基板）とし
た。絶縁ペーストは、エチルセルロースをトリデカノー
ルに溶かした有機ビヒクルをガラス微粉末に加えて、ア
ル建す製らいかい機で混練して作成した。
導体および抵抗体のバインダガラスは、重量百分率で８
１０．が４０％、Ｐｂｏが１４チ、　Ａ’ｌ　、０．が
９％、ＣａＯが７９１．Ｂ、０．が５１Ｍｇ０が１％　
、　Ｎａｎ。
とに４０がそれぞれ２チである非晶質ガラスで、軟化点
が６８０°Ｃ１熱膨張係数は６０Ｘ１０　ｐｐｒｒｙ”
Ｃである。平均粒径が２３／ａとなるまで粉砕したこの
ガラス微粉末１５ｇに、Ａｇ＠Ｐｄの混合粉を９７ｇの
割合で混合し、また、ガラス粉＆Ｏｇに平均粒径αＢｐ
ｍのＲｕｂ、を２．Ｏｇの割合で混合し、有機ビヒクル
を加えて混線し【導体ペーストおよび抵抗ペーストを調
製した。
低Ｍ　点ノＩＩ電体Ｋ　ハ、ＰｂＯｔ　Ｆ＊、０．、　
Ｗ）、。
Ｔｉｅ、を混合し、８００°Ｃで２時間熱処理して合成
したａ７５Ｐｂ　（Ｆ４　Ｗ−Ａ−）Ｏｓ−α２５　Ｐ
ｂＴ１０３を粉砕し、平均粒径な２．５ｔｔｎとした。
これに、有機ビヒクルを加えて誘電体ペーストとした。
この誘電体は、ｅｓｏ’ｃで焼結収縮する。また、この
融点は１１００°Ｃである。
次に第１図により製造方法について述べる。
作成したガラスのグリンシートを印刷基体１とし、調整
した導電ペーストを印刷して第１層配線２、抵抗体用電
極３、コンデンサ用電極４を形成し、乾燥後調整した抵
抗ペーストを印刷して第１層抵抗体５を形成した。次い
で調整した誘電体ペーストを印刷して第１層誘電体６を
形成し、導電ペーストを印刷して。
コンデンサ用電極電極７を形成した。その恢調整した絶
縁ペーストを印刷して眉間絶縁体８を形成した。この時
、層の上・下を電気的に接続するためのスルーホール９
を形成しておく。次いで導電ペーストを印刷してスルー
ホールを通して層間導通なとるとともに、第１層と同様
に、第２層配＠１０の他に抵抗体用電極５′、コンデン
サ用電極１４′、コンデンサ用対向電極７′、ならびに
外部接続用端子１１や部品搭載用端子１２を形成し、抵
抗ペースト、誘電体ペーストを印刷し、誘電体層上には
、さらに導電ペーストを印刷して、第２層抵抗体１！Ｉ
、第２層誘電体１４を形成した。
このようにして印刷積層した未焼結基板を、８５０＠Ｃ
を１０分間保持する空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理し
た。この時グリンシートは１５嘔収縮したが、基板の反
りや抵抗膜・誘電膜のはく離・クラックは無かった。
実施例ｉ 絶縁材に絶縁性結晶性酸化物と非晶質ガラスの混合愉、
抵抗体のバインダガラスに結晶化ガラス、そして誘電体
のバインダガラスに非晶質ガラスを用い、第２図で示す
構成の多層混成集積回路基板を作成した例について述べ
る。
グリンシートは、次のようにして調整した。
重量百分率でＳｔＯ，が５５チ、　ｐｂｏが１７チ、　
ＡＩ、Ｏ。
が９−、Ｃｓ＋０が８チ、　Ｂ、０８が５　％　、　Ｍ
ｇＯが１惨Ｎｉ、Ｏが！１嘔、に４０が２９１となるよ
うに酸化物、炭酸塩、あるいは水酸化物を秤量し、ポー
ル建ルで混合して実施例１で示した要領に従つて平均粒
径２４ａ、軟化点６９０°Ｃの非晶質ガラスの微粉末を
作成した。このガラス微粉末７０ｇに対して、平均粒径
がα６Ｊｔｎのアルさすを１５ｇ、平均粒径１ｏＥｎの
マグネシアスピネル（ＭｇＡｌ、０４）を１０ｇ、さら
に平均粒径凹割のジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒ０．
　）を５ｇの割合で加えて混合し、実施例１で示した要
領に従りてグリンシートを作成した。このシートは、熱
処理温度が高くなるにつれてわずかずつ収縮量が増すが
、８００°Ｃで大巾に収縮し、９０００Ｃまでの収縮率
は１６チ程度ではぼ一定でありた。これから、このグリ
ンシートの焼成温度を８５０’Ｃとした。
抵抗体のパイレダガラスは、重量百分率で８１０、が３
１嘔、Ｂ、０．が４　％　、　　ＡＩ、０．が１０Ｉｓ
、　Ｔｉｅ。
が１１−、ＢａＯが２５％、ＺｎＯが１２％、ＣａＯが
４鴨にθが３−となるように酸化物、炭酸塩あるいは水
酸化物を秤量し、実施例１に示した要領で平均粒径２Ａ
ｔｔｎのガラス微粉とする。このガラス微粉末は、８４
０＠Ｃでセルジアン（ＢａＡｔ、８１，０・）の結晶を
析出する発熱ピークをもつ結晶化ガラスである。このガ
ラス微粉末８．０ｇに、平均粒径ｔ５ｇｎのＢｉ、Ｒｕ
、Ｏ，を２．Ｏｇの割合で混合し、有機ビヒクルを加え
て混練して抵抗ペーストとした。
誘電体の非晶質バインダガラスには、重量百分率−ｃＢ
ｌ、Ｏ，が６０９Ｇ　、　ＰｂＯが１ｓｌ、　８ｉ０．
力１１１％、　Ａｔ、Ｏ，が５１６．ＣａＯが４　％　
＊　ＺｎＯが１５外Ｂ、０３か２％の組成で、平均粒径
が２．７陣のガラス微粉末を用いた。このガラス粉末の
軟化点は、ＳＳＯｏＣであった。
誘電体ペーストは、平均粒径ｕｔｔｎに粉砕したチタン
酸バリウムＢａＴｉ（％９．７ｇに、上記のようにして
調整したガラス微粉末を１３ｇの割合で混合し、有機ビ
ヒクルを加えて混練して誘電体ペーストとした。
第２図のように、グリンシートの印刷基体１に％Ａｇ・
Ｐｄの混合粉と有機ビヒクルから成る導体ペーストを印
刷して第１層配′ａ２、抵抗体用電極３、コンデンサ用
電極４を形成し、乾燥後調製した抵抗体ペーストを印刷
して第１層抵抗体５を形成した。次いで、調製した誘電
体ペーストを印刷して第１層誘電体６を形成し、導電ペ
ーストを印刷してコンデンサ用対向電極７を形成した。
次に、スルーホール９を形成した他のグリンシートの基
体に、第１層目と同様にして導体ペーストを印刷して抵
抗体用電極３′、；ンデンサ用電極４′、第２層導体１
０、外部接続用端子１１、部品搭載用端子１２を形成し
、抵抗ペーストを印刷して第２層抵抗体１５、誘電体ペ
ーストを印刷して第２層誘電体１４を形成し、乾燥して
から導体ペーストを印刷してコンデンサ用対向電極７′
を形成し、スルーホール９にも導体ペーストを充填して
上・下層の導通なもたせる。
これらの２枚の印刷したグリンシートを重ね合わせ、１
００°Ｃに加熱、５００Ｋｖ−の荷重で圧着し、８５０
°Ｃを１０分間保持する空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処
理した。この時回路基板は１６９に収縮したが、基板の
反りや抵抗膜・誘電膜のはく離・クラックは無かりた。
実施例五 絶縁材に低融点の酸化物セラミックス、抵抗体および誘
電体のバインダガラスに結晶化ガラスを用い、第１図に
示す構成の多層混成集積回路基板を作成した例について
述べる。
グリンシート用および層間絶縁体材料は次のようにして
調製した。重量百分率でＧｅｍ、が３５Ｉｓ、ＢＩＯが
３５％　、　ＡＩ、Ｏ，が１４チ、　ＣａＯが７−、Ｐ
ｂＯが５９６．Ｂ量、０．が５チ、　Ｂ、０．が１％と
なるように酸化物、炭酸塩および水酸化物を秤量し、ボ
ールオルで混合し、ポリビニルアルコールの水溶液を加
えてプレスにより円板に成型した。これを、９００＠Ｃ
を２時間保持する条件で熱処理した。この焼結体をメノ
ー製乳鉢およびボールオルで粉砕し、平均粒径２．２Ｊ
１ｍの微粉末を作成した。
この微粉末を、実施例１で示した要領に従ってグリンシ
ートおよび層間絶縁体用の絶縁ペーストとした。
抵抗体および誘電体用の結晶化ガラスには、実施例１に
おいて絶縁材料に用いた組成のガラス微粉末を用いた。
抵抗体ペーストは、平均粒径Ｑ、８／Ｊｍの酸化ルテニ
ウム（Ｒｕｂ、　）　８．０ｇにバインダガラス微粉末
を２．０ｇの割合で混合し、誘電体ペーストは、平均粒
径２．７／ｆｎのチタン酸パＶｔム（Ｂ１Ｔｉ０．）　
９．５ｇにバインダガラス微粉末を０．５ｇの割合で混
合し、それぞれ有機ビヒクルを加えて混練して作成した
。
作成したグリンシート上に実施例１で調製した導電ペー
スト、新たに調製した抵抗ペースト、誘電体ペーストお
よび調製した絶縁体ペーストを印刷し、実施例１に示し
た要領に従りて多層化し、ｓｓｏ＠ｃを２０分間保持す
る空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理し、第１図に示した
回路基板を作成した。回路基板の反りや抵抗膜・誘電体
膜のはく離・クラックは無かりた。
以上述べたように本発明によれば、１０００℃以下で熱
処理して焼結する絶縁材料を回路基板材および眉間絶縁
材とすることで、従来の厚膜回路に用いられたと同様の
抵抗体や誘電体をも多層化することが可能となり、かつ
、グリンシートを用いるため微細な導体配線をも形成で
きる。
このように、従来技術の欠点を補い、また長所を生かす
ことにより、半導体ＩＣチップその他の部品を高密度に
実装できる小形、高集積の回路基板を製造できるように
なった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による多層混成集積回路基板の一例を示
す断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。 １−印刷基体　　　　２−第１層配線 ３−抵抗体用電極　　４−・コンデンサ用電極５−第１
層抵抗体　　６・・・第１層誘電体７−・コンデンサ用
対向電極 ８・−絶縁体　　　　　９−スルーホール１０・・・第
２層配置ｌ１１１１・−外部接続用端子１２・・・部品
搭載用端子　１３−第２層抵抗体１４・−第２層誘電体 代理人弁理士　薄　１）ｍ’ｇ、−ｑ。 牙　１　図 オ　２　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｔ　抵抗〜誘電体回路、抵抗回路もしくは誘電体回路の
    設けられた基板、この基板の回路形成面の接続部を除い
    た全面に設けられた絶縁層、この絶縁層上に上記接続部
    で上記回路と接続されている第２抵抗〜誘電体回路第２
    抵抗回路もしくは第２誘電体回路、必要に応じて更に絶
    縁層、抵抗〜誘電体回路、抵抗回路もしくは誘電体回路
    が上記と同様にして最小１闘設けられた多層回路板にお
    いて、前記基板、前記絶縁層のすべてが夫々結晶化ガラ
    ス、絶縁性酸化物結晶の微粒子と非晶質ガラスの混合物
    、低融点の絶縁性酸化物結晶体のうちから選ばれた少な
    くとも１１１類の実質的に１０００６Ｃ以下の温度で焼
    結する材料であり、前記回路のすベズの導体路が金属と
    ガラスの混合物もしくは金属のみであり、前記回路のす
    べての抵抗体が導電性微粉末とガラスの混合物であり、
    前記回路のすべての誘電体が高融点の高誘電率誘電体微
    粉末とガラスの混合物もしくは低融点の高誘電率誘電体
    であることを特徴とする多層回路板。 ２　グリーンシート上に導体ペーストと抵抗ペースト、
    誘電体ペーストの少なくとも一方を夫々印刷、乾燥し【
    導体路で抵抗体、誘電体が接続された未焼成回路を形成
    し、ついで上記のグリーンシートの回路形成面の接続部
    を除いた全面に絶縁ペーストを印刷、乾燥して未焼成絶
    縁層を形成し、更にこの絶縁層上に導体ペーストで上記
    抵抗回路と接続するように未焼成導体回路を印刷、乾燥
    して形成すると共に抵抗ペースト、誘電体ペーストの少
    な（とも一方のペーストを印刷、乾燥して未焼酸第２の
    回路を形成し、必要に応じ【更に未焼成絶縁層、未焼成
    回路を上記と同様にして夫々最小１回設けて多層化した
    未焼成回路板とし、その後これを焼成することを特徴と
    する多層回路板の製造方法。
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