JPS60208886A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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- JPS60208886A JPS60208886A JP59064747A JP6474784A JPS60208886A JP S60208886 A JPS60208886 A JP S60208886A JP 59064747 A JP59064747 A JP 59064747A JP 6474784 A JP6474784 A JP 6474784A JP S60208886 A JPS60208886 A JP S60208886A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、厚膜多層配線基板上にICチップその他のチ
ップ部品を搭載し、ボッティングにより封止する電子部
品の製造方法に関する。
ップ部品を搭載し、ボッティングにより封止する電子部
品の製造方法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
近年、電子機器の小型化、軽量化、高信頼性化の要求が
多くの分野において高まってきており、これらの要求を
満足するハイブリッドICの開発がすすめられている。
多くの分野において高まってきており、これらの要求を
満足するハイブリッドICの開発がすすめられている。
このハイブリッドICに使用される多層配線基板の製造
法の1つとして厚膜法による製造方法が知られている。
法の1つとして厚膜法による製造方法が知られている。
この厚膜法においては、第1図および第2図に示ずよう
に、゛セラミック基板1上に、ALI ; Pt 。
に、゛セラミック基板1上に、ALI ; Pt 。
AU S/’l Pd 、Cu等を導電金属として用い
た導体ペーストによる下部導体配線層2aと上部導体配
線層2bと結晶化ガラスペースト等による下部絶縁層3
a、上部絶縁層3bとが印刷、乾燥、焼成の繰り返しに
より交互に形成されて、厚膜回路配線基板が形成される
。
た導体ペーストによる下部導体配線層2aと上部導体配
線層2bと結晶化ガラスペースト等による下部絶縁層3
a、上部絶縁層3bとが印刷、乾燥、焼成の繰り返しに
より交互に形成されて、厚膜回路配線基板が形成される
。
この厚膜回路配線基板上処理
載するための導体パターン4a 、4b 、搭載された
ICチップと厚膜回路配線基板との電気的接続を形成す
るためのボンディング用導体パターン401人出力リー
ドを取り付けるための導体パターン4d、およびこれ等
の導体パターン4a〜4dを電気的に相互接続するため
の導体配線パターン4eが形成される。
ICチップと厚膜回路配線基板との電気的接続を形成す
るためのボンディング用導体パターン401人出力リー
ドを取り付けるための導体パターン4d、およびこれ等
の導体パターン4a〜4dを電気的に相互接続するため
の導体配線パターン4eが形成される。
ところでこのような厚膜回路配線基板では、その上にI
Cチップ等のチップ部品を搭載した後、外気とチップ部
品を遮断するためにその最上層を封止する必要がある。
Cチップ等のチップ部品を搭載した後、外気とチップ部
品を遮断するためにその最上層を封止する必要がある。
このような封止方法としては、封止用の金属キャップあ
るいはセラミックキャップ(図示を省略)で厚膜回路配
線基板の上面を覆い、その接合部をハンダシールあるい
は溶接シール等により封止する方法がとられている。
るいはセラミックキャップ(図示を省略)で厚膜回路配
線基板の上面を覆い、その接合部をハンダシールあるい
は溶接シール等により封止する方法がとられている。
この方法によれば、気密に対する高信頼性が得られるが
こうして得られるハイブリッドIC等の電子部品はコス
トが高くなるという難点がある。。
こうして得られるハイブリッドIC等の電子部品はコス
トが高くなるという難点がある。。
一方、多少信頼性の点ではキャップを用いた半田等によ
る封止シールよりも劣るが、電子部品の製品コストを低
減させる封止方法として、ICチップ等のチップ部品を
搭載し1〔厚膜回路配線基板上にエポキシ樹脂やシリコ
ーンゴム等の硬化性組成物をポツティングし外気と前記
ICチップ等のチップ部品とを遮断する樹脂ゴム封止法
が考えられる。
る封止シールよりも劣るが、電子部品の製品コストを低
減させる封止方法として、ICチップ等のチップ部品を
搭載し1〔厚膜回路配線基板上にエポキシ樹脂やシリコ
ーンゴム等の硬化性組成物をポツティングし外気と前記
ICチップ等のチップ部品とを遮断する樹脂ゴム封止法
が考えられる。
しかしながらこのポツティングによる封止法では、信頼
性の面、特に耐湿性の面で問題があり、厚膜回路配線基
板の表面の導体配線パターン4eの間隔の狭い場所では
ポツティングされたエポキシ樹脂あるいはシリコーンゴ
ム等の内部に湿気が侵入して、特にACI系の導体配線
においては、マイグレーションによる配線の短絡事故が
発生するという難点があった。
性の面、特に耐湿性の面で問題があり、厚膜回路配線基
板の表面の導体配線パターン4eの間隔の狭い場所では
ポツティングされたエポキシ樹脂あるいはシリコーンゴ
ム等の内部に湿気が侵入して、特にACI系の導体配線
においては、マイグレーションによる配線の短絡事故が
発生するという難点があった。
このような問題を回避するため、例えば厚膜回路配線基
板表面のチップ部品搭載用の導体パターン4a 、4b
、4cあるいは入出力リードを取付けるための導体パ
ターン4d等の部品搭載用導体パターンを除いた部分5
(第1図の散点部分)に絶縁体である結晶化ガラスペー
ストを印刷、乾燥、焼成することが考えられる。
板表面のチップ部品搭載用の導体パターン4a 、4b
、4cあるいは入出力リードを取付けるための導体パ
ターン4d等の部品搭載用導体パターンを除いた部分5
(第1図の散点部分)に絶縁体である結晶化ガラスペー
ストを印刷、乾燥、焼成することが考えられる。
しかしながら結晶化ガラス層は有孔性(ポーラス)であ
つC1湿気が結晶化ガラス層を透過し【しまい、耐湿性
の向上にはあまり寄与しないという問題があった。
つC1湿気が結晶化ガラス層を透過し【しまい、耐湿性
の向上にはあまり寄与しないという問題があった。
さらにまたオーバーグレーズとして用いられる非結晶化
ガラス層6を印刷、乾燥、焼成することにより耐湿性を
向上させることも考えられるが、非結晶化ガラス層は、
第2図に示すように表面が平滑に過ぎて、第3図に示す
ようにICチップ等のチップ部品7を実装後、エポキシ
樹脂あるいはシリコーンゴム等の硬化性組成物7をボッ
ティングしC硬化させた場合、硬化したエポキシ樹脂や
シリコーンゴム等が厚膜回路配線基板表面から容易には
がれてしまうという欠点があった。なお第3図において
、8はチップ部品を接着した接着剤層、9はボンディン
グワイヤを示している。
ガラス層6を印刷、乾燥、焼成することにより耐湿性を
向上させることも考えられるが、非結晶化ガラス層は、
第2図に示すように表面が平滑に過ぎて、第3図に示す
ようにICチップ等のチップ部品7を実装後、エポキシ
樹脂あるいはシリコーンゴム等の硬化性組成物7をボッ
ティングしC硬化させた場合、硬化したエポキシ樹脂や
シリコーンゴム等が厚膜回路配線基板表面から容易には
がれてしまうという欠点があった。なお第3図において
、8はチップ部品を接着した接着剤層、9はボンディン
グワイヤを示している。
[発明の目的]
本発明は、このような事情に対処してなされたもので、
その目的とするところは、耐湿性が良好で、しかも封止
のためにポツティングされたエポキシ樹脂やシリコーン
ゴム等の硬化性組成物が強固に厚膜回路配線基板上に接
着し、これによって信頼性の高い封止がなされた電子部
品を製造し得る方法を提供することにある。
その目的とするところは、耐湿性が良好で、しかも封止
のためにポツティングされたエポキシ樹脂やシリコーン
ゴム等の硬化性組成物が強固に厚膜回路配線基板上に接
着し、これによって信頼性の高い封止がなされた電子部
品を製造し得る方法を提供することにある。
[発明の概要]
すなわち本発明の電子部品の製造方法は、厚膜口、路配
線基板表面のICチップその他の部品搭載用導体パター
ンを除く部分に非結晶化ガラスペーストを印刷、乾燥、
焼成する工程と、この工程により形成された非結晶化ガ
ラス層上に結晶化ガラスペーストを印刷、乾燥、焼成す
る工程と、この工程において形成された厚膜回路配線基
板上にチップ部品その他の部品を実装する工程と、前記
ICチップその他の部品上に硬化性組成物によるポツテ
ィングを施す工程とを具備することを特徴としている。
線基板表面のICチップその他の部品搭載用導体パター
ンを除く部分に非結晶化ガラスペーストを印刷、乾燥、
焼成する工程と、この工程により形成された非結晶化ガ
ラス層上に結晶化ガラスペーストを印刷、乾燥、焼成す
る工程と、この工程において形成された厚膜回路配線基
板上にチップ部品その他の部品を実装する工程と、前記
ICチップその他の部品上に硬化性組成物によるポツテ
ィングを施す工程とを具備することを特徴としている。
[発明の実施例]
以下図面を参照しながら本発明の一実施例を説明する。
第4図は本発明の一実施例により製造された電子部品を
示す断面図である。なお同図におい°C1第1図ないし
第3図と共通する部分には同一符号が付されている。
示す断面図である。なお同図におい°C1第1図ないし
第3図と共通する部分には同一符号が付されている。
この実施例においては、アルミナ等のセラミック基板1
上にAU 、ptΔu1△a 、 Pd 、 Cu等の
導体ペーストにより下部導体配線層2aが形成され、そ
の上に結晶化ガラスペーストにより下部絶縁層3aが形
成され、この下部絶縁層3aにはスルーホールが形成さ
れてその上に導体ペーストにより上部導体配線層2bが
形成され、同時にこの下部導体配線層2hと下部導体配
線層2aとを電気的に接続する接続導体2Cがスルーホ
ール内に形成される。
上にAU 、ptΔu1△a 、 Pd 、 Cu等の
導体ペーストにより下部導体配線層2aが形成され、そ
の上に結晶化ガラスペーストにより下部絶縁層3aが形
成され、この下部絶縁層3aにはスルーホールが形成さ
れてその上に導体ペーストにより上部導体配線層2bが
形成され、同時にこの下部導体配線層2hと下部導体配
線層2aとを電気的に接続する接続導体2Cがスルーホ
ール内に形成される。
さらに同様にして上部導体配線層2b上には、上部絶縁
m3bおよびその層内にスルーホールが形成され、その
上に表面導体パターンおよびこの表面導体パターンと上
部導体配線層2bとを電気的に接続する接続導体とが順
に形成される。
m3bおよびその層内にスルーホールが形成され、その
上に表面導体パターンおよびこの表面導体パターンと上
部導体配線層2bとを電気的に接続する接続導体とが順
に形成される。
この表面導体パターンのうち部品搭載用の導体パターン
48〜4dを除いた部分には、オーバーグレーズタイプ
の軟化点500℃程度の非結晶化ガラス層6aと軟化点
900℃程度の結晶化ガラス層6bとが、それぞれのガ
ラスペーストの印刷、乾燥、焼成により順に形成される
。
48〜4dを除いた部分には、オーバーグレーズタイプ
の軟化点500℃程度の非結晶化ガラス層6aと軟化点
900℃程度の結晶化ガラス層6bとが、それぞれのガ
ラスペーストの印刷、乾燥、焼成により順に形成される
。
次いで表面導体層のチップ部品を搭載するための導体パ
ターン4a 、4b上には、ICチップ等のチップ部品
7が導電エポキシ等の接着剤により搭載され、例えばA
UあるいはA1線等からなるボンディングワイヤ9を用
いてワイヤボンディングにより、このチップ部品上の端
子パッドと基板上の導体配線パターン4Cとが電気的に
接続される。
ターン4a 、4b上には、ICチップ等のチップ部品
7が導電エポキシ等の接着剤により搭載され、例えばA
UあるいはA1線等からなるボンディングワイヤ9を用
いてワイヤボンディングにより、このチップ部品上の端
子パッドと基板上の導体配線パターン4Cとが電気的に
接続される。
一方、導体パターン4d (第4図において図示せず)
上には入出力リードが導電エポキシ等の接着剤により搭
載される。
上には入出力リードが導電エポキシ等の接着剤により搭
載される。
この後ICチップ7、ボンディングワイヤ9、入出力リ
ード(図示せず)の基部上にエポキシ樹脂あるいはRT
Vタイプのシリコーンゴム等の硬化性組成物10による
ポツティングが施され、硬化されて外気と遮断される。
ード(図示せず)の基部上にエポキシ樹脂あるいはRT
Vタイプのシリコーンゴム等の硬化性組成物10による
ポツティングが施され、硬化されて外気と遮断される。
第5図は本発明の他の実施例により得られた電子部品の
横断面図である。この実施例は、ポツティングする領域
が異なる点を除いて第4図に示した実施例と同一構成と
されている。
横断面図である。この実施例は、ポツティングする領域
が異なる点を除いて第4図に示した実施例と同一構成と
されている。
この実施例においては、入出力リード11を除いてセラ
ミック基板1の裏面を含む全面が硬化性組成物10によ
りポツティングされCいる。
ミック基板1の裏面を含む全面が硬化性組成物10によ
りポツティングされCいる。
この実施例によれば第3図に示した実施例よりもさらに
信頼性の高い電子部品を得ることができる。
信頼性の高い電子部品を得ることができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、厚膜回路配線基
板の部品搭載用導体パターンを除く部分に非結晶化ガラ
スの層と結晶化ガラスの層とを順に形成し、その上にボ
ッティングを行なうようにしたので、最上層に形成され
たポーラスな結晶化ガラス層がポツティング用の硬化性
組成物と非常に強固に接着し、またその結晶化ガラス層
の下部の非結晶化ガラス層が外部からの湿気の侵入を完
全に防止して信頼性の非常に高い樹脂封止による電子部
品を提供することが可能となる。
板の部品搭載用導体パターンを除く部分に非結晶化ガラ
スの層と結晶化ガラスの層とを順に形成し、その上にボ
ッティングを行なうようにしたので、最上層に形成され
たポーラスな結晶化ガラス層がポツティング用の硬化性
組成物と非常に強固に接着し、またその結晶化ガラス層
の下部の非結晶化ガラス層が外部からの湿気の侵入を完
全に防止して信頼性の非常に高い樹脂封止による電子部
品を提供することが可能となる。
第1図は従来の樹脂封止による電子部品に用いられる厚
膜回路配線基板の斜視図、第2図はその断面図、第3図
は従来の厚膜回路配線基板上にICチップ等のチップ部
品を実装した後樹脂封止した電子部品の断面図、第4図
は本発明により得られた電子部品の断面図、第5図は本
発明の他の実施例により得られた電子部品の断面図であ
る。 1・・・・・・・・・・・・・・・セラミック基板2a
、2b−−−導体ペースト 3a 、3b・・・絶縁体ペースト 4a 、4b・・・部品を搭載するための導体パターン 4C・・・・・・・・・・・・ICチップと厚膜回路配
線基板との電気的接続を形成 するための導体パターン 4d・・・・・・・・・・・・入出力リードを取りイリ
(プるための導体パターン 4e・・・・・・・・・・・・導体パターン間を電気的
に接続するための導体配線 パターン 5・・・・・・・・・・・・・・・部品搭載用の導体パ
ターンを除いた部分 6.6a・・・・・・非結晶化ガラス層6b・・・・・
・・・・・・・結晶化ガラス層7・・・・・・・・・・
・・・・・j Cチップ8・・・・・・・・・・・・・
・・接着剤層9・・・・・・・・・・・・・・・ボンデ
ィングワイヤ10・・・・・・・・・・・・・・・硬化
性組成物代理人弁理士 須 山 佐 −
膜回路配線基板の斜視図、第2図はその断面図、第3図
は従来の厚膜回路配線基板上にICチップ等のチップ部
品を実装した後樹脂封止した電子部品の断面図、第4図
は本発明により得られた電子部品の断面図、第5図は本
発明の他の実施例により得られた電子部品の断面図であ
る。 1・・・・・・・・・・・・・・・セラミック基板2a
、2b−−−導体ペースト 3a 、3b・・・絶縁体ペースト 4a 、4b・・・部品を搭載するための導体パターン 4C・・・・・・・・・・・・ICチップと厚膜回路配
線基板との電気的接続を形成 するための導体パターン 4d・・・・・・・・・・・・入出力リードを取りイリ
(プるための導体パターン 4e・・・・・・・・・・・・導体パターン間を電気的
に接続するための導体配線 パターン 5・・・・・・・・・・・・・・・部品搭載用の導体パ
ターンを除いた部分 6.6a・・・・・・非結晶化ガラス層6b・・・・・
・・・・・・・結晶化ガラス層7・・・・・・・・・・
・・・・・j Cチップ8・・・・・・・・・・・・・
・・接着剤層9・・・・・・・・・・・・・・・ボンデ
ィングワイヤ10・・・・・・・・・・・・・・・硬化
性組成物代理人弁理士 須 山 佐 −
Claims (1)
- (1)厚膜回路配線基板表面のICチップその他の部品
搭載用導体パターンを除く部分に非結晶化ガラスペース
トを印刷、乾燥、焼成する工程と、この工程により形成
された非結晶化ガラス層上に結晶化ガラスペーストを印
刷、乾燥、焼成する工程と、この工程において形成され
た厚膜回路配線基板上にICチップその他の部品を実装
する工程と、前記ICチップその他の部品上に硬化性組
成物によるポツティングを施す工程とを具備することを
特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59064747A JPS60208886A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子部品の製造方法 |
EP85302138A EP0157590B1 (en) | 1984-03-31 | 1985-03-27 | Packaged electronic device |
DE8585302138T DE3580180D1 (de) | 1984-03-31 | 1985-03-27 | Verkapselte elektronische anordnung. |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59064747A JPS60208886A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
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JPH0210571B2 JPH0210571B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
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- 1985-03-28 US US06/716,980 patent/US4639830A/en not_active Expired - Lifetime
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