JPS58114497A - セラミツク多層回路基板およびその製造方法 - Google Patents
セラミツク多層回路基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS58114497A JPS58114497A JP56209775A JP20977581A JPS58114497A JP S58114497 A JPS58114497 A JP S58114497A JP 56209775 A JP56209775 A JP 56209775A JP 20977581 A JP20977581 A JP 20977581A JP S58114497 A JPS58114497 A JP S58114497A
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- JP
- Japan
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- ceramic
- circuit board
- conductor
- multilayer circuit
- ceramic multilayer
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はセラミ、り多層回路基板に関し、特にその表面
に形成するＩＣ素子岬の部品接続用導体突起の製造方法
に関するものである。
に形成するＩＣ素子岬の部品接続用導体突起の製造方法
に関するものである。
（２）技術の背景
ＩＣあるいはＬＳＩ都の半導体部品素子はセラミ、り多
層回路基板上に搭載されて各種半導体装置ｔ−ｍ成する
。このような半導体部品素子をセラミック基板上に搭載
接合する場合、素子の接続端子部にハンダゴールを接合
し、セラミック基板には素子の接続端子部に対応して内
部回路と接続した部品接続用ランドあるいはバング勢を
突出させて形成し、この部品接続用突出部に上記半導体
素子のハンダが−ルを載置しこれｔ加熱してハンダ接合
している・一方、セラミック多層回路基板の製造方法と
して、各層の上下の回路パターンを接続するためのパイ
７ホールをグリーンシー）Ｋ？設することなく、グリー
ンシートに導体が−ルを圧入埋設しこのグリーン７−ト
ｔ−積層して焼成し、各導体ゴールによりセラミック基
板各層の回路同士ｔ−接続させた導体が一部充横方法が
開発されている。
層回路基板上に搭載されて各種半導体装置ｔ−ｍ成する
。このような半導体部品素子をセラミック基板上に搭載
接合する場合、素子の接続端子部にハンダゴールを接合
し、セラミック基板には素子の接続端子部に対応して内
部回路と接続した部品接続用ランドあるいはバング勢を
突出させて形成し、この部品接続用突出部に上記半導体
素子のハンダが−ルを載置しこれｔ加熱してハンダ接合
している・一方、セラミック多層回路基板の製造方法と
して、各層の上下の回路パターンを接続するためのパイ
７ホールをグリーンシー）Ｋ？設することなく、グリー
ンシートに導体が−ルを圧入埋設しこのグリーン７−ト
ｔ−積層して焼成し、各導体ゴールによりセラミック基
板各層の回路同士ｔ−接続させた導体が一部充横方法が
開発されている。
（３）従来技術と問題点
従来、セラミック回路基板上にＩＣあるいはＬＳＩ＝％
の部品接続用導体突起を基板表面に形成する礪台、内部
の回路ノリーン形成後のセラミック基板上にスクリーン
印刷あるいはメッキ勢の厚膜法又はスパッタ、蒸着、Ｃ
，Ｖ、Ｄ等の薄膜法勢により部品接続−子に対応した位
置に導体突起ｉｔ影形成ている。しかしながら、このよ
うな方法ではセラミック基板に回路パターンを形成後に
新たに基板表面に導体突起部を形成する１根を必要とし
ｊＨ＃Ｌに多くの手間ｔ−要しセラミック多層回路基板
の製造効率の低下を来していた。
の部品接続用導体突起を基板表面に形成する礪台、内部
の回路ノリーン形成後のセラミック基板上にスクリーン
印刷あるいはメッキ勢の厚膜法又はスパッタ、蒸着、Ｃ
，Ｖ、Ｄ等の薄膜法勢により部品接続−子に対応した位
置に導体突起ｉｔ影形成ている。しかしながら、このよ
うな方法ではセラミック基板に回路パターンを形成後に
新たに基板表面に導体突起部を形成する１根を必要とし
ｊＨ＃Ｌに多くの手間ｔ−要しセラミック多層回路基板
の製造効率の低下を来していた。
（４）発明の目的
本一発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、導体ゴール充填方法によるセラミ。
って、導体ゴール充填方法によるセラミ。
り多鳩回路基板製造方法會応用することによシ容易にＰ
９ｒ望位置に部品接続用導体突起部を形紙することがで
きるセラミック多層回路基板およびその製造方法の提供
を目的とする。
９ｒ望位置に部品接続用導体突起部を形紙することがで
きるセラミック多層回路基板およびその製造方法の提供
を目的とする。
（５） 発明の構成
この目的を達成するため、本発明に係るセラミック多層
回路基板は表面に部品接続用半球状導体突起部を有し、
このような士ラミック多層回路基板は、導体が一部を埋
設した複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成
し、該導体ゾールによシ槓層焼成されたセラミック基板
の回路同士を＋＆絖したセラミ、り多層回路基板の製造
方法において、表面ＰＩ１１１に構成するセラミ、り基
板のグリーン７−トの厚さをこのグリーンシートに埋設
する導体ボールの大きさく対して焼成後に導体ゴールが
セラミック基板表面に突出するような厚さとして焼成後
に表面層の導体？−ルによシＳ品接続用半球状突起を基
板表面上に形成したものである。
回路基板は表面に部品接続用半球状導体突起部を有し、
このような士ラミック多層回路基板は、導体が一部を埋
設した複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成
し、該導体ゾールによシ槓層焼成されたセラミック基板
の回路同士を＋＆絖したセラミ、り多層回路基板の製造
方法において、表面ＰＩ１１１に構成するセラミ、り基
板のグリーン７−トの厚さをこのグリーンシートに埋設
する導体ボールの大きさく対して焼成後に導体ゴールが
セラミック基板表面に突出するような厚さとして焼成後
に表面層の導体？−ルによシＳ品接続用半球状突起を基
板表面上に形成したものである。
（６）発明の実施例、
図面は本発明に係るセラミック多層回路基板の製造工程
図である。セラミック焼成前のグリーンシート１に対し
、例えば金からなる導体ゾール３を埋設すべき位置に配
置するための型枠２ｂおよびこの導体ボール３を押圧す
るための抑圧具２ａからなる１対の導体が一部圧入用器
具を用いて導体ゴール３ｔグリーンシートｌの所定位置
に圧入埋設する。このグリーン７−トの組成は重量比で
−ｊえばアルミナ粉末５０、ホロシリケイトガラス粉末
５０、Ｉリビニルゾチラーλ９、Ｏ，−）ブチルフタレ
ート３．５、界面活性３．０、有機溶剤５５．０のもの
を用いる０導体ポール３の埋設後に導電ペーストのスク
リーン印刷によりグリーン７−ト表面に回路ｔ４ターン
を形成する。回路ノ臂ターンは必＊に応じてグリーン／
−）１面にも形成される。このようなグリーンシート１
の厚さは焼成後導体メールの径とほぼ等しくなるように
予め設定され、このグリーン７−ト１によるセラミック
鳩は基板の内層上構成する。一方、基板の表面層′ｆｔ
構成するセラミック層を形成するために焼成後に導体ｌ
−ルの径より薄くなるような厚さのグリーン７−）５１
Ｃ前記とｌｊｊ様の押圧具２ａおよび型枠２ｂからなる
圧入用器具を用いて導体−−ル３を圧入埋設する。この
ような表面層用グリーンシート５間に内層用グリーンシ
ー）Ｉｔ積層して挾み、これを焼成すれば内層のセラミ
、り基板１′は導体が−ル３とはぼ同厚とな）表面層の
セラミ、り基板５′上に導体が−に３が突出するためこ
の突出導体ボール３により半球状突起部１１が構成され
たセラミ、り多層回路基板１０が形成される。このよう
なセラミック多層回路基板１０上に半導体素子６が搭載
される。半導体素子６の底面にはノ・ンダ〆一部７が接
合され、このハンダが−ル７がセラミ、り多層回路基板
ｌＯの半球状突起部１１上に搭載され、加熱溶融されて
半導体素子６をセラミック多層回路基板ｌＯ上の内部回
路ノ母ターンと導通した所定の位置に接合する。下側の
半球状突起部１１はこのセラミ、り多層回路基板１０に
一搭載支持する基台９０回路８上に支持され、導電性接
着剤等の適尚な方法で接合される。
図である。セラミック焼成前のグリーンシート１に対し
、例えば金からなる導体ゾール３を埋設すべき位置に配
置するための型枠２ｂおよびこの導体ボール３を押圧す
るための抑圧具２ａからなる１対の導体が一部圧入用器
具を用いて導体ゴール３ｔグリーンシートｌの所定位置
に圧入埋設する。このグリーン７−トの組成は重量比で
−ｊえばアルミナ粉末５０、ホロシリケイトガラス粉末
５０、Ｉリビニルゾチラーλ９、Ｏ，−）ブチルフタレ
ート３．５、界面活性３．０、有機溶剤５５．０のもの
を用いる０導体ポール３の埋設後に導電ペーストのスク
リーン印刷によりグリーン７−ト表面に回路ｔ４ターン
を形成する。回路ノ臂ターンは必＊に応じてグリーン／
−）１面にも形成される。このようなグリーンシート１
の厚さは焼成後導体メールの径とほぼ等しくなるように
予め設定され、このグリーン７−ト１によるセラミック
鳩は基板の内層上構成する。一方、基板の表面層′ｆｔ
構成するセラミック層を形成するために焼成後に導体ｌ
−ルの径より薄くなるような厚さのグリーン７−）５１
Ｃ前記とｌｊｊ様の押圧具２ａおよび型枠２ｂからなる
圧入用器具を用いて導体−−ル３を圧入埋設する。この
ような表面層用グリーンシート５間に内層用グリーンシ
ー）Ｉｔ積層して挾み、これを焼成すれば内層のセラミ
、り基板１′は導体が−ル３とはぼ同厚とな）表面層の
セラミ、り基板５′上に導体が−に３が突出するためこ
の突出導体ボール３により半球状突起部１１が構成され
たセラミ、り多層回路基板１０が形成される。このよう
なセラミック多層回路基板１０上に半導体素子６が搭載
される。半導体素子６の底面にはノ・ンダ〆一部７が接
合され、このハンダが−ル７がセラミ、り多層回路基板
ｌＯの半球状突起部１１上に搭載され、加熱溶融されて
半導体素子６をセラミック多層回路基板ｌＯ上の内部回
路ノ母ターンと導通した所定の位置に接合する。下側の
半球状突起部１１はこのセラミ、り多層回路基板１０に
一搭載支持する基台９０回路８上に支持され、導電性接
着剤等の適尚な方法で接合される。
（７）発明の詳細
な説明したように、本発明においては、セラミ、り多層
回路基板のパイ７ホール穿設工１／ＭＫ代えて導体ゴー
ルをグリーン７−トに圧入埋設する導体ゴール充填方法
によるセラミ、り多層回路基板製造方法を利用して、表
面層のグリーンシートを薄くして焼成＊に導体が一部を
基板表面に突出させることにより、この突出した導体が
−ル會部品接続用の突出ランド又はバングとして用いる
ことができる。従って、基板の回路パターン形成と四時
に部品接続用突出部が形成され、メッキ、印桐、ス・譬
、り婢による新たな部品接続用突出部の形成工程が不要
とな夛セラミ、り多層回路基板の製造効率が向上する。
回路基板のパイ７ホール穿設工１／ＭＫ代えて導体ゴー
ルをグリーン７−トに圧入埋設する導体ゴール充填方法
によるセラミ、り多層回路基板製造方法を利用して、表
面層のグリーンシートを薄くして焼成＊に導体が一部を
基板表面に突出させることにより、この突出した導体が
−ル會部品接続用の突出ランド又はバングとして用いる
ことができる。従って、基板の回路パターン形成と四時
に部品接続用突出部が形成され、メッキ、印桐、ス・譬
、り婢による新たな部品接続用突出部の形成工程が不要
とな夛セラミ、り多層回路基板の製造効率が向上する。
図面は本発明に係るセラミック多層回路基板の製造工程
図である。 １．５・・・グリーンｙ−）、３・・・導体ゴール、４
・・・回路ツクターン、６・・・半導体集子、７・・・
ノ１ンダが−ル ｌＯ・・・セラミ、り多層回路基板。
図である。 １．５・・・グリーンｙ−）、３・・・導体ゴール、４
・・・回路ツクターン、６・・・半導体集子、７・・・
ノ１ンダが−ル ｌＯ・・・セラミ、り多層回路基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次面層′ｆｔ構成するセラミック基板のグリーンシ
ートに埋設された導体ゴールが焼成後のセラミック基板
ｔｅｔｉｉ＋に部品接続用として突出されて成ることｔ
％黴とするセラミック多層回路基板。 ２ 導体ゴールを埋設した複数のセラミックグリーンシ
ー）１−８層して焼成し、骸専体ｌ−ルによｐ１棟層焼
成され九七ラミ、り基板の回路同士【接続したセラミッ
ク多層回路基板の製造方法において、表面層を構成する
セラミ、り基板のグリ−７７−）の厚さをこのグリーン
シートに埋設する導体が一部の大きさに対して焼成後に
導体＆ −ルがセラミ、り基板表面に突出するような厚
さとして焼ｇ倣に表面層の導体ゴールにより部品接続用
半球状突起を基板表面上に形成、したことを特徴とする
セラｉ、り多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209775A JPH0646675B2 (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | セラミツク多層回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209775A JPH0646675B2 (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | セラミツク多層回路基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114497A true JPS58114497A (ja) | 1983-07-07 |
| JPH0646675B2 JPH0646675B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=16578399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56209775A Expired - Lifetime JPH0646675B2 (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | セラミツク多層回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646675B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298297A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-11-12 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体パッケージの実装方法 |
| JPH09237948A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-09 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 配線部材の接点部構造 |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP56209775A patent/JPH0646675B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298297A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-11-12 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体パッケージの実装方法 |
| JPH09237948A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-09 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 配線部材の接点部構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0646675B2 (ja) | 1994-06-15 |
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