JPS62117301A - 抵抗体を有する電子回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は集積回路等に実装するために使用する低温焼成
基板、殊に、同時焼成によって形成される抵抗体を有す
る電子回路基板に関するものである。

（従来技術とその問題点） 従来、低温焼成基板に抵抗体を同時焼成によって形成す
る場合、抵抗体と基板材料（絶縁体）の焼成収縮の不一
致或は抵抗体に使用するガラスと基板材料（絶縁体）に
使用するガラスとの間に生ずる成分の拡散又は反応の様
な化学変化によって反りや泡の発生が避けられなかった
。

また、基板材料（絶縁体）と同一組成のガラスを抵抗体
に使用すると抵抗の重要な特性の一つである温度係数（
ＴＣＲ）及び抵抗体の反りを広い抵抗シートの範囲で所
望の設定範囲に納めるととは不可能であった。

（発明の目的） 本発明は反りが少なく、温度係数（ＴＣＲ）の小さい同
時焼成によって形成される抵抗体を有する電子回路基板
を提供することを目的とするものである。

（問題点を解決するだめの手段） 本発明は、アルミナ及びガラスからなる絶縁体層と、ル
テニウム化合物及びガラス／アルミナを主成分とするフ
リットからなる抵抗体とを有する低温焼成セラミック電
子回路基板の抵抗体のフリット成分と絶縁体層のボウ酸
（Ｂ２０６）の含有量の差を０．５〜３０重ｔ　／、Ｏ
−セントとし、反り及び温度係数（ＴＣＲ）の小さい電
子回路基板を得るものである。

（実施例） まず１本発明に使用する絶縁体層及び抵抗体の材料につ
いて説明する。

絶縁体層はアルミナとガラスを主成分としており、ガラ
スはＭｇＯ又はｃ　ａ　ｏ　　ｓ　＋　０２　　Ａ１２
０３−Ｂ２Ｏ３系で、その組成が重量パーセントで、　
Ｍｏ　（但１〜。

Ｍ：Ｃａ、Ｍｇ）：１０〜５５チ、５Ｉ０２：４５〜７
０チ、ＡＩＯ：Ｏ〜３０チ、　Ｂ２Ｏ３：　０〜３０チ
のものを使用する。このガラスには重縫、ｐ−十ントで
１０％までの不純物を含むことがある。

そして、このガラス粉末４０〜６５　重量”−セントに
Ａ１２０３６０〜３５重量パーセントを混合して使用す
る。

また、抵抗体はルテニウム化合物及びガラス／アルミナ
を主成分としており、ガラスは、　ＭｇＯ、ＸはＣａＯ
−５ｉｎ２−Ａ１２０３−　Ｂ２０．系で、その組成が
重量パーセントでＭｏ　（世し、、　Ｍ：　Ｃａ　、Ｍ
ｇ　）：　１０〜５５係、Ｓｉｏ２：　４５〜７０％、
　Ａ１２０３：　０〜３旧ｈＢ２０３：　１〜５０チの
ものを使用１−７．こノ１−に所定届のＡｌ２Ｏ３を混
合し７ても良い。なお、このガラスには。

重ｆｉｔ　／？−セントで１０％″ｔｈでの不純物を含
むことがある。

この〃ラスフリットにルテニウム（Ｒｕ　）化合物とし
て、無定形又は結晶形ＲＬＩＯ，，或←１一般に・ぐイ
ロＢａＲｕ０　　ＩＨａ　ＲｕＯ、５ｒＲｕＯ＊　Ｃａ
Ｒｕ０　　＊　Ｃｏ２Ｒｕｂ４１ＬａＲｕ０　１　Ｌｉ
Ｒｕ０　　、又はＡｇ　Ｂ　＋　Ｒｕ　２０　ｂ等を重
叶ノや一セストでＲｕ系化合物１０〜７０ｆ）に対し、
ガラスフリット９０〜１３０チを混合して使用する。

この抵抗体ハ、エチルセルロース、ポリビニールブチラ
ール或はメタクリル樹脂等の有機重合体及びテルピネオ
ール、ブチルカルピトール或はアセテート等の溶剤を用
いてペースト化して用いる。

そして、前記抵抗体に使用するガラス（フリット成分）
には絶縁体層に使用するガラスよりＢ２Ｏ３を多くする
ことが必要でその量は の式に基づいて算出されるＢ２Ｏ３の合計の差が０．５
〜３０重量パ重量パーマント必要がある。なおり２０３
の含量の差が０．５チ以下では反りが大きくな９、また
、３０％以上になるとガラスの作成が困難となり気泡の
発生が多く不適である。

次に基板の製作及び反り、温度係数の測定結果について
説明する。

まず１重量ノ？−セントでＣａＯ：　２５％ｈ　Ｓ＋０
２　’６２チ、ＡＩＯ：６％１Ｂ２０３＝７チからなる
平均粒度２μｍのガラス６２重量部に対して、平均粒度
１．５μｍのアルミナを３８重量部混合し、ポリメチル
メタクレートを結合剤として常法によりテープ厚さ０．
５　ｍｍのグリーンテーゾを作成した。

このグリーンテーゾを常温から９００℃までの昇温２時
間、９００℃で２０分間ポール！−“、　９００℃から
常温゛までの冷却時間１時間で焼成した。

焼成したグリーンテーゾを３５ｗ角に切断して。

この上面に３０胡四方に第１表に示すＱ　ｆｉｉ類の組
成の異なる１１（抗体波−ストを印刷して焼成した。

以下余白 第１表に１９種類の組成の異なる抵抗体ペーストと夫々
の焼成後のシート抵抗、温度係数及び反りの測定結果で
ある。

なお１反り＝：　ｉ−ｔ、焼成品全平板上に置き、平板
から最十部壕での最大距離（見掛厚さ）の測定値と局部
測定による真の厚みの測定値の差で表示している。

第１表かられかる通り、温度係数は９種の実施例がいず
れもＯ土３８０　ＰＰ・■を以内に納まりまた反りは９
種の実施例中７例がＯＩ最大でも４００μと小さく押え
ることができた。

（発明の効果） 以上の通り１本発明によれば、絶縁体層に対し抵抗体の
Ｂ２Ｏ３含有量を増やすことによりガラスのぬれ性を改
善して、抵抗体の同時焼成による反りを少くすると共に
、温度係数（ＴＣＲ）は負荷側に移行して零に近い値に
することが可能となった。

手続補正書（自発） 昭和６７年９月／り目

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）アルミナ及びガラスからなる絶縁体層と、ルテニウ
   ム化合物及びガラス／アルミナを主成分とするフリット
   からなる抵抗体とを有する低温焼成セラミック電子回路
   基板において、抵抗体のフリット成分と絶縁体層のＢ＿
   ２Ｏ＿３の含有量の差が０．５〜３０重量パーセントで
   あることを特徴とする抵抗体を有する電子回路基板。