JPH029473B2 - - Google Patents
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- JPH029473B2 JPH029473B2 JP58138267A JP13826783A JPH029473B2 JP H029473 B2 JPH029473 B2 JP H029473B2 JP 58138267 A JP58138267 A JP 58138267A JP 13826783 A JP13826783 A JP 13826783A JP H029473 B2 JPH029473 B2 JP H029473B2
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は、多層回路基板の製造方法に係り、特
に、高温で酸化され易い金属を導体材料とし、セ
ラミツクを絶縁体とした多層回路基板の製造方法
に関す。
に、高温で酸化され易い金属を導体材料とし、セ
ラミツクを絶縁体とした多層回路基板の製造方法
に関す。
(b) 技術の背景
半導体装置およびその他の回路装置・部品を搭
載する基板はプリント配線基板が主流であるが、
搭載密度が高くなるに従い、プリント配線基板の
耐熱性や放熱性が問題になつて、その点で優れて
いるセラミツク回路基板が使用されるようになつ
てきた。
載する基板はプリント配線基板が主流であるが、
搭載密度が高くなるに従い、プリント配線基板の
耐熱性や放熱性が問題になつて、その点で優れて
いるセラミツク回路基板が使用されるようになつ
てきた。
然も、プリント配線基板の場合と同様に、セラ
ミツク回路基板の場合も導体層の多層化が求めら
れ実用化の域に入つている。然し、それは、絶縁
層がアルミナ系セラミツクで導体層には焼成温度
に耐えるＷ、Moを導体材料として使用したもの
が多く、価格が高くなる問題を抱えている。
ミツク回路基板の場合も導体層の多層化が求めら
れ実用化の域に入つている。然し、それは、絶縁
層がアルミナ系セラミツクで導体層には焼成温度
に耐えるＷ、Moを導体材料として使用したもの
が多く、価格が高くなる問題を抱えている。
このため、前記焼成温度より低い温度で焼成出
来、導体材料に価格の安い金属を使用する多層セ
ラミツク回路基板が検討されている。
来、導体材料に価格の安い金属を使用する多層セ
ラミツク回路基板が検討されている。
(c) 従来技術と問題点
安価な導体材料としてCu，Al，Ni等を用いた
従来の多層セラミツク回路基板においては、アル
ミナ系セラミツクの場合より遥かに低い温度で焼
成可能なSiO2―B2O3―Al2O3系のガラスセラミ
ツクが絶縁層材料として主に使用されている。
従来の多層セラミツク回路基板においては、アル
ミナ系セラミツクの場合より遥かに低い温度で焼
成可能なSiO2―B2O3―Al2O3系のガラスセラミ
ツクが絶縁層材料として主に使用されている。
然し、この多層セラミツク回路基板は、その焼
成工程において、SiO2―B2O3―Al2O3系ガラス
セラミツクが流動し易くなつて導体層パターンを
変形させる場合があり、また、該パターンを形成
する導体材料は酸化され易いための酸化も加わつ
て、該パターンの導体抵抗に変動が生ずる欠点が
ある。
成工程において、SiO2―B2O3―Al2O3系ガラス
セラミツクが流動し易くなつて導体層パターンを
変形させる場合があり、また、該パターンを形成
する導体材料は酸化され易いための酸化も加わつ
て、該パターンの導体抵抗に変動が生ずる欠点が
ある。
また、この絶縁層材料は、表面層のメタライズ
において良い結果を得るためには、その処理作業
の条件が厳しく、安定な作業をさせることを困難
にしている欠点がある。
において良い結果を得るためには、その処理作業
の条件が厳しく、安定な作業をさせることを困難
にしている欠点がある。
(d) 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、導体材
料に酸化され易いが安価であるCu、Al、Ni等を
用い、焼成工程において導体層パターンの導体抵
抗に変動が生じないで、且つ、表面層のメタライ
ズを安定に施すことが出来る、セラミツクを絶縁
体とした多層回路基板の製造方法を提供するにあ
る。
料に酸化され易いが安価であるCu、Al、Ni等を
用い、焼成工程において導体層パターンの導体抵
抗に変動が生じないで、且つ、表面層のメタライ
ズを安定に施すことが出来る、セラミツクを絶縁
体とした多層回路基板の製造方法を提供するにあ
る。
(e) 発明の構成
上記目的は、絶縁体材料にSiO2―Li2O―K2O
系結晶化ガラスを用いバインダーにアクリルを用
いた絶縁体未焼結体で絶縁層を形成する工程と、
導体材料に高温で酸化され易い金属を用いバイン
ダーにアクリルを用いた導体ペーストで該絶縁層
表面に導体層を形成する工程と、少なくとも該絶
縁層と該導体層を含んで多層構成された積層体を
水蒸気を含む窒素雰囲気中で焼成する工程とを含
むことを特徴とする多層回路基板の製造方法によ
つて達成される。
系結晶化ガラスを用いバインダーにアクリルを用
いた絶縁体未焼結体で絶縁層を形成する工程と、
導体材料に高温で酸化され易い金属を用いバイン
ダーにアクリルを用いた導体ペーストで該絶縁層
表面に導体層を形成する工程と、少なくとも該絶
縁層と該導体層を含んで多層構成された積層体を
水蒸気を含む窒素雰囲気中で焼成する工程とを含
むことを特徴とする多層回路基板の製造方法によ
つて達成される。
本発明によれば、前記SiO2―Li2O―K2O系結
晶化ガラスは、その組成が、SiO2：80〜90重量
％、Li2O：10〜20重量％、K2O：0.5〜５重量％、
Al2O3：0.5〜５重量％、Ag：0.001〜0.1重量％、
PbO：0.1〜１重量％であつて、それを用いた前
記絶縁体未焼結体は、バインダーになるアクリル
の前記結晶化ガラスに対する重量比が７〜14％で
あることが望ましい。
晶化ガラスは、その組成が、SiO2：80〜90重量
％、Li2O：10〜20重量％、K2O：0.5〜５重量％、
Al2O3：0.5〜５重量％、Ag：0.001〜0.1重量％、
PbO：0.1〜１重量％であつて、それを用いた前
記絶縁体未焼結体は、バインダーになるアクリル
の前記結晶化ガラスに対する重量比が７〜14％で
あることが望ましい。
それは、絶縁層を前記組成のSiO2―Li2O―
K2O系結晶化ガラスで形成することによつて、
800〜900℃の焼成温度で該絶縁層が結晶化し、機
械的強度（1500Kg／cm2以上）も熱的安定性も得ら
れ、導体ペーストで形成された導体層パターンを
変形させることが無く、且つ、焼成工程において
その雰囲気を水蒸気を含む窒素にして、酸化され
易いCu，Al，Ni等の酸化を抑えているので、該
パターンの導体抵抗の変動を防ぐことができるか
らである。
K2O系結晶化ガラスで形成することによつて、
800〜900℃の焼成温度で該絶縁層が結晶化し、機
械的強度（1500Kg／cm2以上）も熱的安定性も得ら
れ、導体ペーストで形成された導体層パターンを
変形させることが無く、且つ、焼成工程において
その雰囲気を水蒸気を含む窒素にして、酸化され
易いCu，Al，Ni等の酸化を抑えているので、該
パターンの導体抵抗の変動を防ぐことができるか
らである。
また、バインダーになるアクリルは熱分解型で
あつて焼成時の雰囲気が前記雰囲気であることか
ら成分の炭素が単体まで分離することなくガス化
する形態で容易に熱分解して問題無く飛散するか
らである。基板の回路構成により、他の導体ペー
ストが併用されそのバインダーがアクリルでない
場合もあるが、該バインダーの量は微少でありそ
の影響は問題になるものではない。
あつて焼成時の雰囲気が前記雰囲気であることか
ら成分の炭素が単体まで分離することなくガス化
する形態で容易に熱分解して問題無く飛散するか
らである。基板の回路構成により、他の導体ペー
ストが併用されそのバインダーがアクリルでない
場合もあるが、該バインダーの量は微少でありそ
の影響は問題になるものではない。
更に、絶縁層に対する表面層のメタライズにお
いても、該絶縁層が結晶化しているのでその処理
は容易である。
いても、該絶縁層が結晶化しているのでその処理
は容易である。
なお、絶縁層の形成方法には、該絶縁層材料を
ペーストにして印刷で積層しながら形成する方法
とグリーンシートに形成する方法とがあるが、何
れの場合も原理的に本発明を適用することが出来
る。
ペーストにして印刷で積層しながら形成する方法
とグリーンシートに形成する方法とがあるが、何
れの場合も原理的に本発明を適用することが出来
る。
(f) 発明の実施例
以下本発明の一実施例を説明する。
本実施例は絶縁層を印刷で形成する場合の一例
である。
である。
最初に、表１に示す組成のガラス粉末をボール
ミリングでミリングして、初期の平均粒子径が約
20μmであつたものを３〜4μmに粉砕し均一に混
合させた。こうして作られたSiO2―Li2O―K2O
ガラス粉末に、表２に示す割合でバインダーであ
るアクリルと稀釈剤であるテルピネオールとメチ
ルエチルケトンを加えて混練し絶縁体未焼結体で
ある絶縁体ペーストを製造した。
ミリングでミリングして、初期の平均粒子径が約
20μmであつたものを３〜4μmに粉砕し均一に混
合させた。こうして作られたSiO2―Li2O―K2O
ガラス粉末に、表２に示す割合でバインダーであ
るアクリルと稀釈剤であるテルピネオールとメチ
ルエチルケトンを加えて混練し絶縁体未焼結体で
ある絶縁体ペーストを製造した。
バインダーになる材料としてポリビニールブチ
ラール、ポリビニールアルコール、アクリル等が
考えられるが、窒素雰囲気中で飛散し易い熱分解
型であるアクリルを採用した。また希釈剤の中の
メチルエチルケトンは前記混練中に飛散して前記
絶縁体ペースト完成時には殆ど残つていない。
ラール、ポリビニールアルコール、アクリル等が
考えられるが、窒素雰囲気中で飛散し易い熱分解
型であるアクリルを採用した。また希釈剤の中の
メチルエチルケトンは前記混練中に飛散して前記
絶縁体ペースト完成時には殆ど残つていない。
表１ ガラス組成 （重量比）
SiO2 ：81.0
Li2O ：12.0
K2O ： 3.5
Al2O3 ： 3.0
Ag ： 0.02
PbO ： 0.48
表２ ペースト組成 （重量比）
SiO2―Li2O―K2Oガラス粉末：100
アクリル： 10
テルピネオール： 52
メチルエチルケトン：200
次ぎに、酸化され易い金属としてCuを導体材
料にしバインダーとしてアクリルを使用して、上
記と同様の方法で導体ペーストを製造した。
料にしバインダーとしてアクリルを使用して、上
記と同様の方法で導体ペーストを製造した。
続いて、セラミツク基板の表面に前記導体ペー
ストで回路パターンをシルク印刷法で印刷して乾
燥し、その上の全面に絶縁体ペーストを印刷し乾
燥することを繰り返して、導体層を多層化し、こ
れを、水蒸気を含む窒素雰囲気で900℃10分間焼
成した。
ストで回路パターンをシルク印刷法で印刷して乾
燥し、その上の全面に絶縁体ペーストを印刷し乾
燥することを繰り返して、導体層を多層化し、こ
れを、水蒸気を含む窒素雰囲気で900℃10分間焼
成した。
かく製造した多層回路基板を調べたところ、絶
縁層は結晶化していて、各導体層のパターンには
変形が見られず、その酸化も発生していなかつ
た。更に、表面層のメタライズも安定に施すこと
が出来て、従来のような不安はなかつた。
縁層は結晶化していて、各導体層のパターンには
変形が見られず、その酸化も発生していなかつ
た。更に、表面層のメタライズも安定に施すこと
が出来て、従来のような不安はなかつた。
以上の実施例は、絶縁層を印刷で形成する場合
の一例であるが、絶縁層をグリーンシートに形成
する方法であつても、導体層のパターンを変形さ
せず、且つ、酸化させない原理は同様であつて、
本発明の製造方法はそのまま適用できる。
の一例であるが、絶縁層をグリーンシートに形成
する方法であつても、導体層のパターンを変形さ
せず、且つ、酸化させない原理は同様であつて、
本発明の製造方法はそのまま適用できる。
(g) 発明の効果
以上に説明したように、本発明による構成によ
れば、導体材料に酸化され易いが安価であるCu，
Al，Ni等を用い、焼成工程において導体層パタ
ーンの導体抵抗に変動が生じないで、且つ、表面
層のメタライズを安定に施すことが出来る多層回
路基板の製造方法が得られ、セラミツクを絶縁体
とする安定した多層回路基板を安価に提供するこ
とを可能にさせる効果がある。
れば、導体材料に酸化され易いが安価であるCu，
Al，Ni等を用い、焼成工程において導体層パタ
ーンの導体抵抗に変動が生じないで、且つ、表面
層のメタライズを安定に施すことが出来る多層回
路基板の製造方法が得られ、セラミツクを絶縁体
とする安定した多層回路基板を安価に提供するこ
とを可能にさせる効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁体材料にSiO2―Li2O―K2O系結晶化ガ
ラスを用いバインダーにアクリルを用いた絶縁体
未焼結体で絶縁層を形成する工程と、導体材料に
高温で酸化され易い金属を用いバインダーにアク
リルを用いた導体ペーストで該絶縁層表面に導体
層を形成する工程と、少なくとも該絶縁層と該導
体層を含んで多層構成された積層体を水蒸気を含
む窒素雰囲気中で焼成する工程とを含むことを特
徴とする多層回路基板の製造方法。 ２ 前記SiO2―Li2O―K2O系結晶化ガラスは、
その組成が、SiO2：80〜90重量％、Li2O：10〜
20重量％、K2O：0.5〜５重量％、Al2O3：0.5〜
５重量％、Ag：0.001〜0.1重量％、PbO：0.1〜
１重量％であることを特徴とする、特許請求の範
囲第１項記載の多層回路基板の製造方法。 ３ 前記絶縁体未焼結体は、バインダーになるア
クリルの前記結晶化ガラスに対する重量比が７〜
14％であることを特徴とする、特許請求の範囲第
１項記載の多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13826783A JPS6030196A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13826783A JPS6030196A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030196A JPS6030196A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH029473B2 true JPH029473B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=15217930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13826783A Granted JPS6030196A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030196A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05190385A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Hitachi Zosen Corp | 導体膜積層部材の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634452B2 (ja) * | 1985-08-05 | 1994-05-02 | 株式会社日立製作所 | セラミツクス回路基板 |
| JPS6340397A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | 富士通株式会社 | ガラスセラミツク多層回路基板 |
| JP2606155B2 (ja) * | 1994-10-13 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板とその製造方法、及びそれに用いるシリカ焼結体の製造方法 |
| JP6588174B1 (ja) * | 2019-01-11 | 2019-10-09 | Ｊｘ金属株式会社 | セラミックと導体の複合体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5422572A (en) * | 1977-07-21 | 1979-02-20 | Omron Tateisi Electronics Co | Electromagnet |
| JPS55128899A (en) * | 1979-03-23 | 1980-10-06 | Ibm | Method of fabricating glass ceramic structure |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP13826783A patent/JPS6030196A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5422572A (en) * | 1977-07-21 | 1979-02-20 | Omron Tateisi Electronics Co | Electromagnet |
| JPS55128899A (en) * | 1979-03-23 | 1980-10-06 | Ibm | Method of fabricating glass ceramic structure |
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| JPH05190385A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Hitachi Zosen Corp | 導体膜積層部材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6030196A (ja) | 1985-02-15 |
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