JPH0691319B2 - 低温焼成セラミックス基板の製造方法 - Google Patents
低温焼成セラミックス基板の製造方法Info
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- JPH0691319B2 JPH0691319B2 JP3149203A JP14920391A JPH0691319B2 JP H0691319 B2 JPH0691319 B2 JP H0691319B2 JP 3149203 A JP3149203 A JP 3149203A JP 14920391 A JP14920391 A JP 14920391A JP H0691319 B2 JPH0691319 B2 JP H0691319B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,集積回路等を実装する
ために使用される低温焼成セラミックス基板の製造方法
に関する。
ために使用される低温焼成セラミックス基板の製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来,一般的に使用されているW又はM
oを導体とするアルミナ系の高温焼成多層基板に於て
は,アルミナの誘電率(ε=9.5)が高く,導電抵抗
(10〜15 mΩ/□)も高いため,例えば超高速コン
ピュータのマルチチップマザーボードとして用いる場
合,信号伝播遅延時間が長く,超高速化の障害となって
いる。このために,従来の高温焼成基板に代わるものと
して導通抵抗の低い低温焼成基板の開発が進められてお
り,すでに一,二発表された例もある。しかし,従来の
低温焼成セラミックス基板は多層導体として,Ag−P
d,Au,Ni,Cu等を用いたものであり,以下に述
べるような不具合があり十分満足の行くものではなかっ
た。即ち,Auを導体として多層化した低温焼成基板で
は,Auの導通抵抗が2〜3 mΩ/□と低く,マイグレ
ーション性も少いため,これは性能的には優れている。
しかし,Auは非常に高価であるためAuを導体として
用いた低温焼成基板を民生用或は一般産業用に用いるに
は経済的に無理があり特殊な用途に限られている。Cu
を導体として多層化した低温焼成基板では,製造工程に
おいてCuを酸化させずに(300℃以下)グリーンテ
ープ中のバインダーを除去する必要があるが,現在,3
00℃以下で分解又は酸化除去され,かつグリーンテー
プにした時にテープに強度と可塑性を付与できる有機バ
インダーが存在しないと共に,Cuは空気中では酸化さ
れるため,還元雰囲気中で焼成しなければならない等の
理由から未だ実用化されていない。また,Agは導通抵
抗が2 mΩ/□と低くこの限りでは優れた導体である。
ところが,通常低温焼成基板としてはガラス系のものが
用いられ,かつ湿度下で純粋なAgはガラス中を容易に
マイグレーション(拡散)する性質があり,湿度下で電
圧を印加すると絶縁層の絶縁の劣化が起る。この現象は
特に気孔を有するガラス中で著しい。従って,従来,低
温焼成基板においては純度の高いAgは導体としては用
いられず,Agの耐マイグレーション性,耐湿性を改善
したAg−Pd導体が一般的に使用されている。しか
し,Pdは比抵抗が非常に高く,例えばAg−20wt%
Pdの導通抵抗は20 mΩ/□と非常に高くなり,導通
抵抗を低くするという目的を達せられない。更に,Ni
を導体として用いた場合,NiはAg−20wt%Pd程
には導通抵抗は高くはないもののW或はMoと同様に1
0〜15 mΩ/□と高い。
oを導体とするアルミナ系の高温焼成多層基板に於て
は,アルミナの誘電率(ε=9.5)が高く,導電抵抗
(10〜15 mΩ/□)も高いため,例えば超高速コン
ピュータのマルチチップマザーボードとして用いる場
合,信号伝播遅延時間が長く,超高速化の障害となって
いる。このために,従来の高温焼成基板に代わるものと
して導通抵抗の低い低温焼成基板の開発が進められてお
り,すでに一,二発表された例もある。しかし,従来の
低温焼成セラミックス基板は多層導体として,Ag−P
d,Au,Ni,Cu等を用いたものであり,以下に述
べるような不具合があり十分満足の行くものではなかっ
た。即ち,Auを導体として多層化した低温焼成基板で
は,Auの導通抵抗が2〜3 mΩ/□と低く,マイグレ
ーション性も少いため,これは性能的には優れている。
しかし,Auは非常に高価であるためAuを導体として
用いた低温焼成基板を民生用或は一般産業用に用いるに
は経済的に無理があり特殊な用途に限られている。Cu
を導体として多層化した低温焼成基板では,製造工程に
おいてCuを酸化させずに(300℃以下)グリーンテ
ープ中のバインダーを除去する必要があるが,現在,3
00℃以下で分解又は酸化除去され,かつグリーンテー
プにした時にテープに強度と可塑性を付与できる有機バ
インダーが存在しないと共に,Cuは空気中では酸化さ
れるため,還元雰囲気中で焼成しなければならない等の
理由から未だ実用化されていない。また,Agは導通抵
抗が2 mΩ/□と低くこの限りでは優れた導体である。
ところが,通常低温焼成基板としてはガラス系のものが
用いられ,かつ湿度下で純粋なAgはガラス中を容易に
マイグレーション(拡散)する性質があり,湿度下で電
圧を印加すると絶縁層の絶縁の劣化が起る。この現象は
特に気孔を有するガラス中で著しい。従って,従来,低
温焼成基板においては純度の高いAgは導体としては用
いられず,Agの耐マイグレーション性,耐湿性を改善
したAg−Pd導体が一般的に使用されている。しか
し,Pdは比抵抗が非常に高く,例えばAg−20wt%
Pdの導通抵抗は20 mΩ/□と非常に高くなり,導通
抵抗を低くするという目的を達せられない。更に,Ni
を導体として用いた場合,NiはAg−20wt%Pd程
には導通抵抗は高くはないもののW或はMoと同様に1
0〜15 mΩ/□と高い。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記した様な理由か
ら,従来の低温焼成セラミックス基板用の導体はいずれ
も経済上或は性能上の理由等から民生用或は一般産業用
のセラミックス基板用として採用するためには難があっ
た。そこで,本発明の技術的課題は,導通抵抗の小さい
Agを導体として用い,気中でも低温焼成可能なセラミ
ックス基板を製造する方法を提供することにある。ま
た,本発明の他の技術的課題は,多層導体と高精度の内
蔵抵抗とを同時に一体焼成可能な低温焼成セラミックス
基板を製造する方法を提供することにある。
ら,従来の低温焼成セラミックス基板用の導体はいずれ
も経済上或は性能上の理由等から民生用或は一般産業用
のセラミックス基板用として採用するためには難があっ
た。そこで,本発明の技術的課題は,導通抵抗の小さい
Agを導体として用い,気中でも低温焼成可能なセラミ
ックス基板を製造する方法を提供することにある。ま
た,本発明の他の技術的課題は,多層導体と高精度の内
蔵抵抗とを同時に一体焼成可能な低温焼成セラミックス
基板を製造する方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば,CaO
−Al2O3−SiO2−B2O3系,MgO−Al2
O3−SiO2−B2O3系,CaO−MgO−Al2
O3−SiO2−B2O3系の群から選択された組成を
有し,重量%でMO:10〜55wt%,Al2O3 :
30wt%以下,SiO2:45〜75wt%,B2O
3 :30wt%以下,(但し,MO:CaO,MgOの
少なくとも一種)からなるガラス粉末とアルミナ粉末と
を含み,その比が重量%でガラス粉末が50〜65wt
%で残部がアルミナ粉末とからなる組成を有するセラミ
ックスのテープ作成工程と,この工程で作成したテープ
に導通抵抗が10mΩ/□以下のAgを主体とする導体
を印刷し,各シート間の電気的に接合するためスルホー
ル中に導通抵抗が10mΩ/□以下のAgを主体とする
導体を印刷する工程,前記シートを多層化する工程と,
多層化した成形体の最外層部に導通抵抗が20mΩ/□
以上の耐マイグレーション性に優れたAg−Pdを主体
とする導体を形成する工程と,前記工程より成形した生
成形体を熱圧着した後,800〜1000℃で一体焼成
し,セラミックス基板を得る工程とよりなることを特徴
とする低温焼成セラミックス基板の製造方法が得られ
る。また,本発明では,前記した組成のガラス粉末及び
アルミナ粉末を出発原料として得られたセラミックス基
板は,重量%でMO:5〜35.75wt%,Al2O
3:35〜65wt%,SiO2:22.5〜45.5
wt%,B2O3 :19.5wt%以下(ただし,M
O:CaO,MgO)の組織を有している。
−Al2O3−SiO2−B2O3系,MgO−Al2
O3−SiO2−B2O3系,CaO−MgO−Al2
O3−SiO2−B2O3系の群から選択された組成を
有し,重量%でMO:10〜55wt%,Al2O3 :
30wt%以下,SiO2:45〜75wt%,B2O
3 :30wt%以下,(但し,MO:CaO,MgOの
少なくとも一種)からなるガラス粉末とアルミナ粉末と
を含み,その比が重量%でガラス粉末が50〜65wt
%で残部がアルミナ粉末とからなる組成を有するセラミ
ックスのテープ作成工程と,この工程で作成したテープ
に導通抵抗が10mΩ/□以下のAgを主体とする導体
を印刷し,各シート間の電気的に接合するためスルホー
ル中に導通抵抗が10mΩ/□以下のAgを主体とする
導体を印刷する工程,前記シートを多層化する工程と,
多層化した成形体の最外層部に導通抵抗が20mΩ/□
以上の耐マイグレーション性に優れたAg−Pdを主体
とする導体を形成する工程と,前記工程より成形した生
成形体を熱圧着した後,800〜1000℃で一体焼成
し,セラミックス基板を得る工程とよりなることを特徴
とする低温焼成セラミックス基板の製造方法が得られ
る。また,本発明では,前記した組成のガラス粉末及び
アルミナ粉末を出発原料として得られたセラミックス基
板は,重量%でMO:5〜35.75wt%,Al2O
3:35〜65wt%,SiO2:22.5〜45.5
wt%,B2O3 :19.5wt%以下(ただし,M
O:CaO,MgO)の組織を有している。
【0005】
【実施例】以下,図面を参照して本発明を説明する。図
1を参照して,本発明に係る低温焼成セラミックス基板
の製造方法を説明する。後述することからも明らかな通
り,本発明では低温焼成セラミックス基板の熱間圧着法
によって製造される。まず,本発明の製造方法に使用さ
れる低温焼成セラミックスの材料はガラスとアルミナ粉
末の混合物で,ガラスとしては,CaO−Al2O3−
SiO2系,CaO−Al2O3−SiO2−B2O3
系,MgO−Al2O3−SiO2−B2O3或はCa
O−MgO−Al2O3−SiO2−B2O3系のガラ
スを用いる。その出発原料の組成(重量%)は次の通り
である。 MO:10〜55wt%,Al2O3:30wt%以下 SiO2:45〜70wt%,B2O3:30wt%以
下 ただし,MO:CaO,MgO, そして,不純物としてNa2O+K2O:5wt%以下
を含んでも良い。上記の組成を有するガラス粉末50〜
65wt%と残りのアルミナ粉末からなる混合物をグリ
ーンテープ及び絶縁層用ペースト材料として用いて以下
に述べる工程により製造する。
1を参照して,本発明に係る低温焼成セラミックス基板
の製造方法を説明する。後述することからも明らかな通
り,本発明では低温焼成セラミックス基板の熱間圧着法
によって製造される。まず,本発明の製造方法に使用さ
れる低温焼成セラミックスの材料はガラスとアルミナ粉
末の混合物で,ガラスとしては,CaO−Al2O3−
SiO2系,CaO−Al2O3−SiO2−B2O3
系,MgO−Al2O3−SiO2−B2O3或はCa
O−MgO−Al2O3−SiO2−B2O3系のガラ
スを用いる。その出発原料の組成(重量%)は次の通り
である。 MO:10〜55wt%,Al2O3:30wt%以下 SiO2:45〜70wt%,B2O3:30wt%以
下 ただし,MO:CaO,MgO, そして,不純物としてNa2O+K2O:5wt%以下
を含んでも良い。上記の組成を有するガラス粉末50〜
65wt%と残りのアルミナ粉末からなる混合物をグリ
ーンテープ及び絶縁層用ペースト材料として用いて以下
に述べる工程により製造する。
【0006】この例では,上記した組成を有するグリー
ンシートを図1に示す如く所望寸法に切断して成形した
3枚のシート10a,10b,10cを用意し,VLS
I用のプラグイン型パッケージモデルを作成する。第1
シート10aには外部接続用ピンを植設するためのスル
ーホール11が設けられており,スルーホール内導体と
して第2シート10b側からAg導体を印刷法により施
し,第2シート10bの反対側からAg−Pd導体を印
刷法によって施す。このAg−Pd導体は外部接続用ピ
ン(図示せず)を半田付するための導体である。また,
第2シート10bにはビヤホール12を設け,この第2
シート10bにはビヤホール12内,第3シート10c
側の導体配線及び前記第1シート10aのスルーホール
11に設けた導体との接続が十分になされるようにAg
ペーストを印刷すると共に,中央部には図示しないシリ
コンチップを載置する凹部形成用の角孔13を形成す
る。更に,第3シート10cの中央部には,前記第2シ
ート10bの角孔13よりやや大きい角孔14を設け
る。このようにして形成した第1〜第3シート10a,
10b,10cの3枚のシートを熱間圧着法により積層
して900℃で焼成する。前記した図1に示した方法に
より成形したセラミックスの組成は,重量%でMO:5
〜35.75wt%,Al2O3:35〜65wt%,
SiO2:22.5〜45.5wt%,B2O3 :1
9.5wt%以下,ただし,MO:CaO,MgOであ
った。
ンシートを図1に示す如く所望寸法に切断して成形した
3枚のシート10a,10b,10cを用意し,VLS
I用のプラグイン型パッケージモデルを作成する。第1
シート10aには外部接続用ピンを植設するためのスル
ーホール11が設けられており,スルーホール内導体と
して第2シート10b側からAg導体を印刷法により施
し,第2シート10bの反対側からAg−Pd導体を印
刷法によって施す。このAg−Pd導体は外部接続用ピ
ン(図示せず)を半田付するための導体である。また,
第2シート10bにはビヤホール12を設け,この第2
シート10bにはビヤホール12内,第3シート10c
側の導体配線及び前記第1シート10aのスルーホール
11に設けた導体との接続が十分になされるようにAg
ペーストを印刷すると共に,中央部には図示しないシリ
コンチップを載置する凹部形成用の角孔13を形成す
る。更に,第3シート10cの中央部には,前記第2シ
ート10bの角孔13よりやや大きい角孔14を設け
る。このようにして形成した第1〜第3シート10a,
10b,10cの3枚のシートを熱間圧着法により積層
して900℃で焼成する。前記した図1に示した方法に
より成形したセラミックスの組成は,重量%でMO:5
〜35.75wt%,Al2O3:35〜65wt%,
SiO2:22.5〜45.5wt%,B2O3 :1
9.5wt%以下,ただし,MO:CaO,MgOであ
った。
【0007】また,図2は温度65℃湿度95%の高
温,高湿にさらした時間と絶縁抵抗との関係,同じく図
3は絶縁耐圧との関係を示している。図2及び図3に
は,図4(a),(b),(c)で示された製造工程に
より製造された基板の特性が曲線a,b及びcで示され
ている。ここで図4(a)は本発明の熱間圧着法により
低温同時焼成セラミックス基板を製造する方法であり,
図4(b)は,導体にAg−Pdを使用した従来のHI
C多層基板の製造方法であり,且つ図4(c)は本発明
と同じ材料を絶縁層とし,Ag100%を導体として使
用した導体層を通常のアルミナ基板上に形成し絶縁層と
導体を同時焼成する方法を示している。図4(c)によ
り本発明に使用される絶縁層の特性を知ることができ
る。なお,この測定に使用した導体パターンはいずれも
図5に示す様なパターンを使用し,基板の構成は導体2
層,絶縁層1層のものを使用し,絶縁層の厚さは焼成後
30μm になるように成形した。また,この測定に使用
した本発明の低温焼成セラミックス基板については表面
導体層にもAg100%の導体を使用した。以上の測定
結果から明らかな通り,図4(a)に示した本発明の製
造方法により製造した低温焼成セラミックス多層基板は
内部導体にAg100%の導体を使用しているにもかか
わらず,図4(b)の工程により製造した従来のHIC
多層基板に比較して層間絶縁抵抗及び絶縁耐圧共に非常
に良好な結果が得られた。また,図4(c)の工程によ
り製造した多層基板は,前記した図4(b)の製造工程
により製造した従来のHIC多層基板が絶縁性を向上さ
せるために導体や絶縁層を何回にも分けて焼成していた
ものを一回の焼成で済むように簡略化したものである
が,導体にAg100%を使用しているにもかかわら
ず,Ag−Pd導体を使用した従来のHIC多層基板と
同等若しくは,それ以上の絶縁特性を示した。このこと
から明らかな通り,本発明において使用される絶縁層材
料自身,優れた層間絶縁抵抗R及び絶縁耐圧を示すこと
が判る。
温,高湿にさらした時間と絶縁抵抗との関係,同じく図
3は絶縁耐圧との関係を示している。図2及び図3に
は,図4(a),(b),(c)で示された製造工程に
より製造された基板の特性が曲線a,b及びcで示され
ている。ここで図4(a)は本発明の熱間圧着法により
低温同時焼成セラミックス基板を製造する方法であり,
図4(b)は,導体にAg−Pdを使用した従来のHI
C多層基板の製造方法であり,且つ図4(c)は本発明
と同じ材料を絶縁層とし,Ag100%を導体として使
用した導体層を通常のアルミナ基板上に形成し絶縁層と
導体を同時焼成する方法を示している。図4(c)によ
り本発明に使用される絶縁層の特性を知ることができ
る。なお,この測定に使用した導体パターンはいずれも
図5に示す様なパターンを使用し,基板の構成は導体2
層,絶縁層1層のものを使用し,絶縁層の厚さは焼成後
30μm になるように成形した。また,この測定に使用
した本発明の低温焼成セラミックス基板については表面
導体層にもAg100%の導体を使用した。以上の測定
結果から明らかな通り,図4(a)に示した本発明の製
造方法により製造した低温焼成セラミックス多層基板は
内部導体にAg100%の導体を使用しているにもかか
わらず,図4(b)の工程により製造した従来のHIC
多層基板に比較して層間絶縁抵抗及び絶縁耐圧共に非常
に良好な結果が得られた。また,図4(c)の工程によ
り製造した多層基板は,前記した図4(b)の製造工程
により製造した従来のHIC多層基板が絶縁性を向上さ
せるために導体や絶縁層を何回にも分けて焼成していた
ものを一回の焼成で済むように簡略化したものである
が,導体にAg100%を使用しているにもかかわら
ず,Ag−Pd導体を使用した従来のHIC多層基板と
同等若しくは,それ以上の絶縁特性を示した。このこと
から明らかな通り,本発明において使用される絶縁層材
料自身,優れた層間絶縁抵抗R及び絶縁耐圧を示すこと
が判る。
【0008】更に,本発明の低温焼成セラミックス基板
には面抵抗で表わされる広い範囲の抵抗値で良好な温度
特性を持つ抵抗体を基板内部に基板と同時焼成によって
成形することができる。抵抗体としては,ガラス,Ru
O2系,ガラス−Bi2Ru2O7系或はPb2Ru2
O6系等のパイロクロア型化合物からなるものを用い,
ガラスの割合を変えることによって,任意の抵抗値を得
ることができる。また,抵抗値の温度係数の調整を目的
としてMnO2,Sb2O3或はFe2O3等の酸化物
やAg,Pt或はAuの様な金属を20wt%以下添加
する。これらの抵抗体を低温焼成セラミックス基板と同
時焼成するためには焼成過程での抵抗体と基板材料の収
縮の不一致や抵抗体に使用するガラスと基板材料に使用
するガラスの間に生じる成分の拡散や反応のような化学
変化によって生じるソリやブクを発生させないことが必
要である。このため本発明では,抵抗体に使用するガラ
スは基板材料に使用する組成範囲のガラスを使用する。
即ち,抵抗体に使用するガラスの組成範囲はMO:10
〜55wt%,Al2O3:30wt%以下,Si
O2:45〜70wt%及びB2O3:30wt%以
下,ただし,MO:CaO,MgOで,望ましくは基板
材料に使用するガラスと抵抗体に使用するガラスは全く
同一の組成のものが良い。また,抵抗体,特にガラスの
割合の大きい抵抗体から基板へのガラスの移動を防ぐた
めにアルミナを添加する。アルミナの添加割合はRuO
2,Bi2Ru2O7或はPb2Ru2O6のようなパ
イロクロア型化合物とれ合計量が35〜60wt%であ
ることが望ましく,更に,温度特性の調整剤を10wt
%以下添加する。しかるに,基板材料のガラス量と抵抗
体のガラス量が略等しくなり,ガラスは相互に移動する
ことはなく,抵抗値は安定する。また鉛系ガラスを使用
した場合,焼成の過程で還元雰囲気にさらされるとガラ
ス中のPbOが還元されるため抵抗値が安定しないが,
本発明では,抵抗体に使用するガラスもPbOを含まな
いため,PbOの還元による抵抗値の変化もない。低温
焼成セラミックス基板では,焼成前のグリーンシートに
バインダーや可塑剤として多量の有機物を含むので,こ
れらの有機物が焼成の過程で焼成する際,基板内部が還
元雰囲気になるので,安定な抵抗値を持つ抵抗体を得る
ためには,PbOを含まないガラスを使用することが特
に重要である。なお,本発明の抵抗体はペーストとして
使用するのが好ましく,抵抗体材料とエチルセルロース
・アセチルセルロース或はアクリル樹脂等の有機重合物
及びテルピネオール,カルビトール或はアセテート等の
溶剤を所定量混合して得る。
には面抵抗で表わされる広い範囲の抵抗値で良好な温度
特性を持つ抵抗体を基板内部に基板と同時焼成によって
成形することができる。抵抗体としては,ガラス,Ru
O2系,ガラス−Bi2Ru2O7系或はPb2Ru2
O6系等のパイロクロア型化合物からなるものを用い,
ガラスの割合を変えることによって,任意の抵抗値を得
ることができる。また,抵抗値の温度係数の調整を目的
としてMnO2,Sb2O3或はFe2O3等の酸化物
やAg,Pt或はAuの様な金属を20wt%以下添加
する。これらの抵抗体を低温焼成セラミックス基板と同
時焼成するためには焼成過程での抵抗体と基板材料の収
縮の不一致や抵抗体に使用するガラスと基板材料に使用
するガラスの間に生じる成分の拡散や反応のような化学
変化によって生じるソリやブクを発生させないことが必
要である。このため本発明では,抵抗体に使用するガラ
スは基板材料に使用する組成範囲のガラスを使用する。
即ち,抵抗体に使用するガラスの組成範囲はMO:10
〜55wt%,Al2O3:30wt%以下,Si
O2:45〜70wt%及びB2O3:30wt%以
下,ただし,MO:CaO,MgOで,望ましくは基板
材料に使用するガラスと抵抗体に使用するガラスは全く
同一の組成のものが良い。また,抵抗体,特にガラスの
割合の大きい抵抗体から基板へのガラスの移動を防ぐた
めにアルミナを添加する。アルミナの添加割合はRuO
2,Bi2Ru2O7或はPb2Ru2O6のようなパ
イロクロア型化合物とれ合計量が35〜60wt%であ
ることが望ましく,更に,温度特性の調整剤を10wt
%以下添加する。しかるに,基板材料のガラス量と抵抗
体のガラス量が略等しくなり,ガラスは相互に移動する
ことはなく,抵抗値は安定する。また鉛系ガラスを使用
した場合,焼成の過程で還元雰囲気にさらされるとガラ
ス中のPbOが還元されるため抵抗値が安定しないが,
本発明では,抵抗体に使用するガラスもPbOを含まな
いため,PbOの還元による抵抗値の変化もない。低温
焼成セラミックス基板では,焼成前のグリーンシートに
バインダーや可塑剤として多量の有機物を含むので,こ
れらの有機物が焼成の過程で焼成する際,基板内部が還
元雰囲気になるので,安定な抵抗値を持つ抵抗体を得る
ためには,PbOを含まないガラスを使用することが特
に重要である。なお,本発明の抵抗体はペーストとして
使用するのが好ましく,抵抗体材料とエチルセルロース
・アセチルセルロース或はアクリル樹脂等の有機重合物
及びテルピネオール,カルビトール或はアセテート等の
溶剤を所定量混合して得る。
【0009】また,図6は,本発明による抵抗体と鉛系
ガラスを使用した市販の2種の抵抗体A,Bとの抵抗値
の変化を比較したものである。各抵抗体は,アルミナ基
板上に焼成されて形成されており,測定は焼成雰囲気
(O2 ,N2 )で行われた。この測定結果から明らかな
様に,本発明の抵抗体の抵抗値はO2 ,N2 の濃度に関
係なく殆んど一定しているが比較例の抵抗体A,Bはい
ずれもO2 濃度が低い時には高い抵抗値を示し,O2 濃
度が高くなるにつれて抵抗値が低下して安定していな
い。上述した様に,本発明の抵抗体の内蔵抵抗は安定し
ており抵抗値のバラツキは小さいが,更に高精度の抵抗
体が要求される場合には,表面層の次の第2層に抵抗体
を形成すればレーザートリミングにより更に高精度の抵
抗体を得ることができる。これは,本発明に使用した材
料が焼成後,アルミナ粒子,ガラスとアルミナとの反応
及びガラスの成分による結晶化により生成するアノーサ
イトやコージェライトの結晶質部分及びマトリックスを
形成するガラス部分の3相の構造を持ち,この構成のガ
ラスがレーザートリミングを可能にしているからであ
る。また,レーザートリミングを容易に行なわせるため
に表面層に接する絶縁層に限りアルミナの割合を20wt
%まで下げても良い。この時,基板全体のアルミナを3
5wt%以下にすることは基板の強度上望ましくない。ま
た,ガラス成分にCr2 O3 ,CoO,Fe2 O3或は
NiO等の着色成分を添加してレーザー光の吸収効率を
上げればレーザートリミングを更に容易に行なえる。な
お,この場合,表面層にレーザートリミングする面積だ
け第2層の抵抗体のために空ける必要があるが表面層に
電極及び抵抗体を形成するよりは大幅に高密度実装化を
図ることができる。
ガラスを使用した市販の2種の抵抗体A,Bとの抵抗値
の変化を比較したものである。各抵抗体は,アルミナ基
板上に焼成されて形成されており,測定は焼成雰囲気
(O2 ,N2 )で行われた。この測定結果から明らかな
様に,本発明の抵抗体の抵抗値はO2 ,N2 の濃度に関
係なく殆んど一定しているが比較例の抵抗体A,Bはい
ずれもO2 濃度が低い時には高い抵抗値を示し,O2 濃
度が高くなるにつれて抵抗値が低下して安定していな
い。上述した様に,本発明の抵抗体の内蔵抵抗は安定し
ており抵抗値のバラツキは小さいが,更に高精度の抵抗
体が要求される場合には,表面層の次の第2層に抵抗体
を形成すればレーザートリミングにより更に高精度の抵
抗体を得ることができる。これは,本発明に使用した材
料が焼成後,アルミナ粒子,ガラスとアルミナとの反応
及びガラスの成分による結晶化により生成するアノーサ
イトやコージェライトの結晶質部分及びマトリックスを
形成するガラス部分の3相の構造を持ち,この構成のガ
ラスがレーザートリミングを可能にしているからであ
る。また,レーザートリミングを容易に行なわせるため
に表面層に接する絶縁層に限りアルミナの割合を20wt
%まで下げても良い。この時,基板全体のアルミナを3
5wt%以下にすることは基板の強度上望ましくない。ま
た,ガラス成分にCr2 O3 ,CoO,Fe2 O3或は
NiO等の着色成分を添加してレーザー光の吸収効率を
上げればレーザートリミングを更に容易に行なえる。な
お,この場合,表面層にレーザートリミングする面積だ
け第2層の抵抗体のために空ける必要があるが表面層に
電極及び抵抗体を形成するよりは大幅に高密度実装化を
図ることができる。
【0010】図7は本発明の内蔵抵抗をレーザートリミ
ングした基板の拡大断面図である。本発明は低温焼成ピ
ングリッドアレイ(PGA)或は低温焼成チップキャリ
ヤー,サーマルヘッド基板等にも適用できる。
ングした基板の拡大断面図である。本発明は低温焼成ピ
ングリッドアレイ(PGA)或は低温焼成チップキャリ
ヤー,サーマルヘッド基板等にも適用できる。
【0011】図8を参照して低温焼成PGAに実施した
実施例について説明する。まず,低温焼成基板用テープ
上にI/OピンP1とLSIチップとのインターコネク
ション用パターン(図示せず)をAgを主体とする導体
ペーストC1を厚膜印刷法により形成する。また,もう
一枚の低温焼成基板用テープT2上にLSIチップのダ
イボンヂングパッド(図示せず)をAu又はAg−Pd
厚膜ペーストにより形成する。前記のパターンを形成し
たテープT1に必要に応じてスルーホールS2を形成し
たグリーンテープT2を熱間圧着法により圧着して積層
化する。次に,テープT1の下面にリードロウ付部を形
成し,この積層体を大気中900℃で焼成して208ピ
ンのピングリッドアレー(PGA)用セラミック積層基
板を製作した。更に,42合金(Ni−Co−Fe),
426合金(Ni−Co−Cr−Fe)或いはステンレ
ス(Ni−Cr−Fe)製のI/OピンP1をリードロ
ー付部に接着した。このとき,ピンP1にはAgメッキ
を施すことができる。したがって,以上の工程により製
作したPGAは従来のアルミナ−W系のPGAに比較し
て低コスト化が可能である。
実施例について説明する。まず,低温焼成基板用テープ
上にI/OピンP1とLSIチップとのインターコネク
ション用パターン(図示せず)をAgを主体とする導体
ペーストC1を厚膜印刷法により形成する。また,もう
一枚の低温焼成基板用テープT2上にLSIチップのダ
イボンヂングパッド(図示せず)をAu又はAg−Pd
厚膜ペーストにより形成する。前記のパターンを形成し
たテープT1に必要に応じてスルーホールS2を形成し
たグリーンテープT2を熱間圧着法により圧着して積層
化する。次に,テープT1の下面にリードロウ付部を形
成し,この積層体を大気中900℃で焼成して208ピ
ンのピングリッドアレー(PGA)用セラミック積層基
板を製作した。更に,42合金(Ni−Co−Fe),
426合金(Ni−Co−Cr−Fe)或いはステンレ
ス(Ni−Cr−Fe)製のI/OピンP1をリードロ
ー付部に接着した。このとき,ピンP1にはAgメッキ
を施すことができる。したがって,以上の工程により製
作したPGAは従来のアルミナ−W系のPGAに比較し
て低コスト化が可能である。
【0012】次に,図9を参照して低温焼成チップキャ
リヤーに実施した実施例を説明する。まず,低温焼成基
板用グリーンテープT1にAu又はAgを主体とする導
体C1 を厚膜印刷法により形成し,併せて,LSIチッ
プのダイボデングパットC2をAu又はAg−Pd厚膜
ペーストにより形成する。前記のパターンを形成したテ
ープT1上にグリーンテープT2を熱間圧着法により積
層して積層体を形成する。積層後,側面電極C3をAg
又はAg−Pd厚膜により形成する。前記の工程により
成形した積層体を気中900℃で焼成して48ピンのチ
ップキャリヤーを作製した。本発明の実施例によるチッ
プキャリヤーは従来のアルミナ−W系で製作したチップ
キャリヤーに比較してメッキ工程が不要となり,電気メ
ッキ用の引出し線のためのデッドスペースも必要としな
い。従って,大型(200mm□)で平坦な基板が得られ
るため,多面取りが可能となり,工程の短縮並びに大幅
なコスト低減が可能となる。
リヤーに実施した実施例を説明する。まず,低温焼成基
板用グリーンテープT1にAu又はAgを主体とする導
体C1 を厚膜印刷法により形成し,併せて,LSIチッ
プのダイボデングパットC2をAu又はAg−Pd厚膜
ペーストにより形成する。前記のパターンを形成したテ
ープT1上にグリーンテープT2を熱間圧着法により積
層して積層体を形成する。積層後,側面電極C3をAg
又はAg−Pd厚膜により形成する。前記の工程により
成形した積層体を気中900℃で焼成して48ピンのチ
ップキャリヤーを作製した。本発明の実施例によるチッ
プキャリヤーは従来のアルミナ−W系で製作したチップ
キャリヤーに比較してメッキ工程が不要となり,電気メ
ッキ用の引出し線のためのデッドスペースも必要としな
い。従って,大型(200mm□)で平坦な基板が得られ
るため,多面取りが可能となり,工程の短縮並びに大幅
なコスト低減が可能となる。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば,導通抵抗の低く比較的
安価なAgを基板内層に用いることが可能となり,民生
用或は一般産業用にも適用可能な高精能セラミックス基
板の提供が可能である。また,本発明の低温焼成セラミ
ックス基板は気中でも焼成可能であるから製作も容易に
行える。更に,高精度抵抗を内蔵して一体成形が可能で
あるから製作工程の短縮が可能であると共に実装密度も
高めることができる等の効果を有する。
安価なAgを基板内層に用いることが可能となり,民生
用或は一般産業用にも適用可能な高精能セラミックス基
板の提供が可能である。また,本発明の低温焼成セラミ
ックス基板は気中でも焼成可能であるから製作も容易に
行える。更に,高精度抵抗を内蔵して一体成形が可能で
あるから製作工程の短縮が可能であると共に実装密度も
高めることができる等の効果を有する。
【図1】本発明の製造方法を説明するための分解斜視図
である。
である。
【図2】本発明の製造方法によって製造されたセラミッ
クス基板の特性と,従来の基板の特性とを比較するため
の時間−絶縁抵抗線図である。
クス基板の特性と,従来の基板の特性とを比較するため
の時間−絶縁抵抗線図である。
【図3】本発明の製造方法によって製造されたセラミッ
クス基板と従来のセラミックス基板との特性を比較して
示す時間−絶縁抵抗線図である。
クス基板と従来のセラミックス基板との特性を比較して
示す時間−絶縁抵抗線図である。
【図4】本発明及び従来のセラミックス基板の製造工程
図である。
図である。
【図5】絶縁特性評価のための導体パターンの一例を示
す図である。
す図である。
【図6】本発明に係る抵抗体の抵抗値の変化を従来の抵
抗体の抵抗値の変化を比較して示す図である。
抗体の抵抗値の変化を比較して示す図である。
【図7】抵抗体のレーザートリミング断面図である。
【図8】本発明の製造方法により製造された低温焼成P
GAの一例を示す断面図である。
GAの一例を示す断面図である。
【図9】本発明の製造方法により製造された低温焼成チ
ップキャリヤーの一例を示す断面図である。
ップキャリヤーの一例を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/03 L 7011−4E
Claims (1)
- 【請求項1】 CaO−Al2O3−SiO2−B2O
3系,MgO−Al2O3−SiO2−B2O3系,C
aO−MgO−Al2O3−SiO2−B2O3系の群
から選択された組成を有し,重量%でMO:10〜55
wt%,Al2O3:30wt%以下,SiO2:45
〜75wt%,B2O3:30wt%以下,(但し,M
O:CaO,MgOの少なくとも一種)からなるガラス
粉末とアルミナ粉末とを含み,その比が重量%でガラス
粉末が50〜65wt%で残部がアルミナ粉末とからな
る組成を有するセラミックスのテープを作成する工程
と,この工程で作成したテープに導通抵抗が10mΩ/
□以下のAgを主体とする導体を印刷し,各シート間の
電気的に接合するためスルホール中に導通抵抗が10m
Ω/□以下のAgを主体とする導体を印刷する工程,前
記シートを多層化する工程と,多層化した成形体の最外
層部に導通抵抗が20mΩ/□以上の耐マイグレーショ
ン性に優れたAg−Pdを主体とする導体を形成する工
程と,前記工程より成形した生成形体を熱圧着した後,
800〜1000℃で一体焼成し,セラミックス基板を
得る工程とよりなることを特徴とする低温焼成セラミッ
クス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3149203A JPH0691319B2 (ja) | 1985-05-30 | 1991-05-27 | 低温焼成セラミックス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60115225A JPS61274397A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 低温焼成セラミツクス基板及びその製造方法 |
JP3149203A JPH0691319B2 (ja) | 1985-05-30 | 1991-05-27 | 低温焼成セラミックス基板の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60115225A Division JPS61274397A (ja) | 1984-06-01 | 1985-05-30 | 低温焼成セラミツクス基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582963A JPH0582963A (ja) | 1993-04-02 |
JPH0691319B2 true JPH0691319B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=26453783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3149203A Expired - Lifetime JPH0691319B2 (ja) | 1985-05-30 | 1991-05-27 | 低温焼成セラミックス基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0691319B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4508488B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2010-07-21 | 京セラ株式会社 | セラミック回路基板の製法 |
JP4540297B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2010-09-08 | 京セラ株式会社 | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP3149203A patent/JPH0691319B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0582963A (ja) | 1993-04-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19950704 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |