JPH0691319B2 - 低温焼成セラミックス基板の製造方法 - Google Patents

低温焼成セラミックス基板の製造方法

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JPH0691319B2
JPH0691319B2 JP3149203A JP14920391A JPH0691319B2 JP H0691319 B2 JPH0691319 B2 JP H0691319B2 JP 3149203 A JP3149203 A JP 3149203A JP 14920391 A JP14920391 A JP 14920391A JP H0691319 B2 JPH0691319 B2 JP H0691319B2
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sio
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進 西垣
順三 福田
昌志 深谷
信介 矢野
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株式会社住友金属セラミックス
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,集積回路等を実装する
ために使用される低温焼成セラミックス基板の製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来,一般的に使用されているW又はM
oを導体とするアルミナ系の高温焼成多層基板に於て
は,アルミナの誘電率(ε=9.5)が高く,導電抵抗
(10〜15 mΩ/□)も高いため,例えば超高速コン
ピュータのマルチチップマザーボードとして用いる場
合,信号伝播遅延時間が長く,超高速化の障害となって
いる。このために,従来の高温焼成基板に代わるものと
して導通抵抗の低い低温焼成基板の開発が進められてお
り,すでに一,二発表された例もある。しかし,従来の
低温焼成セラミックス基板は多層導体として,Ag−P
d,Au,Ni,Cu等を用いたものであり,以下に述
べるような不具合があり十分満足の行くものではなかっ
た。即ち,Auを導体として多層化した低温焼成基板で
は,Auの導通抵抗が2〜3 mΩ/□と低く,マイグレ
ーション性も少いため,これは性能的には優れている。
しかし,Auは非常に高価であるためAuを導体として
用いた低温焼成基板を民生用或は一般産業用に用いるに
は経済的に無理があり特殊な用途に限られている。Cu
を導体として多層化した低温焼成基板では,製造工程に
おいてCuを酸化させずに(300℃以下)グリーンテ
ープ中のバインダーを除去する必要があるが,現在,3
00℃以下で分解又は酸化除去され,かつグリーンテー
プにした時にテープに強度と可塑性を付与できる有機バ
インダーが存在しないと共に,Cuは空気中では酸化さ
れるため,還元雰囲気中で焼成しなければならない等の
理由から未だ実用化されていない。また,Agは導通抵
抗が2 mΩ/□と低くこの限りでは優れた導体である。
ところが,通常低温焼成基板としてはガラス系のものが
用いられ,かつ湿度下で純粋なAgはガラス中を容易に
マイグレーション(拡散)する性質があり,湿度下で電
圧を印加すると絶縁層の絶縁の劣化が起る。この現象は
特に気孔を有するガラス中で著しい。従って,従来,低
温焼成基板においては純度の高いAgは導体としては用
いられず,Agの耐マイグレーション性,耐湿性を改善
したAg−Pd導体が一般的に使用されている。しか
し,Pdは比抵抗が非常に高く,例えばAg−20wt%
Pdの導通抵抗は20 mΩ/□と非常に高くなり,導通
抵抗を低くするという目的を達せられない。更に,Ni
を導体として用いた場合,NiはAg−20wt%Pd程
には導通抵抗は高くはないもののW或はMoと同様に1
0〜15 mΩ/□と高い。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記した様な理由か
ら,従来の低温焼成セラミックス基板用の導体はいずれ
も経済上或は性能上の理由等から民生用或は一般産業用
のセラミックス基板用として採用するためには難があっ
た。そこで,本発明の技術的課題は,導通抵抗の小さい
Agを導体として用い,気中でも低温焼成可能なセラミ
ックス基板を製造する方法を提供することにある。ま
た,本発明の他の技術的課題は,多層導体と高精度の内
蔵抵抗とを同時に一体焼成可能な低温焼成セラミックス
基板を製造する方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば,CaO
−Al−SiO−B系,MgO−Al
−SiO−B系,CaO−MgO−Al
−SiO−B系の群から選択された組成を
有し,重量%でMO:10〜55wt%,Al
30wt%以下,SiO:45〜75wt%,B
:30wt%以下,(但し,MO:CaO,MgOの
少なくとも一種)からなるガラス粉末とアルミナ粉末と
を含み,その比が重量%でガラス粉末が50〜65wt
%で残部がアルミナ粉末とからなる組成を有するセラミ
ックスのテープ作成工程と,この工程で作成したテープ
に導通抵抗が10mΩ/□以下のAgを主体とする導体
を印刷し,各シート間の電気的に接合するためスルホー
ル中に導通抵抗が10mΩ/□以下のAgを主体とする
導体を印刷する工程,前記シートを多層化する工程と,
多層化した成形体の最外層部に導通抵抗が20mΩ/□
以上の耐マイグレーション性に優れたAg−Pdを主体
とする導体を形成する工程と,前記工程より成形した生
成形体を熱圧着した後,800〜1000℃で一体焼成
し,セラミックス基板を得る工程とよりなることを特徴
とする低温焼成セラミックス基板の製造方法が得られ
る。また,本発明では,前記した組成のガラス粉末及び
アルミナ粉末を出発原料として得られたセラミックス基
板は,重量%でMO:5〜35.75wt%,Al
:35〜65wt%,SiO:22.5〜45.5
wt%,B :19.5wt%以下(ただし,M
O:CaO,MgO)の組織を有している。
【0005】
【実施例】以下,図面を参照して本発明を説明する。図
1を参照して,本発明に係る低温焼成セラミックス基板
の製造方法を説明する。後述することからも明らかな通
り,本発明では低温焼成セラミックス基板の熱間圧着法
によって製造される。まず,本発明の製造方法に使用さ
れる低温焼成セラミックスの材料はガラスとアルミナ粉
末の混合物で,ガラスとしては,CaO−Al
SiO系,CaO−Al−SiO−B
系,MgO−Al−SiO−B或はCa
O−MgO−Al−SiO−B系のガラ
スを用いる。その出発原料の組成(重量%)は次の通り
である。 MO:10〜55wt%,Al30wt%以下 SiO:45〜70wt%,B30wt%以
ただし,MO:CaO,MgO そして,不純物としてNaO+KO:5wt%以下
含んでも良い。上記の組成を有するガラス粉末50〜
65wt%と残りのアルミナ粉末からなる混合物をグリ
ーンテープ及び絶縁層用ペースト材料として用いて以下
に述べる工程により製造する。
【0006】この例では,上記した組成を有するグリー
ンシートを図1に示す如く所望寸法に切断して成形した
3枚のシート10a,10b,10cを用意し,VLS
I用のプラグイン型パッケージモデルを作成する。第1
シート10aには外部接続用ピンを植設するためのスル
ーホール11が設けられており,スルーホール内導体と
して第2シート10b側からAg導体を印刷法により施
し,第2シート10bの反対側からAg−Pd導体を印
刷法によって施す。このAg−Pd導体は外部接続用ピ
ン(図示せず)を半田付するための導体である。また,
第2シート10bにはビヤホール12を設け,この第2
シート10bにはビヤホール12内,第3シート10c
側の導体配線及び前記第1シート10aのスルーホール
11に設けた導体との接続が十分になされるようにAg
ペーストを印刷すると共に,中央部には図示しないシリ
コンチップを載置する凹部形成用の角孔13を形成す
る。更に,第3シート10cの中央部には,前記第2シ
ート10bの角孔13よりやや大きい角孔14を設け
る。このようにして形成した第1〜第3シート10a,
10b,10cの3枚のシートを熱間圧着法により積層
して900℃で焼成する。前記した図1に示した方法に
より成形したセラミックスの組成は,重量%でMO:5
〜35.75wt%,Al:35〜65wt%,
SiO:22.5〜45.5wt%,B :1
9.5wt%以下,ただし,MO:CaO,MgOであ
った。
【0007】また,図2は温度65℃湿度95%の高
温,高湿にさらした時間と絶縁抵抗との関係,同じく図
3は絶縁耐圧との関係を示している。図2及び図3に
は,図4(a),(b),(c)で示された製造工程に
より製造された基板の特性が曲線a,b及びcで示され
ている。ここで図4(a)は本発明の熱間圧着法により
低温同時焼成セラミックス基板を製造する方法であり,
図4(b)は,導体にAg−Pdを使用した従来のHI
C多層基板の製造方法であり,且つ図4(c)は本発明
と同じ材料を絶縁層とし,Ag100%を導体として使
用した導体層を通常のアルミナ基板上に形成し絶縁層と
導体を同時焼成する方法を示している。図4(c)によ
り本発明に使用される絶縁層の特性を知ることができ
る。なお,この測定に使用した導体パターンはいずれも
図5に示す様なパターンを使用し,基板の構成は導体2
層,絶縁層1層のものを使用し,絶縁層の厚さは焼成後
30μm になるように成形した。また,この測定に使用
した本発明の低温焼成セラミックス基板については表面
導体層にもAg100%の導体を使用した。以上の測定
結果から明らかな通り,図4(a)に示した本発明の製
造方法により製造した低温焼成セラミックス多層基板は
内部導体にAg100%の導体を使用しているにもかか
わらず,図4(b)の工程により製造した従来のHIC
多層基板に比較して層間絶縁抵抗及び絶縁耐圧共に非常
に良好な結果が得られた。また,図4(c)の工程によ
り製造した多層基板は,前記した図4(b)の製造工程
により製造した従来のHIC多層基板が絶縁性を向上さ
せるために導体や絶縁層を何回にも分けて焼成していた
ものを一回の焼成で済むように簡略化したものである
が,導体にAg100%を使用しているにもかかわら
ず,Ag−Pd導体を使用した従来のHIC多層基板と
同等若しくは,それ以上の絶縁特性を示した。このこと
から明らかな通り,本発明において使用される絶縁層材
料自身,優れた層間絶縁抵抗R及び絶縁耐圧を示すこと
が判る。
【0008】更に,本発明の低温焼成セラミックス基板
には面抵抗で表わされる広い範囲の抵抗値で良好な温度
特性を持つ抵抗体を基板内部に基板と同時焼成によって
成形することができる。抵抗体としては,ガラス,Ru
系,ガラス−BiRu系或はPbRu
系等のパイロクロア型化合物からなるものを用い,
ガラスの割合を変えることによって,任意の抵抗値を得
ることができる。また,抵抗値の温度係数の調整を目的
としてMnO,Sb或はFe等の酸化物
やAg,Pt或はAuの様な金属を20wt%以下添加
する。これらの抵抗体を低温焼成セラミックス基板と同
時焼成するためには焼成過程での抵抗体と基板材料の収
縮の不一致や抵抗体に使用するガラスと基板材料に使用
するガラスの間に生じる成分の拡散や反応のような化学
変化によって生じるソリやブクを発生させないことが必
要である。このため本発明では,抵抗体に使用するガラ
スは基板材料に使用する組成範囲のガラスを使用する。
即ち,抵抗体に使用するガラスの組成範囲はMO:10
〜55wt%,Al30wt%以下,Si
:45〜70wt%及びB30wt%以
,ただし,MO:CaO,MgOで,望ましくは基板
材料に使用するガラスと抵抗体に使用するガラスは全く
同一の組成のものが良い。また,抵抗体,特にガラスの
割合の大きい抵抗体から基板へのガラスの移動を防ぐた
めにアルミナを添加する。アルミナの添加割合はRuO
,BiRu或はPbRuのようなパ
イロクロア型化合物とれ合計量が35〜60wt%であ
ることが望ましく,更に,温度特性の調整剤を10wt
%以下添加する。しかるに,基板材料のガラス量と抵抗
体のガラス量が略等しくなり,ガラスは相互に移動する
ことはなく,抵抗値は安定する。また鉛系ガラスを使用
した場合,焼成の過程で還元雰囲気にさらされるとガラ
ス中のPbOが還元されるため抵抗値が安定しないが,
本発明では,抵抗体に使用するガラスもPbOを含まな
いため,PbOの還元による抵抗値の変化もない。低温
焼成セラミックス基板では,焼成前のグリーンシートに
バインダーや可塑剤として多量の有機物を含むので,こ
れらの有機物が焼成の過程で焼成する際,基板内部が還
元雰囲気になるので,安定な抵抗値を持つ抵抗体を得る
ためには,PbOを含まないガラスを使用することが特
に重要である。なお,本発明の抵抗体はペーストとして
使用するのが好ましく,抵抗体材料とエチルセルロース
・アセチルセルロース或はアクリル樹脂等の有機重合物
及びテルピネオール,カルビトール或はアセテート等の
溶剤を所定量混合して得る。
【0009】また,図6は,本発明による抵抗体と鉛系
ガラスを使用した市販の2種の抵抗体A,Bとの抵抗値
の変化を比較したものである。各抵抗体は,アルミナ基
板上に焼成されて形成されており,測定は焼成雰囲気
(O2 ,N2 )で行われた。この測定結果から明らかな
様に,本発明の抵抗体の抵抗値はO2 ,N2 の濃度に関
係なく殆んど一定しているが比較例の抵抗体A,Bはい
ずれもO2 濃度が低い時には高い抵抗値を示し,O2
度が高くなるにつれて抵抗値が低下して安定していな
い。上述した様に,本発明の抵抗体の内蔵抵抗は安定し
ており抵抗値のバラツキは小さいが,更に高精度の抵抗
体が要求される場合には,表面層の次の第2層に抵抗体
を形成すればレーザートリミングにより更に高精度の抵
抗体を得ることができる。これは,本発明に使用した材
料が焼成後,アルミナ粒子,ガラスとアルミナとの反応
及びガラスの成分による結晶化により生成するアノーサ
イトやコージェライトの結晶質部分及びマトリックスを
形成するガラス部分の3相の構造を持ち,この構成のガ
ラスがレーザートリミングを可能にしているからであ
る。また,レーザートリミングを容易に行なわせるため
に表面層に接する絶縁層に限りアルミナの割合を20wt
%まで下げても良い。この時,基板全体のアルミナを3
5wt%以下にすることは基板の強度上望ましくない。ま
た,ガラス成分にCr2 3 ,CoO,Fe2 3或は
NiO等の着色成分を添加してレーザー光の吸収効率を
上げればレーザートリミングを更に容易に行なえる。な
お,この場合,表面層にレーザートリミングする面積だ
け第2層の抵抗体のために空ける必要があるが表面層に
電極及び抵抗体を形成するよりは大幅に高密度実装化を
図ることができる。
【0010】図7は本発明の内蔵抵抗をレーザートリミ
ングした基板の拡大断面図である。本発明は低温焼成ピ
ングリッドアレイ(PGA)或は低温焼成チップキャリ
ヤー,サーマルヘッド基板等にも適用できる。
【0011】図8を参照して低温焼成PGAに実施した
実施例について説明する。まず,低温焼成基板用テープ
上にI/OピンP1とLSIチップとのインターコネク
ション用パターン(図示せず)をAgを主体とする導体
ペーストC1を厚膜印刷法により形成する。また,もう
一枚の低温焼成基板用テープT2上にLSIチップのダ
イボンヂングパッド(図示せず)をAu又はAg−Pd
厚膜ペーストにより形成する。前記のパターンを形成し
たテープT1に必要に応じてスルーホールS2を形成し
たグリーンテープT2を熱間圧着法により圧着して積層
化する。次に,テープT1の下面にリードロウ付部を形
成し,この積層体を大気中900℃で焼成して208ピ
ンのピングリッドアレー(PGA)用セラミック積層基
板を製作した。更に,42合金(Ni−Co−Fe),
426合金(Ni−Co−Cr−Fe)或いはステンレ
ス(Ni−Cr−Fe)製のI/OピンP1をリードロ
ー付部に接着した。このとき,ピンP1にはAgメッキ
を施すことができる。したがって,以上の工程により製
作したPGAは従来のアルミナ−W系のPGAに比較し
て低コスト化が可能である。
【0012】次に,図9を参照して低温焼成チップキャ
リヤーに実施した実施例を説明する。まず,低温焼成基
板用グリーンテープT1にAu又はAgを主体とする導
体C1 を厚膜印刷法により形成し,併せて,LSIチッ
プのダイボデングパットC2をAu又はAg−Pd厚膜
ペーストにより形成する。前記のパターンを形成したテ
ープT1上にグリーンテープT2を熱間圧着法により積
層して積層体を形成する。積層後,側面電極C3をAg
又はAg−Pd厚膜により形成する。前記の工程により
成形した積層体を気中900℃で焼成して48ピンのチ
ップキャリヤーを作製した。本発明の実施例によるチッ
プキャリヤーは従来のアルミナ−W系で製作したチップ
キャリヤーに比較してメッキ工程が不要となり,電気メ
ッキ用の引出し線のためのデッドスペースも必要としな
い。従って,大型(200mm□)で平坦な基板が得られ
るため,多面取りが可能となり,工程の短縮並びに大幅
なコスト低減が可能となる。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば,導通抵抗の低く比較的
安価なAgを基板内層に用いることが可能となり,民生
用或は一般産業用にも適用可能な高精能セラミックス基
板の提供が可能である。また,本発明の低温焼成セラミ
ックス基板は気中でも焼成可能であるから製作も容易に
行える。更に,高精度抵抗を内蔵して一体成形が可能で
あるから製作工程の短縮が可能であると共に実装密度も
高めることができる等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法を説明するための分解斜視図
である。
【図2】本発明の製造方法によって製造されたセラミッ
クス基板の特性と,従来の基板の特性とを比較するため
の時間−絶縁抵抗線図である。
【図3】本発明の製造方法によって製造されたセラミッ
クス基板と従来のセラミックス基板との特性を比較して
示す時間−絶縁抵抗線図である。
【図4】本発明及び従来のセラミックス基板の製造工程
図である。
【図5】絶縁特性評価のための導体パターンの一例を示
す図である。
【図6】本発明に係る抵抗体の抵抗値の変化を従来の抵
抗体の抵抗値の変化を比較して示す図である。
【図7】抵抗体のレーザートリミング断面図である。
【図8】本発明の製造方法により製造された低温焼成P
GAの一例を示す断面図である。
【図9】本発明の製造方法により製造された低温焼成チ
ップキャリヤーの一例を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/03 L 7011−4E

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 CaO−Al−SiO−B
    系,MgO−Al−SiO−B系,C
    aO−MgO−Al−SiO−B系の群
    から選択された組成を有し,重量%でMO:10〜55
    wt%,Al30wt%以下,SiO:45
    〜75wt%,B30wt%以下,(但し,M
    O:CaO,MgOの少なくとも一種)からなるガラス
    粉末とアルミナ粉末とを含み,その比が重量%でガラス
    粉末が50〜65wt%で残部がアルミナ粉末とからな
    る組成を有するセラミックスのテープを作成する工程
    と,この工程で作成したテープに導通抵抗が10mΩ/
    □以下のAgを主体とする導体を印刷し,各シート間の
    電気的に接合するためスルホール中に導通抵抗が10m
    Ω/□以下のAgを主体とする導体を印刷する工程,前
    記シートを多層化する工程と,多層化した成形体の最外
    層部に導通抵抗が20mΩ/□以上の耐マイグレーショ
    ン性に優れたAg−Pdを主体とする導体を形成する工
    程と,前記工程より成形した生成形体を熱圧着した後,
    800〜1000℃で一体焼成し,セラミックス基板を
    得る工程とよりなることを特徴とする低温焼成セラミッ
    クス基板の製造方法。
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