JPH0834350B2 - セラミック多層配線基板 - Google Patents
セラミック多層配線基板Info
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- JPH0834350B2 JPH0834350B2 JP1189230A JP18923089A JPH0834350B2 JP H0834350 B2 JPH0834350 B2 JP H0834350B2 JP 1189230 A JP1189230 A JP 1189230A JP 18923089 A JP18923089 A JP 18923089A JP H0834350 B2 JPH0834350 B2 JP H0834350B2
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体チップを搭載するために用いられ、
基板に形成されたメタライズ配線群のうちの一の配線に
ついて、電気抵抗値を他の配線と異なった値にしたセラ
ミック多層配線基板に関する。
基板に形成されたメタライズ配線群のうちの一の配線に
ついて、電気抵抗値を他の配線と異なった値にしたセラ
ミック多層配線基板に関する。
セラミック多層配線基板（以下、単に基板ともいう）
は、基板に形成されたメタライズ配線群のうちの特定の
メタライズ配線（以下、単に配線ともいう）の電気抵抗
値（以下、単に抵抗値ともいう）を、必要に応じて、他
の配線の電気抵抗値と異なった値に変化させると、搭載
する半導体チップ高集積化、高速化に対応して、半導体
チップの電気特性を最大限に引き出せることが知られて
いる。
は、基板に形成されたメタライズ配線群のうちの特定の
メタライズ配線（以下、単に配線ともいう）の電気抵抗
値（以下、単に抵抗値ともいう）を、必要に応じて、他
の配線の電気抵抗値と異なった値に変化させると、搭載
する半導体チップ高集積化、高速化に対応して、半導体
チップの電気特性を最大限に引き出せることが知られて
いる。
従来のセラミック多層配線基板は、メタライズ配線群
の特定配線の電気抵抗値を変化させる場合には、 （ａ）メタライズ配線の線巾を変更することが一般的に
利用され、 （ｂ）セラミック多層配線基板の外部あるいは必要に応
じ封止領域内部に抵抗を取り付けることも利用されてい
る。
の特定配線の電気抵抗値を変化させる場合には、 （ａ）メタライズ配線の線巾を変更することが一般的に
利用され、 （ｂ）セラミック多層配線基板の外部あるいは必要に応
じ封止領域内部に抵抗を取り付けることも利用されてい
る。
しかるに、上記（ａ）、（ｂ）の手法には次の欠点が
ある。
ある。
（ａ）は、搭載する半導体チップの高集積化、高速化
に伴い、限られた面積中に、メタライズ配線の数を増加
させることがますます要求されるので、線巾の変更、特
に線巾の増加により配線のキャパシティー（収容力）上
の限界およびメタライズ配線面積変化に伴う電気特性の
変化（例えばキャパシタンス）があり、（ｂ）は、別途
抵抗を取り付けるため、取り付け部の信頼性および耐久
性が劣る、また抵抗の取り付けのための工程増加および
材料増加により高価になる。
に伴い、限られた面積中に、メタライズ配線の数を増加
させることがますます要求されるので、線巾の変更、特
に線巾の増加により配線のキャパシティー（収容力）上
の限界およびメタライズ配線面積変化に伴う電気特性の
変化（例えばキャパシタンス）があり、（ｂ）は、別途
抵抗を取り付けるため、取り付け部の信頼性および耐久
性が劣る、また抵抗の取り付けのための工程増加および
材料増加により高価になる。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、そ
の目的はメタライズ配線群のうちの一の配線の電気抵抗
値を所望の値に変化させるとともに、その信頼性と耐久
性が向上し、配線のキャパシティー（収容力）およびそ
の他の電気的特性上有利であり、また製造コストが安価
にできるセラミック多層配線基板を提供することにあ
る。
の目的はメタライズ配線群のうちの一の配線の電気抵抗
値を所望の値に変化させるとともに、その信頼性と耐久
性が向上し、配線のキャパシティー（収容力）およびそ
の他の電気的特性上有利であり、また製造コストが安価
にできるセラミック多層配線基板を提供することにあ
る。
本発明のセラミック多層配線基板は、上記課題を解決
するため、 請求項１の構成では、半導体チップを搭載するための
セラミック多層配線基板において、同一平面上あるいは
同一基板内に複数の各々一連である配線からなるメタラ
イズ配線群が形成されており、このメライズ配線群のう
ちの一の配線を構成するメタライズ材は、前記メタライ
ズ配線群のうちの他の配線を構成するメタライズ材とは
固有抵抗値が異なり、前記一の配線は前記他の配線とは
電気抵抗値が異なることを特徴とする。
するため、 請求項１の構成では、半導体チップを搭載するための
セラミック多層配線基板において、同一平面上あるいは
同一基板内に複数の各々一連である配線からなるメタラ
イズ配線群が形成されており、このメライズ配線群のう
ちの一の配線を構成するメタライズ材は、前記メタライ
ズ配線群のうちの他の配線を構成するメタライズ材とは
固有抵抗値が異なり、前記一の配線は前記他の配線とは
電気抵抗値が異なることを特徴とする。
請求項２の構成では、前記メタライズ材が、微量以上
30重量％未満の範囲で絶対耐火物を含有するメタライズ
材であることを特徴とする。
30重量％未満の範囲で絶対耐火物を含有するメタライズ
材であることを特徴とする。
請求項３の構成では、半導体チップを搭載するための
セラミック多層配線基板において、同一平面上あるいは
同一基板内に形成され、複数の各々一連である配線から
なるメタライズ配線群は、第１の固有抵抗値を有する第
１のメタライズ材で構成される第１の配線と、前記第１
の固有抵抗値とは異なる第２の固有抵抗値を有する第２
のメタライズ材で構成される第２の配線とを含むことを
特徴とする。
セラミック多層配線基板において、同一平面上あるいは
同一基板内に形成され、複数の各々一連である配線から
なるメタライズ配線群は、第１の固有抵抗値を有する第
１のメタライズ材で構成される第１の配線と、前記第１
の固有抵抗値とは異なる第２の固有抵抗値を有する第２
のメタライズ材で構成される第２の配線とを含むことを
特徴とする。
請求項４の構成では、半導体チップを搭載するための
セラミック多層配線基板において、同一平面上あるいは
同一基板内に形成され、複数の各々一連である配線から
なるメタライズ配線群は、第１の固有抵抗値を有する第
１のメタライズ材で構成される第１の配線と、一端から
所定位置までは前記第１のメタライズ材で構成され、前
記所定位置から他端までは前記第１の固有抵抗値とは異
なる第２の固有抵抗値を有する第２のメタライズ材で構
成された第２の配線とを含むことを特徴とする。
セラミック多層配線基板において、同一平面上あるいは
同一基板内に形成され、複数の各々一連である配線から
なるメタライズ配線群は、第１の固有抵抗値を有する第
１のメタライズ材で構成される第１の配線と、一端から
所定位置までは前記第１のメタライズ材で構成され、前
記所定位置から他端までは前記第１の固有抵抗値とは異
なる第２の固有抵抗値を有する第２のメタライズ材で構
成された第２の配線とを含むことを特徴とする。
請求項５の構成では、半導体チップを搭載するための
セラミック多層配線基板において、同一平面上あるいは
同一基板内に、複数の各々一連である配線からなるメタ
ライズ配線群が形成されており、このメタライズ配線群
に含まれる一の配線が、一端から所定位置までは第１の
固有抵抗値を有する第１のメタライズ材で構成され、前
記所定位置から他端までは前記第１の固有抵抗値とは異
なる第２の固定抵抗値を有する第２のメライズ材で構成
されてなることを特徴とする。
セラミック多層配線基板において、同一平面上あるいは
同一基板内に、複数の各々一連である配線からなるメタ
ライズ配線群が形成されており、このメタライズ配線群
に含まれる一の配線が、一端から所定位置までは第１の
固有抵抗値を有する第１のメタライズ材で構成され、前
記所定位置から他端までは前記第１の固有抵抗値とは異
なる第２の固定抵抗値を有する第２のメライズ材で構成
されてなることを特徴とする。
請求項６の構成では、前記第１のメタライズ材と前記
第２のメタライズ材とは、微量以上30重量％未満の範囲
の異なった量の絶縁耐火物を含有することを特徴とす
る。
第２のメタライズ材とは、微量以上30重量％未満の範囲
の異なった量の絶縁耐火物を含有することを特徴とす
る。
請求項７の構成では、前記絶縁耐火物はアルミナから
なることを特徴とする。
なることを特徴とする。
請求項８の構成では、前記メタライズ材が高融点金属
を主体とするメタライズ材であることを特徴とする。
を主体とするメタライズ材であることを特徴とする。
請求項９の構成では、前記セラミック多層配線基板の
セラミックはアルミナからなることを特徴とする。
セラミックはアルミナからなることを特徴とする。
請求項10の構成では、前記メタライズ配線群は同時焼
成により形成されてなることを特徴とする。
成により形成されてなることを特徴とする。
本発明のセラミック多層配線基板は、形成されたメタ
ライズ配線群のうち、一の配線を構成するメタライズ材
を、メタライズ配線群のうちの他の配線を構成するメタ
ライズ材と固有抵抗値を異ならせしめている。
ライズ配線群のうち、一の配線を構成するメタライズ材
を、メタライズ配線群のうちの他の配線を構成するメタ
ライズ材と固有抵抗値を異ならせしめている。
従って、一の配線が所望電気抵抗値をもつように、こ
の一の配線の巾を変更する必要もなく、キャパシティー
（収容力）が制限されることがなく有利である。
の一の配線の巾を変更する必要もなく、キャパシティー
（収容力）が制限されることがなく有利である。
また、配線の形状や面積が変化しないので、変化に伴
う電気特性の変化が生ずることもなく電気抵抗値のみ所
望の値に変化させることができる。そのため、搭載する
半導体チップ等の電気特性を最大限に引き出すセラミッ
ク多層配線基板が構成できる。
う電気特性の変化が生ずることもなく電気抵抗値のみ所
望の値に変化させることができる。そのため、搭載する
半導体チップ等の電気特性を最大限に引き出すセラミッ
ク多層配線基板が構成できる。
さらに、抵抗の取り付けが不要となり、配線自身に所
定の電気抵抗値をもたせているので、信頼性や耐久性が
高い。なお、同時焼成により配線を形成すれば、より高
い信頼性や耐久性を得ることができ、安価とすることも
できる。
定の電気抵抗値をもたせているので、信頼性や耐久性が
高い。なお、同時焼成により配線を形成すれば、より高
い信頼性や耐久性を得ることができ、安価とすることも
できる。
また、抵抗を取り付ける工程や材料は不要であるの
で、安価に製造することができる。
で、安価に製造することができる。
なお、メタライズ材には、微量以上30重量％未満の範
囲で絶縁耐火物が含有されたものを用いている。30重量
％以上含有する場合には、メタライズ材がほとんど不導
体になるのでメタライズ材として用いることができない
が、30重量％未満であれば、メタライズ材の固有抵抗値
は、含有する絶縁耐火物の含有量で変化させることがで
き、容易にその固有抵抗値を選択して使用することがで
きる。ここで、本発明において絶縁耐火物とは、セラミ
ック多層配線基板の高温焼成後にも絶縁耐火物として機
能し得るメタライズ材の添加物を言うこととする。
囲で絶縁耐火物が含有されたものを用いている。30重量
％以上含有する場合には、メタライズ材がほとんど不導
体になるのでメタライズ材として用いることができない
が、30重量％未満であれば、メタライズ材の固有抵抗値
は、含有する絶縁耐火物の含有量で変化させることがで
き、容易にその固有抵抗値を選択して使用することがで
きる。ここで、本発明において絶縁耐火物とは、セラミ
ック多層配線基板の高温焼成後にも絶縁耐火物として機
能し得るメタライズ材の添加物を言うこととする。
その他、同形状のメタライズ配線群形（配線パター
ン）でありながら、配線抵抗の異なる多種類のセラミッ
ク多層配線基板を効率よく製造できるので、多種類の半
導体チップに対応できる。
ン）でありながら、配線抵抗の異なる多種類のセラミッ
ク多層配線基板を効率よく製造できるので、多種類の半
導体チップに対応できる。
なお、固有抵抗値の異なるメタライズ材同士を一部重
ね合わせて接続すると良い。構造上、両者の接続信頼性
が高くなるからである。
ね合わせて接続すると良い。構造上、両者の接続信頼性
が高くなるからである。
また、請求項３に記載の如く、形成されたメタライズ
配線群が、第１の固有抵抗値を有する第１のメタライズ
材で構成される第１の配線と、第１の固有抵抗値とは異
なる第２の固有抵抗値を有する第２のメタライズ材で構
成される第２の配線とを含む場合には、この第１の配線
と第２の配線とに異なる電気抵抗値をもたせることがで
きる。
配線群が、第１の固有抵抗値を有する第１のメタライズ
材で構成される第１の配線と、第１の固有抵抗値とは異
なる第２の固有抵抗値を有する第２のメタライズ材で構
成される第２の配線とを含む場合には、この第１の配線
と第２の配線とに異なる電気抵抗値をもたせることがで
きる。
これにより、搭載する半導体チップ等の電気特性を最
大限に引き出すために要求される異なる配線抵抗値をも
つセラミック多層配線基板を、抵抗を取り付けることな
く、また要求される配線の巾を変更することなく形成す
ることができる。なお、かかるメタライズ配線を同時焼
成により形成すると、基板焼成後に抵抗を取り付け形成
する場合と異なり、信頼性が高く、安価である。
大限に引き出すために要求される異なる配線抵抗値をも
つセラミック多層配線基板を、抵抗を取り付けることな
く、また要求される配線の巾を変更することなく形成す
ることができる。なお、かかるメタライズ配線を同時焼
成により形成すると、基板焼成後に抵抗を取り付け形成
する場合と異なり、信頼性が高く、安価である。
さらに、請求項４に記載の如く、第１の固有抵抗値を
有する第１のメタライズ材で構成される第１の配線と、
一端から所定位置までは前記第１のメタライズ材で構成
され、この所定位置から他端までは前記第１の固有抵抗
値とは異なる第２の固有抵抗値を有する第２のメタライ
ズ材で構成される第２の配線とを含む場合には、上記と
同様な作用および効果が得られるほか、第２の配線の第
１のメタライズ材から第２のメタライズ材に接続する所
定位置を適当に選択することにより、第２の配線におい
て所望の配線抵抗が得られ、設計が容易になる。
有する第１のメタライズ材で構成される第１の配線と、
一端から所定位置までは前記第１のメタライズ材で構成
され、この所定位置から他端までは前記第１の固有抵抗
値とは異なる第２の固有抵抗値を有する第２のメタライ
ズ材で構成される第２の配線とを含む場合には、上記と
同様な作用および効果が得られるほか、第２の配線の第
１のメタライズ材から第２のメタライズ材に接続する所
定位置を適当に選択することにより、第２の配線におい
て所望の配線抵抗が得られ、設計が容易になる。
また、請求項５に記載の如く、形成されたメタライズ
配線群に含まれる一の配線がこの一の配線の一端から所
定位置までは第１の固有抵抗値を有する第１のメタライ
ズ材で構成され、この一の配線の所定位置から他端まで
は第１の固有抵抗値とは異なる第２の固有抵抗値を有す
る第２のメタライズ材で構成されてなる場合には、この
所定位置を適宜決定するとで、一の配線の有する電気抵
抗値を適宜選択することができる。
配線群に含まれる一の配線がこの一の配線の一端から所
定位置までは第１の固有抵抗値を有する第１のメタライ
ズ材で構成され、この一の配線の所定位置から他端まで
は第１の固有抵抗値とは異なる第２の固有抵抗値を有す
る第２のメタライズ材で構成されてなる場合には、この
所定位置を適宜決定するとで、一の配線の有する電気抵
抗値を適宜選択することができる。
なお、第１と第２のメタライズ材の接続部分は重ね合
わせて接続すると良い。構造上、両者の接続信頼性が高
くなるからである。
わせて接続すると良い。構造上、両者の接続信頼性が高
くなるからである。
ここで、第１と第２のメタライズ材はその中に微量以
上30重量％未満の範囲で含有される絶縁耐火物の量によ
り固有抵抗値が異なっているのが好ましい。含有する絶
縁耐火物の量により固有抵抗値は任意に調整できるから
である。
上30重量％未満の範囲で含有される絶縁耐火物の量によ
り固有抵抗値が異なっているのが好ましい。含有する絶
縁耐火物の量により固有抵抗値は任意に調整できるから
である。
次に本発明にかかるセラミック多層配線基板の一実施
例を第１図〜第３図に基づいて説明する。
例を第１図〜第３図に基づいて説明する。
セラミック多層配線基板１は、アルミナ（Al2O3）を
主体とする電気絶縁性セラミックの多層焼結体である。
また、四角が切り欠かれた方形平板状を呈し、中央には
半導体チップを搭載する矩形の空所10が設けられてい
る。
主体とする電気絶縁性セラミックの多層焼結体である。
また、四角が切り欠かれた方形平板状を呈し、中央には
半導体チップを搭載する矩形の空所10が設けられてい
る。
セラミック多層配線基板１中の同一平面上には、前記
矩形の空所10から外側に向かう、メタライズ配線群２が
形成されている。
矩形の空所10から外側に向かう、メタライズ配線群２が
形成されている。
該メタライズ配線群２は、本実施例では固有抵抗値の
低いメタライズ材21aからなる単独配線21と、固有抵抗
値の高いメタライズ材22aからなる単独配線22と、メタ
ライズ材21aが長くメタライズ材22aが短い連結配線23
と、メタライズ材21aが短くメタライズ材22aが長い連結
配線24とから構成される。
低いメタライズ材21aからなる単独配線21と、固有抵抗
値の高いメタライズ材22aからなる単独配線22と、メタ
ライズ材21aが長くメタライズ材22aが短い連結配線23
と、メタライズ材21aが短くメタライズ材22aが長い連結
配線24とから構成される。
ここで、単独配線21と単独配線22との関係において、
単独配線22を一の配線、単独配線21を他の配線と見れ
ば、一の配線を構成するメタライズ材22aの固有抵抗値
が、他の配線を構成するメタライズ材21aの固有抵抗値
よりも高いために、配線の形状（巾や長さ等のパター
ン）を変えることなく、一の配線の有する電気抵抗値が
他の配線の有する電気抵抗値よりも高く形成されている
と見ることができる。
単独配線22を一の配線、単独配線21を他の配線と見れ
ば、一の配線を構成するメタライズ材22aの固有抵抗値
が、他の配線を構成するメタライズ材21aの固有抵抗値
よりも高いために、配線の形状（巾や長さ等のパター
ン）を変えることなく、一の配線の有する電気抵抗値が
他の配線の有する電気抵抗値よりも高く形成されている
と見ることができる。
また、単独配線21と連結配線23、24との関係において
も、連結配線23、24を一の配線と見れば、一の配線の一
部の配線部分に、配線の形状を変えることなく、メタラ
イズ材21aに比べて固有抵抗値の高いメタライズ材22aを
用いるだけで、一の配線の有する電気抵抗値が、他の配
線の有する電気抵抗値よりも高く形成されていると見る
ことができる。
も、連結配線23、24を一の配線と見れば、一の配線の一
部の配線部分に、配線の形状を変えることなく、メタラ
イズ材21aに比べて固有抵抗値の高いメタライズ材22aを
用いるだけで、一の配線の有する電気抵抗値が、他の配
線の有する電気抵抗値よりも高く形成されていると見る
ことができる。
一方、単独配線21と単独配線22とは、第１の、即ち、
低い固有抵抗値を有する第１のメタライズ材21aで構成
される第１の配線21と、第１の低い固有抵抗値とは異な
る、第２の、即ち、高い固有抵抗値を有する第２のメタ
ライズ材22aで構成される第２の配線22との関係と見る
ことができる。
低い固有抵抗値を有する第１のメタライズ材21aで構成
される第１の配線21と、第１の低い固有抵抗値とは異な
る、第２の、即ち、高い固有抵抗値を有する第２のメタ
ライズ材22aで構成される第２の配線22との関係と見る
ことができる。
また、単独配線21と連結配線23、24との関係は、第１
の、即ち、低い固有抵抗値を有する第１のメタライズ材
21aで構成される第１の配線21と、第１の低い固有抵抗
値とは異なる、第２の、即ち、高い固有抵抗値を有する
第２のメタライズ材22aとを接続して構成される第２の
配線23、24との関係と見ることもでき、やはり第２の配
線は、配線の形状を変えることなく、第１の配線よりも
高い電気抵抗値をもつ。
の、即ち、低い固有抵抗値を有する第１のメタライズ材
21aで構成される第１の配線21と、第１の低い固有抵抗
値とは異なる、第２の、即ち、高い固有抵抗値を有する
第２のメタライズ材22aとを接続して構成される第２の
配線23、24との関係と見ることもでき、やはり第２の配
線は、配線の形状を変えることなく、第１の配線よりも
高い電気抵抗値をもつ。
ここで、連結配線23、24においては、空所10側に位置
する配線の一端から基板の外方に位置する配線の他端ま
で延在して形成されている。そして、この配線の一端か
ら基板の外方に向けて延在する配線の途中の所定位置ま
では、第１のメタライズ材21aで構成され、この所定位
置から基板外方に位置する配線の他端までは第２のメタ
ライズ材22aで構成されている。このようにした場合に
は、第１と第２のメタライズ材の接続する所定位置をど
こにするか、即ち、所定位置までの各メタライズ材の長
さをどのようにするかによって、第２の配線の有する電
気抵抗値を変化させることでき、例えば、連結配線23よ
り連結配線24の方が高い電気抵抗値を有するようにでき
る。
する配線の一端から基板の外方に位置する配線の他端ま
で延在して形成されている。そして、この配線の一端か
ら基板の外方に向けて延在する配線の途中の所定位置ま
では、第１のメタライズ材21aで構成され、この所定位
置から基板外方に位置する配線の他端までは第２のメタ
ライズ材22aで構成されている。このようにした場合に
は、第１と第２のメタライズ材の接続する所定位置をど
こにするか、即ち、所定位置までの各メタライズ材の長
さをどのようにするかによって、第２の配線の有する電
気抵抗値を変化させることでき、例えば、連結配線23よ
り連結配線24の方が高い電気抵抗値を有するようにでき
る。
このメタライズ材21a、22aは、それぞれタングステン
（Ｗ）あるいはモリブデン（Mo）などの高融点金属が主
体であり、所望の固有抵抗値を得るために、それぞれ絶
縁耐火物の含有量に差がつけてある。
（Ｗ）あるいはモリブデン（Mo）などの高融点金属が主
体であり、所望の固有抵抗値を得るために、それぞれ絶
縁耐火物の含有量に差がつけてある。
本実施例においては、それぞれのメタライズ材21a、2
2aは、別々の印刷パターンにより印刷されるため、これ
らの重ね合わせた位置を任意に選択することにより、最
終的配線群型（パターン）や配線面積を変化させること
なく、所望の配線抵抗が任意の配線位置で得られる。
2aは、別々の印刷パターンにより印刷されるため、これ
らの重ね合わせた位置を任意に選択することにより、最
終的配線群型（パターン）や配線面積を変化させること
なく、所望の配線抵抗が任意の配線位置で得られる。
次に、上記セラミック多層配線基板１の製造工程を説
明する。
明する。
アルミナを主原料として形成されたグリーンシート
（未焼結セラミック生地）に、タングステン（Ｗ）、モ
リブデン（Mo）などの高融点金属を主体とし、それぞれ
所定量の絶縁耐火物を添加した２種類の導体ペーストを
順次スクリーン印刷する。
（未焼結セラミック生地）に、タングステン（Ｗ）、モ
リブデン（Mo）などの高融点金属を主体とし、それぞれ
所定量の絶縁耐火物を添加した２種類の導体ペーストを
順次スクリーン印刷する。
スクリーン印刷したグリーンシートを熱間圧着により
積層した後、加湿雰囲気の水素炉中で高温焼成して形成
される。
積層した後、加湿雰囲気の水素炉中で高温焼成して形成
される。
（実施例の効果） 連結配線により、成分の異なる２種類のメタライズ材
を用いてメタライズ配線を４種類の電気抵抗値に変化さ
せることができた。
を用いてメタライズ配線を４種類の電気抵抗値に変化さ
せることができた。
次に、任意の絶縁耐火物含有量のメタライズ材の固有
抵抗を測定した方法を第２図に基づき説明する。
抵抗を測定した方法を第２図に基づき説明する。
下層アルミナグリーンシート（厚さ0.5〜0.6mm）に特
定の絶縁耐火物含有量のメタライズ用導体ペーストを印
刷し、その上に上層アルミナグリーンシートを熱間圧着
により積層する。
定の絶縁耐火物含有量のメタライズ用導体ペーストを印
刷し、その上に上層アルミナグリーンシートを熱間圧着
により積層する。
その後、この積層物を約1500℃で約３時間の条件下に
て、水素、窒素の混合ガス雰囲気中にて同時焼成して焼
結体（サンプル）100を得た。
て、水素、窒素の混合ガス雰囲気中にて同時焼成して焼
結体（サンプル）100を得た。
このようにして得られた焼結体100中のメタライズ部
分2aの電気抵抗をポイントPa−ポイントPb間で４端子法
を用いて測定する。
分2aの電気抵抗をポイントPa−ポイントPb間で４端子法
を用いて測定する。
その後、測定が終了したサンプル100のメタライズ部
分2aの長さ、巾を測定し、シート抵抗値Rs（ｍΩ／□）
を得た。
分2aの長さ、巾を測定し、シート抵抗値Rs（ｍΩ／□）
を得た。
第３図に絶縁性耐火物としてアルミナを使用した場合
のシート抵抗値Rs（ｍΩ／□）とアルミナ含有量の関係
を示す。
のシート抵抗値Rs（ｍΩ／□）とアルミナ含有量の関係
を示す。
抵抗値Rsは、各温度（RT、100℃）において若干異な
るが、アルミナ含有量の増加に伴い加速度的に増加し
た。
るが、アルミナ含有量の増加に伴い加速度的に増加し
た。
しかしながら、アルミナ含有量が20重量％を越えたあ
たりからシート抵抗値Rs（ｍΩ／□）が急激に増加し、
30重量％にて、ほとんど不導体となりメタライズ配線と
しての意味がなくなる。
たりからシート抵抗値Rs（ｍΩ／□）が急激に増加し、
30重量％にて、ほとんど不導体となりメタライズ配線と
しての意味がなくなる。
従って、タングステン、モリブデン等の金属に対し、
絶縁耐火物の含有率を微量〜30重量％未満の範囲にてメ
タライズ材を製造するならば、メタライズ材は任意の抵
抗値で使用できる。
絶縁耐火物の含有率を微量〜30重量％未満の範囲にてメ
タライズ材を製造するならば、メタライズ材は任意の抵
抗値で使用できる。
これにより、メタライズ配線群は同一平面上あるいは
同一基板内で異なる固有抵抗値のメタライズ材を任意の
位置に使用できるので、半導体チップの電気特性を最大
限引き出すことが可能となり、また、抵抗を備えたメタ
ライズ配線群が、セラミック多層基板と同時焼成で得ら
れるので、製造コストおよび信頼性が大幅に向上する。
同一基板内で異なる固有抵抗値のメタライズ材を任意の
位置に使用できるので、半導体チップの電気特性を最大
限引き出すことが可能となり、また、抵抗を備えたメタ
ライズ配線群が、セラミック多層基板と同時焼成で得ら
れるので、製造コストおよび信頼性が大幅に向上する。
本発明は、ピングリッドアレー（PGA）、チップキャ
リア（C/C）およびフラットパッケージなどセラミック
基板にメタライズ配線群を形成するほとんどあらゆる型
式のセラミック多層配線基板に採用できる。
リア（C/C）およびフラットパッケージなどセラミック
基板にメタライズ配線群を形成するほとんどあらゆる型
式のセラミック多層配線基板に採用できる。
本発明は上記実施例以外に次の変形例を含む。
（ア）上記実施例では、固有抵抗値の異なる２種類のメ
タライズ材を用いているが、メタライズ材は、必要に応
じて固有抵抗値の異なる３種類以上のメタライズ材を用
いても良い。
タライズ材を用いているが、メタライズ材は、必要に応
じて固有抵抗値の異なる３種類以上のメタライズ材を用
いても良い。
（イ）上記実施例では、基板材料はアルミナであるが、
窒化アルミニウム（AlN）、チタニア（TiO2）あるいは
ベリリア（BeO）を採用しても良い。
窒化アルミニウム（AlN）、チタニア（TiO2）あるいは
ベリリア（BeO）を採用しても良い。
（ウ）上記実施例では、メタライズ配線群を同一平面上
で形成したが、同一基板内であれば、スルーホール等を
介して電気的に接続させた異なる平面に亘るメタライズ
配線群にも適用可能である。
で形成したが、同一基板内であれば、スルーホール等を
介して電気的に接続させた異なる平面に亘るメタライズ
配線群にも適用可能である。
第１図は本発明にかかるセラミック多層配線基板の一実
施例を示す平面図である。第２図はタングステン
（Ｗ）、モリブデン（Mo）などを主体とし、所定量の絶
縁耐火物を添加し、メタライズ材のシート抵抗値Rs（ｍ
Ω／□）を測定するためのサンプルの斜視図である。第
３図はそのメタライズ材の絶縁耐火物含有量とシート抵
抗の関係を示すグラフである。 図中 １……セラミック多層配線基板、２……メタライ
ズ配線群、10……空所、21……単独配線、21a……固有
抵抗値の低いメタライズ材（第１のメタライズ材）、22
……単独配線、22a……固有抵抗値の高いメタライズ材
（第２のメタライズ材）、23、24……連結配線
施例を示す平面図である。第２図はタングステン
（Ｗ）、モリブデン（Mo）などを主体とし、所定量の絶
縁耐火物を添加し、メタライズ材のシート抵抗値Rs（ｍ
Ω／□）を測定するためのサンプルの斜視図である。第
３図はそのメタライズ材の絶縁耐火物含有量とシート抵
抗の関係を示すグラフである。 図中 １……セラミック多層配線基板、２……メタライ
ズ配線群、10……空所、21……単独配線、21a……固有
抵抗値の低いメタライズ材（第１のメタライズ材）、22
……単独配線、22a……固有抵抗値の高いメタライズ材
（第２のメタライズ材）、23、24……連結配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｑ 6921−4Ｅ (56)参考文献 特開 昭49−121171（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−120708（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−115007（ＪＰ，Ａ)
Claims (10)
- 【請求項１】半導体チップを搭載するためのセラミック
多層配線基板において、 同一平面上あるいは同一基板内に複数の各々一連である
配線からなるメタライズ配線群が形成されており、 このメタライズ配線群のうちの一の配線を構成するメタ
ライズ材は、前記メタライズ配線群のうちの他の配線を
構成するメタライズ材とは固有抵抗値が異なり、 前記一の配線は前記他の配線とは電気抵抗値が異なる ことを特徴とするセラミック多層配線基板。 - 【請求項２】前記メタライズ材が、微量以上30重量％未
満の範囲で絶縁耐火物を含有するメタライズ材であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のセラミック多層配線基
板。 - 【請求項３】半導体チップを搭載するためのセラミック
多層配線基板において、 同一平面上あるいは同一基板内に形成され、複数の各々
一連である配線からなるメタライズ配線群は、 第１の固有抵抗値を有する第１のメタライズ材で構成さ
れる第１の配線と、 前記第１の固有抵抗値とは異なる第２の固有抵抗値を有
する第２のメタライズ材で構成される第２の配線とを含
む ことを特徴とするセラミック多層配線基板。 - 【請求項４】半導体チップを搭載するためのセラミック
多層配線基板において、 同一平面上あるいは同一基板内に形成され、複数の各々
一連である配線からなるメタライズ配線群は、 第１の固有抵抗値を有する第１のメタライズ材で構成さ
れる第１の配線と、 一端から所定位置までは前記第１のメタライズ材で構成
され、前記所定位置から他端までは前記第１の固有抵抗
値とは異なる第２の固有抵抗値を有する第２のメタライ
ズ材で構成された第２の配線とを含む ことを特徴とするセラミック多層配線基板。 - 【請求項５】半導体チップを搭載するためのセラミック
多層配線基板において、 同一平面上あるいは同一基板内に、複数の各々一連であ
る配線からなるメタライズ配線群が形成されており、 このメタライズ配線群に含まれる一の配線が、 一端から所定位置までは第１の固有抵抗値を有する第１
のメタライズ材で構成され、 前記所定位置から他端までは前記第１の固有抵抗値とは
異なる第２の固有抵抗値を有する第２のメタライズ材で
構成されてなる ことを特徴とするセラミック多層配線基板。 - 【請求項６】前記第１のメタライズ材と前記第２のメタ
ライズ材とは、微量以上30重量％未満の範囲の異なった
量の絶縁耐火物を含有する ことを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の
セラミック多層配線基板。 - 【請求項７】前記絶縁耐火物はアルミナからなることを
特徴とする請求項２または６に記載のセラミック多層配
線基板。 - 【請求項８】前記メタライズ材が高融点金属を主体とす
るメタライズ材であることを特徴とする請求項１〜７の
いずれかに記載のセラミック多層配線基板。 - 【請求項９】前記セラミック多層配線基板のセラミック
はアルミナからなることを特徴とする請求項１〜８のい
ずれかに記載のセラミック多層配線基板。 - 【請求項１０】前記メタライズ配線群は同時焼成により
形成されてなることを特徴とする請求項１〜９のいずれ
かに記載のセラミック多層配線基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189230A JPH0834350B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | セラミック多層配線基板 |
| US07/553,804 US5060049A (en) | 1989-07-21 | 1990-07-18 | Multiple resistivity wiring apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189230A JPH0834350B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | セラミック多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353591A JPH0353591A (ja) | 1991-03-07 |
| JPH0834350B2 true JPH0834350B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16237771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189230A Expired - Fee Related JPH0834350B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | セラミック多層配線基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5060049A (ja) |
| JP (1) | JPH0834350B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0679995B2 (ja) * | 1988-08-18 | 1994-10-12 | 株式会社村田製作所 | ＡｌＮ基板のＷメタライズ構造 |
| JP2816028B2 (ja) * | 1991-02-18 | 1998-10-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06296084A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-10-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高熱伝導体及びこれを備えた配線基板とこれらの製造方法 |
| US6093894A (en) | 1997-05-06 | 2000-07-25 | International Business Machines Corporation | Multiconductor bonded connection assembly with direct thermal compression bonding through a base layer |
| JPH11177189A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-07-02 | Fujitsu Ltd | プリント基板上配線の終端構造 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3927815A (en) * | 1971-11-22 | 1975-12-23 | Ngk Insulators Ltd | Method for producing multilayer metallized beryllia ceramics |
| JPS49121171A (ja) * | 1973-03-28 | 1974-11-19 | ||
| JPS59169163A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-25 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPH01115007A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | メタライズインク組成物 |
| JP2549674B2 (ja) * | 1987-11-02 | 1996-10-30 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックｉｃパッケージ用の低抵抗メタライズインキ |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP1189230A patent/JPH0834350B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-18 US US07/553,804 patent/US5060049A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0353591A (ja) | 1991-03-07 |
| US5060049A (en) | 1991-10-22 |
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