JPS61274397A - 低温焼成セラミツクス基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は集積回路等を実装するために使用される低温焼
成セラミックス基板及びその製造方法に関するものであ
る。

（従来の技術とその問題点） 従来一般的に使用されているＷ又はＭｏを導体とするア
ルミナ系の高温焼成多層基板に於ては、アルミナの誘電
率（ε＝９．５）が高く、導電抵抗（１０〜１５ｍΩ、
１０）も高いため２例えば超高速コンピュータのマルチ
チップマザーゼードとして用いる場合、信号伝播遅延時
間が長く、超高速化の障害となっている。

このために、従来の高温焼成基板に代わるものとして導
通抵抗の低い低温焼成基板の開発が進められており、す
てに−、二発表された例もある。

しかし、従来の低温焼成セラミックス基板は多層導体と
して＊　Ａｇ　−Ｐｄ　ｒ　Ａｕ　ｒ　Ｎｉ＋　Ｃｕ等
を用いたものであり、以下に述べるような不具合があり
十分満足の行くものではなかった。

即ち、Ａｕを導体として多層化した低温焼成基板では、
　Ａｕの導通抵抗が２〜３ｍ〜牟と低く、マイグレーシ
ョン性も少いため、これは性能的には優れている。

しかし、　Ａｕは非常に高価であるためＡｕを導体とし
て用いた低温焼成基板を民生用或は一般産業用に用いる
には経済的に無理があり特殊な用途に限られている。

Ｃｕを導体として多層化した低温焼成基板、では。

製造工程においてＣｕを酸化させずに（３００℃以下）
グリーンテープ中のバインダーを除去する必要があるが
、現在、３００℃以下で分解又は酸化除去され、かつグ
リーンテープにした時にテープに強度と可塑性を付与で
きる有機バインダーが存在しないと共に＋Ｃｕは空気中
では酸化されるため。

還元雰囲気中で焼成しなければならない等の理由から未
だに実用化されていない。

また、　Ａｇは導通抵抗が２ｍΩ力と低くこの限りでは
優れた導体である。ところが２通常低温焼成基板として
はガラス系のものが用いられ、かつ湿度下で純粋にＡｇ
はガラス中を容易にマイグレーシラン（拡散）する性質
があシ、湿度下で電圧を印加すると絶縁層の絶縁の劣化
が起る。この現象は特に気孔を有するガラス中で著しる
しい。従って。

従来、低温焼成基板においては純度の高いＡｇは導体と
しては用いられず、　Ａｇの耐マイグレーション性、耐
湿性を改善したＡｇ　−Ｐｄ導体が一般的に使用されて
いる。

しかし、　Ｐｄは比抵抗が非常に高く２例えばＡｇ−２
０ｗｔ％Ｐｄの導体抵抗は２０ｍΩ／口と非常に高くな
シ、導通抵抗を低くするという目的を達せられない。

更にｒ　Ｎｔを導体として用いた場合＋　ＮｌばＡｇ−
２０ｗｔ％Ｐｄ程には導通抵抗は高くはないもののＷ或
はＭｏと同様に１０〜１５　ｍ０１０と高い。

前記した様な理由から、従来の低温焼成セラミック基板
用の導体はいずれも経済上或は性能上の理由等から民生
用或は一般産業用のセラミック基板用として採用するた
めには難があった。

また、従来の低温焼成基板に抵抗を形成する場合、精度
を要しない抵抗を同時焼成により内蔵した例は散見され
るものの、これは抵抗値のバラツキが大きく、実用上の
用途は限定されたものであり、精度の高い抵抗を形成す
る場合、一旦導体付きの焼成基板を形成した後、厚膜法
により市販の抵抗体４−ストを用いて抵抗体を形成し、
レーザートリミングによって抵抗値を調整する。所謂後
付は方法がとられておシ基板の製造工程が複雑となシ、
製造工程の金環化の障害となっていた。

（発明の目的） 本発明の目的は、導通抵抗の小さいＡｇを導体して用い
、かつ気中でも焼成可能な低温焼成可能なセラミックス
基板及びその製造方法を提供すること。

また２本発明の他の目的は、多層導体と高精度の内蔵抵
抗とを同時に一体焼成可能な低温焼成セラミックス基板
の製造方法を提供することにある。

（発明の構成） 本発明によれば、セラミックス基板をＣａＯ−Ａｌ２Ｏ
３−ＳｉＯ２系ｒ　ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−５ｔ０２−　
Ｂ２Ｏ３系。

ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２０３系及びＣａＯ
−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−　Ｂ２Ｏ５系の群か
ら選ばれ１重量％でＭｏ：１０〜５５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ
３：０〜３０ｗｔ％。

ＳｉＯ２　：　４５〜７０　ｗｔ％　ｅ　Ｂ２Ｏ３：　
Ｏ〜３０　ｗｔ％Ｄ （ただし、　４ｋｅｒ　：　ＣａＯ、ＭｇＯ）からなる
ガラス粉末とアルミナ粉末とからなシ、その比が重量％
でガラス粉末が５５〜６５　ｗｔ％で残部がアルミナ粉
末とからなる組成を出発原料とし、セラミックスのテー
プ作成工程と、この工程で作成したテープに導通抵抗が
１０ｍΩ／口以下のＡｇを主体とする導体を配設し、前
記テープと同じ組成の絶縁イーストを介して多層化する
工程と、多層化した成形体の最外層部に導通抵抗が１０
ｍΩ１０以上望ましくは２０ｍΩ１０以上の耐マイグレ
ーション性に優れたＡｇ　−Ｐｄを主体とする導体を形
成する工程と、前記工程により成形した生成形体を８０
０〜１，０００℃の低温で一体焼成するセラミックス基
板の製造方法が得られる。

また２本発明では、前記した組成のセラミックスを出発
原料として得られたセラミックス基板は。

重量％でＭｏ　：　５〜３５゜７５　ｗｔ％　＃　Ａｌ
２Ｏ３　：　３５〜を有している。

更に、抵抗を内蔵する場合、生成形体の最外要部直下に
薄い印刷絶縁層を介して抵抗を内蔵して一体成形する工
程と一体焼成したセラミックス基板の絶縁層上部から抵
抗のレーザートリミングを行なう工程を付加して高精度
の内蔵抵抗の一体焼成を可能にしている。

以下余日 （実施例） 以下１図面を参照して本発明を説明する。

第１図を参照すると２本発明の一実施例に係る低温焼成
セラミックス基板が示されている。

まず、第１図を参照して印刷法による製造方法について
説明する。

本発明の低温焼成セラミ、クスの材料はガラスとアルミ
ナ粉末の混合物で、ガラスとしては。

ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ５−５ｔ０２系、　ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ
５−５ｔ０２−Ｂ２０３系、　ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ５−Ｓ
ｉＯ２−　Ｂ２Ｏ３或はＣａＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ５−
ＳｉＯ２系のガラスを用いる。

その出発原料の組成（重量％）は次の通シである。

Ｍｏ　　：　　１０〜５５　ｗｔ％ｒ　Ａｌ２Ｏ３：　
　Ｏ〜３０　ｗｔ％ただし、　４４６　：　ＣａＯ、Ｍ
ｇＯそして、不純物としてＮａ２Ｏ＋　Ｋ２Ｏ：　０〜
５　ｗｔ％その他の酸化物を０〜１０　ｖｒｔ％含んで
も良い。

上記の組成を有するガラス粉末５０〜６５　ｗｔ％と残
部のアルミナ粉末からなる混合物をグリーンテープ及び
絶縁層用ペースト材料として用いて以下に述べる工程に
より製造する。

第１工程：ベースとなるグリーンテープ上に導通抵抗の
小さい導体層を形成する工程 前記した組成を有するガラス粉末とアルミナ粉末の混合
物を用いて通常の方法により、スルーホール２を有する
７００μｍ厚のグリーンテープ１を作成し、これに導通
抵抗が３ｍΩｈのＡｇ導体３を印刷し乾燥する。

続いてグリーンチーｆ１と略同じ組成を有する絶縁層ペ
ーストを用いてピアホール５を有する絶縁層４を印刷し
、乾燥してＨＣ−１層を形成する。

同様にして印刷積層法によってＨＣ−２）ＨＣ−３゜Ｈ
Ｃ−４、ＨＣ−５及びＨＣ−６層を形成する。

第２工程：最上層部に部品搭載を主目的とした耐マイグ
レーション性、耐環境性に優れた導体層を形成する工程 第１工程で成形した成形体の最外層部にＡｇ−Ｐｄ系の
導体６２例えばＡｇ　−２０ｗ、ｔ％Ｐｄで面抵抗（導
通抵抗）　２０　ｍＯ／口〜３０ｍΩ／口の導体を印刷
し、乾燥して形成し、この電極間にＲｕＯ７を主体とす
る抵抗ペーストを用い抵抗体７を印刷し、乾燥して形成
する。

この抵抗体７に絶縁層を被覆し、抵抗体集積面Ｒ１層８
を形成する。

第３工程：ターミナル電極を形成する工程前述した一体
化した印刷乾燥積層体の側面にＡｇ　−Ｐｄ系導体９を
印刷し、乾燥して、上部又は側面に出た端子電極（９）
を積層体の下面に引出す。

第４工程ニ一体焼成する工程 前記の工程を経ｌで成形した生成形体、即ち。

生状態の導体積層体、抵抗内蔵積層体を９００℃の温度
で焼成する。

第５工程：抵抗体のレーザートリミングを行なう工程 焼成後のセラミックス基板に絶縁層を介して内蔵されて
いる抵抗体７の抵抗値を調整するためのレーザートリミ
ングを行なう。

次に、第２図を参照して熱間圧着法による製造方法の概
略を説明する。

前述したと同様の組成を有するグリーンシートを第２図
に示す如く所望寸法に切断して成形した３枚のシー）　
１０ａ、１０ｂ、１０ｃを用意し、　ＶＬＳＩ用のプラ
グイン型パッケージモデルを作成する。゛第１シー）１
０ａには外部接続用ピンを植設するためのスルーホール
１１が設けられておシ、スルーホール内導体として第２
シー）１０ｂ側からＡｇ導体を印刷法により施し、第２
シー）１０ｂの反対側からＡｇ　−Ｐｄ導体を印刷法だ
よって施す。

このＡｇ　−Ｐｄ導体は外部接続用ピン（図示せず）を
半田付するための導体である。

また、第２シー）１０ｂにはビヤホール１２を設け、こ
の第２シート１０ｂにはビヤホール１２内、第３シー）
１０ｅ側の導体配線及び前記第１シート１０＆のスルー
ホール１１に設けた導体との接続が十分になされるよう
にＡｇペーストを印刷すると共に、中央部には図示しな
いシリコンチップを載置する凹部形成用の角孔１３を形
成する。

更に、第３シー）１０ｃの中央部には、前記第２シー）
１０ｂの角孔１３よりやや大きい角孔１４を設ける。

このようにして形成した第１〜第３シー）　１０ａ・１
０ｂ・１０ｃの３枚のシートを公知の熱圧着法にょ多積
層して９００℃で焼成する。

〜３５．７５　ｗｔ％＊　Ａｌ２Ｏ３　：　３５〜６５
　ｗｔ％　ｐ　ＳｉＯ２：２２）５〜４５．５　ｗｔ　
’Ｉｔ　＊　８２０３　：　Ｏ〜１９．５　ｗｔ％ただ
Ｏ し、　４Ｍ：　ＣａＯ、ＭｇＯ、であった。

次に本発明による低温焼成セラミックス基板の特性ｒつ
いて従来のセラミックス基板と比較しながら説明する。

第１表は前記した本発明のガラス組成及びガラスとアル
ミナとの混合割合の異なる５例の絶縁特性を従来例と比
較して現わしたものである。

以下余白 また、第３図は６５℃湿度９５チの高温、高湿にさらし
た時間と絶縁抵抗との関係、同じく第４図は絶縁耐圧と
の関係を示すもので、第５図に示す製造工程により製造
した本発明の低温同時焼成セラミックス基板（ａ）と、
比較例として導体にＡｇ　−Ｐｄを使用した市販のＨＩ
Ｃ多層基板（ｃ）及び本発明と同じ材料を絶縁層とし、
Ａｇ１００％を導体として使用した導体層をアルミナ基
板上に形成し絶縁層と導体を同時焼成して得た多層基板
（ｄ）について測定した測定結果を示すものである。

なお、この測定に使用した導体ノやターンはいずれも第
６図に示す様なパターンを使用し、基板の構成は導体２
層、絶縁層１層のものを使用し、絶縁層の厚さは焼成後
３０１ｔｍになるように成形した。

また、この測定に使用した本発明の低温焼成セラミック
ス基板（、）については表面導体層にもＡｇ１００チの
導体を使用した。

以上の測定結果から明らかな通り、第５図（ａ）、（ｂ
）の工程により製造した本発明の低温焼成セラミックス
多層基板は内部導体にＡｇ　１００　％の導体を使用し
ているにもかかわらず、第６図（ｃ）の工程により製造
した従来のＨＩＣ多層基板に比較して眉間絶縁抵抗及び
絶縁耐圧共に非常に良好な結果が得られた。

また、第５図（ａ）の工程により製造した多層基板は、
前記した第５図（ｃ）の製造工程により製造した従来の
ＨＩＣ多層基板が絶縁性を向上させるために導体や絶縁
層を何回にも分けて焼成していたものを一回の焼成で済
むように簡略化したものであるが、導体にＡｇ　１００
　％を使用しているにもかかわらすｅ　Ａｇ　−Ｐｄ導
体を使用した従来のＨＩＣ多層基板と同等若しくは、そ
れ以上の絶縁特性を示した。

これは絶縁層材料に本発明の低温焼成用セラミックス基
板に使用したものと同じ材料を使用しているためと判断
される。

更に２本発明の低温焼成セラミックス基板には面抵抗で
表わされる広い範囲の抵抗値で良好な温度特性を持つ抵
抗体を基板内部に基板と同時焼成によって成形すること
ができる。

抵抗体としては、ガラス−ＲｕＯ□系、ｆ！シラスＢｉ
２Ｒｕ２０７系或はｐｂ２−　Ｒｕ２Ｏ３系等ａノイロ
クロア型化合物からなるものを用い、ガラスの割合を変
えることによって、任意の抵抗値を得ることができる。

また、抵抗値の温度係数の調整を目的としてＭｎＯ２，
５ｂ２０３或はＦｅ２Ｏ３等の酸化物やＡｇ、Ｐｔ或は
Ａｕの様な金属を０〜２０　ｗｔ％添加する。

これらの抵抗体を低温焼成セラミックス基板と同時焼成
するためには焼成過程での抵抗体と基板材料の収縮の不
一致や抵抗体に使用するガラスと基板材料に使用するガ
ラスの間に生じる成分の拡散や反応のような化学変化に
よって生じるソリやブクを発生させないために本発明で
は、抵抗体に使用するガラスは基板材料に使用する組成
範囲のガラスを使用する。

即ち、抵抗体に使用するガラスの組成範囲はＭＯ＝１０
〜５５ｗｔチ、Ａｌ２Ｏ３：Ｏ〜３０ｗｔｑＩＪ。

ＳｉＯ２　：　４５〜７０　ｗｔ９Ｊ及びＢ２Ｏ３：Ｏ
〜３０會ｔ％。

Ｄ ただし、４１％＋ｅ−：　ＣａＯ、ＭｇＯで、望ましく
は基板材料に使用するガラスと抵抗体に使用するガラス
は全く同一の組成のものが良い。

また、抵抗体、特にガラスの割合の大きい抵抗体から基
板へのガラスの移動を防ぐためにアルミナを添加する。

アルミナの添加割合はＲｕＯ２ｍＢｌ　２Ｒｕ２０７或
はＰｂ２Ｒｕ２Ｏ６のようなｉ’？イロクロア型化合物
とれ合計量が３５〜６０ｗｔ％であることが望ましく、
更に、温度特性の調整剤を０〜１０ｗｔ％添加する。

しかるに、基板材料のガラス量と抵抗体のガラス量が略
等しくなシ、ガラスは相互に移動することはなく、抵抗
値は安定する。

また鉛系ガラスを使用した場合、焼成の過程で還元雰囲
気にさらされるとガラス中のｐｂｏが還元されるため抵
抗値が安定しないが２本発明では。

抵抗体に使用するガラスもｐｂｏを含まないため。

ｐｂｏの還元による抵抗値の変化もない。

低温焼成セラミックス基板では、゛焼成前のグリ　　　
−一ンシートＩＣバインダーや可塑剤として多量の有機
物を含むので、これらの有機物が焼成の過程で燃焼する
際、基板内部が還元雰囲気になるので。

安定な抵抗値を持つ抵抗体を得るためにはｐｂｏを含ま
ないガラスを使用することが特に重要である。

なお１本発明の抵抗体はペーストとして使用するのが好
ましく、抵抗体材料とエチルセルロース・アセチルセル
ロース或はアクリル樹脂等の有機重合物及びテルピネオ
ール、カルピトール或はアセテート等の溶剤を所定量混
合して得る。

第２表は本発明による抵抗体の組成と抵抗値との関係を
示すものである。

以下余日 また、第７図は２本発明による抵抗体（Ｘ）と比較例と
して鉛系ガラスを使用して市販の抵抗体２種（ｙ−ｚ）
をアルミナ基板上で焼成した抵抗体について焼成雰囲気
（０□、Ｎ２）と抵抗値の変化を測定したものである。

この測定結果から明らかな様に１本発明の抵抗体（Ｘ）
の抵抗値は０２　ｒ　Ｎ２の濃度に関係なく殆んど一定
しているが比較例の抵抗体（ｙ−ｚ）はいずれも０２濃
度が低い時には高い抵抗値を示し、０２濃度が高くなる
につけて抵抗値が低下して安定していない。

上述した様に１本発明の抵抗体の内蔵抵抗は安定してお
り抵抗値のバラツキは小さいが、更に高精度の抵抗体が
要求される場合には１表面層の次の第２層に抵抗体を形
成すればレーザートリミングにより更に高精度の抵抗体
を得ることができる。

これは２本発明に使用した材料が焼成後、アルミナ粒子
、ガラスとアルミナとの反応及びガラスの成分による結
晶化により生成するアノーサイトやコージェライトの結
晶質部分及びマトリックスを形成するガラス部分の３相
の構造を持ち、この構成のガラスがレーザートリミング
を可能にしているからである。

また、レーで一トリミングを容易て行なわせるために表
面層に接する絶縁層に限シアルミナの割合を２０ｗｔ％
まで下げても良い。この時、基板全体のアルミナを３５
　ｗｔ％以下にすることは基板の強度上望ましくない。

また、ガラス成分にＣｒ２Ｏ３ｒ　Ｃｏｏ　ｔ　Ｆｅ２
Ｏ３或はＮｉＯ等の着色成分を添加してレーザー光の吸
収効率を上げればレーザートリミングを更に容易て行な
える。

なお、この場合１表面層にレーデ−トリミングする面積
だけ第２層の抵抗体のためて空ける必要があるが表面層
に電極及び抵抗体を形成するよりは大幅に高密度実装化
を図ることができる。

第８図は本発明の内蔵抵抗をレーザートリミングした基
板の拡大写−真である。

本発明は低温焼成ピングリッドアレイ（ｐＧＡ）或は低
温焼成チップキャリヤー、サーマルヘッド基板等にも適
用できる。

第９図を参照して低温焼成ＰＧＡに実施した実施例ｆつ
いて説明する。

まず、低温焼成基板用テープ上にＩ１０ピンＰ１とＬＳ
Ｉチップとのインターコネクション用パターン（図示せ
ず）をＡｇを主体とする導体ペーストＣ１を厚膜印刷法
により形成する。

また、もう一枚の低温焼成基板用テープＴ２上にＬＳＩ
チップのダイデンプングツ母ッド（図示せず）をＡｕ又
はＡｇ　−Ｐｄ厚膜ペーストにより形成する。

前記のパターンを形成したテープＴ１に必要に応じてス
ルーホールＳ２を形成したグリーンテープＴ２を熱間圧
着法により圧着して積層化する。

次に、テープＴ１の下面にリードロウ付部を形成し、こ
の積層体を大気中９００℃で焼成して２０８ピンのビン
グリッドアレー（ＰＧＡ　）用セラミック積層基板を製
作した。更に、４２合金（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ）、　４２
６合金（Ｎｉ　−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆｅ　）或いはステンレ
ス（Ｎｉ　−Ｃｒ−Ｆｅ　）製のＩ１０ピンＰ１をリー
ドロー付部に接着した。このとき、ピンＰ１にはＡｇメ
ッキを施すことができる。

したがって２以上の工程により製作しだＰＧＡは従来の
アルミナ−Ｗ系のＰＧＡに比較して低コスト化が可能で
ある。

次に第１０図を参照して低温焼成チップキャリーに実施
した実施例を説明する。

まず、低温焼成基板用グリーンテープＴ１にＡｕ又はＡ
ｇを主体とする導体Ｃ１を厚膜印刷法により形成し、併
せて、ＬＳＩチップのダイデングパットＣ２をＡｕ又は
Ａｇ　−Ｐｄ厚厚膜−ストにより形成する。

前記の・ぐターンを形成したテープＴ１上にグリーンテ
ープＴ２を熱間圧着法により積層して積層体を成形する
。

積層後、側面電極Ｃ３をＡｇ又はＡｇ　−Ｐｄ厚膜によ
り形成する。

前記の工程により成形した積層体を気中９００℃で焼成
して４８ピンのチップキャリヤを作成した。

本実施例によるチップキャリヤーは従来のアルミナ−Ｗ
系で製作したチップキャリヤーに比較してメッキ工程が
不要となシ、電気メッキ用の引出し線のだめのデッドス
ペースも必要としない。

従って、大型（２００ｗＯ’　）で平坦な基板が得られ
るため、多面取りが可能となシ、工程の短縮並びに大幅
なコスト低減が可能となる。

（発明の効果） 本発明によれば、導通抵抗の低く比較的安価なＡｇを基
板内層に用いることが可能となり、民生用或は一般産業
用にも適用可能な高精能セラミックス基板の提供が可能
である。

また２本発明の低温焼成セラミックス基板は気中でも焼
成可能であるから製作も容易に行える。

更に、高精度抵抗を内蔵して一体成形が可能であるから
製作工程の短縮が可能であると共に実装密度も高めるこ
とができる等の効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の低温焼成セラミックス基板の一例を示
す断面図、第２図は同地の例を示す分解斜視図、第３図
は２時間−絶縁抵抗線図、第４図は１時間−耐圧線図、
第５図は１本発明及び従来のセラミックス基板の製造工
程図、第６図は絶縁特性評価のための導体・ぐターンの
一例を示す図。 第７図は抵抗値−雰囲気線図、第８図は抵抗体のレザー
トリミング断面写真、第９図は本発明を低温焼成ＰＧＡ
に実施した一例を示す断面図、第１０図は同低温焼成チ
ップキャリヤに実施した一例を示す断面図である。 第１図 第２図 絶１１＆を抗Ω 慣 絶誇耐圧にＶ 第５図 第６図 ＄９図 ＄１０図 第７図 Ｎ２　”１１Ｍ　■シ　２．　　Ｃ１０’！０　　　　
　　　５’ｓ　　　　　　　　１５υ　　　　　　　１
３第８図 ０抵ａ、　　　　　　　ＩＫ品／口 手続補正８（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和ω年特許願第１１５２２５号 ２）発明の名称 低温焼成セラミックス基板及び その製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 ４、代理人　〒１０５ 住所　東京都港区西新橋１丁目４番１０号５、補正命令
の日付 ６、補正の対象 １）明細書の図面の簡単な説明の欄 ２）図面（第８図） ７、補正の内容 １）明細書の第あ頁５行目「断面写真」とあるを「断面
図」と訂正する。 ２）第８図を別紙のとおシ訂正する。 第８図 Ｗ Ｏ抵抗　　　ＩＫΩ／口

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）８００〜１，０００℃の低温で焼成可能なセラミッ
   クス基板に於て、セラミックス基板の内部にＡｇを主体
   とする導体を配設し、表面には、Ａｇ−Ｐｄを主体とし
   、導通抵抗が前記導体より低い耐マイグレーション性の
   優れた導体を配設したことを特徴とする低温焼成セラミ
   ックス基板。 ２）特許請求の範囲第１項において、セラミックス基板
   がＣａＯ−Ａｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２系、ＣａＯ−Ａ
   ｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２−Ｂ＿２Ｏ＿３系、ＭｇＯ−
   Ａｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２−Ｂ＿２Ｏ＿２系及びＣａ
   Ｏ−ＭｇＯ−Ａｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２−Ｂ＿２Ｏ＿
   ３系の群から選択された組成を有し、前記組成は重量％
   でＭｏ：５〜３５．７５ｗｔ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３：３５
   〜６５ｗｔ％、ＳｉＯ＿２：２２．５〜４５．５ｗｔ％
   、Ｂ＿２Ｏ＿３：０〜１９．５ｗｔ％（ただし、ＭＯ：
   ＣａＯ、ＭｇＯ）からなる低温焼成セラミックス基板。 ３）セラミックスのテープ作成工程と、この工程で作成
   したテープに導通抵抗が１０ｍΩ／□以下のＡｇを主体
   とする導体を配設し、前記テープと同じ組成の絶縁ペー
   ストを介して多層化する工程と、多層化した成形体の最
   外層部に導通抵抗が２０ｍΩ／□以上の耐マイグレーシ
   ョン性に優れたＡｇ−Ｐｄを主体とする導体を形成する
   工程と、前記工程により成形した生成形体を８００〜１
   ，０００℃で一体焼成する工程とよりなる低温焼成セラ
   ミックス基板の製造方法。 ４）特許請求の範囲第３項において、セラミックス基板
   がＣａＯ−Ａｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２系、ＣａＯ−Ａ
   ｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２−Ｂ＿２Ｏ＿３系、ＭｇＯ−
   Ａｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２−Ｂ＿２Ｏ＿３系及びＣａ
   Ｏ−ＭｇＯ−Ａｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２−Ｂ＿２Ｏ＿
   ３系の群から選択され、重量％でＭｏ：１０〜５５ｗｔ
   ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３：０〜３０ｗｔ％、ＳｉＯ＿２：４
   ５〜７０ｗｔ％、Ｂ＿２Ｏ＿３：０〜３０ｗｔ％、（た
   だし、Ｍｏ：ＣａＯ、ＭｇＯ）からなるガラス粉末とア
   ルミナ粉末とを含み、その比が重量％でガラス粉末が５
   ０〜６５ｗｔ％で残部がアルミナ粉末とからなる組成を
   出発原料とする低温焼成セラミックス基板の製造方法。 ５）特許請求の範囲第３項において、生成形体の最外層
   部直下に薄い印刷絶縁層を介して抵抗を内蔵して一体焼
   成する工程と、一体焼成したセラミックス基板の絶縁層
   上部から抵抗のレーザートリミングを行なう工程よりな
   る低温焼成セラミックス基板の製造方法。