JPH01201090A - セラミック用メタライズ組成物 - Google Patents
セラミック用メタライズ組成物Info
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- JPH01201090A JPH01201090A JP63026656A JP2665688A JPH01201090A JP H01201090 A JPH01201090 A JP H01201090A JP 63026656 A JP63026656 A JP 63026656A JP 2665688 A JP2665688 A JP 2665688A JP H01201090 A JPH01201090 A JP H01201090A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、低温焼成セラミックスに金属化面を形成する
に際し、セラミックスと同時焼成可能な低融点低抵抗導
体材料、就中高密度多層セラミックス配線基板およびパ
ッケージの製造に際して利用し得るメタライズ組成物に
関する。
に際し、セラミックスと同時焼成可能な低融点低抵抗導
体材料、就中高密度多層セラミックス配線基板およびパ
ッケージの製造に際して利用し得るメタライズ組成物に
関する。
（従来の技術）
近年、ＩＣパッケージ、多層配線基板等の超高密度化に
伴ない、低誘電率セラミックスと、低抵抗導体の実用化
が要請されているが、特に従来のメタライズ組成物用金
属としてはＡｕ、Ａｕ−Ｐｔ。
伴ない、低誘電率セラミックスと、低抵抗導体の実用化
が要請されているが、特に従来のメタライズ組成物用金
属としてはＡｕ、Ａｕ−Ｐｔ。
Ａｇ−Ｐｔ 、 Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属、Ｗ 、Ｍｏ
、 Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点卑金属が広く用いられていた
。前者のＡｕ、 Ａｕ−Ｐｔ、 Ａｇ−Ｐｔ、 Ａｇ−
Ｐｄ等の貴金属ペーストは空気中で焼付けができるとい
う利点のある反面、コストが高いという問題がある。ま
た後者の−。
、 Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点卑金属が広く用いられていた
。前者のＡｕ、 Ａｕ−Ｐｔ、 Ａｇ−Ｐｔ、 Ａｇ−
Ｐｄ等の貴金属ペーストは空気中で焼付けができるとい
う利点のある反面、コストが高いという問題がある。ま
た後者の−。
Ｍｏ、 Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属は１６００℃程度す
なわちグリーンシートの焼結温度で同時焼成するために
多層化し易いが、導電性が低く、還元雰囲気で焼成する
必要があるため危険であり、更にハンダ付けのために導
体表面にＮｉ等のメツキ処理を施す必要があるなどの問
題を有している。そこで安価で導電性が良く、ハンダ付
は性の良いＣｕペーストを用いたセラミック配線基板が
用いられるようになってきた。
なわちグリーンシートの焼結温度で同時焼成するために
多層化し易いが、導電性が低く、還元雰囲気で焼成する
必要があるため危険であり、更にハンダ付けのために導
体表面にＮｉ等のメツキ処理を施す必要があるなどの問
題を有している。そこで安価で導電性が良く、ハンダ付
は性の良いＣｕペーストを用いたセラミック配線基板が
用いられるようになってきた。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
しかしながら上記のようなＣｕペーストを用いた場合、
セラミック配線基板の製造において、Ｃｕを酸化させず
にペースト中の有機成分を完全に燃焼させることが困難
であり、Ｃｕ表面が酸化されればハンダ付は性が悪くな
り、導電性が低下する。又、ＣｕＯを発生させないよう
にすると有機質バインダー等が完全に燃焼除去されず残
存する。
セラミック配線基板の製造において、Ｃｕを酸化させず
にペースト中の有機成分を完全に燃焼させることが困難
であり、Ｃｕ表面が酸化されればハンダ付は性が悪くな
り、導電性が低下する。又、ＣｕＯを発生させないよう
にすると有機質バインダー等が完全に燃焼除去されず残
存する。
又、金属Ｃｕを用いた場合、脱バインダー工程とＣｕ焼
付工程とを分離しても金属Ｃｕが脱バインダー工程で酸
化され、ＣｕＯとなり体積膨張を起すため、基板からの
剥離等の問題を生ずる。
付工程とを分離しても金属Ｃｕが脱バインダー工程で酸
化され、ＣｕＯとなり体積膨張を起すため、基板からの
剥離等の問題を生ずる。
更に又、多層基板とする場合に、印刷、乾燥後、その都
度焼成を行なうのでリードタイムが長くなり、更には設
備などのコストアンプにつながるという問題がある。
度焼成を行なうのでリードタイムが長くなり、更には設
備などのコストアンプにつながるという問題がある。
その対策として特開昭６１−２８８４８４号公報ではＣ
ｕＯとＭｎＯとバインダー、可塑剤、有機溶剤とからな
るメタライズ組成物が、特開昭６１−２９２３９３号公
報ではＣｕＯと無機固体成分とバインダー、可塑剤、有
機溶剤とからなるメタライズ組成物が、特開昭６１−２
９２３９４号公報ではＣｕＯ、ＭｎＯとＰｔ 、Ｐｄ
、Ｎｉのいずれか１種と、ビヒクル、溶剤とよりなるメ
タライズ組成物が開示されているが、金属Ｃｕに着目し
たものではない。
ｕＯとＭｎＯとバインダー、可塑剤、有機溶剤とからな
るメタライズ組成物が、特開昭６１−２９２３９３号公
報ではＣｕＯと無機固体成分とバインダー、可塑剤、有
機溶剤とからなるメタライズ組成物が、特開昭６１−２
９２３９４号公報ではＣｕＯ、ＭｎＯとＰｔ 、Ｐｄ
、Ｎｉのいずれか１種と、ビヒクル、溶剤とよりなるメ
タライズ組成物が開示されているが、金属Ｃｕに着目し
たものではない。
本発明者等は既に特願昭６２−１２９４４１号において
高密度多層セラミック配線基板のスルホール用として導
体部の導通不良を解決するためにＣｕＯ、Ｃｕを主成分
とするメタライズ組成物を提案し、又、特願昭６２−１
２２４８６号において高密度多層基板の製造のため、Ｃ
ＬＩ（！： ＣｕＯを主とするメタライズ組成物が基板
中のセラミックや結晶化ガラスに対し、気密で接着強度
のよいメタライズ組成物であることを見出した。
高密度多層セラミック配線基板のスルホール用として導
体部の導通不良を解決するためにＣｕＯ、Ｃｕを主成分
とするメタライズ組成物を提案し、又、特願昭６２−１
２２４８６号において高密度多層基板の製造のため、Ｃ
ＬＩ（！： ＣｕＯを主とするメタライズ組成物が基板
中のセラミックや結晶化ガラスに対し、気密で接着強度
のよいメタライズ組成物であることを見出した。
本発明は上記のような実情の中から更に検討の結果、特
訓６２−１２９４４１号および特訓６２−１２２４８６
号に開示されたメタライズ組成物を更に改良した組成物
を提供することを目的とするものである。
訓６２−１２９４４１号および特訓６２−１２２４８６
号に開示されたメタライズ組成物を更に改良した組成物
を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明の概要はＣｕＯ３０〜７０重量％、Ｃｕ７０〜３
０重量％よりなるＣｕＯ−Ｃｕの合計量を１００重量部
とするときに、これに対しＭｎＯ□１０重量部以下、ｐ
ｔ７重量部以下、Ａｕ５重量部以下の何れか１種以上を
含有する無機成分と、有機質バインダーおよび溶剤とか
ら構成されているセラミック用メタライズ組成物であり
、特にち密で導電性に優れクラックや剥離の発生をしな
い改良されたメタライズ組成物に関するものである。
０重量％よりなるＣｕＯ−Ｃｕの合計量を１００重量部
とするときに、これに対しＭｎＯ□１０重量部以下、ｐ
ｔ７重量部以下、Ａｕ５重量部以下の何れか１種以上を
含有する無機成分と、有機質バインダーおよび溶剤とか
ら構成されているセラミック用メタライズ組成物であり
、特にち密で導電性に優れクラックや剥離の発生をしな
い改良されたメタライズ組成物に関するものである。
（作 用）
本発明におけるメタライズ組成物中ＣｕＯ及びＣｕはセ
ラミックグリーンシートとともに還元又は中性雰囲気で
加熱還元されて導体化する。
ラミックグリーンシートとともに還元又は中性雰囲気で
加熱還元されて導体化する。
Ｃｕ０３０〜７０重量％に対しＣｕ ７０〜３０重量％
とした理由は、脱脂工程におけるＣｕの酸化による体積
膨張と還元工程におけるＣｕＯの還元による体積収縮と
とを相殺させ、全体の体積変化を最少限に抑えるためで
ある。これ以外の混合比Ｃｕｂ／Ｃｕ ８０／２０では
気密性が保てず、Ｃｕｂ／Ｃｕ ２０／８０は逆に脱脂
工程で酸化体積増のため、メタライズ剥離を生じる。
とした理由は、脱脂工程におけるＣｕの酸化による体積
膨張と還元工程におけるＣｕＯの還元による体積収縮と
とを相殺させ、全体の体積変化を最少限に抑えるためで
ある。これ以外の混合比Ｃｕｂ／Ｃｕ ８０／２０では
気密性が保てず、Ｃｕｂ／Ｃｕ ２０／８０は逆に脱脂
工程で酸化体積増のため、メタライズ剥離を生じる。
次に、このＣｕＯとＣｕの合計量１００重量部に対し、
ＭｎＯ□を１０重量部以下とする理由はＭｎＯ２は還元
されたときにＭｎｚ０３ 、ＭｎＯもしくはＭｎとなり
、基板中のセラミックや結晶化ガラスと銅との濡れ性を
高めるもので、その含有量が１０重量％を超えると銅粒
子同志の焼結を妨げ、リーク不良又は抵抗の増大を招来
する。
ＭｎＯ□を１０重量部以下とする理由はＭｎＯ２は還元
されたときにＭｎｚ０３ 、ＭｎＯもしくはＭｎとなり
、基板中のセラミックや結晶化ガラスと銅との濡れ性を
高めるもので、その含有量が１０重量％を超えると銅粒
子同志の焼結を妨げ、リーク不良又は抵抗の増大を招来
する。
ｐｔおよびＡｕはＣｕおよびＣｕＯとともに必要な導電
性を確保するほか高温においても殆ど酸化も還元もされ
ないため、導体全体としての体積変化率を更に低くする
。但し、ｐｔが７重量部を超えて多いと導体抵抗が大き
くなり、スルーホールが数ケ所も連なるような配線では
若干不利となる。又、Ａｕが５重量部を超えて多いと、
Ｃｕと合金をつくり、メタライズ粒子が粗らくなり、気
密性を満足しなくなる。
性を確保するほか高温においても殆ど酸化も還元もされ
ないため、導体全体としての体積変化率を更に低くする
。但し、ｐｔが７重量部を超えて多いと導体抵抗が大き
くなり、スルーホールが数ケ所も連なるような配線では
若干不利となる。又、Ａｕが５重量部を超えて多いと、
Ｃｕと合金をつくり、メタライズ粒子が粗らくなり、気
密性を満足しなくなる。
（実施例）
以下本発明のメタライズ組成物を使用した製品の製造工
程の概略を説明する。
程の概略を説明する。
（１）本出願人の出願に係る特開昭５９−９２９４３号
公報記載の発明「結晶化ガラス体」に開示された実施何
階５と同１策に、重量比でＺｎ０・４％、 ＭｇＯ１
３％、 Ａｈ０３２３％、 Ｓｉ０□ ５８％、 Ｂ
ｔ０３及びＰ２Ｏ５各１％の組成となるように、ＺｎＯ
、ＭｇＣ（ｈ 、ＡＩ（Ｏ１＋）３゜５ｉＯｚ 、Ｈ３
ＢＯ３及びＨ３Ｐ０．を秤量し、ライカイ機にて混合し
、アルミナ坩堝を用いて１４５０℃で溶融せしめた後、
水中に投入し、急冷してガラス化した後、アルミナ製ボ
ールミルにて平均粒径２μに粉砕してフリットを製造 （２）上記フリットに有機質バインダーと溶剤を混合し
てスラリー化し、ドクターブレード法によって厚さ０
、６ ｍｓのグリーンシートを製造（３）平均粒径０．
５〜２１ｎのＣｕＯと平均粒径０．５〜２．０μｍのＣ
ｕと、平均粒径３μｍのＭｎＯ□粉末と、平均粒径０．
５μｍのｐｔ又は平均粒径１〜３μｍのＡｕとを第１表
の組成に混合し、有機質バインダー（エチルセルロース
）と溶剤（ブチルカルピトール）とを配合してメノウ乳
鉢で混合し下記の表のメタライズペースト（本発明）を
製造した。
公報記載の発明「結晶化ガラス体」に開示された実施何
階５と同１策に、重量比でＺｎ０・４％、 ＭｇＯ１
３％、 Ａｈ０３２３％、 Ｓｉ０□ ５８％、 Ｂ
ｔ０３及びＰ２Ｏ５各１％の組成となるように、ＺｎＯ
、ＭｇＣ（ｈ 、ＡＩ（Ｏ１＋）３゜５ｉＯｚ 、Ｈ３
ＢＯ３及びＨ３Ｐ０．を秤量し、ライカイ機にて混合し
、アルミナ坩堝を用いて１４５０℃で溶融せしめた後、
水中に投入し、急冷してガラス化した後、アルミナ製ボ
ールミルにて平均粒径２μに粉砕してフリットを製造 （２）上記フリットに有機質バインダーと溶剤を混合し
てスラリー化し、ドクターブレード法によって厚さ０
、６ ｍｓのグリーンシートを製造（３）平均粒径０．
５〜２１ｎのＣｕＯと平均粒径０．５〜２．０μｍのＣ
ｕと、平均粒径３μｍのＭｎＯ□粉末と、平均粒径０．
５μｍのｐｔ又は平均粒径１〜３μｍのＡｕとを第１表
の組成に混合し、有機質バインダー（エチルセルロース
）と溶剤（ブチルカルピトール）とを配合してメノウ乳
鉢で混合し下記の表のメタライズペースト（本発明）を
製造した。
第 １ 表
（４）前記（２）の結晶化ガラスからなるグリーンシー
トの表面に、上記（３）のメタライズペーストを厚さ２
０μｍで、長さ４０ Ｎ、幅０．５ｉｎの帯状に１１１
１間隔で４０条の導電層となるパターンをスクリーン印
刷 （５）上記帯状のパターンの２００箇所に３００μｍφ
の貫通孔を設け、この貫通孔に特願昭６２−１２９４４
１号で提案したスルホール用メタライズ組成物を充填し
、上記帯状のパターンに対し、直角方向で上記貫通孔を
通る位置に同じ帯状のパターンを上記（３）のペースト
でスクリーン印刷 （６） スクリーン印刷したグリーンシートを６枚と
ベースとなる肉厚のシート１枚を積層し、熱圧着したの
ち、５（ｈｍＸ５Ｑ鶴に切断 （７）切断した積層体を大気中８時間で７５０℃まで昇
温、加熱し、０．２〜１時間保持 （８）次いで積層体を水素雰囲気中に移し、常温より０
．５°Ｃ／分の昇温速度で３５０℃まで加熱せしめ、続
いて０．５〜１．５時間保持し、水素雰囲気中又は中性
雰囲気中で９５０℃で焼成する。
トの表面に、上記（３）のメタライズペーストを厚さ２
０μｍで、長さ４０ Ｎ、幅０．５ｉｎの帯状に１１１
１間隔で４０条の導電層となるパターンをスクリーン印
刷 （５）上記帯状のパターンの２００箇所に３００μｍφ
の貫通孔を設け、この貫通孔に特願昭６２−１２９４４
１号で提案したスルホール用メタライズ組成物を充填し
、上記帯状のパターンに対し、直角方向で上記貫通孔を
通る位置に同じ帯状のパターンを上記（３）のペースト
でスクリーン印刷 （６） スクリーン印刷したグリーンシートを６枚と
ベースとなる肉厚のシート１枚を積層し、熱圧着したの
ち、５（ｈｍＸ５Ｑ鶴に切断 （７）切断した積層体を大気中８時間で７５０℃まで昇
温、加熱し、０．２〜１時間保持 （８）次いで積層体を水素雰囲気中に移し、常温より０
．５°Ｃ／分の昇温速度で３５０℃まで加熱せしめ、続
いて０．５〜１．５時間保持し、水素雰囲気中又は中性
雰囲気中で９５０℃で焼成する。
次に第１図に本発明のメタライズ組成物を用いたチップ
キャリヤパッケージを示す。１は本発明によるメタライ
ズ、２は結晶化ガラスの如き低温焼成セラミックを示す
。
キャリヤパッケージを示す。１は本発明によるメタライ
ズ、２は結晶化ガラスの如き低温焼成セラミックを示す
。
次に本発明のメタライズを用いた多層基板について気密
性および環境試験を行った。
性および環境試験を行った。
気密性はＨｅディテクターを用い測定したところいずれ
の試料も１．０Ｘ１０−’ Ｓｔｄ、 ｃｃ／ｓｅｃ以
下であり、環境試験後の劣化もなかった。但し環境試験
条件は以下のとおりである。
の試料も１．０Ｘ１０−’ Ｓｔｄ、 ｃｃ／ｓｅｃ以
下であり、環境試験後の劣化もなかった。但し環境試験
条件は以下のとおりである。
■温度サイクル（−６５℃〜２００℃）１０サイクル■
熱衝撃 （０℃〜１００℃）１５サイクル（−５
５℃〜１２５℃）１５サイクル 〃（−６５℃〜１５０°ｃ）１００サイクルなお本発明
の実施に当り特開昭５９−９２９４３号公報に記載され
たものの外、特開昭５’ｌＪ−８３９５７号公報、特開
昭５９−１３７３４１号公報、特開昭５９−１２９４４
１号公報に記載された結晶化ガラス体を用いて基板とす
る場合も同様に本発明のメタライズ組成物が有効であり
又一般に低温焼成基板にも有効である。
熱衝撃 （０℃〜１００℃）１５サイクル（−５
５℃〜１２５℃）１５サイクル 〃（−６５℃〜１５０°ｃ）１００サイクルなお本発明
の実施に当り特開昭５９−９２９４３号公報に記載され
たものの外、特開昭５’ｌＪ−８３９５７号公報、特開
昭５９−１３７３４１号公報、特開昭５９−１２９４４
１号公報に記載された結晶化ガラス体を用いて基板とす
る場合も同様に本発明のメタライズ組成物が有効であり
又一般に低温焼成基板にも有効である。
（比較例）
特願昭６１−２９４４５９号で「銅又は酸化銅を銅を基
準にして８０重′ｌＩ％以上、Ｍｎ０ｚを１２重量％以
以下ｇ、Ｏを８重量％以下」の範囲としてＣｕＯ（１、
５μ）をＣｕ基準で９６．５重量％、Ｍｎ０ｚ２．５重
量％、Ａｇ２Ｏ１，０重量％の組成を開示したが、この
ペーストはセラミックの焼成収縮率の影響により気密性
が不安定であった。又収縮率が２５％以下になると気密
性に問題があり、実施例と同一組成の基板に適用した場
合、気密性はＩ Ｘ １０−ｈＳｔｄ、 ｃｃ／ｓｅｃ
であった。 注；焼成収縮率は以下の式により算出した
。
準にして８０重′ｌＩ％以上、Ｍｎ０ｚを１２重量％以
以下ｇ、Ｏを８重量％以下」の範囲としてＣｕＯ（１、
５μ）をＣｕ基準で９６．５重量％、Ｍｎ０ｚ２．５重
量％、Ａｇ２Ｏ１，０重量％の組成を開示したが、この
ペーストはセラミックの焼成収縮率の影響により気密性
が不安定であった。又収縮率が２５％以下になると気密
性に問題があり、実施例と同一組成の基板に適用した場
合、気密性はＩ Ｘ １０−ｈＳｔｄ、 ｃｃ／ｓｅｃ
であった。 注；焼成収縮率は以下の式により算出した
。
縮量を２５％以上と大きくとりＣｕメタライズを緻密に
していたが、今回の組成はＣｕメタライズ自体を緻密に
したため、セラミックの焼成収縮率を２５％以下と小さ
くとっても気密性に問題はない。
していたが、今回の組成はＣｕメタライズ自体を緻密に
したため、セラミックの焼成収縮率を２５％以下と小さ
くとっても気密性に問題はない。
（発明の効果）
本発明によれば、ＣｕＯとＣｕを主体とする低抵抗のメ
タライズにして、結晶化ガラスセラミックの低誘電率と
低膨張率に適したメタライズであり、多層基板のパッケ
ージに用いたときにメタライズの気密性に著るしい向上
を発揮することができる。
タライズにして、結晶化ガラスセラミックの低誘電率と
低膨張率に適したメタライズであり、多層基板のパッケ
ージに用いたときにメタライズの気密性に著るしい向上
を発揮することができる。
第１図は本発明のメタライズ組成物を用いて製造したチ
ップキャリヤパッケージの平面図（イ）及び断面図（０
）を示す。 １・・・メタライズ ２・・・低温焼成セラミック代理
人 弁理士 竹 内 守 手続補正書（自発） 昭和６３年 ３月２３日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 ■、事件の表示 昭和６３年特許願第２６６５６号 ２、発明の名称 セラミック用メタライズ組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号名
称 （４５４）日本特殊陶業株式会社代表者 銘木 亭
− ４、代理人 〒１０１ 居 所 東京都千代田区内神田二丁目１５番１３号６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄
ップキャリヤパッケージの平面図（イ）及び断面図（０
）を示す。 １・・・メタライズ ２・・・低温焼成セラミック代理
人 弁理士 竹 内 守 手続補正書（自発） 昭和６３年 ３月２３日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 ■、事件の表示 昭和６３年特許願第２６６５６号 ２、発明の名称 セラミック用メタライズ組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号名
称 （４５４）日本特殊陶業株式会社代表者 銘木 亭
− ４、代理人 〒１０１ 居 所 東京都千代田区内神田二丁目１５番１３号６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄
Claims (1)
- １）ＣｕＯ３０〜７０重量％、Ｃｕ７０〜３０重量％
よりなるＣｕＯ−Ｃｕ合計量１００重量部と、ＭｎＯ＿
２１０重量部以下、Ｐｔ７重量部以下及びＡｕ５重量部
以下の何れか１種以上とを含有する無機成分と、有機質
バインダーおよび溶剤とにより構成されていることを特
徴とするセラミック用メタライズ組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026656A JPH0753625B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-02-09 | セラミック用メタライズ組成物 |
| US07/256,536 US5120473A (en) | 1987-10-12 | 1988-10-12 | Metallizing composition for use with ceramics |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-254595 | 1987-10-12 | ||
| JP25459587 | 1987-10-12 | ||
| JP63026656A JPH0753625B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-02-09 | セラミック用メタライズ組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201090A true JPH01201090A (ja) | 1989-08-14 |
| JPH0753625B2 JPH0753625B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=26364463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026656A Expired - Fee Related JPH0753625B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-02-09 | セラミック用メタライズ組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5120473A (ja) |
| JP (1) | JPH0753625B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471011A (en) * | 1994-05-26 | 1995-11-28 | Ak Technology, Inc. | Homogeneous thermoplastic semi-conductor chip carrier package |
| US6507147B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-01-14 | Intevac, Inc. | Unitary vacuum tube incorporating high voltage isolation |
| US20050204864A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Borland William J | Thick-film dielectric and conductive compositions |
| US20110244303A1 (en) * | 2010-04-02 | 2011-10-06 | General Electric Company | Metalized Ceramic and Associated Method |
| JP2012122132A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-28 | Mitsubishi Materials Corp | 焼結体形成用の粘土状組成物、焼結体形成用の粘土状組成物用粉末、焼結体形成用の粘土状組成物の製造方法、銅焼結体及び銅焼結体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622405A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜導体組成物 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4172919A (en) * | 1977-04-22 | 1979-10-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3 |
| JPS59146103A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | 昭和電工株式会社 | ドツテイングペ−スト |
| JPS61292393A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 松下電器産業株式会社 | セラミック多層配線基板用酸化第二銅混練物 |
| JPS61292394A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク配線基板用メタライズ組成物 |
| KR900008781B1 (ko) * | 1985-06-17 | 1990-11-29 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 후막도체조성물 |
| JPS61288484A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク配線基板用導体混練物 |
| US4623482A (en) * | 1985-10-25 | 1986-11-18 | Cts Corporation | Copper conductive paint for porcelainized metal substrates |
| US4687597A (en) * | 1986-01-29 | 1987-08-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions |
| JPS63289896A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高密度多層基板の製造法 |
| JPS63295491A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-12-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | メタライズ組成物 |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63026656A patent/JPH0753625B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-12 US US07/256,536 patent/US5120473A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622405A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜導体組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5120473A (en) | 1992-06-09 |
| JPH0753625B2 (ja) | 1995-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |