JPH02263731A - 厚膜銅ペースト - Google Patents
厚膜銅ペーストInfo
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- JPH02263731A JPH02263731A JP8256889A JP8256889A JPH02263731A JP H02263731 A JPH02263731 A JP H02263731A JP 8256889 A JP8256889 A JP 8256889A JP 8256889 A JP8256889 A JP 8256889A JP H02263731 A JPH02263731 A JP H02263731A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
」
１１１立■且透ヱ
本発明は、絶縁基板上に密着性の優れた厚ＷＡ銅導体を
焼付形成するための、導電性銅ペーストに関する。
焼付形成するための、導電性銅ペーストに関する。
良未立韮韮
電子回路の配線導体やコンデンサ、抵抗等の電極を製造
するための厚膜導体として、近年、Ｎ２雰囲気などの不
活性雰囲気中で焼成を行うＣｕ、Ｎｉ等の卑金属系が注
目されている。特にＣｕはその物理的、電気的特性から
いっても優れた導体材料であり、貴金属系の代替材料と
して実用化されているが、導電性、接５着強度等に改善
の余地がある。特に焼成され、たＣｕとガラス質結合剤
からなる導体上に半田付けし、高温放置試験を行った後
の接着強度（エージング強度）の低下が大きく、信頼性
の点で問題があった。又通常接着強度と半田濡れ性とは
相反する性質であり、接着強度を上げようとすると半田
濡れ性が損われる傾向がある。
するための厚膜導体として、近年、Ｎ２雰囲気などの不
活性雰囲気中で焼成を行うＣｕ、Ｎｉ等の卑金属系が注
目されている。特にＣｕはその物理的、電気的特性から
いっても優れた導体材料であり、貴金属系の代替材料と
して実用化されているが、導電性、接５着強度等に改善
の余地がある。特に焼成され、たＣｕとガラス質結合剤
からなる導体上に半田付けし、高温放置試験を行った後
の接着強度（エージング強度）の低下が大きく、信頼性
の点で問題があった。又通常接着強度と半田濡れ性とは
相反する性質であり、接着強度を上げようとすると半田
濡れ性が損われる傾向がある。
従って半田濡れ性を低下させずに接着強度を改善するこ
とも、一つの課題である。更に導体の薄膜化のため、導
体抵抗をより低下させることが望まれている。
とも、一つの課題である。更に導体の薄膜化のため、導
体抵抗をより低下させることが望まれている。
接着強度のエージング劣化は、主として高温放置中に半
田の成分であるＳｎがＣＵ導体膜中に拡散して銅と金属
間化合物を作り、それに伴って電ｌ＃ｌ膜の体積が変化
すること、及びＣｕと半田の接合界面において、ＩＩ械
的強度の弱いｐｂが相対的に増加することが原因と考え
られている。実際、焼成膜に空隙が多いほど、Ｓｎの拡
散が速く、強度劣化が大きいことも確認されている。こ
のなめ、Ｓｎが侵入しにくい導体膜を作ることが種々検
討されている０例えば特公昭６２−４６５８８号公報に
はＣｕ粉末とＣｕ／Ｃｄなどの合金粉末を併用すること
により、半田中のｓｎの拡散を抑えてエージング強度の
低下を防止することが記載されており、特開昭６３−２
３２２０１号公報では、半田を侵入させる穴のない緻密
な導体膜を得るために、使用する粉末の粒径や配合量に
検討を加えている。
田の成分であるＳｎがＣＵ導体膜中に拡散して銅と金属
間化合物を作り、それに伴って電ｌ＃ｌ膜の体積が変化
すること、及びＣｕと半田の接合界面において、ＩＩ械
的強度の弱いｐｂが相対的に増加することが原因と考え
られている。実際、焼成膜に空隙が多いほど、Ｓｎの拡
散が速く、強度劣化が大きいことも確認されている。こ
のなめ、Ｓｎが侵入しにくい導体膜を作ることが種々検
討されている０例えば特公昭６２−４６５８８号公報に
はＣｕ粉末とＣｕ／Ｃｄなどの合金粉末を併用すること
により、半田中のｓｎの拡散を抑えてエージング強度の
低下を防止することが記載されており、特開昭６３−２
３２２０１号公報では、半田を侵入させる穴のない緻密
な導体膜を得るために、使用する粉末の粒径や配合量に
検討を加えている。
その他特開昭６２−１８４７０４号公報は、通常のＣｕ
とガラスからなる導体のオーバープリント用として、サ
イズの異なる２種の銅粉末を用いた、繰返し焼成に耐え
半田付は性、ボンダビリティの劣化のない、ガラスを含
まないタイプのＣＵペーストを開示している。
とガラスからなる導体のオーバープリント用として、サ
イズの異なる２種の銅粉末を用いた、繰返し焼成に耐え
半田付は性、ボンダビリティの劣化のない、ガラスを含
まないタイプのＣＵペーストを開示している。
■が ′ ようと る問題
近年、回路の小形化及びコストダウンの要求が強く、電
極や導体パターンの面積をますます小さく、しかも導体
の膜厚を薄くすることが要求されており、このため接着
強度がより強く、かつ経時劣化が少なく、又導電性もよ
り一層良好なＣＵ導体が望まれている。しかし上記従来
技術を以てしても、いまだ充分満足いく特性のものが得
られていないのが現状である。
極や導体パターンの面積をますます小さく、しかも導体
の膜厚を薄くすることが要求されており、このため接着
強度がより強く、かつ経時劣化が少なく、又導電性もよ
り一層良好なＣＵ導体が望まれている。しかし上記従来
技術を以てしても、いまだ充分満足いく特性のものが得
られていないのが現状である。
本発明は、半田濡れ性等他の特性を損うことなく、基板
との接着強度、特にエージング後の接着強度が改善され
、かつ更に導電性の優れた、信顆性の高いＣｕペースト
を提供することを目的とする。
との接着強度、特にエージング後の接着強度が改善され
、かつ更に導電性の優れた、信顆性の高いＣｕペースト
を提供することを目的とする。
−を ２ るための
本発明は、（ａ）比表面ｍ １．５〜２．０ｒｒｒ／（
Ｊの球状銅粉末と、（ｂ）比表面積０．３〜０．８ｒｒ
ｒ／＋７の球状銅粉末と、（ｃ）ガラス粉末と、（ｄ）
有機ビヒクルとからなり、かつ銅粉末（ａ）と銅粉末（
ｂ）の比が、重量で９０：１０〜４０：６Ｇである厚膜
銅ペーストである。又、このペーストに更に一酸化チタ
ンを配合した厚膜銅ペーストである。
Ｊの球状銅粉末と、（ｂ）比表面積０．３〜０．８ｒｒ
ｒ／＋７の球状銅粉末と、（ｃ）ガラス粉末と、（ｄ）
有機ビヒクルとからなり、かつ銅粉末（ａ）と銅粉末（
ｂ）の比が、重量で９０：１０〜４０：６Ｇである厚膜
銅ペーストである。又、このペーストに更に一酸化チタ
ンを配合した厚膜銅ペーストである。
本発明におけるＣＵ粉末の比表面積は、Ｂ、Ｅ、Ｔ。
法によって測定した値である。
ガラス、有機ビヒクルは、この種の厚膜導電性ペースト
に通常使用されているものであれば、特に制服はない、
ガラス粉末の配合量は、ＣＵ粉末の合計１００重量部に
対して０．５〜１０重量部程度である。
に通常使用されているものであれば、特に制服はない、
ガラス粉末の配合量は、ＣＵ粉末の合計１００重量部に
対して０．５〜１０重量部程度である。
ＴｉＯを配合する場合、添加量は、多すぎると半田濡れ
性が悪化する傾向があるので、ＣＯ粉末１００重量部に
対して３．０重量部以下とするのが望ましい。
性が悪化する傾向があるので、ＣＯ粉末１００重量部に
対して３．０重量部以下とするのが望ましい。
又本発明のペーストには、更に所望により通常ＣＵペー
ストに使用される添加剤、例えば酸化ビスマス、酸化銅
、酸化マンガン、酸化バナジウム等を適宜配合してもよ
い。
ストに使用される添加剤、例えば酸化ビスマス、酸化銅
、酸化マンガン、酸化バナジウム等を適宜配合してもよ
い。
止■
本発明者等は、半田成分の拡散を抑えるため焼成膜の空
隙を減少させること、即ち膜密度の向上を意図し、使用
するＣｕ粉末の充填性について検討した。その結果、前
記２種のＣＵ粉末を用いると、導電性粉末の充填性が向
上し、焼成膜のｆｌ！ｉ密性が向上することを知見した
ものである。
隙を減少させること、即ち膜密度の向上を意図し、使用
するＣｕ粉末の充填性について検討した。その結果、前
記２種のＣＵ粉末を用いると、導電性粉末の充填性が向
上し、焼成膜のｆｌ！ｉ密性が向上することを知見した
ものである。
この特定の粒度の２種のＣｕ粉末を、特定の量比で組合
わせた本発明のＣｕペーストを不活性雰囲気中で焼成し
て得た導体膜は、極めて緻密であり、半田成分の侵入が
少ない、従って接着強度、特にエージング強度が著しく
改善されるが、同時に導電性、半田濡れ性も向上する。
わせた本発明のＣｕペーストを不活性雰囲気中で焼成し
て得た導体膜は、極めて緻密であり、半田成分の侵入が
少ない、従って接着強度、特にエージング強度が著しく
改善されるが、同時に導電性、半田濡れ性も向上する。
比表面積１．５〜２．０ｒｔｆ／ａの球状ＣＵ粉末（ａ
）は、平均粒径に換算して０．３４〜０．４５ｕの極め
て微細な粉末であり、優れた充填性を示すが、一方では
吸油量が大きいため、ペースト化するために多ｌのビヒ
クルを必要とし、又、比較的低温で焼結が起こるのでビ
ヒクルの除去が不完全になったり、ガラスの溜りができ
てブリスタが発生し易くなり、ガラスも焼成膜表面に残
り易い、そこで比較的サイズの大きい、比表面積０，３
〜０．８ｒｄ／Ｑの球状ＣＬＩ粉末（ｂ）を併用するこ
とが必要である。粉末（ｂ）は、平均粒径にしておよそ
０．８４〜２．２ｐである。（ａ）とｔ （ｂ）の重量
比が４０／６０より小さいと工−ジング強度が極めて弱
くなって実用にならず、抵抗値も増大する。又９０／１
０より大きいとブリスタが発生し、抵抗値が高く、半田
濡れ性も悪化する。特に＜ａ）：（ｂ）が８０：２０〜
５０：５０ノ範囲が望ましい。
）は、平均粒径に換算して０．３４〜０．４５ｕの極め
て微細な粉末であり、優れた充填性を示すが、一方では
吸油量が大きいため、ペースト化するために多ｌのビヒ
クルを必要とし、又、比較的低温で焼結が起こるのでビ
ヒクルの除去が不完全になったり、ガラスの溜りができ
てブリスタが発生し易くなり、ガラスも焼成膜表面に残
り易い、そこで比較的サイズの大きい、比表面積０，３
〜０．８ｒｄ／Ｑの球状ＣＬＩ粉末（ｂ）を併用するこ
とが必要である。粉末（ｂ）は、平均粒径にしておよそ
０．８４〜２．２ｐである。（ａ）とｔ （ｂ）の重量
比が４０／６０より小さいと工−ジング強度が極めて弱
くなって実用にならず、抵抗値も増大する。又９０／１
０より大きいとブリスタが発生し、抵抗値が高く、半田
濡れ性も悪化する。特に＜ａ）：（ｂ）が８０：２０〜
５０：５０ノ範囲が望ましい。
尚、本発明において「球状粉末」とは、真球状のみでな
く、置載状粉末も含むものである。
く、置載状粉末も含むものである。
又、本発明のＣＵペーストに一酸化チタンＴｉＯを配合
すると、接着強度、エージング強度が更に向上する。即
ちＴｉＯは、焼成時、溶融したガラスの流動性を適度に
抑制する作用を有しており、このためガラスが基板側に
すべて移動せず、適切な量が焼結したＣＵ層膜中保持さ
れる。従って焼成後、膜内部のＣＵ金属層と基板付近の
ガラス層の間の部分では、焼結したＣＵ粉末の間にガラ
ス質が緻密に食込んだ強固な構造が形成され、これによ
り基板との接着強度が更に改善されるものと考えられる
。又ＴｉＯは、酸素捕捉剤として焼成雰囲気中僅かに存
在する０２の量を調節する働きをするので、プロセス感
受性を低下させる効果もある。
すると、接着強度、エージング強度が更に向上する。即
ちＴｉＯは、焼成時、溶融したガラスの流動性を適度に
抑制する作用を有しており、このためガラスが基板側に
すべて移動せず、適切な量が焼結したＣＵ層膜中保持さ
れる。従って焼成後、膜内部のＣＵ金属層と基板付近の
ガラス層の間の部分では、焼結したＣＵ粉末の間にガラ
ス質が緻密に食込んだ強固な構造が形成され、これによ
り基板との接着強度が更に改善されるものと考えられる
。又ＴｉＯは、酸素捕捉剤として焼成雰囲気中僅かに存
在する０２の量を調節する働きをするので、プロセス感
受性を低下させる効果もある。
Ｘ鳳］
各実施例及び比較例で使用したガラスは、次に示す組成
の結晶化ガラスである。
の結晶化ガラスである。
８２０３ ２０．４重量％
ＺｎＯ２３，８〃
Ｂｉ ２０ｓ ５４．３ ノ１Ｍ０Ｏ
Ｂ １，２ ｎ Ｍｎ０２０，１ ７７ ＴｉＯ２０，２ｎ 実施例１ 比表面積１．８９ｒ＋ｆ／ｇのＣｕ粉末（ａ）ガラス粉
末 有機ビヒクル 上記組成のペーストを、 膜厚が約１５μｓとなるように 一ンにスクリーン印刷し、 ６０．０重量部 粉末（ｂ） ４０．０重量部 ３．３重量部 １６．０重量部 アルミナ基板上に焼成 １．５閲Ｘ１．５鰭のバタ １４０℃で１０分乾燥した 比表面積０．６７ｒｒｒ ／ＱのＣｕ 後、遠赤外線焼成炉を用いてＮ２雰囲気中ピーク温度９
００℃、６０分サイクルで焼成してＣＵ導体を形成し、
抵抗値、半田濡れ性、初期接着強度、エージング強度を
測定したところ、それぞれ１．６０Ω／口、１９１％、
２．１９ｋＱ、２．０７ｋｌ；ｌであった。試験方法は
次の通りである。
Ｂ １，２ ｎ Ｍｎ０２０，１ ７７ ＴｉＯ２０，２ｎ 実施例１ 比表面積１．８９ｒ＋ｆ／ｇのＣｕ粉末（ａ）ガラス粉
末 有機ビヒクル 上記組成のペーストを、 膜厚が約１５μｓとなるように 一ンにスクリーン印刷し、 ６０．０重量部 粉末（ｂ） ４０．０重量部 ３．３重量部 １６．０重量部 アルミナ基板上に焼成 １．５閲Ｘ１．５鰭のバタ １４０℃で１０分乾燥した 比表面積０．６７ｒｒｒ ／ＱのＣｕ 後、遠赤外線焼成炉を用いてＮ２雰囲気中ピーク温度９
００℃、６０分サイクルで焼成してＣＵ導体を形成し、
抵抗値、半田濡れ性、初期接着強度、エージング強度を
測定したところ、それぞれ１．６０Ω／口、１９１％、
２．１９ｋＱ、２．０７ｋｌ；ｌであった。試験方法は
次の通りである。
半田濡れ性：導体膜上に直径２．０ｍ＋の半田ボールを
載せ、２３０℃で３０秒間放置した後の半田ボールの拡
がり率を調べた。
載せ、２３０℃で３０秒間放置した後の半田ボールの拡
がり率を調べた。
初期接着強度：導体膜に半田めっき銅線を５ｎ−ｐｂ手
半田半田付けした後、このリード線を基板に対して垂直
に引張り、導体が基板から剥離したときの強度を測定し
た。
半田半田付けした後、このリード線を基板に対して垂直
に引張り、導体が基板から剥離したときの強度を測定し
た。
エージング強度二半田付は後、１５０℃で１００時間エ
ージングした後゛の接着強度を初期強度と同様にして測
定した。
ージングした後゛の接着強度を初期強度と同様にして測
定した。
尚、抵抗値は幅０゜６關×長さ６０ｍ＋のパターンで測
定し、膜厚１５／ＩＪＩに換算した値である。
定し、膜厚１５／ＩＪＩに換算した値である。
比較例Ｉ
ＣＵ粉末（ａ） 、（ｂ）に代えて、比表面積０．５ハ
／ｇ（Ｂ、Ｅ、Ｔ、法で測定）のＣｕ粉末１００重量部
を使用する以外は、実施例１と同様にしてＣｕペースト
を作製し、アルミナ基板上に焼付けた。得られたＣｕ導
体の抵抗値、半田濡れ性、初期接着強度、エージング強
度を測定したところ、それぞれ１．７３Ω／口、１２０
％、 ｉ、５ｓｉｔｏ、ｏ、ａｏｋｇであった。
／ｇ（Ｂ、Ｅ、Ｔ、法で測定）のＣｕ粉末１００重量部
を使用する以外は、実施例１と同様にしてＣｕペースト
を作製し、アルミナ基板上に焼付けた。得られたＣｕ導
体の抵抗値、半田濡れ性、初期接着強度、エージング強
度を測定したところ、それぞれ１．７３Ω／口、１２０
％、 ｉ、５ｓｉｔｏ、ｏ、ａｏｋｇであった。
実施例１及び比較例１から明らかなように、本発明の２
種の粉末の併用により初期強度、エージング強度ともに
大きく改善され、導電性、半田濡れ性も向上している。
種の粉末の併用により初期強度、エージング強度ともに
大きく改善され、導電性、半田濡れ性も向上している。
実施例２
比表面積１．８９ｒｆ／ｇのＣＵ粉末（ａ）８０、Ｏｆ
！量部 比表面積０．６７ｎｆ／ＱのＣＵ粉末（ｂ）２０．０重
量部 ガラス粉末 ３．３量部ＴｉＯ粉末
０．３重量部有機ビヒクル
１６．７重量部上記組成のペーストを実施例１と同様に
してアルミナ基板上に焼付けして、Ｃｕ導体を形成した
。
！量部 比表面積０．６７ｎｆ／ＱのＣＵ粉末（ｂ）２０．０重
量部 ガラス粉末 ３．３量部ＴｉＯ粉末
０．３重量部有機ビヒクル
１６．７重量部上記組成のペーストを実施例１と同様に
してアルミナ基板上に焼付けして、Ｃｕ導体を形成した
。
得られたＣｕ８体について抵抗値、半田濡れ性、初期接
着強度及びエージング強度を測定し、結果を表１に示し
た。
着強度及びエージング強度を測定し、結果を表１に示し
た。
実施例３〜４
Ｃｕ粉末（ａ）とＣｕ粉末（ｂ）の配合比及びビヒクル
の量を表１の通りとする以外は、実施例２と同様にして
、Ｃｕペーストを作製した。それぞれアルミナ基板上に
焼付けて得られたＣｕ導体について、抵抗値、半田濡れ
性、初期接着強度及びエージング後の接着強度を測定し
、結果を表１に併せて示した。
の量を表１の通りとする以外は、実施例２と同様にして
、Ｃｕペーストを作製した。それぞれアルミナ基板上に
焼付けて得られたＣｕ導体について、抵抗値、半田濡れ
性、初期接着強度及びエージング後の接着強度を測定し
、結果を表１に併せて示した。
比較例２
Ｃｕ粉末（ａ）を使用せず、Ｃｕ粉末（ｂ）を１００重
量部とし、ビヒクルの量を表１の通りとする以外は、実
施例２と同様にしてＣｕペーストを作製し、アルミナ基
板上に焼付けた。得られたＣｕ導体の特性を表１に示す
。
量部とし、ビヒクルの量を表１の通りとする以外は、実
施例２と同様にしてＣｕペーストを作製し、アルミナ基
板上に焼付けた。得られたＣｕ導体の特性を表１に示す
。
比較例３
Ｃｕ粉末（ａ）を３０重量部、Ｃｕ粉末（ｂ）を７０重
量部とし、ビヒクルの量を表１め通りとする以外は、実
施例２と同様にしてＣｕペーストを作製し、アルミナ基
板上に焼付けた。得られたＣｕ導体の特性を表１に示す
。
量部とし、ビヒクルの量を表１め通りとする以外は、実
施例２と同様にしてＣｕペーストを作製し、アルミナ基
板上に焼付けた。得られたＣｕ導体の特性を表１に示す
。
比較例４
Ｃｕ粉末（ｂ）を使用せず、Ｃｕ粉末（ａ）を１００重
量部、ビしクルの１を表１の通りとする以外は、実施例
２と同様にしてＣｕペーストを作製し、アルミナ基板上
に焼付けたところ、焼成体表面にブリスタが発生した。
量部、ビしクルの１を表１の通りとする以外は、実施例
２と同様にしてＣｕペーストを作製し、アルミナ基板上
に焼付けたところ、焼成体表面にブリスタが発生した。
特性を表１に併せて示す。
表１から明らかなように、本発明のＣＵペーストは、比
較例と比べて初期強度、エージング強度ともに大幅に向
上しており、又導電性、半田濡れ性も極めて優れている
ことがわかる。
較例と比べて初期強度、エージング強度ともに大幅に向
上しており、又導電性、半田濡れ性も極めて優れている
ことがわかる。
（以下余白）
表１
実施例５〜７
Ｃｕ粉末（ａ）とＣｕ粉末（ｂ）それぞれの比表面積、
配合比及び他の成分の配合量衣２の通りとし、実施例２
と同様にしてＣｕペーストを作製した。
配合比及び他の成分の配合量衣２の通りとし、実施例２
と同様にしてＣｕペーストを作製した。
基板上に焼付けして得られたＣｕ導体の抵抗値、半田濡
れ性、初期接着強度及びエージング強度を表２に示した
。いずれも優れたものであった。
れ性、初期接着強度及びエージング強度を表２に示した
。いずれも優れたものであった。
表２
王ｌし五麩釆
以上の通り、本発明のＣＬＩペーストは、導を性、半田
濡れ性及び基板との接着強度、特に熱エージング後の接
着強度が、従来のものに比べて非常に優れており、又膜
厚が薄くても良好な密着性を示すので、高密度回路用の
導体材料として極めて信頼性の高いものである。
濡れ性及び基板との接着強度、特に熱エージング後の接
着強度が、従来のものに比べて非常に優れており、又膜
厚が薄くても良好な密着性を示すので、高密度回路用の
導体材料として極めて信頼性の高いものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （ａ）比表面積１．５〜２．０ｍ＾２／ｇの球状銅
粉末と、（ｂ）比表面積０．３〜０．８ｍ＾２／ｇの球
状銅粉末と、（ｃ）ガラス粉末と、 （ｄ）有機ビヒクル とからなり、かつ銅粉末（ａ）と銅粉末（ｂ）の比が、
重量で９０：１０〜４０：６０である厚膜銅ペースト。 ２ 更に一酸化チタンを配合してなる、請求項１に記載
された厚膜銅ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256889A JP2631010B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 厚膜銅ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256889A JP2631010B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 厚膜銅ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263731A true JPH02263731A (ja) | 1990-10-26 |
| JP2631010B2 JP2631010B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=13778091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8256889A Expired - Lifetime JP2631010B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 厚膜銅ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2631010B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006279038A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-12 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 導電性配線材料、配線基板の製造方法及びその配線基板 |
| JP2014112518A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-06-19 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 低温焼成銅組成物 |
| JP2014239040A (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 窒化アルミニウム基板用の厚盛りプリント銅ペースト |
| JP2020111797A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | Ｊｘ金属株式会社 | セラミックと導体の複合体の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8256889A patent/JP2631010B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006279038A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-12 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 導電性配線材料、配線基板の製造方法及びその配線基板 |
| JP2014112518A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-06-19 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 低温焼成銅組成物 |
| JP2014239040A (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 窒化アルミニウム基板用の厚盛りプリント銅ペースト |
| JP2020111797A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | Ｊｘ金属株式会社 | セラミックと導体の複合体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2631010B2 (ja) | 1997-07-16 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |