JPH0465011A - 銅導体ペースト - Google Patents
銅導体ペーストInfo
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
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- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、セラミックス等の絶縁性基板上に電極や配線
パターンを形成するために用いられる銅導体ペーストに
関し、さらに詳しくは導電性および半田濡れ性に優れ、
かつ基板との密着性も良好な銅導体ペーストに関する。
パターンを形成するために用いられる銅導体ペーストに
関し、さらに詳しくは導電性および半田濡れ性に優れ、
かつ基板との密着性も良好な銅導体ペーストに関する。
(従来の技術)
1体ペーストは、ガラス、セラミックス等の絶縁性基板
に、スクリーン印刷法、直接描画法等で所定パターンと
なるように塗布した後、焼成することにより導体厚膜を
形成するためのものである。
に、スクリーン印刷法、直接描画法等で所定パターンと
なるように塗布した後、焼成することにより導体厚膜を
形成するためのものである。
従来、かかる導体ペーストには、金、銀、銀/Pd、銅
、ニンケルなどの粉末が配合されて用いられているが、
近年銅導体ペーストを用いる傾向になりつつあることは
周知の通りである。
、ニンケルなどの粉末が配合されて用いられているが、
近年銅導体ペーストを用いる傾向になりつつあることは
周知の通りである。
すなわち、金導体ペーストは大気中でも焼成できるが高
価であり、銀導体ペーストはエレクトロマイグレーショ
ンが起こりやすく、銀/Pd導体ペーストも高価であり
、ニンケル導体ペーストは配線抵抗が高いなどの欠点を
有するが、銅導体ペーストは低コストであるうえに、配
線抵抗も低く、さらに、マイグレーションも起こりにく
く理想的な導体材料といえる。
価であり、銀導体ペーストはエレクトロマイグレーショ
ンが起こりやすく、銀/Pd導体ペーストも高価であり
、ニンケル導体ペーストは配線抵抗が高いなどの欠点を
有するが、銅導体ペーストは低コストであるうえに、配
線抵抗も低く、さらに、マイグレーションも起こりにく
く理想的な導体材料といえる。
従来の銅導体ペーストは、例えば平均粒径0.5〜10
p1mの銅粉を無機結合剤とともに有機ビヒクル中に分
散させてペースト化させたものである。銅粉は焼成によ
り導電膜である鯛焼成膜を形成する。
p1mの銅粉を無機結合剤とともに有機ビヒクル中に分
散させてペースト化させたものである。銅粉は焼成によ
り導電膜である鯛焼成膜を形成する。
有機ビヒクルは、ペースト化用液体バインダとしてチク
ソトロビノクなレオロジーをもたせる役割を有し基板へ
の塗布、印刷を可能にし、焼成時には分解、飛散する。
ソトロビノクなレオロジーをもたせる役割を有し基板へ
の塗布、印刷を可能にし、焼成時には分解、飛散する。
通常、かかる有機ビヒクルには樹脂を揮発性の溶剤中に
溶解したものが用いられる。
溶解したものが用いられる。
無機結合剤にはこのように鯛焼成膜を基板に密着させる
作用があり、ガラスフリット、金属酸化物等が用いられ
る。
作用があり、ガラスフリット、金属酸化物等が用いられ
る。
特にガラスフリントによる密着作用はガラスポンドと呼
ばれ、銅導体ペーストの焼成時にガラスフリフトが溶融
し、これが濡れ現象により銅粉間より基板へ流動するこ
とによって鯛焼成膜と基板とを密着させる。従来より用
いられているガラスフリットとしては、軟化点が300
〜700℃のものが多く、Pb0−BzOi−5iO2
系に例えばCd0SZnO1AQzOz 、CaO等の
金属酸化物を含むガラス、およびホウケイ酸塩ガラス等
が使用されている。
ばれ、銅導体ペーストの焼成時にガラスフリフトが溶融
し、これが濡れ現象により銅粉間より基板へ流動するこ
とによって鯛焼成膜と基板とを密着させる。従来より用
いられているガラスフリットとしては、軟化点が300
〜700℃のものが多く、Pb0−BzOi−5iO2
系に例えばCd0SZnO1AQzOz 、CaO等の
金属酸化物を含むガラス、およびホウケイ酸塩ガラス等
が使用されている。
一方、金属酸化物による密着作用はケミカルポンドと呼
ばれ、基板と金属酸化物との反応により鯛焼成膜と基板
とを密着させるものである。このときの基板と金属酸化
物との反応により形成された部分は半田の侵食におかさ
れにくいため、ケミカルポンドは半田付は後の高温エー
ジングによる密着性の低下が小さいという特徴をもつ。
ばれ、基板と金属酸化物との反応により鯛焼成膜と基板
とを密着させるものである。このときの基板と金属酸化
物との反応により形成された部分は半田の侵食におかさ
れにくいため、ケミカルポンドは半田付は後の高温エー
ジングによる密着性の低下が小さいという特徴をもつ。
従来より用いられる金属酸化物としては、CむOおよび
CuOが主であるが、その他、BizOz 、CdO,
Pb0z、5bzO3、v205、ZnO等を使用する
場合もある。
CuOが主であるが、その他、BizOz 、CdO,
Pb0z、5bzO3、v205、ZnO等を使用する
場合もある。
また近年、銅粉の表面上に酸化物層を形成させた粉末を
用いることにより、より有効にケミカルポンドを発現さ
せる手法も提案された。特開平1196192号公報、
および特開昭60−35405号公報参照。
用いることにより、より有効にケミカルポンドを発現さ
せる手法も提案された。特開平1196192号公報、
および特開昭60−35405号公報参照。
なお、ガラスポンドとケミカルポンドを組み合わせたも
のがミックスボンドであり、現在量も多(用いられる結
合法である。
のがミックスボンドであり、現在量も多(用いられる結
合法である。
(発明が解決しようとする課題)
上記の銅導体ペーストの焼成は通常900℃前後で焼成
しているが、この焼成温度では、抵抗体、誘電体等の性
能を損なう場合が多いので、なるべく低温で焼成可能で
しかも、導体特性すなわち導電性、基板との密着性、半
田濡れ性を満たす焼成膜を形成できる銅導電ペーストが
望まれている。
しているが、この焼成温度では、抵抗体、誘電体等の性
能を損なう場合が多いので、なるべく低温で焼成可能で
しかも、導体特性すなわち導電性、基板との密着性、半
田濡れ性を満たす焼成膜を形成できる銅導電ペーストが
望まれている。
鯛焼成膜と基板とを比較的低温での焼成にて、前記無機
結合剤で、強固に固着させても、銅と基板では熱膨張係
数の差が大きく (Cu:20.3X10−’/°C1
例えば八2□(h:6.5〜7.5 Xl0−”/”C
) 、焼成後には残留応力が残る。このため、鯛焼成膜
に垂直上方の引張の力が加わった場合、比較的弱い引張
力においても基板内にクラックが発生しやすく、かつ、
迅速に伝播するため容易にはがれてしまうという問題が
ある。これは、基板上への素子等の半田付工程における
歩留り低下の原因となっている。
結合剤で、強固に固着させても、銅と基板では熱膨張係
数の差が大きく (Cu:20.3X10−’/°C1
例えば八2□(h:6.5〜7.5 Xl0−”/”C
) 、焼成後には残留応力が残る。このため、鯛焼成膜
に垂直上方の引張の力が加わった場合、比較的弱い引張
力においても基板内にクラックが発生しやすく、かつ、
迅速に伝播するため容易にはがれてしまうという問題が
ある。これは、基板上への素子等の半田付工程における
歩留り低下の原因となっている。
本発明は、上記欠点を解消すべく成されたもので、比較
的低温での焼成にても基板との接着強度が高くかつ、同
時に他の導電特性(導電性、半田濡れ性)も充分に満足
するw4導体ペーストを徒供することを目的としている
。
的低温での焼成にても基板との接着強度が高くかつ、同
時に他の導電特性(導電性、半田濡れ性)も充分に満足
するw4導体ペーストを徒供することを目的としている
。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究を重ねた
結果、鯛焼成膜と基板の熱整合性の不良から生ずる残留
応力を緩和させるために、鯛焼成膜の構造を微細孔が多
数存在するポーラスにすることを知見し、ペースト中の
銅粉が、平均粒径2pから4−の銅粉と平均粒径0.1
pA以下の銅粉とを配合することによって、焼成温度が
750°C以下であっても、上記のようなすくれた被膜
構造が得られることを見い出し、本発明を完成するに至
った。
結果、鯛焼成膜と基板の熱整合性の不良から生ずる残留
応力を緩和させるために、鯛焼成膜の構造を微細孔が多
数存在するポーラスにすることを知見し、ペースト中の
銅粉が、平均粒径2pから4−の銅粉と平均粒径0.1
pA以下の銅粉とを配合することによって、焼成温度が
750°C以下であっても、上記のようなすくれた被膜
構造が得られることを見い出し、本発明を完成するに至
った。
ここに、本発明は、銅粉を導電粒子とする導体ペースト
において、前記銅粉が、平均粒径2pA以上411a以
下の銅粉へニア5〜90重量%と、平均粒径が0.1−
以下の銅粉B:10〜25ft量%とを配合したものか
らなることを特徴とする銅導体ペーストである。
において、前記銅粉が、平均粒径2pA以上411a以
下の銅粉へニア5〜90重量%と、平均粒径が0.1−
以下の銅粉B:10〜25ft量%とを配合したものか
らなることを特徴とする銅導体ペーストである。
本発明の好適態様によれば、ガラスフリットを前記銅粉
の合計重量に対し2重量%以下配合してもよい。
の合計重量に対し2重量%以下配合してもよい。
このように、本発明によれば、比表面積の太きい平均粒
径0.1 μ−以下の銅粉Bを比較的多く含んでいるの
で、ペースト中の銅粉の濃度は低く、かつ750″C以
下という低温で焼成すると、平均粒径2〜4μ層の銅粉
Aが゛骨材”的役割を果たすため、多孔質な銅焼成膜が
生成される。このため、銅焼成膜と基板との熱膨張率の
差異により生じる残留応力が緩和されることになり、銅
焼成膜に垂直方向の引張力が加わった場合でも、基板中
のクラックの発生および伝播が抑えられ、引張強度が増
すことになるのである。
径0.1 μ−以下の銅粉Bを比較的多く含んでいるの
で、ペースト中の銅粉の濃度は低く、かつ750″C以
下という低温で焼成すると、平均粒径2〜4μ層の銅粉
Aが゛骨材”的役割を果たすため、多孔質な銅焼成膜が
生成される。このため、銅焼成膜と基板との熱膨張率の
差異により生じる残留応力が緩和されることになり、銅
焼成膜に垂直方向の引張力が加わった場合でも、基板中
のクラックの発生および伝播が抑えられ、引張強度が増
すことになるのである。
(作用)
本発明の構成と作用を説明する。
本発明において上述のように銅粉について限定した理由
は次の通りである。
は次の通りである。
平均粒径2μ霧以上4−以下の銅粉Aが75重量%未満
であり、平均粒径0.1−以下の銅粉Bが25重量%を
超えると、導体の空孔径、空孔率が大きくなり過ぎ、逆
にそれぞれが90重量%を超え1011量%未満となれ
ば空孔径・空孔率が小となって共に導体としての特性上
好ましくない。
であり、平均粒径0.1−以下の銅粉Bが25重量%を
超えると、導体の空孔径、空孔率が大きくなり過ぎ、逆
にそれぞれが90重量%を超え1011量%未満となれ
ば空孔径・空孔率が小となって共に導体としての特性上
好ましくない。
本発明にかかる銅導体ペーストにおける銅粉Bの粒径が
0.1 p以下になると比表面積はrrT/gのオーダ
ーになり、適正印刷粘度を有するペースト化には多量の
ビヒクルを要する。このため、ペースト中の銅粉の濃度
は著しく低下し、基板へ印刷塗布後の粉末充填率も下が
り、被覆の多孔質化に有利に働く。ただし、この粒径0
.1−以下の銅粉Bのみでは、焼結後に被膜中に収縮ク
ランクが生しるため、本発明では粒径が2〜4pn程度
の銅粉Aを組み合わせて収縮クラックの発生を防止し、
かつ、微細孔を均一に生成させている。なお、平均粒径
が0.1p以下の銅粉Bと組み合わせると微細孔の少な
い緻密な被膜になり残留応力が大きく残り、他方、粒径
が4−以上の銅粉と組み合わせると、ポアーの粒径が大
きくなり、かつ、ボアーの数も減少するため、残留応力
の緩和効果が低下する。なお、粒径0.1m以下の銅粉
が10%未満だと、ペースト中の銅粉の濃度は高まり、
被膜が緻密になってしまう。さらに、粒径0.1p以下
の銅粉Bは比較的酸素量が多いため、25重量%超配合
すると半田濡れ性が低下する。なお、焼成温度が750
℃より高くなると、銅粉の焼結が進行し、被膜が緻密化
してしまうので応力緩和効果は十分ではない。
0.1 p以下になると比表面積はrrT/gのオーダ
ーになり、適正印刷粘度を有するペースト化には多量の
ビヒクルを要する。このため、ペースト中の銅粉の濃度
は著しく低下し、基板へ印刷塗布後の粉末充填率も下が
り、被覆の多孔質化に有利に働く。ただし、この粒径0
.1−以下の銅粉Bのみでは、焼結後に被膜中に収縮ク
ランクが生しるため、本発明では粒径が2〜4pn程度
の銅粉Aを組み合わせて収縮クラックの発生を防止し、
かつ、微細孔を均一に生成させている。なお、平均粒径
が0.1p以下の銅粉Bと組み合わせると微細孔の少な
い緻密な被膜になり残留応力が大きく残り、他方、粒径
が4−以上の銅粉と組み合わせると、ポアーの粒径が大
きくなり、かつ、ボアーの数も減少するため、残留応力
の緩和効果が低下する。なお、粒径0.1m以下の銅粉
が10%未満だと、ペースト中の銅粉の濃度は高まり、
被膜が緻密になってしまう。さらに、粒径0.1p以下
の銅粉Bは比較的酸素量が多いため、25重量%超配合
すると半田濡れ性が低下する。なお、焼成温度が750
℃より高くなると、銅粉の焼結が進行し、被膜が緻密化
してしまうので応力緩和効果は十分ではない。
銅粉は容易に酸化されるが、本発明の場合通常程度の酸
化であれば、銅粉の表面酸化の度合にも特に制限はない
。
化であれば、銅粉の表面酸化の度合にも特に制限はない
。
また、本発明に使用する銅粉は、その製造方法、粒子形
状等には特に制限はないが、スクリーン印刷を行う場合
には球状に近い粒子であることが望ましい。
状等には特に制限はないが、スクリーン印刷を行う場合
には球状に近い粒子であることが望ましい。
このようにして用意された銅粉は、結合剤としてガラス
フリットあるいは金属酸化物を配合したうえで、適宜ビ
ヒクルを使ってペースト化される。
フリットあるいは金属酸化物を配合したうえで、適宜ビ
ヒクルを使ってペースト化される。
本発明に使用されるガラスフリントとしては、公知のガ
ラスフリットが使用可能である0例えば、Pb0−Bz
Os−5iO□ガラスをベースとして、各種の金属を添
加したものが使用可能である。ガラスフリットの平均粒
径は0.1〜10m、好ましくは0.3〜5−である。
ラスフリットが使用可能である0例えば、Pb0−Bz
Os−5iO□ガラスをベースとして、各種の金属を添
加したものが使用可能である。ガラスフリットの平均粒
径は0.1〜10m、好ましくは0.3〜5−である。
結合剤としての金属酸化物は、酸化銅、酸化カドミウム
等が代表例として挙げられるが、低温焼成の点からガラ
スフリットを用いるほうが好ましい 本発明に使用される有機ビヒクルとしては、般に厚H導
体ペーストに使用されるものであれば限定されない。た
とえば、エチルセルロース、ポリブチルメタクリレート
等の樹脂を、テルピネオール、ジブチルカルピトール、
ジブチルフタレート、ジブチルカルピトール、2,2.
4−トリメチル1.3−ベンタンジオールモノイソブチ
レートなどの溶剤に溶解したものが挙げられる。
等が代表例として挙げられるが、低温焼成の点からガラ
スフリットを用いるほうが好ましい 本発明に使用される有機ビヒクルとしては、般に厚H導
体ペーストに使用されるものであれば限定されない。た
とえば、エチルセルロース、ポリブチルメタクリレート
等の樹脂を、テルピネオール、ジブチルカルピトール、
ジブチルフタレート、ジブチルカルピトール、2,2.
4−トリメチル1.3−ベンタンジオールモノイソブチ
レートなどの溶剤に溶解したものが挙げられる。
本発明の銅導体ペーストは、上記した銅粉末、ガラスフ
リフトを有機ビヒクルに混線分散させることによってペ
ースト化した後、セラミック基板上に印刷または描画に
より塗布し、溶剤を乾燥、揮散させ、焼成して導電被膜
を得るものである。
リフトを有機ビヒクルに混線分散させることによってペ
ースト化した後、セラミック基板上に印刷または描画に
より塗布し、溶剤を乾燥、揮散させ、焼成して導電被膜
を得るものである。
上記ペースト化法としては、公知の各種方法が使用可能
である。例えば、万能撹拌混合機を用いて予備混練した
後、三本ロールで混練するという手法が一般的である。
である。例えば、万能撹拌混合機を用いて予備混練した
後、三本ロールで混練するという手法が一般的である。
本発明の導体ペーストの印刷には公知の印刷方法が使用
可能である。このような印刷法としては、スクリーン印
刷法、メタルマスクによる印刷法、直接描画法等が挙げ
られる。
可能である。このような印刷法としては、スクリーン印
刷法、メタルマスクによる印刷法、直接描画法等が挙げ
られる。
本発明の導体ペーストの焼成方法としては、公知の焼成
方法が使用可能であるが、生産性および安全性の点から
ハツチ炉よりもベルト炉が望ましい。本発明による銅導
体ペーストの場合、750°C以下という低温焼成によ
っても十分に優れた導体膜が形成される。
方法が使用可能であるが、生産性および安全性の点から
ハツチ炉よりもベルト炉が望ましい。本発明による銅導
体ペーストの場合、750°C以下という低温焼成によ
っても十分に優れた導体膜が形成される。
次に、実施例によって本発明をさらに具体的に説明する
。
。
(実施例)
第1表に示す組成割合で各銅導体ペーストをそれぞれ調
製し、次いでスクリーン印刷に適正な粘度である180
〜200Pa−s (ずり速度Is−’、室温)に調整
してから、各銅導体ペーストを純度96重量%のアルミ
ナ基板上にスクリーン印刷機で適当なパターンに印刷を
行い、120℃で10分間乾燥して溶剤を除去した後、
窒素雰囲気中で、ベルト炉においてピーク温度600℃
、ピーク温度保持時間10分を含む1サイクル40分の
プロファイルで焼成を行い、膜厚20−の銅塊成膜を得
た。
製し、次いでスクリーン印刷に適正な粘度である180
〜200Pa−s (ずり速度Is−’、室温)に調整
してから、各銅導体ペーストを純度96重量%のアルミ
ナ基板上にスクリーン印刷機で適当なパターンに印刷を
行い、120℃で10分間乾燥して溶剤を除去した後、
窒素雰囲気中で、ベルト炉においてピーク温度600℃
、ピーク温度保持時間10分を含む1サイクル40分の
プロファイルで焼成を行い、膜厚20−の銅塊成膜を得
た。
このようにして得た各銅塊成膜について導電率、接着強
度およびはんだ濡れ性などの導体特性を評価した。結果
は第2表にまとめて示す。このときの評価要領は下記の
通りであった。
度およびはんだ濡れ性などの導体特性を評価した。結果
は第2表にまとめて示す。このときの評価要領は下記の
通りであった。
(導電性):
導体抵抗値の測定により評価した。具体的には、4端子
法抵抗測定、および銅厚膜の線幅・膜厚より比抵抗値を
求めた。
法抵抗測定、および銅厚膜の線幅・膜厚より比抵抗値を
求めた。
(半田濡れ性):
焼成部品を230±3℃の温度に維持した63%5n−
37%pb半田槽に3±0,5秒間浸漬し、4m+*X
4mの銅被膜上に被着した半田の被着率を目視で測定し
た。
37%pb半田槽に3±0,5秒間浸漬し、4m+*X
4mの銅被膜上に被着した半田の被着率を目視で測定し
た。
(接着強度):
2IIII角の銅導体被膜に、230±3℃の温度に維
持した63%5n −37%Pb半田槽に3±0.5秒
間浸漬した後、その上に0.61φスズメツキ銅線をハ
ンダボデにて半田付けした。スズメツキ銅線を被膜端部
より1m+11の位置で90度曲げて基板と垂直とし、
基板を固定した状態で引張り試験機により10cm/m
inの速度でスズメツキ銅線を引張り、スズメツキ銅線
が基板からはがれた時の接着強度を測定した。
持した63%5n −37%Pb半田槽に3±0.5秒
間浸漬した後、その上に0.61φスズメツキ銅線をハ
ンダボデにて半田付けした。スズメツキ銅線を被膜端部
より1m+11の位置で90度曲げて基板と垂直とし、
基板を固定した状態で引張り試験機により10cm/m
inの速度でスズメツキ銅線を引張り、スズメツキ銅線
が基板からはがれた時の接着強度を測定した。
接着強度は半田付直後に測定した。
なお、空孔径、空孔率は、被膜の断面写真より求めた。
第2表に示す結果からも明らかなように、本発明によれ
ば、焼成温度を750°C以下に制限することにより、
微細孔が18〜23%存在する銅塊成膜を形成させるこ
とができた。しかも、導電率、接着強度およびはんだ濡
れ性のいずれについても満足すべきものであった。
ば、焼成温度を750°C以下に制限することにより、
微細孔が18〜23%存在する銅塊成膜を形成させるこ
とができた。しかも、導電率、接着強度およびはんだ濡
れ性のいずれについても満足すべきものであった。
はんだ濡れ性=90%以上を○、それ未満を×(発明の
効果) 本発明は以上説明したように構成されており、前述の実
施例からも明らかなように、本発明の銅導体ペーストは
充分な導電性、半田濡れ性を有するとともに基板との接
着性が著しく大きいというすぐれた効果が奏される。
効果) 本発明は以上説明したように構成されており、前述の実
施例からも明らかなように、本発明の銅導体ペーストは
充分な導電性、半田濡れ性を有するとともに基板との接
着性が著しく大きいというすぐれた効果が奏される。
したがって、本発明によれば基板への素子等の半田付は
工程の歩留りを大幅に向上させることが可能であり、さ
らに焼成温度が低いため印刷抵抗体、誘電体等へのダメ
ージを低温焼成で回避できる等の顕著な効果がもたらさ
れ、産業上極めて有用である。
工程の歩留りを大幅に向上させることが可能であり、さ
らに焼成温度が低いため印刷抵抗体、誘電体等へのダメ
ージを低温焼成で回避できる等の顕著な効果がもたらさ
れ、産業上極めて有用である。
Claims (2)
- (1)銅粉を導電粒子とする導体ペーストにおいて、前
記銅粉が、平均粒径2μm以上4μm以下の銅粉A:7
5〜90重量%と、平均粒径0.1μm以下の銅粉B:
10〜25重量%とを配合したものからなることを特徴
とする銅導体ペースト。 - (2)ガラスフリットを前記銅粉の合計重量に対し2重
量%以下配合して成る請求項1記載の銅導体ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17713190A JPH0465011A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 銅導体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17713190A JPH0465011A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 銅導体ペースト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0465011A true JPH0465011A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16025720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17713190A Pending JPH0465011A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 銅導体ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0465011A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006126499A1 (ja) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 導電性ペーストおよびそれを用いた配線基板 |
JP2009259806A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多孔質銅焼結膜の製造方法、及び多孔質銅焼結膜 |
JP2013030616A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Kyocera Corp | 回路基板およびこれを備える電子装置 |
JP2013041683A (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-28 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 導電性材料 |
WO2020110987A1 (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | 平面コイルおよびこれを備える変圧器、無線送電器、電磁石 |
WO2021049270A1 (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 京セラ株式会社 | 平面コイルおよびこれを備える変圧器、無線送電器、電磁石 |
JP2021072342A (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 京セラ株式会社 | コイル装置 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP17713190A patent/JPH0465011A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8007690B2 (en) | 2005-05-25 | 2011-08-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Conductive paste and wiring board using it |
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JPWO2020110987A1 (ja) * | 2018-11-28 | 2021-09-27 | 京セラ株式会社 | 平面コイルおよびこれを備える変圧器、無線送電器、電磁石 |
WO2021049270A1 (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 京セラ株式会社 | 平面コイルおよびこれを備える変圧器、無線送電器、電磁石 |
JPWO2021049270A1 (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | ||
EP4030446A4 (en) * | 2019-09-10 | 2023-09-27 | Kyocera Corporation | PLANE COIL, AND TRANSFORMER, WIRELESS TRANSMITTER AND ELECTROMAGNET COMPRISING A PLANE COIL |
JP2021072342A (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 京セラ株式会社 | コイル装置 |
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