JPH0318089A - 抵抗体ペースト、厚膜抵抗体層、配線基板および配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、抵抗体ペースト、厚膜抵抗体層、配線基板お
よび配線基板の製造方法に関する。

く従来の技術〉 低温で焼成可能な基板材料が開発されており、これによ
り基板材料、導体ペースト、抵抗体ペースト等を例えば
１　０００℃以下の低塩で同時一体焼成することが可能
である。

抵抗体ペーストは、通常、導電粒子、ガラスフリットお
よびビヒクル等から構成されるが、市販されているもの
は、主にアルミナ基板用の抵抗体ペーストである。

このため．市販されている抵抗体ペーストを低温焼成基
板と同時焼成すると、発泡、反り、温度特性の悪化等が
生じる。

また、導電粒子として、ルテニウム酸鉛等のパイロクロ
ール化合物や、酸化ルテニウム等を用いた同時焼成可能
な抵抗体ペーストも存在する． この場合、焼成された厚膜抵抗体層は、抵抗濡度係数Ｔ
ＣＨの絶対値が小さいほど好ましく、少なくとも−３　
０　０　〜３　０　０　ｐｐｍ／ｄｅｇの範囲内である
ことが要求される。

しかし、導電粒子として例えば酸化ルテニウムを選択し
、ペースト化し、基板と同時焼成すると、小さいＴＣＲ
、例えば−３００〜３ｏｏｐｐｍ／ｄｅｇのＴＣＲが得
られる抵抗値は狭い範囲でしかない。

また、導電粒子としてルテニウム酸鉛を選択すると１０
ｋΩ／□程度以下ではＴＣＰが大きすぎ、正確な抵抗値
を設定することができない． また、抵抗温度係数ＴＣＰ調整剤として、公知のＣｕ○
等を使用しても温度制御を十分に行うことは困難であり
、しかも基板の焼成反りが生じたりする。

ところで特公昭５５−３９８８３号公報には、金属チタ
ン酸塩と、ガラスと、一般式Ａ．Ｂ２０．〜，の導電性
パイ口クロール関連酸化物粒子とを有する抵抗体形成用
組成物が提案されている。

そして、この抵抗体形成用組成物によって得られる抵抗
体は、電圧耐溶能力が高く、また高電圧を加える前後で
の抵抗値の変化率が小さい旨が示されているが、抵抗体
の抵抗温度係数ＴＣＰが向上する等の効果は示されてい
ない。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、基板と１　０００℃以下の温度で同時
一体焼成を行うことができ、抵抗値５〜１０ＭΩ／□の
広い範囲内の所定の抵抗値を示し、しかも抵抗温度係数
ＴＣＲがきわめて小さい抵抗体ペーストや厚膜抵抗体層
ならびにこれらを用いた寸法精度が高く、量産性に優れ
た配線基板およびその製造方法を提供することにある． く課題を解決するための手段〉 このような目的は、下記の（１）〜（５〉の本発明によ
って達成される。

（１）ガラスフリットと、導電粒子と、ビヒクルとを含
有する抵抗体ペーストであって、前記ガラスフリットが
、軟化点１０００℃以下であり、前記導電粒子には、ル
テニウム酸鉛および／または酸化ルテニウムと、ルテニ
ウム酸ビスマスとを含有し、重量比ｙ＝（ルテニウム酸
鉛＋酸化ルテニウム）／（ルテニウム酸鉛＋酸化ルテニ
ウム＋ルテニウム酸ビスマス）（ただしＯ＜，ｙ＜１）
が、抵抗値ＸΩ／□（ただしＸは５〜１０７Ω／□）の
常用対数Ｘ＝βＯｇ＋。Ｘと下記式で示される関係をも
っことを特徴とする抵抗体ペースト。

式　　１　　−　　１００ｘ　ｙ　＋　１３５０ｙ　−
　　２５０ｘ　　Ｉ　　≦３００（２）前記ガラスフリ
ットと、導電粒子の重量比ガラスフリット／導電粒子が
、９０／１０〜２０／８０である上記（Ｌ）に記載の抵
抗体ペースト。

（３）上記（１）または（２）に記載の抵抗体ペースト
を焼成したことを特徴とする厚膜抵抗体層。

（４）基板上に導体層と、上記（３）に記載の厚膜抵抗
体層とを積層したことを特徴とする配線基板。

（５）基板材料に、導体ペーストと、上記（１）または
（２）に記載の抵抗体ペーストとを配置し、１　０００
℃以下にて同時一体焼成することを特徴とする配綿基板
の製造方法。

〈作用〉 本発明の抵抗体ペーストでは、２種以上の導電粒子を用
いることにより、５〜ＩＯＭΩ／□の広い範囲内の抵抗
値で、きわめて小さいＴＣＰが得られる。

具体的には、２種以上の導電粒子の混合比を前記式にて
決定することにより必要とされる抵抗値に応じ、抵抗温
度係数ＴＣＲを、−５５〜１２５℃で約−３　０　０　
〜３　０　０ｐｐｎ＋／ｄｅｇ　．好ましくは約−２　
０　０　〜２　０　０　ｐｐｍ／ｄｅｇとすることがで
きる。

また、本発明の抵抗体ペーストを１　０００℃以下の４
度で基板や導体ペーストと同時に焼成しても発泡や基板
の反りを防止することができる。

このため、精度や信頼性の高い配線基板を製造すること
ができる。

そして、導体ペーストや抵抗体ペーストの形成も一種類
の印刷板で行うことができるため、製造工程が減少し、
高い量産性が得られ，歩留も向上する。

さらに、１　０００℃以下の温度で同時焼成を行うため
、設備の低コスト化を図ることができる。

なお、特公昭５５−３９８８３号公報には、抵抗体ペー
ストの導電粒子として、２種以上のパイ口クロールを併
用すること、さらには、２種以上のパイロクロールの含
有比ないし混合比を規定することによりＴＣＰを向上さ
せる旨の開示はない。

く発明の具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

本発明の抵抗体ペーストには、２種以上の導電性粒子と
、ガラスフリットとを脛合し、ビルクル等を加え、これ
らを混練してスラリー化することにより得られる。

本発明ではガラスフリットとして、軟化点が１０００℃
以下のガラスを用いる。

前記範囲をこえると１　０００℃以下で焼成することが
困難である。

ただし、軟化点があまり低すぎると基板と同時焼成する
際に、反りや発泡等が生じてしまう。

このため、軟化点が７００〜１０００℃のガラスが好ま
しい。

本発明に用いるガラスとしては、例えばホウケイ酸ガラ
ス、鉛ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリウムガラス、
ホウケイ酸カルシウムガラス、ホウケイ酸ストロンチウ
ムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス等の一般にガラスフリ
ットとして用いられているものが挙げられ、特に鉛ホウ
ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ストロンチウムガラス等が好
適である。

そして、ガラス組成としては下記のものが好ましい。

Ｓ　ｉ　Ｏ　ａ：５　０〜６５重量％、特に５０〜５５
重量％ Ａ℃ａｏｓ：５〜１５重量％、 特に８〜１２重量％ ８．０３：８重量％以下、 特に３〜５重量％ Ｃａｂ．ＳｒＯ．ＢａＯおよび ＭｇＯの１〜４種：１５〜４０重量％、特に２５〜３５
重量％ ＰｂＯ　：　３０重量％以下、 特に１０〜２０重量％ なお、上記組成には、さらにＢｉｚＯｉＴｉｅ．．Ｚｒ
Ｏ−　．Ｙ．Ｏ．等から選ばれる１種以上が５重量％以
下含有されていてもよい。

また、ガラスフリットの平均粒径は、０．５〜５戸程度
であることが好ましい。

本発明の導電粒子には、ルテニウム酸鉛および／または
酸化ルテニウムと、ルテニウム酸ビスマスとを用いる。

ルテニウム酸鉛としては、 Ｐ　ｂ　ｘ　Ｒ　ｕ　ｘ　Ｏ　ａ．ｓおよびこれから多
少偏荷した組成の金属酸化物が好ましい。

酸化ルテニウムとしては、Ｒ　ｕ　Ｏ　ｘおよびこれか
ら多偏荷した組成の金属酸化物が好ましい。

ルテニウム酸ビスマスとしては、 Ｂｉｔ　Ｒｕｇ　Ｏｔおよびこれから多少編荷した組成
の金属酸化物が好ましい。

この場合、各金属酸化物の重量比ｙ＝（ルテニウム酸鉛
十酸化ルテニウム）／（ルテニウム酸鉛＋酸化ルテニウ
ム＋ルテニウム酸ビスマス）、得られる抵抗値をＸΩ／
□，Ｘの常用対数Ｘ＝βＯ　ｇ　＋。Ｘとすると、下記
Ａは、Ａ１≦３００、好まし《は　Ａ１≦２００である
。　なお、ｙは、Ｏ＜，ｙ＜１である。

Ａ　＝　−　　１００ｘ　ｙ　＋　１３５０ｙ　−　２
５０ｘただし、本発明の抵抗値Ｘの範囲は、 ５〜１０ＭΩ／□であるため、Ｘの範囲は、βＯ　ｇ　
＋。５〜７の範囲内の選択される値である。

この場合、Ｘが１０〜１０ｋΩ／□であるときわめて容
易に制｛卸することができる。

そして、ルテニウム酸鉛と酸化ルテニウムとを併用する
場合、これらの重量比ルテニウム酸鉛／酸化ルテニウム
は、７０／３０以上、さらに７　０／３　０〜９８／２
．特に９０／ｔｏ〜９８／２であることが好ましい。

本発明では、所望するＸに対しｙを前記範囲内の値とす
ることにより、約１０００℃以下の温度で基板と同時焼
成してもきわめて小さい抵抗温度係数ＴＣＰを有する厚
膜抵抗体層を得ることができる。

具体的には、ＩＡＩ≦３００．特に Ａ　≦２００では、ＴＣＲを−５５〜１２５℃で、−　
３　０　０〜３　０　０ｐｐｍ／ｄｅｇ程度、より好ま
しくは−２００〜２００ｐｐｍ／ｄｅｇ程度とすること
ができる。

通常厚膜抵抗体層は、ＴＣＲが−３００ｐｐｍ／ｄｅｇ
未満、あるいは３　０　０　ｐｐｍ／ｄｅｇをこえると
その他の特性、例えば電圧特性（ＶＣＲ）にも悪影響を
及ぼしてしまい、回路設計上問題となる。

ところで、本発明の導電粒子としては、ルテニウム酸鉛
および／または酸化ルテニウムと、ルテニウム酸ビスマ
スとを、通常別粒子として添加し、混合して用いるが、
複合酸化物として用いてもよい。　あるいは、一部が複
合酸化物であってもよい。

さらには、必要に応じ、焼成によってこれらの金属酸化
物となりつる化合物を添加して用いてもよい。

？のような導電粒子の平均粒径は、０．０１〜５一程度
であることが好ましい。

また、導電粒子としては前記のルテニウム酸鉛、酸化ル
テニウムおよびルテニウム酸ビスマス以外にもパイ口ク
ロール化合物と称されるＣ　ｄ　Ｂ　ｉ　Ｒ　ｕ　ｚ　
Ｏ　？　．　Ｎ　ｄ　Ｂ　ｉ　Ｒ　ｕ　ｘ　Ｏ　ｔ、Ｂ
ｉ　ＩｎＲｕａ　Ｏ？　．Ｂｉｔ　ＩｒＲｕＯｔ、Ｇｄ
Ｂ　ｉ　Ｒｕａ　　Ｏｔ　　　ＢａＲｕＯｓＢ　ａ　ｚ
　　Ｒ　ｕ　Ｏ　４　　．　Ｓ　ｒ　Ｒ　ｕ　Ｏ　ｓＣ
　ａ　Ｒ　ｕ　Ｏ　ｓ　　．　Ｃ　ｏ　ｘ　　Ｒ　ｕ　
Ｏ　４ＬａＲｕＯｉ　．ＬｉＲｕＯｓ等のルテニ″ウム
化合物、ＳｎＯ■．ＬａＢｅ系等を導電粒子全体の２０
重量％程度以下含有していてもよい。

本発明では、導電粒子とガラスフリットとの重量比は、
必要とされる抵抗値Ｘ等に応じて適宜決定されるが、重
量比ガラスフリット／導電粒子は、９０／１０〜２　０
／８　０であることが好ましい。

このようなガラスフリット／導電粒子をかえることによ
り抵抗値Ｘが変化するが、所望のＸと、上記式とから導
出される範囲（　ｙ　ｅ−＋ｃ）内にてｙを選択し、上
記範囲内にてガラスフリット量を変更することによって
、所望のＸにて、絶対値約３　０　０　ｐｐｍ／ｄｅｇ
以下，好ましくは約２　０　０　ｐｐｍ／ｄｅｇ以下の
ＴＣＲとすることができる。

なお、重量比が前記範囲未満では導電粒子過多のため導
電粒子が接触し合い、抵抗値の制御ができなくなり、さ
らに金属的な温度特性（ＴＣＰ＞＞０）を示すことにな
る。

前記範囲をこえるとガラスが多すぎるため、導電粒子が
導電ネットワークを形成できず、絶縁化してしまう。

ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポリビニルブチ
ラール、メタクリル樹脂、プチルメタアクリレート等の
アクリル系樹脂等のバインダー、テルビネオール、プチ
ルカルビトール、プチルカルビトールアセテート、アセ
テート、トルエン、アルコール、キシレン等の溶剤、そ
の他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げられ、これら
のうち任意のものが目的に応じて適宜添加される。

この場合、ビヒクルの添加量は、導電粒子とガラスフリ
ットの合計量１００重量部に対し、２０〜６０重量部程
度であることが好ましい。

本発明の抵抗体ペーストは、印刷法、転写法、グリーン
シ一ト法等により或膜され、その後焼戊される。　焼結
温度はｔｏｏｏ℃以下、特に８００〜１　０００℃、さ
らには８５０〜９００℃とされる。

また、焼結時間は１〜３時間程度とし、最高温度にてｌ
Ｏ〜１５分間程度保持する。　焼結雰囲気は空気中で行
うことができる。

このような焼結により、本発明の厚膜抵抗体層が得られ
る。　この場合、焼或厚みは、５〜２０Ｍ程度であるこ
とが好ましい。

なお、厚膜抵抗体層の形成は、基板と一体同時焼結して
行うことが好ましいが、基板を焼成後、基板上に印刷な
いし配置し、後から焼結してもよい。

次に、本発明の配線基板と、その製造方法について、多
層配線基板を例にとり説明する。

例えば、グリーンシ一ト法を用いる場合は、まず、基板
材料となるグリーンシ一トを作製する。

即ち、下記基板の構成材料を混合し、これにバインダー
、溶剤等のビヒクルを加え、これらを〆昆練してペース
ト（スラリー）とし、このペーストを例えばドクターブ
レード法、押し出し法により、好ましくは０．１〜１．
０ｍ＋ｎ程度の厚さのグリーンシ一トを所定枚数作製す
る。

基板の構成材料としては、導体ペースト、低抗体ペース
ト等とともに同時焼成可能なものであり、例えば、アル
ミナーホウケイ酸ガラス、アルミナー鉛ホウケイ酸ガラ
ス、アルミナーホウケイ酸バリウムガラス、アルミナー
ホウケイ酸カルシウムガラス、アルミナーホウケイ酸ス
トロンチウムガラス等の酸化物骨材とガラスとを含む低
４焼結材料が好ましい。

この場合、ガラスの粒径は、０．１〜５一程度、アルミ
ナの粒径は、１〜８一程度であることが好ましい。

このような基板材料において、ガラスの含有率は、通常
５５〜７５重量％程度であることが好ましい。

ビヒクルとしては、前記と同様に、任意のちのが目的に
応じて適宜添加される。

なお、基板材料の好適例としては、本願出願人により開
示された特願昭６２−２１５２４２号公報に記載のもの
が挙げられる。

次に、前記グリーンシ一トにパンチングマシーンや金型
ブレスを用いてスルーホールを形成する。　その後、導
体ペーストを各グリーンシ一ト上に例えばスクリーン印
刷法により１０〜３０一程度の厚さに印刷し、所定パタ
ーンの内部および外部導体層を形成するとともにスルー
ホール内に充填する。

そして、前述した本発明の抵抗体ペーストを例えばスク
リーン印刷法等により１０〜３０一程度の厚さに印刷し
、抵抗体ペースト層を形成する。

また、必要に応じ、導体ペースト層および抵抗体ペース
ト層上に、導体ペースト層の外部導体との接合部を残し
てこれらを被覆するオーバーコート層を設けてもよい。

　このオーバーコート層の形或は、後述するトリミング
の後に行ってもよい。

導体ペースト層および抵抗体ペースト層の印刷，形成は
、寸法が一定した未焼成のグリーンシ一トに対して行な
われるため、それらの印刷版は１つのチップサイズに対
しｌ種類でよく、後焼成を行う場合のように多種類のも
ののうちから適切な寸法のものを選択して使用する必要
がない。

なお、導体ペースト層と抵抗体ペースト層の形成順序は
、いずれが先でもよい。

導体ペースト層および抵抗体ペースト層を印刷、形成し
た後は、それらの表面を必要に応じて平滑化（グレーズ
処理）する。　なお、この工程は、焼成、トリミング後
に行われる場合もある。

このような導体ペーストは、導体層の基本組成となる金
属粒子と、ガラスフリットとを漬合し、これに前記と同
様のバインダー、溶剤等のビヒクルを加え、これらを混
練してスラリー化することにより得られる。

金属粒子としては、例えば、ＡｇまたはＡＪ系合金、Ａ
．　ｕまたはＡｕ系合金、Ｐｄ，Ｎｊ、Ｃｕ等を挙げる
ことができ、これらのうち一種または二種以上を添加す
ることができる。

Ａｇ系合金の例としては、Ａｇと所望の金属との２元系
またはそれ以上の合金として、好まし《は３０重量％以
下のＰｄを含むＡｇ−Ｐｄ合金、好ましくは２０重量％
以下のＰｄと１０重量％以下のｐｔとを含むＡｇ−Ｐｄ
−Ｐｔ合金、好ましくは１５重量％以下のｐｔを含むＡ
ｇ−Ｐｔ合金等を挙げることができる。

Ａｇ−Ｐｄ系合金を主体とする導体層は、耐マイグレー
ション性、耐湿性に優れるという特性を有するため、外
部導体層として好ましい。

なお、上記金属粒の含有率は、８０〜９５重量％程度が
好ましい。

また、金属粒子の平均粒径は、０．０１〜５一程度であ
ることが好ましい。

導体ペーストに含有されるガラスフリットには、前記の
ガラスフリットを用いることができ、抵抗体ペーストに
用いるガラスフリットと同様のものが好適である。

抵抗体ペーストには、前記の本発明の抵抗体ペーストを
用いる。

なお、オーバーコート層としては、前記ガラスおよびそ
れらの混合物等のガラスを挙げることができる。

次に、各グリーンシ一トを重ね合わせ、約４０〜１２０
℃、５　０　〜１　０　０　０　ｋｇｆ／ｃｍ”程度で
熱プレスを用い、グリーンシ一トの積層体とする。　こ
の場合、必要に応じ脱バインバー処理、切断用溝の形或
等を行う。

その後、グリーンシ一トの積層体を下記の条件で同時焼
成する。

焼結温度は、１　０００℃以下、好ましくは８００〜１
　０００℃程度、さらに好ましくは８５０〜９００℃程
度とする。

焼結時間は、１〜３時間程度、最高温度での保持時間は
、１０〜１５分間程度が好適である。

焼結雰囲気としては、空気、０２．Ｎ．等の不活性ガス
等を挙げることができるが、特に、簡易で、低コストで
あるという点で空気が好ましい。

このようにして、内、外部導体層や厚膜低抗体層が形成
された多層配線基板を得る。

なお、配線基板の構造については、公知の種々のもので
あってよい。

また、誘電体層等も同時焼結により、あるいは、後から
焼結して形成し、コンデンサ内蔵型の配線基板としても
よい。

また、基板は、前記グリーンシ一ト法の他印刷法や転写
法等を用いて作製してもよい。

そして、必要に応じて厚膜抵抗体層に対し、抵抗値を調
整するためのトリミングを行う。

このトリミングは、レーザー加工等、通常の方法で行え
ばよい。

このトリミング後、チップ化され、所定の加工を施して
配線基板が完成する。

以上では、本発明の多層配線基板の１例について説明し
たが、本発明は、これに限定されず、単層の配線基板で
あってもよい。

さらには、厚膜抵抗体層等は、基板と同時一体焼結によ
って形成しなくても、基板焼成後に焼成してもよい。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ 平均粒径０．６６−のＰ　ｂ　２　Ｒ　ｕ　＊　Ｏ　ａ
と、平均粒径０．８１｝１１１１のＢｉ２Ｒｕｇ　Ｏｔ
の導電粒子を用意した。

これらを表１に示される重量比でｌ昆合し、平均粒径１
．９０一のガラスフリットと、重量比ガラスフリット／
導電粒子＝３７／６３にて〆昆合した。

用いたガラスフリットの組成は下記のとおりである。

Ｓｉｎ．　　　：５３重量％ ／’Ｒ！２０ｓ：１１．０重量％ Ｂ２０，　　　：　　４．２重量％ ＣａＯ　　　：１２．６重量％ ＢａＯ　　　：１７重量％ ＳｒＯ　　　：　　０．２重量％ ＭｇＯ：２、Ｏ重量％ これら１００重量部に対しビヒクルを４０重量部添加し
て、ボールミルで混合し、スラリー化して抵抗体ペース
トを製造した。

なお、ビヒクルには、バインダーとしてアクリル系樹脂
、溶剤としてトルエン、アルコールを用いた。

また、下記の基板の構成材料を混合し、これに前記ビヒ
クルを加えペーストとした。

ガラス（平均粒径１．９ｕａ＋）６０重量％Ｓｉｎｇ　
　　：５２．２重量％ ＡＱｔ　０３　　：１１．４重量％ Ｂ．Ｏ．　　　：　　３．９重量％ ＳｒＯ　　　：２７．６重量％ ＣａＯ　　　：　　３．１重量％ ＭｇＯ　　　：　　１．８重量％ Ａβ２０，（平均粒径３．５ｕ）４０重量％このペース
トをドクターブレード法にて厚さ０．２ｍｍのグリーン
シ一トとした。

次に、グリーンシ一ト上に抵抗体ペースト層を厚さ２０
一に形成した。

これらを９００℃で．１０分間保持し、同時一体焼結し
た。　そして、焼成厚みが１３４の本発明の厚膜抵抗体
層サンプルＮｏ．　　１を得た。

ＢｉａＲｕａＯｔの含有比をかえた比較サンプルＮｏ．
　　２〜Ｎｏ．　　５も製造した。

これらの各サンプルの抵抗値ＸΩ／□と、２５〜１２５
℃での抵抗温度係数ＴＣＲｐｐｍ／ｄｅｇを測定した。

結果は表１に示されるとおりである． なお、表ｌには、実際の重量比 ｙ＝Ｐｂｓ　Ｒｕｇ　Ｏａ．ｓ／（Ｐｂｚ　Ｒｕ２０ａ
．ｓ十Ｂ　ｉ！　Ｒｕｇ　０７　）のほか、下記式から
求まる本発明のｙの範囲ｙｃａｆｅも併記した。

式 −ｌｏｏｘ　ｙ　＋　１３５０ｙ　−　２５０　　ｘ　
　　≦３００ただしＸ＝βＯｇ＋。Ｘ，０＜ｙ＜１であ
る。

また、Ｐｂａ　Ｒｕｚ　Ｏａ．ｓと 実施例２ 実施例１において、重量比ガラスフリット／導電粒子＝
　３　２／６　８としたほかは同様とし、サンプルＮｏ
．　６〜Ｎｏ．１０を製造し、同様の測定を行った。

結果は表２に示されるとおりである。

表１、２より明らかなようにｙの値が３’　ｅａｓｅの
範囲内である本発明のサンプルＮｏ．　　１とＮｏ．　
６は、−　２　０　０　〜２　０　０ｐｐｍ／ｄｅｇの
ＴＣＲが得られた。

これに対し、ｙの値が３’ｃａ＋ｃの範囲外である比較
サンプルＮＯ．２〜ＮＯ．５、ＮＯ，７〜Ｎｏ．１０は
、ＴＣＲが−３　０　０　ｐｐｍ／ｄｅｇ未満あるいは
３　０　０　ｐｐｍ／ｄｅｇをこえる値であり、厚膜抵
抗体層としては、使用上問題がある。

実施例３ 実施例１および２でＰｂ−　Ｒｕ２０．．．を平均粒径
０．６６ＰのＲ　ｕ　Ｏ　２にかえて同様の測定を行っ
たところ同様の結果が得られた。

例えば、重量比ガラスフリット／導電粒子＝３　７／６
　３、ｙ＝０．８、Ｘ＝２６０００／口のとき、Ｔ　Ｃ
　Ｐ　＝　−　５　０　ｐｐｍ／ｄｅｇであった。

なお、このときの’／　＋．ａ＋ｃの範囲は、０．５５
≦ｙｃｍ＋ｃ＜１である。

実施例４ 実施例１および２でＰｂｚ’ＲｕｚＯａ．ｓのかわりに
平均粒径０．６６−の Ｐｂ＊　Ｒｕｇ　Ｏｓ．ａと平均粒径０．６６−のＲｕ
Ｏ−とを併用して用いた。　この場合重量比Ｐｂｉ　Ｒ
ｕｇ　Ｏｓ．ｓ　／ＲｕＯｉは、９５／５とした。

そして、実施例１および２と同様の測定を行ったところ
同様の結果が得られた。

例えば、重量比ガラスフリット／導電粒子＝３　７／６
　３、ｙ＝０．８、Ｘ＝２２００Ω／□のとき、Ｔ　Ｃ
　Ｒ　＝　−　３　０　ｐｐｍ／ｄｅｇであった。

なお、このときの：Ｊ　ｃａ＋ｅの範囲は，０．５３≦
ｙ　ｅ−＋ｃ＜　１である。

〈発明の効果〉 本発明の抵抗体ペーストを用いると、 １０００℃以下の温度で基板や導体ペースト等と同時に
焼成しても発泡や基板の反りを防止することができる。

そして、同時一体焼成された厚膜抵抗体層の特性として
、−５５〜１２５℃で約−３００〜３　０　０　ｐｐｍ
／ｄｅｇ　．好ましくは約−２００〜２　０　０　ｐｐ
ｍ／ｄｅｇの抵抗温度係数ＴＣＲを得ることができる。

また、本発明の抵抗体ペーストは、同時焼成が可能であ
るため、精度や信頼性の高い配線基板を実現することが
できる。

そして、導体ペースト層や抵抗体ペースト層の形成を一
種類の印刷板等で行うことができる。

このため後焼成を行う場合のように基板のサイズに拘束
されることがなく、また、製造工程も減少し、生産性や
歩留りが向上する。

さらに本発明の製造方法では、１　０００℃以下の温度
で同時焼成を行うため、設備等の低コスト化を図ること
ができる。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガラスフリットと、導電粒子と、ビヒクルとを含
   有する抵抗体ペーストであって、 前記ガラスフリットが、軟化点１０００℃以下であり、
   前記導電粒子には、ルテニウム酸鉛および／または酸化
   ルテニウムと、ルテニウム酸ビスマスとを含有し、重量
   比ｙ＝（ルテニウム酸鉛＋酸化ルテニウム）／（ルテニ
   ウム酸鉛＋酸化ルテニウム＋ルテニウム酸ビスマス）（
   ただし０＜ｙ＜１）が、抵抗値ＸΩ／□ （ただしｘは５〜１０＾７Ω／□）の常用対数ｘ：ｌｏ
   ｇ＿１＿０Ｘと下記式で示される関係をもつことを特徴
   とする抵抗体ペースト。 式｜−１００ｘｙ＋１３５０ｙ−２５０ｘ｜≦３００
2. （２）前記ガラスフリットと、導電粒子の重量比ガラス
   フリット／導電粒子が、９０／１０〜２０／８０である
   請求項１に記載の抵抗体ペースト。
3. （３）請求項１または２に記載の抵抗体ペーストを焼成
   したことを特徴とする厚膜抵抗体層。
4. （４）基板上に導体層と、請求項３に記載の厚膜抵抗体
   層とを積層したことを特徴とする配線基板。
5. （５）基板材料に、導体ペーストと、請求項１または２
   に記載の抵抗体ペーストとを配置し、１０００℃以下に
   て同時一体焼成することを特徴とする配線基板の製造方
   法。