JPS60103075A - セラミツク基板用組成物 - Google Patents
セラミツク基板用組成物Info
- Publication number
- JPS60103075A JPS60103075A JP58203717A JP20371783A JPS60103075A JP S60103075 A JPS60103075 A JP S60103075A JP 58203717 A JP58203717 A JP 58203717A JP 20371783 A JP20371783 A JP 20371783A JP S60103075 A JPS60103075 A JP S60103075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- glass frit
- powder
- present
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、抵抗、導体等の電子回路を多層に形成する多
層配線基板に好適なセラミック組成物に関する。
層配線基板に好適なセラミック組成物に関する。
回路を多層に形成する電子部品としては、アルミナ基板
等の如く予め焼結によって形成さ、11゜た基板上に回
路、絶縁層を交互に印刷しこり、を焼成することによっ
て製造する第1のタイプのものと、未焼結のセラミック
基板に回路を印刷し、互に回路が接触しないようこれを
積層し、プレスした後焼結して製造する第2のターfグ
のものがある。第1のタイプのものは、回路の影響によ
ってその上に形ノ戊する絶縁層に凹凸を生じ、それは上
層根太さくなる。この凹凸が大さくなるとこれに次の回
路を印刷することはケ11−かしくなシ、これが積層数
の1つの律則となっている。通常第1のタイプのものは
5〜6層が限度とされている。
等の如く予め焼結によって形成さ、11゜た基板上に回
路、絶縁層を交互に印刷しこり、を焼成することによっ
て製造する第1のタイプのものと、未焼結のセラミック
基板に回路を印刷し、互に回路が接触しないようこれを
積層し、プレスした後焼結して製造する第2のターfグ
のものがある。第1のタイプのものは、回路の影響によ
ってその上に形ノ戊する絶縁層に凹凸を生じ、それは上
層根太さくなる。この凹凸が大さくなるとこれに次の回
路を印刷することはケ11−かしくなシ、これが積層数
の1つの律則となっている。通常第1のタイプのものは
5〜6層が限度とされている。
これに対し、第2のタイプのものは、回、路の印刷(は
常に平面に近い状態の基板に対して行なうため第1のタ
イプのような律則はなく積層数の大きなものを製造する
ことができ、それたけ高密度の集積が行なえる。
常に平面に近い状態の基板に対して行なうため第1のタ
イプのような律則はなく積層数の大きなものを製造する
ことができ、それたけ高密度の集積が行なえる。
この第2のタイプの基板に使用するセラミノり組成物と
しては、A1゜03粉末と16wt%以下のガラス粉末
を有機バインダーで固定したものがある。
しては、A1゜03粉末と16wt%以下のガラス粉末
を有機バインダーで固定したものがある。
しかしながら、これら従来のものは、焼結温度が150
0℃〜1600℃と極めて高いので、回路を構成する材
料もか\る焼結温度で劣化しないW 、 Mo 等の高
価なものを使用しかつ還元雰囲気で焼成する必要がある
ので作業性が劣った。
0℃〜1600℃と極めて高いので、回路を構成する材
料もか\る焼結温度で劣化しないW 、 Mo 等の高
価なものを使用しかつ還元雰囲気で焼成する必要がある
ので作業性が劣った。
本発明は、か\る第2のタイプの基板用セラミックの具
有する難点を解決するために研究した結果なされたもの
で、多層配線基板に好適な特に1000℃以下と極めて
低い温度で焼成できるセラミック組成物の提供を目的と
する。
有する難点を解決するために研究した結果なされたもの
で、多層配線基板に好適な特に1000℃以下と極めて
低い温度で焼成できるセラミック組成物の提供を目的と
する。
即ち、本発明は重量%表示で
ガラスフリット 25〜65
A1□03粉末 0〜60
2Mg0・SiO□粉末 5〜60
セラミック基板用組成物である。
本発明による組成物は、前述の如(1000℃以下と極
めて低い温度で焼結できるため、作業性が優れている上
、回路(材料としても厚、膜技oトfで広く使用されて
いるA會、Ag Pd、Ni’、C++等のペーストが
適用できるため、それらの入手が容易になる。またり1
1結体は多層配線基板として要求される次の物性を満足
する。即ち、曲は強度が犬き1いこと、熱伝〕淳率が良
いこと、誘電率が小きいとと、絶k 区抗が大きいこと
、回路材料を劣化ぜぜないこと、耐湿性に優れること等
である。
めて低い温度で焼結できるため、作業性が優れている上
、回路(材料としても厚、膜技oトfで広く使用されて
いるA會、Ag Pd、Ni’、C++等のペーストが
適用できるため、それらの入手が容易になる。またり1
1結体は多層配線基板として要求される次の物性を満足
する。即ち、曲は強度が犬き1いこと、熱伝〕淳率が良
いこと、誘電率が小きいとと、絶k 区抗が大きいこと
、回路材料を劣化ぜぜないこと、耐湿性に優れること等
である。
本発明の組成物における限定理由は以下の通シである。
ガラスフリットが25重−肝%より少々いと焼結温度が
高くなシ、本発明の目的である低温1隻での焼結を行う
ことが難かしい。一方ガラスフリットが600重量%越
えると焼結体の曲げ強度及び耐湿性が低下し好捷しくな
い。ガラスフリットは上記範囲中60〜50重量係の範
囲がより望ましい。
高くなシ、本発明の目的である低温1隻での焼結を行う
ことが難かしい。一方ガラスフリットが600重量%越
えると焼結体の曲げ強度及び耐湿性が低下し好捷しくな
い。ガラスフリットは上記範囲中60〜50重量係の範
囲がより望ましい。
Al2O3粉末は必須成分ではないが添加するととによ
シ、焼結体の熱伝導率が犬きくな9係層配線基板とした
ときの放熱性がよくなると共に、誘電圧接が小さくなる
ので高周波用には特に望ましい。
シ、焼結体の熱伝導率が犬きくな9係層配線基板とした
ときの放熱性がよくなると共に、誘電圧接が小さくなる
ので高周波用には特に望ましい。
しかしながら60チを越えるA1□03粉末の添加は、
焼結温度が高くなジ好ましくない。望ましくは上記範囲
中10〜50重量%である。
焼結温度が高くなジ好ましくない。望ましくは上記範囲
中10〜50重量%である。
2 Mg O” 3102は、5重量%よシ少ないと焼
結体がモロくなると共に耐湿性が低下するので好ましく
なく、60重量%を越えると焼結温度が高くなり、好ま
しくない。2Mg0−3iO□は上記範囲中5〜50%
の範囲がより望ましい。
結体がモロくなると共に耐湿性が低下するので好ましく
なく、60重量%を越えると焼結温度が高くなり、好ま
しくない。2Mg0−3iO□は上記範囲中5〜50%
の範囲がより望ましい。
本発明における上記ガラスフリットとしては、誘電率が
低く、2 MgO−3i02及びA1□03と曲げ強度
耐湿性に優れた焼結体を形成する点で次の組成を有する
ものが好ましい。即ち重量係と表示で 5i02 40〜70 A 12034〜15 B20315〜35 BaO05〜 15 Na20+に20+Li2O0〜5 PbO+ZnOO〜 1 0 CaO+MgO+Sr0 0〜10 の組成を有フーるものでりる。この組成の限定理由は次
のとおシである。
低く、2 MgO−3i02及びA1□03と曲げ強度
耐湿性に優れた焼結体を形成する点で次の組成を有する
ものが好ましい。即ち重量係と表示で 5i02 40〜70 A 12034〜15 B20315〜35 BaO05〜 15 Na20+に20+Li2O0〜5 PbO+ZnOO〜 1 0 CaO+MgO+Sr0 0〜10 の組成を有フーるものでりる。この組成の限定理由は次
のとおシである。
5102 が40%より少在いとD″11結体11J、
率が太とくなり過註゛、70%ケ越えると焼結2′11
冒則が高くなり過ぎいずitも好祉しくない。より望ま
しくは45〜65俤の小a1用である。
率が太とくなり過註゛、70%ケ越えると焼結2′11
冒則が高くなり過ぎいずitも好祉しくない。より望ま
しくは45〜65俤の小a1用である。
A 1203は4%より少ないと焼結体の耐湿性が劣り
、15係を越えるとガラスフリット¥!造11jlに失
透を生ずる恐れがありいずれも好丑しくろ。
、15係を越えるとガラスフリット¥!造11jlに失
透を生ずる恐れがありいずれも好丑しくろ。
い。より望ましくは5〜16%の範囲である。
B2O3はフラックスであり、15チより少ないと焼結
温度が高くなり過き、35%を越えるとガラスが化学的
安定性が低下し好址しくない。
温度が高くなり過き、35%を越えるとガラスが化学的
安定性が低下し好址しくない。
より望ましくは18〜32係の範:ノ1」である。
BaOは、ガラスフリット製造時のM融性を向上する作
用がある。0.5係より少ないとその幼果が少なく、1
5%を越えると焼結体の誘電率が犬きくなり過ぎる。
用がある。0.5係より少ないとその幼果が少なく、1
5%を越えると焼結体の誘電率が犬きくなり過ぎる。
Na2O、に20 、Li2Oはガラスフリット製造時
の溶融性を向上する作用があるが、総量で5%を越える
と焼結体の電気抵抗値が低下(−好ましくない。
の溶融性を向上する作用があるが、総量で5%を越える
と焼結体の電気抵抗値が低下(−好ましくない。
PbO,ZooはNa2O等と同様ガラスの溶融性を向
上するが、総量で10多を越えると誘電率が高くなり過
ぎる。
上するが、総量で10多を越えると誘電率が高くなり過
ぎる。
Ca、O,MgO,SrOは化学的安定性を向上するが
総量で10を越えると誘電率が高くなジ過ぎる。
総量で10を越えると誘電率が高くなジ過ぎる。
本発明においてガラスフリット等の各粉末の粒径は特に
限定されず05〜5μ程度のものが使用される。
限定されず05〜5μ程度のものが使用される。
本発明の組成物は、各粉末が上記割合にて混合されてい
るものであるが、それを使用した多層配線基板は例えば
次のようにして製造される。
るものであるが、それを使用した多層配線基板は例えば
次のようにして製造される。
本発明の組成物に有機バインダー、可塑剤溶剤欠添加し
混練してペーストを生成する。この有機バインダーとし
ては、ポリビニールブチラール、可塑剤としては)2タ
ル酸ジオクナル、ポリエチレングリコール、浴剤として
はトルエン。
混練してペーストを生成する。この有機バインダーとし
ては、ポリビニールブチラール、可塑剤としては)2タ
ル酸ジオクナル、ポリエチレングリコール、浴剤として
はトルエン。
アルコール等いず九も常用さhていωものが使用できる
。
。
次いでこのペーストを/−トにta形し、史Vこ60〜
80℃程度の温j比で乾燥することにJ:9未焼結のノ
ート、いわゆるグリーンノートが形成される。次いで、
このグリーンシートの片((+jに厚膜法により所定の
回路を印刷した後、績〕1′・jする。次いでこれをプ
レスして一体とした後、焼成し、グリーンシート及び回
路を一焼結する。
80℃程度の温j比で乾燥することにJ:9未焼結のノ
ート、いわゆるグリーンノートが形成される。次いで、
このグリーンシートの片((+jに厚膜法により所定の
回路を印刷した後、績〕1′・jする。次いでこれをプ
レスして一体とした後、焼成し、グリーンシート及び回
路を一焼結する。
かぐして製造されたものは、回路が絶縁基板を介して多
層に積層さノL/こものとなる。
層に積層さノL/こものとなる。
実施例
ガラスフリット、A1□OJ粉末+ 2 M 170−
F; + 02粉末がM世襲表示で表1の組成Vζなる
ように9種類の本発明による組成物′f:調合した。尚
こi″1゜に使用したガラスフリットの組成は重量襲で
5i02 45 、Al2O310、B20335.E
aOi 0からなっていた。次いでこれに有機バインダ
ーとしてポリビニールブチラール、可塑剤としてフタル
酸ジオクチル及びポリエチレングリコール並びに溶剤と
してトルエン及びアルコールを添加し混練して粘度1o
ooo〜30000cpsのペーストを作成した。次い
でこのペース)・を約0.5 am厚のシートにした後
60〜80℃で約2時間乾燥した。次いでこのシートを
300℃/hrの速度で昇温し最終的には同表に記載の
焼成温度で1時間′Ik、byニジ焼結シートを製造し
た。
F; + 02粉末がM世襲表示で表1の組成Vζなる
ように9種類の本発明による組成物′f:調合した。尚
こi″1゜に使用したガラスフリットの組成は重量襲で
5i02 45 、Al2O310、B20335.E
aOi 0からなっていた。次いでこれに有機バインダ
ーとしてポリビニールブチラール、可塑剤としてフタル
酸ジオクチル及びポリエチレングリコール並びに溶剤と
してトルエン及びアルコールを添加し混練して粘度1o
ooo〜30000cpsのペーストを作成した。次い
でこのペース)・を約0.5 am厚のシートにした後
60〜80℃で約2時間乾燥した。次いでこのシートを
300℃/hrの速度で昇温し最終的には同表に記載の
焼成温度で1時間′Ik、byニジ焼結シートを製造し
た。
この焼結ノートについて誘電率、誘電圧接、熱膨張率、
耐湿性を測定しその結果を同表に併記した。尚同表の耐
湿性の○印はioo℃の湯に2時間浸漬した際の重量減
少が1%未満のもので、X印はその重量減少が1%以上
あったものを示す。
耐湿性を測定しその結果を同表に併記した。尚同表の耐
湿性の○印はioo℃の湯に2時間浸漬した際の重量減
少が1%未満のもので、X印はその重量減少が1%以上
あったものを示す。
一方、比較例として本発明の組成物以外のもの5種類を
製造し同様の方法で焼結シートを製造し同様の特性を測
定した。それらの組成及び同表よジ明らかなように本発
明による組成物は1000℃の低温度で焼結でき、耐湿
性に優れる。また、誘電率はA1□Osの約10に比べ
て小さくδ電正接、熱膨張率も、多層基板として充分な
特性を有する。
製造し同様の方法で焼結シートを製造し同様の特性を測
定した。それらの組成及び同表よジ明らかなように本発
明による組成物は1000℃の低温度で焼結でき、耐湿
性に優れる。また、誘電率はA1□Osの約10に比べ
て小さくδ電正接、熱膨張率も、多層基板として充分な
特性を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 重量%表示で ガラスフリット 25〜65 A’120s粉末 0〜60 2Mg○・5i02粉末 5〜60 からなるセラミック基板用組成物。 2 前記ガラスフリットは重量%表示で5i02 40
〜70 A120 4〜15 B203’ 15〜35 BaOO,5−15 から構成されている特許請求の範囲第1項記載の組成物
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58203717A JPS60103075A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | セラミツク基板用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58203717A JPS60103075A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | セラミツク基板用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60103075A true JPS60103075A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16478680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58203717A Pending JPS60103075A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | セラミツク基板用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60103075A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6221754A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-30 | 富士通株式会社 | アルミナ−ほうけい酸ガラス複合体の強化方法 |
JPS6247196A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層基板 |
US4755490A (en) * | 1986-04-18 | 1988-07-05 | Tektronix, Inc. | Low firing temperature ceramic materials |
EP0341750A2 (en) * | 1988-05-13 | 1989-11-15 | Gte Products Corporation | Arc tube and high pressure discharge lamp including same |
US5212121A (en) * | 1990-06-13 | 1993-05-18 | Mitsui Mining Company, Limited | Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates |
US5821181A (en) * | 1996-04-08 | 1998-10-13 | Motorola Inc. | Ceramic composition |
EP1964818A2 (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-03 | Corning Incorporated | Method for making microfluidic devices |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5399209A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-30 | Fujitsu Ltd | Method of making ceramics |
JPS5765604A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Dielectric porcelain material |
JPS57103206A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Tdk Electronics Co Ltd | Dielectric material |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58203717A patent/JPS60103075A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5399209A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-30 | Fujitsu Ltd | Method of making ceramics |
JPS5765604A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Dielectric porcelain material |
JPS57103206A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Tdk Electronics Co Ltd | Dielectric material |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6221754A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-30 | 富士通株式会社 | アルミナ−ほうけい酸ガラス複合体の強化方法 |
JPS6247196A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層基板 |
JPH0369197B2 (ja) * | 1985-08-26 | 1991-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
US4755490A (en) * | 1986-04-18 | 1988-07-05 | Tektronix, Inc. | Low firing temperature ceramic materials |
EP0341750A2 (en) * | 1988-05-13 | 1989-11-15 | Gte Products Corporation | Arc tube and high pressure discharge lamp including same |
US5212121A (en) * | 1990-06-13 | 1993-05-18 | Mitsui Mining Company, Limited | Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates |
US5821181A (en) * | 1996-04-08 | 1998-10-13 | Motorola Inc. | Ceramic composition |
EP1964818A2 (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-03 | Corning Incorporated | Method for making microfluidic devices |
EP1964818A3 (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-10 | Corning Incorporated | Method for making microfluidic devices |
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