JPS60103075A - セラミツク基板用組成物 - Google Patents

セラミツク基板用組成物

Info

Publication number
JPS60103075A
JPS60103075A JP58203717A JP20371783A JPS60103075A JP S60103075 A JPS60103075 A JP S60103075A JP 58203717 A JP58203717 A JP 58203717A JP 20371783 A JP20371783 A JP 20371783A JP S60103075 A JPS60103075 A JP S60103075A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
glass frit
powder
present
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58203717A
Other languages
English (en)
Inventor
高畠 満夫
次郎 千葉
国分 可紀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP58203717A priority Critical patent/JPS60103075A/ja
Publication of JPS60103075A publication Critical patent/JPS60103075A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、抵抗、導体等の電子回路を多層に形成する多
層配線基板に好適なセラミック組成物に関する。
回路を多層に形成する電子部品としては、アルミナ基板
等の如く予め焼結によって形成さ、11゜た基板上に回
路、絶縁層を交互に印刷しこり、を焼成することによっ
て製造する第1のタイプのものと、未焼結のセラミック
基板に回路を印刷し、互に回路が接触しないようこれを
積層し、プレスした後焼結して製造する第2のターfグ
のものがある。第1のタイプのものは、回路の影響によ
ってその上に形ノ戊する絶縁層に凹凸を生じ、それは上
層根太さくなる。この凹凸が大さくなるとこれに次の回
路を印刷することはケ11−かしくなシ、これが積層数
の1つの律則となっている。通常第1のタイプのものは
5〜6層が限度とされている。
これに対し、第2のタイプのものは、回、路の印刷(は
常に平面に近い状態の基板に対して行なうため第1のタ
イプのような律則はなく積層数の大きなものを製造する
ことができ、それたけ高密度の集積が行なえる。
この第2のタイプの基板に使用するセラミノり組成物と
しては、A1゜03粉末と16wt%以下のガラス粉末
を有機バインダーで固定したものがある。
しかしながら、これら従来のものは、焼結温度が150
0℃〜1600℃と極めて高いので、回路を構成する材
料もか\る焼結温度で劣化しないW 、 Mo 等の高
価なものを使用しかつ還元雰囲気で焼成する必要がある
ので作業性が劣った。
本発明は、か\る第2のタイプの基板用セラミックの具
有する難点を解決するために研究した結果なされたもの
で、多層配線基板に好適な特に1000℃以下と極めて
低い温度で焼成できるセラミック組成物の提供を目的と
する。
即ち、本発明は重量%表示で ガラスフリット 25〜65 A1□03粉末 0〜60 2Mg0・SiO□粉末 5〜60 セラミック基板用組成物である。
本発明による組成物は、前述の如(1000℃以下と極
めて低い温度で焼結できるため、作業性が優れている上
、回路(材料としても厚、膜技oトfで広く使用されて
いるA會、Ag Pd、Ni’、C++等のペーストが
適用できるため、それらの入手が容易になる。またり1
1結体は多層配線基板として要求される次の物性を満足
する。即ち、曲は強度が犬き1いこと、熱伝〕淳率が良
いこと、誘電率が小きいとと、絶k 区抗が大きいこと
、回路材料を劣化ぜぜないこと、耐湿性に優れること等
である。
本発明の組成物における限定理由は以下の通シである。
ガラスフリットが25重−肝%より少々いと焼結温度が
高くなシ、本発明の目的である低温1隻での焼結を行う
ことが難かしい。一方ガラスフリットが600重量%越
えると焼結体の曲げ強度及び耐湿性が低下し好捷しくな
い。ガラスフリットは上記範囲中60〜50重量係の範
囲がより望ましい。
Al2O3粉末は必須成分ではないが添加するととによ
シ、焼結体の熱伝導率が犬きくな9係層配線基板とした
ときの放熱性がよくなると共に、誘電圧接が小さくなる
ので高周波用には特に望ましい。
しかしながら60チを越えるA1□03粉末の添加は、
焼結温度が高くなジ好ましくない。望ましくは上記範囲
中10〜50重量%である。
2 Mg O” 3102は、5重量%よシ少ないと焼
結体がモロくなると共に耐湿性が低下するので好ましく
なく、60重量%を越えると焼結温度が高くなり、好ま
しくない。2Mg0−3iO□は上記範囲中5〜50%
の範囲がより望ましい。
本発明における上記ガラスフリットとしては、誘電率が
低く、2 MgO−3i02及びA1□03と曲げ強度
耐湿性に優れた焼結体を形成する点で次の組成を有する
ものが好ましい。即ち重量係と表示で 5i02 40〜70 A 12034〜15 B20315〜35 BaO05〜 15 Na20+に20+Li2O0〜5 PbO+ZnOO〜 1 0 CaO+MgO+Sr0 0〜10 の組成を有フーるものでりる。この組成の限定理由は次
のとおシである。
5102 が40%より少在いとD″11結体11J、
率が太とくなり過註゛、70%ケ越えると焼結2′11
冒則が高くなり過ぎいずitも好祉しくない。より望ま
しくは45〜65俤の小a1用である。
A 1203は4%より少ないと焼結体の耐湿性が劣り
、15係を越えるとガラスフリット¥!造11jlに失
透を生ずる恐れがありいずれも好丑しくろ。
い。より望ましくは5〜16%の範囲である。
B2O3はフラックスであり、15チより少ないと焼結
温度が高くなり過き、35%を越えるとガラスが化学的
安定性が低下し好址しくない。
より望ましくは18〜32係の範:ノ1」である。
BaOは、ガラスフリット製造時のM融性を向上する作
用がある。0.5係より少ないとその幼果が少なく、1
5%を越えると焼結体の誘電率が犬きくなり過ぎる。
Na2O、に20 、Li2Oはガラスフリット製造時
の溶融性を向上する作用があるが、総量で5%を越える
と焼結体の電気抵抗値が低下(−好ましくない。
PbO,ZooはNa2O等と同様ガラスの溶融性を向
上するが、総量で10多を越えると誘電率が高くなり過
ぎる。
Ca、O,MgO,SrOは化学的安定性を向上するが
総量で10を越えると誘電率が高くなジ過ぎる。
本発明においてガラスフリット等の各粉末の粒径は特に
限定されず05〜5μ程度のものが使用される。
本発明の組成物は、各粉末が上記割合にて混合されてい
るものであるが、それを使用した多層配線基板は例えば
次のようにして製造される。
本発明の組成物に有機バインダー、可塑剤溶剤欠添加し
混練してペーストを生成する。この有機バインダーとし
ては、ポリビニールブチラール、可塑剤としては)2タ
ル酸ジオクナル、ポリエチレングリコール、浴剤として
はトルエン。
アルコール等いず九も常用さhていωものが使用できる
次いでこのペーストを/−トにta形し、史Vこ60〜
80℃程度の温j比で乾燥することにJ:9未焼結のノ
ート、いわゆるグリーンノートが形成される。次いで、
このグリーンシートの片((+jに厚膜法により所定の
回路を印刷した後、績〕1′・jする。次いでこれをプ
レスして一体とした後、焼成し、グリーンシート及び回
路を一焼結する。
かぐして製造されたものは、回路が絶縁基板を介して多
層に積層さノL/こものとなる。
実施例 ガラスフリット、A1□OJ粉末+ 2 M 170−
F; + 02粉末がM世襲表示で表1の組成Vζなる
ように9種類の本発明による組成物′f:調合した。尚
こi″1゜に使用したガラスフリットの組成は重量襲で
5i02 45 、Al2O310、B20335.E
aOi 0からなっていた。次いでこれに有機バインダ
ーとしてポリビニールブチラール、可塑剤としてフタル
酸ジオクチル及びポリエチレングリコール並びに溶剤と
してトルエン及びアルコールを添加し混練して粘度1o
ooo〜30000cpsのペーストを作成した。次い
でこのペース)・を約0.5 am厚のシートにした後
60〜80℃で約2時間乾燥した。次いでこのシートを
300℃/hrの速度で昇温し最終的には同表に記載の
焼成温度で1時間′Ik、byニジ焼結シートを製造し
た。
この焼結ノートについて誘電率、誘電圧接、熱膨張率、
耐湿性を測定しその結果を同表に併記した。尚同表の耐
湿性の○印はioo℃の湯に2時間浸漬した際の重量減
少が1%未満のもので、X印はその重量減少が1%以上
あったものを示す。
一方、比較例として本発明の組成物以外のもの5種類を
製造し同様の方法で焼結シートを製造し同様の特性を測
定した。それらの組成及び同表よジ明らかなように本発
明による組成物は1000℃の低温度で焼結でき、耐湿
性に優れる。また、誘電率はA1□Osの約10に比べ
て小さくδ電正接、熱膨張率も、多層基板として充分な
特性を有する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 重量%表示で ガラスフリット 25〜65 A’120s粉末 0〜60 2Mg○・5i02粉末 5〜60 からなるセラミック基板用組成物。 2 前記ガラスフリットは重量%表示で5i02 40
    〜70 A120 4〜15 B203’ 15〜35 BaOO,5−15 から構成されている特許請求の範囲第1項記載の組成物
JP58203717A 1983-11-01 1983-11-01 セラミツク基板用組成物 Pending JPS60103075A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58203717A JPS60103075A (ja) 1983-11-01 1983-11-01 セラミツク基板用組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58203717A JPS60103075A (ja) 1983-11-01 1983-11-01 セラミツク基板用組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60103075A true JPS60103075A (ja) 1985-06-07

Family

ID=16478680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58203717A Pending JPS60103075A (ja) 1983-11-01 1983-11-01 セラミツク基板用組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60103075A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221754A (ja) * 1985-07-18 1987-01-30 富士通株式会社 アルミナ−ほうけい酸ガラス複合体の強化方法
JPS6247196A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 松下電器産業株式会社 セラミツク多層基板
US4755490A (en) * 1986-04-18 1988-07-05 Tektronix, Inc. Low firing temperature ceramic materials
EP0341750A2 (en) * 1988-05-13 1989-11-15 Gte Products Corporation Arc tube and high pressure discharge lamp including same
US5212121A (en) * 1990-06-13 1993-05-18 Mitsui Mining Company, Limited Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates
US5821181A (en) * 1996-04-08 1998-10-13 Motorola Inc. Ceramic composition
EP1964818A2 (en) * 2007-02-28 2008-09-03 Corning Incorporated Method for making microfluidic devices

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5399209A (en) * 1977-02-10 1978-08-30 Fujitsu Ltd Method of making ceramics
JPS5765604A (en) * 1980-10-08 1982-04-21 Tdk Electronics Co Ltd Dielectric porcelain material
JPS57103206A (en) * 1980-12-19 1982-06-26 Tdk Electronics Co Ltd Dielectric material

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5399209A (en) * 1977-02-10 1978-08-30 Fujitsu Ltd Method of making ceramics
JPS5765604A (en) * 1980-10-08 1982-04-21 Tdk Electronics Co Ltd Dielectric porcelain material
JPS57103206A (en) * 1980-12-19 1982-06-26 Tdk Electronics Co Ltd Dielectric material

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221754A (ja) * 1985-07-18 1987-01-30 富士通株式会社 アルミナ−ほうけい酸ガラス複合体の強化方法
JPS6247196A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 松下電器産業株式会社 セラミツク多層基板
JPH0369197B2 (ja) * 1985-08-26 1991-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd
US4755490A (en) * 1986-04-18 1988-07-05 Tektronix, Inc. Low firing temperature ceramic materials
EP0341750A2 (en) * 1988-05-13 1989-11-15 Gte Products Corporation Arc tube and high pressure discharge lamp including same
US5212121A (en) * 1990-06-13 1993-05-18 Mitsui Mining Company, Limited Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates
US5821181A (en) * 1996-04-08 1998-10-13 Motorola Inc. Ceramic composition
EP1964818A2 (en) * 2007-02-28 2008-09-03 Corning Incorporated Method for making microfluidic devices
EP1964818A3 (en) * 2007-02-28 2008-09-10 Corning Incorporated Method for making microfluidic devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0411495B2 (ja)
EP0163155B1 (en) Low temperature fired ceramics
US5210057A (en) Partially crystallizable glass compositions
JP2800176B2 (ja) ガラスセラミックス組成物
US7261841B2 (en) Thick film conductor case compositions for LTCC tape
JPS60103075A (ja) セラミツク基板用組成物
US7731812B2 (en) Thick film conductor case compositions for LTCC tape
JPS61242950A (ja) セラミツク基板用組成物
JPH0452561B2 (ja)
JPS62100454A (ja) 多層回路基板用組成物
JPS6030196A (ja) 多層回路基板の製造方法
JPH01112605A (ja) 導体ペースト組成物
JP2964725B2 (ja) セラミック基板用組成物
JPH02212336A (ja) ガラスセラミック組成物及びその用途
JPH0768065B2 (ja) ガラス被覆窒化アルミニウム焼結体およびその製法
JPH0260236B2 (ja)
JPS6243937B2 (ja)
JPS6231903A (ja) 絶縁層用材料
JPS62137895A (ja) セラミツク基板用組成物
JPS623039A (ja) 絶縁層用材料
JPH04354101A (ja) ガラスフリット、抵抗体ペーストおよび配線基板
JPH02149464A (ja) セラミックス基板
JPS61205658A (ja) 回路基板用組成物
JPH06279104A (ja) 多層配線基板用セラミック組成物
JPH0786745A (ja) 多層配線基板用セラミック組成物