JP2964725B2 - セラミック基板用組成物 - Google Patents
セラミック基板用組成物Info
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- JP2964725B2 JP2964725B2 JP3239217A JP23921791A JP2964725B2 JP 2964725 B2 JP2964725 B2 JP 2964725B2 JP 3239217 A JP3239217 A JP 3239217A JP 23921791 A JP23921791 A JP 23921791A JP 2964725 B2 JP2964725 B2 JP 2964725B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/20—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing titanium compounds; containing zirconium compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導体、抵抗体等の電子
回路を多層に形成する多層配線基板に良好なセラミック
基板用組成物に関するものである。
回路を多層に形成する多層配線基板に良好なセラミック
基板用組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、多層に回路を形成する電子部品と
しては、焼成したアルミナ基板上に回路、絶縁層を交互
に印刷し、これを焼成することによって製造する第１の
方法と、 未焼成のセラミック基板に回路を印刷し、互
いに回路が接触しないようにこれを積層し、プレスした
後、焼成して製造する第２の方法がある。
しては、焼成したアルミナ基板上に回路、絶縁層を交互
に印刷し、これを焼成することによって製造する第１の
方法と、 未焼成のセラミック基板に回路を印刷し、互
いに回路が接触しないようにこれを積層し、プレスした
後、焼成して製造する第２の方法がある。
【０００３】第１の方法のものは、回路の影響によって
その上に形成する絶縁層に凹凸が生じ、それは上層ほど
大きくなる。この凹凸が大きくなると、この上に次の回
路を印刷することは難しくなり、通常１０層前後が限度
とされている。
その上に形成する絶縁層に凹凸が生じ、それは上層ほど
大きくなる。この凹凸が大きくなると、この上に次の回
路を印刷することは難しくなり、通常１０層前後が限度
とされている。
【０００４】これに対し、第２の方法のものは、回路の
印刷は常に平面に近い状態の基板に対して行うために、
積層数の多いものを製造することができ、高密度の集積
回路形成が行える。この第２の方法の基板に使用するセ
ラミック基板組成物としては、Ａｌ2Ｏ3粉末と１５重量
％以下のガラス粉末を無機バインダーで固定したもの
や、Ａｌ2 Ｏ3−ＳｉＯ2系にＰｂやＢを混入させ低温で
焼成したものがある。
印刷は常に平面に近い状態の基板に対して行うために、
積層数の多いものを製造することができ、高密度の集積
回路形成が行える。この第２の方法の基板に使用するセ
ラミック基板組成物としては、Ａｌ2Ｏ3粉末と１５重量
％以下のガラス粉末を無機バインダーで固定したもの
や、Ａｌ2 Ｏ3−ＳｉＯ2系にＰｂやＢを混入させ低温で
焼成したものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の第２の方法のＡｌ2Ｏ3粉末と１５重量％以下のガラ
ス粉末を無機バインダーで固定したものは、焼成温度が
１４５０〜１６００℃と極めて高いので、回路を構成す
る材料もこの焼成温度で劣化しないＭｏ、Ｗ等の高価な
ものを使用し、又、還元雰囲気で焼成する必要があるの
で作業性が劣った。
来の第２の方法のＡｌ2Ｏ3粉末と１５重量％以下のガラ
ス粉末を無機バインダーで固定したものは、焼成温度が
１４５０〜１６００℃と極めて高いので、回路を構成す
る材料もこの焼成温度で劣化しないＭｏ、Ｗ等の高価な
ものを使用し、又、還元雰囲気で焼成する必要があるの
で作業性が劣った。
【０００６】Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系にＰｂやＢを１０ｗ
ｔ％以上混入させ低温で焼成したものは、温度変化に対
する静電容量の変化率（以下、ＴＣＣと記す）が大きい
という問題点があった。
ｔ％以上混入させ低温で焼成したものは、温度変化に対
する静電容量の変化率（以下、ＴＣＣと記す）が大きい
という問題点があった。
【０００７】本発明の課題は、上記従来の問題点を解決
し、極めて低い温度、すなわち７５０〜９５０℃で焼成
でき、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等のペーストを内
部電極として使用することが可能な、しかも体積固有抵
抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、
導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基
板としての諸特性を充足し、さらに、ＴＣＣが±０ｐｐ
ｍ／℃〜１００ｐｐｍ／℃と調整可能なセラミック基板
用組成物を提供することにある。
し、極めて低い温度、すなわち７５０〜９５０℃で焼成
でき、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等のペーストを内
部電極として使用することが可能な、しかも体積固有抵
抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、
導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基
板としての諸特性を充足し、さらに、ＴＣＣが±０ｐｐ
ｍ／℃〜１００ｐｐｍ／℃と調整可能なセラミック基板
用組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決した本発
明のセラミック基板用組成物は、重量％表示で、ガラス
フリット ６０〜９５％、チタン酸塩 ５〜４０％、と
からなる。前記チタン酸塩としては、ＳｒＴｉＯ3、Ｃ
ａＴｉＯ3、がある。又、前記ガラスフリットとして
は、重量％で、Ａｌ2Ｏ3 ５０〜６０％、ＳｉＯ2
２５〜３０％、ＰｂＯ ７．８〜８．３％、ＣａＯ
３．３〜３．８％、Ｂ2 Ｏ3 ２．５〜３．０％、Ｍｇ
Ｏ １．１〜１．５％、Ｎａ2Ｏ １．１〜１．５％、
Ｋ2Ｏ ０．８〜１．１％が望ましい。
明のセラミック基板用組成物は、重量％表示で、ガラス
フリット ６０〜９５％、チタン酸塩 ５〜４０％、と
からなる。前記チタン酸塩としては、ＳｒＴｉＯ3、Ｃ
ａＴｉＯ3、がある。又、前記ガラスフリットとして
は、重量％で、Ａｌ2Ｏ3 ５０〜６０％、ＳｉＯ2
２５〜３０％、ＰｂＯ ７．８〜８．３％、ＣａＯ
３．３〜３．８％、Ｂ2 Ｏ3 ２．５〜３．０％、Ｍｇ
Ｏ １．１〜１．５％、Ｎａ2Ｏ １．１〜１．５％、
Ｋ2Ｏ ０．８〜１．１％が望ましい。
【０００９】ガラスフリットが６０重量％より少ない
と、焼成温度が高くなり、本発明の課題である低温度で
の焼成を行うことが困難である。一方、ガラスフリット
が、９５重量％より多いと、焼成体の曲げ強度、及び耐
湿性が低下し好ましくない。又、ＴＣＣの調整も困難と
なる。
と、焼成温度が高くなり、本発明の課題である低温度で
の焼成を行うことが困難である。一方、ガラスフリット
が、９５重量％より多いと、焼成体の曲げ強度、及び耐
湿性が低下し好ましくない。又、ＴＣＣの調整も困難と
なる。
【００１０】ＳｉＯ2 は２５重量％より少ないと、軟化
温度が低くなり焼成時に大きな変形を生じ、３０重量％
より多いと、焼成温度が高くなり過ぎ、いずれも好まし
くない。
温度が低くなり焼成時に大きな変形を生じ、３０重量％
より多いと、焼成温度が高くなり過ぎ、いずれも好まし
くない。
【００１１】ＰｂＯは、ガラスの溶解性を向上させるた
めに、７．８重量％以上の添加が望ましい。８．３重量
％より多いと、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、焼成
時に大きな変形を生じやすく、好ましくない。
めに、７．８重量％以上の添加が望ましい。８．３重量
％より多いと、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、焼成
時に大きな変形を生じやすく、好ましくない。
【００１２】ＣａＯは、ガラスフリット製造時の、溶融
性の向上、及びガラスの熱膨張係数を調整する目的で添
加する。３．３重量％より少ないと、上記溶融性が向上
せず、フリット製造時に失透を生じやすい。３．８重量
％より多いと、熱膨張係数が大きくなり過ぎ、いずれも
好ましくない。
性の向上、及びガラスの熱膨張係数を調整する目的で添
加する。３．３重量％より少ないと、上記溶融性が向上
せず、フリット製造時に失透を生じやすい。３．８重量
％より多いと、熱膨張係数が大きくなり過ぎ、いずれも
好ましくない。
【００１３】Ｂ2Ｏ3はフラックスであり、２．５重量％
より少ないと、焼成温度が高くなり過ぎ３．０重量％よ
り多いと、ガラスの化学的安定性が低下し、いずれも好
ましくない。
より少ないと、焼成温度が高くなり過ぎ３．０重量％よ
り多いと、ガラスの化学的安定性が低下し、いずれも好
ましくない。
【００１４】ＭｇＯは、ガラスフリット製造時の、溶融
性の向上、及びガラスの熱膨張係数を調整する目的で添
加する。１．１重量％より少ないと、上記溶融性が向上
せず、フリット製造時に失透を生じやすい。１．５重量
％より多いと、熱膨張係数が大きくなり過ぎ、いずれも
好ましくない。
性の向上、及びガラスの熱膨張係数を調整する目的で添
加する。１．１重量％より少ないと、上記溶融性が向上
せず、フリット製造時に失透を生じやすい。１．５重量
％より多いと、熱膨張係数が大きくなり過ぎ、いずれも
好ましくない。
【００１５】Ｎａ2 Ｏは、ガラスの溶解性を向上させる
ために、１．１重量％以上の添加が望ましい。１．５重
量％より多いと、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、焼
成時に大きな変形を生じやすく、好ましくない。
ために、１．１重量％以上の添加が望ましい。１．５重
量％より多いと、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、焼
成時に大きな変形を生じやすく、好ましくない。
【００１６】Ｋ2 Ｏは、ガラスの溶解性を向上させるた
めに、０．８重量％以上の添加が望ましい。１．１重量
％より多いと、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ焼成時
に大きな変形を生じやすく、好ましくない。
めに、０．８重量％以上の添加が望ましい。１．１重量
％より多いと、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ焼成時
に大きな変形を生じやすく、好ましくない。
【００１７】Ａｌ2Ｏ3は、セラミックの機械的強度を向
上させるために、５０重量％以上の添加が望ましい。６
０重量％以上の添加では、焼成温度が高くなり過ぎ、好
ましくない。
上させるために、５０重量％以上の添加が望ましい。６
０重量％以上の添加では、焼成温度が高くなり過ぎ、好
ましくない。
【００１８】
【作用】この構成によって、従来に比べ極めて低い温
度、すなわち７５０℃〜９５０℃で焼成でき、厚膜技術
で広く使用されているＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等
のペーストを内部電極として適用を可能とし、又、その
焼成体は、曲げ強度が大きく、熱伝導率に優れ、誘電率
が比較的小さく、絶縁抵抗が大きく、耐熱性に優れてお
り、特に、正のＴＣＣ特性を持つガラスフリットと負の
ＴＣＣ特性を持つチタン酸塩系の焼成反応により、ＴＣ
Ｃの調整を容易にすることができる。
度、すなわち７５０℃〜９５０℃で焼成でき、厚膜技術
で広く使用されているＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等
のペーストを内部電極として適用を可能とし、又、その
焼成体は、曲げ強度が大きく、熱伝導率に優れ、誘電率
が比較的小さく、絶縁抵抗が大きく、耐熱性に優れてお
り、特に、正のＴＣＣ特性を持つガラスフリットと負の
ＴＣＣ特性を持つチタン酸塩系の焼成反応により、ＴＣ
Ｃの調整を容易にすることができる。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。
【００２０】まずガラスフリットは、重量％でＳｉＯ2
２７％、ＰｂＯ ８．１％、ＣａＯ ３．５％、Ｂ2
Ｏ3 ２．７％、ＭｇＯ １．３％、Ｎａ2 Ｏ １．３
％、Ｋ2 Ｏ １．１％の組成になるように、通常の方法
により各原料を調合し、１４００〜１５００℃の温度に
て撹拌しながら溶融し、溶融後、水砕又は、フレーク状
とし、これにＡｌ2Ｏ3 ５５重量％を添加し、ガラス
フリットを作製した。
２７％、ＰｂＯ ８．１％、ＣａＯ ３．５％、Ｂ2
Ｏ3 ２．７％、ＭｇＯ １．３％、Ｎａ2 Ｏ １．３
％、Ｋ2 Ｏ １．１％の組成になるように、通常の方法
により各原料を調合し、１４００〜１５００℃の温度に
て撹拌しながら溶融し、溶融後、水砕又は、フレーク状
とし、これにＡｌ2Ｏ3 ５５重量％を添加し、ガラス
フリットを作製した。
【００２１】次に、このガラスフリットとチタン酸塩の
ＳｒＴｉＯ3 が、それぞれ９０重量％、１０重量％にな
るように秤量し、ボールミルにて粉砕、混合し本発明の
組成物を得た。この粉砕混合した組成物に、バインダー
を１０重量％添加し造粒、成形後、９００℃にて１５分
焼成した。この焼成体の相対密度を測定したところ、９
９．９８％であったので、直径３０ｍｍ、厚み０．３５
ｍｍに加工後、Ａｇ電極を焼き付け、ＴＣＣを測定した
ところ、−２５℃〜＋８５℃にて±０ｐｐｍ／℃であっ
た。
ＳｒＴｉＯ3 が、それぞれ９０重量％、１０重量％にな
るように秤量し、ボールミルにて粉砕、混合し本発明の
組成物を得た。この粉砕混合した組成物に、バインダー
を１０重量％添加し造粒、成形後、９００℃にて１５分
焼成した。この焼成体の相対密度を測定したところ、９
９．９８％であったので、直径３０ｍｍ、厚み０．３５
ｍｍに加工後、Ａｇ電極を焼き付け、ＴＣＣを測定した
ところ、−２５℃〜＋８５℃にて±０ｐｐｍ／℃であっ
た。
【００２２】そこで、この粉砕混合した組成物に種々の
バインダーや可塑剤、溶剤を添加、混練して粘度１０ｐ
ｓ〜３０ｐｓのペーストを作製した。このペーストを常
法のドクターブレード法により、厚み０．１ｍｍのグリ
ーンシートとした。このグリーンシートを５０枚重ね、
その後、３５℃にて約５０トンの圧力にて熱圧着させ、
９００℃にて１５分焼成した。焼成したシートの各種特
性を測定したところ、体積固有抵抗率１０14 〜16
Ω、誘電率８〜１１、誘電正接≦５×１０-4 、絶縁破
壊強度７００〜９００ＫＶ／ｃｍ、曲げ強度２０００〜
２５００ｋｇ／ｃｍ 2 、ＴＣＣ（−２５℃〜＋８５℃）
±０ｐｐｍ／℃であった。即ち、導体、抵抗体等の電子
回路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラ
ミック基板の特性を満足する結果を得た。
バインダーや可塑剤、溶剤を添加、混練して粘度１０ｐ
ｓ〜３０ｐｓのペーストを作製した。このペーストを常
法のドクターブレード法により、厚み０．１ｍｍのグリ
ーンシートとした。このグリーンシートを５０枚重ね、
その後、３５℃にて約５０トンの圧力にて熱圧着させ、
９００℃にて１５分焼成した。焼成したシートの各種特
性を測定したところ、体積固有抵抗率１０14 〜16
Ω、誘電率８〜１１、誘電正接≦５×１０-4 、絶縁破
壊強度７００〜９００ＫＶ／ｃｍ、曲げ強度２０００〜
２５００ｋｇ／ｃｍ 2 、ＴＣＣ（−２５℃〜＋８５℃）
±０ｐｐｍ／℃であった。即ち、導体、抵抗体等の電子
回路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラ
ミック基板の特性を満足する結果を得た。
【００２３】さらに、上記ガラスフリットとＳｒＴｉＯ
3 が、それぞれ９４重量％、６重量％になるように秤量
し、ボールミルにて粉砕、混合し、上記方法にてグリー
ンシートの焼成体を得た。この場合の焼成温度は、８０
０℃であった。焼成したシートの各種特性を測定したと
ころ、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強
度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣは、
＋５０ｐｐｍ／℃であった。
3 が、それぞれ９４重量％、６重量％になるように秤量
し、ボールミルにて粉砕、混合し、上記方法にてグリー
ンシートの焼成体を得た。この場合の焼成温度は、８０
０℃であった。焼成したシートの各種特性を測定したと
ころ、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強
度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣは、
＋５０ｐｐｍ／℃であった。
【００２４】ガラスフリットとＣａＴｉＯ3 が、それぞ
れ７０重量％、３０重量％の場合は、焼成温度 ８７０
℃にて、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊
強度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣ
は、−２０ｐｐｍ／℃であった。
れ７０重量％、３０重量％の場合は、焼成温度 ８７０
℃にて、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊
強度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣ
は、−２０ｐｐｍ／℃であった。
【００２５】ガラスフリットとＣａＴｉＯ3 が、それぞ
れ６０重量％、４０重量％の場合は、焼成温度 ９２０
℃にて、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊
強度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣ
は、−３０ｐｐｍ／℃であった。
れ６０重量％、４０重量％の場合は、焼成温度 ９２０
℃にて、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊
強度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣ
は、−３０ｐｐｍ／℃であった。
【００２６】さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等
の、ペーストを内部電極とし積層した、焼成体について
も同様の結果を得た。以上の結果を表１に示す。
の、ペーストを内部電極とし積層した、焼成体について
も同様の結果を得た。以上の結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】本発明は表１から分かるように、従来の組
成物と比較して極めて低い温度で焼成が実現できるよう
になり、ＴＣＣの調整が容易である。
成物と比較して極めて低い温度で焼成が実現できるよう
になり、ＴＣＣの調整が容易である。
【００２９】
【発明の効果】以上の様に、本発明によれば、極めて低
い温度、すなわち７５０〜９５０℃で焼成が実現できる
ようになり、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等のペース
トを内部電極として使用することが可能となった。更
に、焼成体の各種要求特性、すなわち、体積固有抵抗
率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、ま
た導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線
基板としての特性を満足し、更に、ＴＣＣも±０ｐｐｍ
／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調整が容易なセラミック基
板用組成物を実現できるものである。
い温度、すなわち７５０〜９５０℃で焼成が実現できる
ようになり、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等のペース
トを内部電極として使用することが可能となった。更
に、焼成体の各種要求特性、すなわち、体積固有抵抗
率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、ま
た導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線
基板としての特性を満足し、更に、ＴＣＣも±０ｐｐｍ
／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調整が容易なセラミック基
板用組成物を実現できるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 35/14 C04B 35/495 C04B 35/46
Claims (4)
- 【請求項１】重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５
％とチタン酸塩５〜４０％からなることを特徴とするセ
ラミック基板用組成物。 - 【請求項２】前記チタン酸塩がＳｒＴｉＯ3である請求
項１記載のセラミック基板用組成物。 - 【請求項３】前記チタン酸塩がＣａＴｉＯ3である請求
項１記載のセラミック基板用組成物。 - 【請求項４】前記ガラスフリットが重量％表示で、Ａｌ
2Ｏ3 ５０〜６０％、ＳｉＯ2 ２５〜３０％、Ｐｂ
Ｏ ７．８〜８．３％、ＣａＯ ３．３〜３．８％、Ｂ
2Ｏ3 ２．５〜３．０％、ＭｇＯ １．１〜１．５
％、Ｎａ2Ｏ １．１〜１．５％、Ｋ2Ｏ ０．８〜１．
１％で構成される請求項１乃至３いずれかに記載のセラ
ミック基板用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3239217A JP2964725B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | セラミック基板用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3239217A JP2964725B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | セラミック基板用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578165A JPH0578165A (ja) | 1993-03-30 |
| JP2964725B2 true JP2964725B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=17041491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3239217A Expired - Fee Related JP2964725B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | セラミック基板用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2964725B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6473063B1 (en) | 1995-05-30 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source, image-forming apparatus comprising the same and method of driving such an image-forming apparatus |
| GB0706638D0 (en) | 2007-04-04 | 2007-05-16 | Mbda Uk Ltd | A high-dielectric material |
| FR3019404B1 (fr) * | 2014-03-31 | 2017-11-03 | Valeo Equip Electr Moteur | Platine support de porte-balais pour moteur electrique et porte-balai correspondant |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP3239217A patent/JP2964725B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0578165A (ja) | 1993-03-30 |
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