JPH04139711A - コンデンサー内蔵複合回路基板 - Google Patents
コンデンサー内蔵複合回路基板Info
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- JPH04139711A JPH04139711A JP2262357A JP26235790A JPH04139711A JP H04139711 A JPH04139711 A JP H04139711A JP 2262357 A JP2262357 A JP 2262357A JP 26235790 A JP26235790 A JP 26235790A JP H04139711 A JPH04139711 A JP H04139711A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野ｌ
本発明は、コンデンサー、抵抗体及び電気配線用導体層
を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関し、とりわ
け絶縁基体及び誘電体を同時に焼成一体化して成るコン
デンサー内蔵複合回路基板に関するものである。
を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関し、とりわ
け絶縁基体及び誘電体を同時に焼成一体化して成るコン
デンサー内蔵複合回路基板に関するものである。
１従来の技術ｊ
近年、各種の電子部品はＩＣ及びＬＳＩ等の半導体集積
回路素子の利用で小型化・高密度実装化が急速に進めら
れ、それに伴い前記半導体集積回路素子等を搭載する絶
縁基板も小型化とともに、より一層の高密度化が要求さ
れてきた。そこで、電気配線の微細化や多層化による高
密度化および電子回路におけるコンデンサーや抵抗等の
受動部品のチップ化が進められ、更にそれら小型化され
た受動部品を絶縁基板の両面に設けた電気配線用導体層
に接続する両面実装化が実用化されてきた。
回路素子の利用で小型化・高密度実装化が急速に進めら
れ、それに伴い前記半導体集積回路素子等を搭載する絶
縁基板も小型化とともに、より一層の高密度化が要求さ
れてきた。そこで、電気配線の微細化や多層化による高
密度化および電子回路におけるコンデンサーや抵抗等の
受動部品のチップ化が進められ、更にそれら小型化され
た受動部品を絶縁基板の両面に設けた電気配線用導体層
に接続する両面実装化が実用化されてきた。
しかし乍ら、半導体材料の著しい発達に伴って電子部品
は、より一層の小型化・高密度実装化が要求されるよう
になり、前記受動部品の小型化等ではその要求を満足す
ることが出来なくなっていた。
は、より一層の小型化・高密度実装化が要求されるよう
になり、前記受動部品の小型化等ではその要求を満足す
ることが出来なくなっていた。
そこで、かかる要求に応えるべく、誘電体層と電極層と
を順次積層して形成されたコンデンサー部の片面もしく
は両面に絶縁体層を設けて同時に焼成一体化し、該絶縁
体層表面上にスクリーン印刷法等により電気配線用導体
層及び抵抗体層を形成し、該導体層及び抵抗体層を焼付
けてハイブリッド化することにより小型化・高密度化せ
んとする複合セラミック基板が提案されている（特公昭
６２−２１２６０号公報、特公昭６３−５５７９５号公
報参照）。
を順次積層して形成されたコンデンサー部の片面もしく
は両面に絶縁体層を設けて同時に焼成一体化し、該絶縁
体層表面上にスクリーン印刷法等により電気配線用導体
層及び抵抗体層を形成し、該導体層及び抵抗体層を焼付
けてハイブリッド化することにより小型化・高密度化せ
んとする複合セラミック基板が提案されている（特公昭
６２−２１２６０号公報、特公昭６３−５５７９５号公
報参照）。
［発明が解決しようとする課題）
しかし乍ら、この従来の複合セラミック基板はチタン酸
バリウム（ＢａＴｉｎ３）を主成分とする磁器組成物を
誘電体層とし、該誘電体層等をアルミナ（ＡＸ、ＯＺ）
やステアタイト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）から成る絶縁体層で
挾着して焼成一体化した場合には、絶縁基体自体の強度
が高いという利点はあるものの、焼成温度が１３００〜
１４００°Ｃと高く、前記誘電体層と絶縁体層とが反応
してしまい所期の特性を有する誘電体層が得られず、か
つ前記絶縁体層と誘電体層との焼成温度を一致させるこ
とが難しく、絶縁体層と誘電体層との熱膨張差から誘電
体層にクラックが発生し、コンデンサーとしての絶縁抵
抗や絶縁破壊電圧が所期の特性値より低下してしまうと
いう問題があった。
バリウム（ＢａＴｉｎ３）を主成分とする磁器組成物を
誘電体層とし、該誘電体層等をアルミナ（ＡＸ、ＯＺ）
やステアタイト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）から成る絶縁体層で
挾着して焼成一体化した場合には、絶縁基体自体の強度
が高いという利点はあるものの、焼成温度が１３００〜
１４００°Ｃと高く、前記誘電体層と絶縁体層とが反応
してしまい所期の特性を有する誘電体層が得られず、か
つ前記絶縁体層と誘電体層との焼成温度を一致させるこ
とが難しく、絶縁体層と誘電体層との熱膨張差から誘電
体層にクラックが発生し、コンデンサーとしての絶縁抵
抗や絶縁破壊電圧が所期の特性値より低下してしまうと
いう問題があった。
［発明の目的１
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
主成分がＭｇＯ、Ｓｉｎ、、ＣａＯ及びＡｌｚＯｉから
成る高周波絶縁性に優れた絶縁体層と、高い誘電率を有
するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｚ）を主成分とする
誘電体層を同時に焼成一体化でき、かつ高い静電容量を
有するコンデンサーを内蔵することを可能とした複合回
路基板を提供することにある。
主成分がＭｇＯ、Ｓｉｎ、、ＣａＯ及びＡｌｚＯｉから
成る高周波絶縁性に優れた絶縁体層と、高い誘電率を有
するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｚ）を主成分とする
誘電体層を同時に焼成一体化でき、かつ高い静電容量を
有するコンデンサーを内蔵することを可能とした複合回
路基板を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明に係るコンデンサー内蔵複合回路基板は、チタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とする磁器組成物
を誘電体層とするコンデンサー部を挾着する絶縁体層の
主成分が重量比で表わした第１図に示す下記Ａ、、Ｂ、
Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆの各点で囲まれた範囲内のマグネシア（
ＭｇＯ） 、シリカ（ＳｉＯ２）及びカルシア（ＣａＯ
）と、該マグネシア（ＭｇＯ） 、シリカ（ＳｉＯ２）
及びカルシア（ＣａＯ）の合計１００重量部に対しｌを
越え１５未満の重量部のアルミナ（Ａ１．０．）とから
成る絶縁体であり、該絶縁体層がフォルステライト（Ｍ
ｇＳｉ０３）とメルウィナイト（ＣａＭｇＳｉ０１）、
モンチセライト（ＣａＭｇＳｉ０４）、アカーマナイト
（ＣａｚＭｇＳｉｔＯｔ） 、エンスタタイト（ＭｇＳ
ｉ０３）またはスピネル（ＭｇＡｌｚＯｉ）のうち少な
くとも１種の結晶相を含有し、前記誘電体層と該誘電体
層及び電極層とから形成されるコンデンサー部を挾着し
た絶縁体層とは同時焼成して一体焼結体とすることを特
徴とするものである。但し、第１図に示すＡ、Ｂ、Ｃ，
Ｄ、Ｅ、Ｆの各点及び線上は含まない。
酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とする磁器組成物
を誘電体層とするコンデンサー部を挾着する絶縁体層の
主成分が重量比で表わした第１図に示す下記Ａ、、Ｂ、
Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆの各点で囲まれた範囲内のマグネシア（
ＭｇＯ） 、シリカ（ＳｉＯ２）及びカルシア（ＣａＯ
）と、該マグネシア（ＭｇＯ） 、シリカ（ＳｉＯ２）
及びカルシア（ＣａＯ）の合計１００重量部に対しｌを
越え１５未満の重量部のアルミナ（Ａ１．０．）とから
成る絶縁体であり、該絶縁体層がフォルステライト（Ｍ
ｇＳｉ０３）とメルウィナイト（ＣａＭｇＳｉ０１）、
モンチセライト（ＣａＭｇＳｉ０４）、アカーマナイト
（ＣａｚＭｇＳｉｔＯｔ） 、エンスタタイト（ＭｇＳ
ｉ０３）またはスピネル（ＭｇＡｌｚＯｉ）のうち少な
くとも１種の結晶相を含有し、前記誘電体層と該誘電体
層及び電極層とから形成されるコンデンサー部を挾着し
た絶縁体層とは同時焼成して一体焼結体とすることを特
徴とするものである。但し、第１図に示すＡ、Ｂ、Ｃ，
Ｄ、Ｅ、Ｆの各点及び線上は含まない。
ＭｇＯ５１０ｇ Ｃａ０
Ａ ６０ ３６ ４
Ｂ ３６ ６０ ４
Ｃ３０６０１０
Ｄ ２０ ５０ ３０
Ｅ ４０ ３０ ３０
Ｆ ６０ ３０ １０
即ち、前記絶縁体中のＭｇＤが６０重量％以上となると
焼成温度が１３００°Ｃを越え、前記誘電体材料と反応
性が大となり、同時焼成できず、その上、結晶相として
ペリクレース（ＭｇＯ）が析出し耐湿性が劣化する。他
方、２０重量％以下では適正な焼成温度が１２２０°Ｃ
以下であるため、前記誘電体材料との同時焼成には適さ
ない。
焼成温度が１３００°Ｃを越え、前記誘電体材料と反応
性が大となり、同時焼成できず、その上、結晶相として
ペリクレース（ＭｇＯ）が析出し耐湿性が劣化する。他
方、２０重量％以下では適正な焼成温度が１２２０°Ｃ
以下であるため、前記誘電体材料との同時焼成には適さ
ない。
また、ＳｉＯ□が６０重量％以上となると絶縁体層の熱
膨張率が低下し、該絶縁体層と前記誘電体層との熱膨張
差により、該誘電体層にクランクが発生し、所期の誘電
体特性が得られない。他方、３０重量％以下では焼成温
度が１３００°Ｃ以上となり、前記２種類の誘電体材料
と同時焼成できない。
膨張率が低下し、該絶縁体層と前記誘電体層との熱膨張
差により、該誘電体層にクランクが発生し、所期の誘電
体特性が得られない。他方、３０重量％以下では焼成温
度が１３００°Ｃ以上となり、前記２種類の誘電体材料
と同時焼成できない。
一方、ＣａＯが３０重量％以上となると誘電体材料との
反応性が大となり、同時焼成できず、かつＣａ５ｉｎ、
またはＣａｚｓｔ０４等のカルシウムケイ酸塩が析出し
耐湿性の劣化と共に、絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が低
下し実用範囲を越える。また、４重量％以下では絶縁体
層の熱膨張率が低下し、前記と同様の理由により、誘電
体層にクランクが発生し、所期の安定した誘電体特性が
得られない。
反応性が大となり、同時焼成できず、かつＣａ５ｉｎ、
またはＣａｚｓｔ０４等のカルシウムケイ酸塩が析出し
耐湿性の劣化と共に、絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が低
下し実用範囲を越える。また、４重量％以下では絶縁体
層の熱膨張率が低下し、前記と同様の理由により、誘電
体層にクランクが発生し、所期の安定した誘電体特性が
得られない。
また、Ａｈ０３が１５重量％を越えると絶縁体層の熱膨
張率が低下し、１重量％未満の場合には焼成温度が１３
００℃以上となり、いずれも前記同様の問題を生じる。
張率が低下し、１重量％未満の場合には焼成温度が１３
００℃以上となり、いずれも前記同様の問題を生じる。
故に、前記絶縁体層の主成分は前記範囲に特定される。
尚、より望ましくは、第１図の下記Ｇ、Ｈ，１、Ｊ、に
の各点で囲まれた範囲内のマグネシア（ＭｇＯ）、シリ
カ（Ｓｉｎｇ）及びカルシア（ＣａＯ）と、該マグネシ
ア（ＭｇＯ） 、シリカ（Ｓｉｎｇ）及びカルシア（Ｃ
ａＯ）の合計１００重量部に対し、２を越え１５未満の
重量部のアルミナ（Ａｌｔｏ３）に特定される。
の各点で囲まれた範囲内のマグネシア（ＭｇＯ）、シリ
カ（Ｓｉｎｇ）及びカルシア（ＣａＯ）と、該マグネシ
ア（ＭｇＯ） 、シリカ（Ｓｉｎｇ）及びカルシア（Ｃ
ａＯ）の合計１００重量部に対し、２を越え１５未満の
重量部のアルミナ（Ａｌｔｏ３）に特定される。
ＭｇＯ５ｉｆｔ Ｃａ０
Ｇ ５５ ４０ ５
Ｈ４５５０５
Ｉ ３０ ５０ ２０
Ｊ ４５ ３５ ２０
Ｋ ５５ ３５ １０
［作用１
コンデンサー部を挾着した絶縁体層の主成分であるマグ
ネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｆＯ２）、カルシア（Ｃ
ａＯ）及びアルミナ（Ａ ｌ ＊ Ｏｓ ）を前記範囲
内となる様に調整することにより、前記絶縁体材料をチ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とする誘電体
材料が焼結する１２２０°Ｃ乃至１２８０°Ｃの焼成温
度にて同時に焼成し、焼成一体化された絶縁体層にフォ
ルステライト（ＭｇｔＳｉＯａ）結晶相以外に、該フォ
ルステライト結晶相と異なる熱膨張率を有するメルウィ
ナイト（Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ３）、モンチセライト（Ｃ
ａＭｇＳｉＯａ）、アカーマナイト（ｃａ＊Ｍｇ５ｔｚ
ｏｔ）、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯｘ）またはスピネ
ル（ＭｇＡＩ□０４）の結晶相を少なくとも１種形成す
ることにより、前記絶縁体の熱膨張率を調整できること
から、焼成一体化後の熱応力の発生が極めて少なくなる
。
ネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｆＯ２）、カルシア（Ｃ
ａＯ）及びアルミナ（Ａ ｌ ＊ Ｏｓ ）を前記範囲
内となる様に調整することにより、前記絶縁体材料をチ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とする誘電体
材料が焼結する１２２０°Ｃ乃至１２８０°Ｃの焼成温
度にて同時に焼成し、焼成一体化された絶縁体層にフォ
ルステライト（ＭｇｔＳｉＯａ）結晶相以外に、該フォ
ルステライト結晶相と異なる熱膨張率を有するメルウィ
ナイト（Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ３）、モンチセライト（Ｃ
ａＭｇＳｉＯａ）、アカーマナイト（ｃａ＊Ｍｇ５ｔｚ
ｏｔ）、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯｘ）またはスピネ
ル（ＭｇＡＩ□０４）の結晶相を少なくとも１種形成す
ることにより、前記絶縁体の熱膨張率を調整できること
から、焼成一体化後の熱応力の発生が極めて少なくなる
。
また、絶縁体層の主成分にアルミナ（ＡＩｔｏｚ）を添
加することにより、絶縁体層の焼成温度を低くすること
ができることから、誘電体材料との拡散による反応が阻
止される。
加することにより、絶縁体層の焼成温度を低くすること
ができることから、誘電体材料との拡散による反応が阻
止される。
１実施例１
次に本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板を第２図に
示す実施例に基づき詳細に説明する。
示す実施例に基づき詳細に説明する。
第２図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
図において、■は絶縁体層、２はコンデンサー部、３は
電気配線用導体で、前記コンデンサー部２は交互に積層
されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｉ）を主成分とす
る誘電体層４と電極層５とから成る。
電気配線用導体で、前記コンデンサー部２は交互に積層
されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｉ）を主成分とす
る誘電体層４と電極層５とから成る。
前記絶縁体層１は、その組成が第１図に示す下記Ａ、Ｂ
、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆの各点 ＭｇＯＳｉｎ、 Ｃａ０ Ａ ６０ ３６ ４ Ｂ ３６ ６０ ４ Ｃ３０６０１０ Ｄ ２０ ５０ ３０ Ｅ ４０ ３０ ３０ Ｆ ６０ ３０ １０ 但し、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆの各点及び線上は含まな
い。
、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆの各点 ＭｇＯＳｉｎ、 Ｃａ０ Ａ ６０ ３６ ４ Ｂ ３６ ６０ ４ Ｃ３０６０１０ Ｄ ２０ ５０ ３０ Ｅ ４０ ３０ ３０ Ｆ ６０ ３０ １０ 但し、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆの各点及び線上は含まな
い。
で囲まれた範囲内のＭｇＯ、Ｓｉｎ、及びＣａＯと、該
Ｍｇ０．５ｉＯｔ及びＣａＯの合計１００重量部に対し
、１を越え１５未満の重量部のＡ１□０３とから成るセ
ラミック原料粉末を混合し、該混合物を１０００°Ｃ乃
至１３００°Ｃの温度で仮焼する。その後、前記仮焼物
を粉砕したセラミック粉末に適当な有機バインダー、分
散剤、可塑剤及び溶媒を添加混合して泥漿物を作り、該
泥漿物を例えば従来周知のドクターブレード法等により
シート状に成形し、得られたグリーンシートを複数枚積
層したものから絶縁体層が形成される。
Ｍｇ０．５ｉＯｔ及びＣａＯの合計１００重量部に対し
、１を越え１５未満の重量部のＡ１□０３とから成るセ
ラミック原料粉末を混合し、該混合物を１０００°Ｃ乃
至１３００°Ｃの温度で仮焼する。その後、前記仮焼物
を粉砕したセラミック粉末に適当な有機バインダー、分
散剤、可塑剤及び溶媒を添加混合して泥漿物を作り、該
泥漿物を例えば従来周知のドクターブレード法等により
シート状に成形し、得られたグリーンシートを複数枚積
層したものから絶縁体層が形成される。
また、前記コンデンサー部２はＢａＴｉ０．を主成分と
する微粉の誘電体材料に有機バインダーや溶媒等を添加
混合して調製した泥漿物を従来周知の弓き上げ法等によ
りシート状に成形する。次いで前記グリーンシート上に
銀・パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金ペーストを従来周知
のスクリーン印刷法等により所定の電極パターンに被着
し、電極層５を形成する。
する微粉の誘電体材料に有機バインダーや溶媒等を添加
混合して調製した泥漿物を従来周知の弓き上げ法等によ
りシート状に成形する。次いで前記グリーンシート上に
銀・パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金ペーストを従来周知
のスクリーン印刷法等により所定の電極パターンに被着
し、電極層５を形成する。
尚、絶縁体層１及びコンデンサー部２の上下面の導通を
はかるため、絶縁体及び誘電体のグリーンシートには打
ち抜き加工等によりスルホール部６が形成され、該スル
ホール部６には前記合金ペーストが充填されている。
はかるため、絶縁体及び誘電体のグリーンシートには打
ち抜き加工等によりスルホール部６が形成され、該スル
ホール部６には前記合金ペーストが充填されている。
次いで、前記絶縁体とチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３
）を主成分とする誘電体のグリーンシートを夫々積層し
て熱圧着し、得られた積層体を大気中、２００°Ｃ乃至
４００°Ｃの温度で脱バインダーし、その後、１２２０
°Ｃ乃至 １２８０°Ｃの温度にて焼成一体層すること
により、コンデンサー部２を内蔵した絶縁基板を得る。
）を主成分とする誘電体のグリーンシートを夫々積層し
て熱圧着し、得られた積層体を大気中、２００°Ｃ乃至
４００°Ｃの温度で脱バインダーし、その後、１２２０
°Ｃ乃至 １２８０°Ｃの温度にて焼成一体層すること
により、コンデンサー部２を内蔵した絶縁基板を得る。
かくして前記焼成一体層した絶縁体層１表面にＡｇ−Ｐ
ｄ系の電気配線用導体パターン及び酸化ルテニウム（Ｒ
ｕＯｇ）等の抵抗パターンを夫々印刷形成し、大気中お
よそ８５０°Ｃの温度で焼成して抵抗体７を有するコン
デンサー内蔵複合回路基板が得られる。
ｄ系の電気配線用導体パターン及び酸化ルテニウム（Ｒ
ｕＯｇ）等の抵抗パターンを夫々印刷形成し、大気中お
よそ８５０°Ｃの温度で焼成して抵抗体７を有するコン
デンサー内蔵複合回路基板が得られる。
また、電気配線用導体パターンを銅（Ｃｕ）を主成分と
するもので形成する場合には、硼化ランタン（ＬａＢｉ
）や酸化スズ（ＳｎＯ２）等を主成分とする抵抗体材料
で抵抗パターンを成形し、窒素雰囲気中およそ９００°
Ｃの温度で焼成することにより、前記同様のコンデンサ
ー内蔵複合回路基板が得られる。
するもので形成する場合には、硼化ランタン（ＬａＢｉ
）や酸化スズ（ＳｎＯ２）等を主成分とする抵抗体材料
で抵抗パターンを成形し、窒素雰囲気中およそ９００°
Ｃの温度で焼成することにより、前記同様のコンデンサ
ー内蔵複合回路基板が得られる。
尚、前記絶縁体層ｌに残留する不可避不純物として、酸
化鉄（ＦｅｚＯｘ）及び酸化バリウム（Ｂａｄ）の総量
は、ＭｇＯ、ＳｉＯ，、ＣａＯ及びＡｌｚ０３の総量を
１００重量部とした場合、５重量部以下であればコンデ
ンサー部の各種特性を劣化させることはない。
化鉄（ＦｅｚＯｘ）及び酸化バリウム（Ｂａｄ）の総量
は、ＭｇＯ、ＳｉＯ，、ＣａＯ及びＡｌｚ０３の総量を
１００重量部とした場合、５重量部以下であればコンデ
ンサー部の各種特性を劣化させることはない。
次に実験例に基づき本発明を説明する。
絶縁体層の組成が第１表に示す組成比となるように、Ｍ
ｇＯ、Ｓｉｎ、、ＣａＯ及びＡ１．０３から成るセラミ
ック原料粉末を混合し、該混合物を１１００″Ｃ乃至１
２５０“Ｃの温度で仮焼を行った。その後、前記仮焼物
を所望の粒度に粉砕調整し、得られた原料粉末に適当な
有機バインダー及び溶媒を添加混合して泥漿状となすと
ともに、該泥漿物をドクターブレード法により厚さ約２
００μ■のグリーンシートを成形し、しかる後、該グリ
ーンシートに打ち抜き加工を施し、１７０■■角の絶縁
体シートを得た。
ｇＯ、Ｓｉｎ、、ＣａＯ及びＡ１．０３から成るセラミ
ック原料粉末を混合し、該混合物を１１００″Ｃ乃至１
２５０“Ｃの温度で仮焼を行った。その後、前記仮焼物
を所望の粒度に粉砕調整し、得られた原料粉末に適当な
有機バインダー及び溶媒を添加混合して泥漿状となすと
ともに、該泥漿物をドクターブレード法により厚さ約２
００μ■のグリーンシートを成形し、しかる後、該グリ
ーンシートに打ち抜き加工を施し、１７０■■角の絶縁
体シートを得た。
一方、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｘ）を主成分とす
る原料粉末に適当な有機バインダー及び溶媒を添加混合
して泥漿状となすとともに、該泥漿物を引き上げ法によ
り夫々のコンデンサーの容量設定のため厚さ２０μｍ乃
至６０μｍのグリーンシートを成形し、しかる後、該グ
リーンシートに打ち抜き加工を施し、夫々１７０ｍ＋ａ
角の高容量の誘電体シートを得た。
る原料粉末に適当な有機バインダー及び溶媒を添加混合
して泥漿状となすとともに、該泥漿物を引き上げ法によ
り夫々のコンデンサーの容量設定のため厚さ２０μｍ乃
至６０μｍのグリーンシートを成形し、しかる後、該グ
リーンシートに打ち抜き加工を施し、夫々１７０ｍ＋ａ
角の高容量の誘電体シートを得た。
次いで、前記誘電体シートにスクリーン印刷等の厚膜印
刷法によりＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを用いて約ｌｌｌ１
１乃至１０ａｍ角の電極パターンを必要とする静電容量
に応じて印刷形成した。
刷法によりＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを用いて約ｌｌｌ１
１乃至１０ａｍ角の電極パターンを必要とする静電容量
に応じて印刷形成した。
また、前記絶縁体シート及び誘電体シートに予め形成さ
れたスルホール部にもスクリーン印刷法等によりＡｇ−
Ｐｄ合金ペーストを充填した。
れたスルホール部にもスクリーン印刷法等によりＡｇ−
Ｐｄ合金ペーストを充填した。
しかる後、前記絶縁体シートの間に、チタン酸バリウム
から成る誘電体シートを夫々複数枚積層したものを挾み
込み、熱圧着し、得られた積層体を大気中２００℃乃至
４００°Ｃの温度で脱バインダーし、続いて第１表に示
す温度にて大気中で焼成した。
から成る誘電体シートを夫々複数枚積層したものを挾み
込み、熱圧着し、得られた積層体を大気中２００℃乃至
４００°Ｃの温度で脱バインダーし、続いて第１表に示
す温度にて大気中で焼成した。
上記評価試料によりＬＣＲメーターを使用して高容量コ
ンデンサー部の電極層間の短絡の有無を確認した後、Ｊ
ＩＳ Ｃ５１０２の規定に準じて前記ＬＣＲメーターに
より周波数ＩＫＨｚ、入力信号レベル１、ＯＶｒ＋ｍｓ
の測定条件にて、高容量コンデンサー部の静電容量を測
定し、該静電容量から比誘電率（ε、）を算出し、一方
、−５５°Ｃ乃至１２５°Ｃにおける静電容量を測定し
、２５°Ｃでの静電容量を基準として前記静電容量の変
化率を温度特性（ＴＣＣ）として算出した。また、前記
各コンデンサー部の絶縁抵抗値は２５Ｖの直流電圧を印
加し６０秒後に測定した抵抗値とし、絶縁破壊電圧はコ
ンデンサー部の端子間に毎秒１００Ｖの昇圧速度で電圧
を印加した時の漏れ電流値が１．抛Ａを越えた瞬間の電
圧値とした。
ンデンサー部の電極層間の短絡の有無を確認した後、Ｊ
ＩＳ Ｃ５１０２の規定に準じて前記ＬＣＲメーターに
より周波数ＩＫＨｚ、入力信号レベル１、ＯＶｒ＋ｍｓ
の測定条件にて、高容量コンデンサー部の静電容量を測
定し、該静電容量から比誘電率（ε、）を算出し、一方
、−５５°Ｃ乃至１２５°Ｃにおける静電容量を測定し
、２５°Ｃでの静電容量を基準として前記静電容量の変
化率を温度特性（ＴＣＣ）として算出した。また、前記
各コンデンサー部の絶縁抵抗値は２５Ｖの直流電圧を印
加し６０秒後に測定した抵抗値とし、絶縁破壊電圧はコ
ンデンサー部の端子間に毎秒１００Ｖの昇圧速度で電圧
を印加した時の漏れ電流値が１．抛Ａを越えた瞬間の電
圧値とした。
一方、絶縁体層の結晶相は、前記評価試料を使用してＸ
線回折を行い、評価試料表面のＸ線回折パターンにより
同定した。また、絶縁体層及び各誘電体層の熱膨張率は
、それぞれ前記評価試料と同一組成である縦３ＩＩＩｎ
＋、横３ｍｍ、長さ４０ｍｍの角棒状の試験片を前記評
価試料の焼成と同時に焼成し、４０°Ｃ乃至８００°Ｃ
の温度範囲における平均熱膨張率を測定した。
線回折を行い、評価試料表面のＸ線回折パターンにより
同定した。また、絶縁体層及び各誘電体層の熱膨張率は
、それぞれ前記評価試料と同一組成である縦３ＩＩＩｎ
＋、横３ｍｍ、長さ４０ｍｍの角棒状の試験片を前記評
価試料の焼成と同時に焼成し、４０°Ｃ乃至８００°Ｃ
の温度範囲における平均熱膨張率を測定した。
更に、絶縁体層はそれぞれ前記評価試料と同一組成のグ
リーンシートを圧看積層し前記評価試料の焼成と同時に
焼成した焼結体から巾ｉｏａｍ、長さ５０＋ｕａ、厚さ
ｌ 、２１１１の平板状の試験片を作製し、支点間距離
を３０ｍｍとし、該支点間中央部を毎分０ 、５ｍａ＋
の速度で荷重を加えて三点曲げ試験を行い、絶縁体層の
抗折強度を測定した。
リーンシートを圧看積層し前記評価試料の焼成と同時に
焼成した焼結体から巾ｉｏａｍ、長さ５０＋ｕａ、厚さ
ｌ 、２１１１の平板状の試験片を作製し、支点間距離
を３０ｍｍとし、該支点間中央部を毎分０ 、５ｍａ＋
の速度で荷重を加えて三点曲げ試験を行い、絶縁体層の
抗折強度を測定した。
以上の結果を第１表及び第２表に示す。
［以下余白］
第２表
第２！！（続き）
番印を付した試料番号は本発明の請求範囲外である。
［発明の効果１
本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板によれば、マグ
ネシア、シリカ、カルシア及びアルミナを主成分とする
高周波絶縁性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有するチ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯｚ）を主成分とする誘電体
層とが互いに反応することなく低温度で同時に焼成一体
層することが可能となる上、前記絶縁体層と誘電体層の
熱膨張率を互いに極めて近似したものとすることができ
ることから、誘電体層にクランク等の欠陥を生ぜず、絶
縁抵抗及び絶縁破壊電圧に優れた高い静電容量を有する
コンデンサー部を内蔵することができるとともに、更に
、絶縁体層の強度を高くかつ該絶縁体層上に電気配線用
導体層を強固に被着させることができ、その結果、ハイ
ブリッド基板等に最適な小型化・高密度化されたコンデ
ンサー内蔵複合回路基板を得ることが出来る。
ネシア、シリカ、カルシア及びアルミナを主成分とする
高周波絶縁性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有するチ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯｚ）を主成分とする誘電体
層とが互いに反応することなく低温度で同時に焼成一体
層することが可能となる上、前記絶縁体層と誘電体層の
熱膨張率を互いに極めて近似したものとすることができ
ることから、誘電体層にクランク等の欠陥を生ぜず、絶
縁抵抗及び絶縁破壊電圧に優れた高い静電容量を有する
コンデンサー部を内蔵することができるとともに、更に
、絶縁体層の強度を高くかつ該絶縁体層上に電気配線用
導体層を強固に被着させることができ、その結果、ハイ
ブリッド基板等に最適な小型化・高密度化されたコンデ
ンサー内蔵複合回路基板を得ることが出来る。
第１図は本発明の絶縁体層の組成の一部であるＭｇＯ、
Ｓｉｎ及びＣａｎの組成範囲を示す三元系図、第２図は
本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実施例を示
す断面図である。 １ ： 絶縁体層 ２ ： コンデンサー部 ４ ： 誘電体層 ５ ： 電極層
Ｓｉｎ及びＣａｎの組成範囲を示す三元系図、第２図は
本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実施例を示
す断面図である。 １ ： 絶縁体層 ２ ： コンデンサー部 ４ ： 誘電体層 ５ ： 電極層
Claims (3)
- （１）誘電体層の上下面に電極層を設けてコンデンサー
部を形成し、該コンデンサー部を絶縁体層で挾着したコ
ンデンサー内蔵複合回路基板において、上記誘電体層が
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ＿３）を主成分とする磁
器組成物から成り、コンデンサー部を挾着した絶縁体層
の主成分が、重量比で表わした第１図に示す下記Ａ、Ｂ
、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点で囲まれた範囲内のマグネシア
（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ＿２）及びカルシア（Ｃａ
Ｏ）と、該マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ＿２
）及びカルシア（ＣａＯ）の合計１００重量部に対し、
１を越え１５未満の重量部のアルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３
）とから成ることを特徴とするコンデンサー内蔵複合回
路基板。但し、第１図に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの
各点及び線上は含まない。 ▲数式、化学式、表等があります▼ - （２）前記絶縁体層がフォルステライト（Ｍｇ＿２Ｓｉ
Ｏ＿４）とメルウイナイト（Ｃａ＿３ＭｇＳｉ＿２Ｏ＿
０）、モンチセライト（ＣａＭｇＳｉＯ＿４）、アカー
マナイト（Ｃａ＿２ＭｇＳｉ＿２Ｏ＿７）、エンスタタ
イト（ＭｇＳｉＯ＿３）またはスピネル（ＭｇＡｌ＿２
Ｏ＿４）のうち少なくとも１種の結晶相を含有すること
を特徴とする請求項の１記載のコンデンサー内蔵複合回
路基板。 - （３）前記誘電体層と該誘電体層及び電極層とから形成
されるコンデンサー部を挾着した絶縁体層とは同時焼成
して一体焼結体としたことを特徴とする請求項１及び２
記載のコンデンサー内蔵複合回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2262357A JP2743115B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2262357A JP2743115B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139711A true JPH04139711A (ja) | 1992-05-13 |
| JP2743115B2 JP2743115B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17374622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2262357A Expired - Fee Related JP2743115B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743115B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707952A1 (de) * | 1994-10-12 | 1996-04-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Keramischer Schichtverbundkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Modul |
| EP1095915A3 (en) * | 1999-10-27 | 2003-04-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Low-temperature firing ceramic composition, process for producing same and wiring substrate prepared by using same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817651A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 多層回路板とその製造方法 |
| JPS62265795A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | 株式会社住友金属セラミックス | コンデンサ内蔵セラミツクス基板 |
| JPS63295473A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
| JPH0195591A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-29 JP JP2262357A patent/JP2743115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817651A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 多層回路板とその製造方法 |
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| JPS63295473A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
| JPH0195591A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707952A1 (de) * | 1994-10-12 | 1996-04-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Keramischer Schichtverbundkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Modul |
| EP1095915A3 (en) * | 1999-10-27 | 2003-04-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Low-temperature firing ceramic composition, process for producing same and wiring substrate prepared by using same |
| US6602623B1 (en) | 1999-10-27 | 2003-08-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Low-temperature firing ceramic composition, process for producing same and wiring substrate prepared by using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2743115B2 (ja) | 1998-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |