JP2681216B2 - コンデンサー内蔵複合回路基板 - Google Patents
コンデンサー内蔵複合回路基板Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、コンデンサー、抵抗体及び電気配線用導体
層を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関し、とり
わけ絶縁基体及び２種類の誘電体を同時に焼成一体化し
て成るコンデサー内蔵複合回路基板に関するものであ
る。
層を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関し、とり
わけ絶縁基体及び２種類の誘電体を同時に焼成一体化し
て成るコンデサー内蔵複合回路基板に関するものであ
る。
［従来の技術］ 近年、各種の電子部品はIC及びLSI等の半導体集積回
路素子の利用で小型化・高密度実装化が急速に進めら
れ、それに伴い前記半導体集積回路素子等を搭載する絶
縁基板も小型化とともに、より高密度化が要求されてき
た。そこで、電気配線の微細化や多層化による高密度化
および電子回路におけるコンデンサーや抵抗等の受動部
品のチップ化が進められ、更にそれら小型化された受動
部品を絶縁基板の両面に設けられた電気配線用導体層に
接続した両面実装化が実用化されてきた。
路素子の利用で小型化・高密度実装化が急速に進めら
れ、それに伴い前記半導体集積回路素子等を搭載する絶
縁基板も小型化とともに、より高密度化が要求されてき
た。そこで、電気配線の微細化や多層化による高密度化
および電子回路におけるコンデンサーや抵抗等の受動部
品のチップ化が進められ、更にそれら小型化された受動
部品を絶縁基板の両面に設けられた電気配線用導体層に
接続した両面実装化が実用化されてきた。
しかし乍ら、半導体材料の著しい発達に伴って電子部
品は、より一層の小型化・高密度実装化が要求されるよ
うになり、前記受動部品の小型化等ではその要求を満足
することが出来なくなっていた。
品は、より一層の小型化・高密度実装化が要求されるよ
うになり、前記受動部品の小型化等ではその要求を満足
することが出来なくなっていた。
そこで、かかる要求に応えるべく、誘電体層と電極層
とを順次積層して形成されたコンデンサー部の片面もし
くは両面に絶縁体層を設けて同時に焼成一体化し、該絶
縁体層表面上にスクリーン印刷法等により電気配線用導
体層及び抵抗体層を形成し、誘導体層及び抵抗体層を焼
付けてハイブリッド化することによりて小型化・高密度
化せんとする複合セラミック基板が提案されている（特
公昭62−21260号公報、特公昭63−55795号公報参照）。
とを順次積層して形成されたコンデンサー部の片面もし
くは両面に絶縁体層を設けて同時に焼成一体化し、該絶
縁体層表面上にスクリーン印刷法等により電気配線用導
体層及び抵抗体層を形成し、誘導体層及び抵抗体層を焼
付けてハイブリッド化することによりて小型化・高密度
化せんとする複合セラミック基板が提案されている（特
公昭62−21260号公報、特公昭63−55795号公報参照）。
［発明が解決しようとする課題］ しかし乍ら、この従来の複合セラミック基板はチタン
酸バリウム（BaTiO3）及び温度補償用誘電体セラミック
ス、例えばチタン酸バリウム（BaTi4O9）、チタン酸カ
ルシム（CaTiO3）、チタン酸マグネシム（Mg2TiO4）、
チタン酸ランタン（La2Ti2O7）、チタン酸ストロンチウ
ム（SrTiO3）またはチタン酸ネオジウム（Nd2Ti2O7）の
いずれかを主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、該
誘電体層等をアルミナ（Al2O3）やステアタイト（MgSiO
3）から成る絶縁体層で挾持して焼成一体化した場合に
は、誘電体層等と絶縁体層とが反応してしまい所期の特
性を有する誘電体層が得られず、その上、前記絶縁体層
と２種類の誘電体層との焼成温度を一致させることが難
しく、絶縁体層と誘電体層との熱膨張差から誘電体層に
クラックが発生し、コンデンサーとしての絶縁抵抗や絶
縁破壊電圧が所期の特性値より低下してしまうという問
題があった。
酸バリウム（BaTiO3）及び温度補償用誘電体セラミック
ス、例えばチタン酸バリウム（BaTi4O9）、チタン酸カ
ルシム（CaTiO3）、チタン酸マグネシム（Mg2TiO4）、
チタン酸ランタン（La2Ti2O7）、チタン酸ストロンチウ
ム（SrTiO3）またはチタン酸ネオジウム（Nd2Ti2O7）の
いずれかを主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、該
誘電体層等をアルミナ（Al2O3）やステアタイト（MgSiO
3）から成る絶縁体層で挾持して焼成一体化した場合に
は、誘電体層等と絶縁体層とが反応してしまい所期の特
性を有する誘電体層が得られず、その上、前記絶縁体層
と２種類の誘電体層との焼成温度を一致させることが難
しく、絶縁体層と誘電体層との熱膨張差から誘電体層に
クラックが発生し、コンデンサーとしての絶縁抵抗や絶
縁破壊電圧が所期の特性値より低下してしまうという問
題があった。
［発明の目的］ 本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的
はMgO、SiO2、CaOを主成分とする高周波の絶縁性に優れ
た絶縁体層と高い誘電率を有するチタン酸バリウム（Ba
TiO3）を主成分とする誘電体層及び温度補償用誘電体セ
ラミックスを主成分とする誘電体層を同時に焼成一体化
できると共に、高い静電容量を有するコンデンサーと安
定した温度特性を有する温度補償用コンデンサーの２種
類のコンデンサーを内蔵した複合回路基板を提供するこ
とにある。
はMgO、SiO2、CaOを主成分とする高周波の絶縁性に優れ
た絶縁体層と高い誘電率を有するチタン酸バリウム（Ba
TiO3）を主成分とする誘電体層及び温度補償用誘電体セ
ラミックスを主成分とする誘電体層を同時に焼成一体化
できると共に、高い静電容量を有するコンデンサーと安
定した温度特性を有する温度補償用コンデンサーの２種
類のコンデンサーを内蔵した複合回路基板を提供するこ
とにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係るコンデンサー内蔵複合回路基板はチタン
酸バリウム（BaTiO3）及び温度補償用誘電体セラミック
スを主成分とする磁器組成物を誘電体層とするコンデン
サー部を挾着した絶縁体層が、第１図に示す下記Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、の各点で囲まれた範囲内のマグネ
シア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）を主
成分とする絶縁体であり、該絶縁体がフォルステライト
（Mg2SiO4）とメルウイナイト（Ca3MgSi2O8）、モンチ
セライト（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgSi
2O7）、またはエンスタタイト（MgSiO3）のうち少なく
とも１種の結晶相を含有し、前記誘電体層と該誘電体層
及び電極層とから形成されるコンデンサー部を挾着した
絶縁体層とは同時焼成して成ることを特徴とするもので
ある。但し、Ｘ、Ｙ、Ｚ、はそれぞれマグネシア（Mg
O）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の重量％を表
わす。
酸バリウム（BaTiO3）及び温度補償用誘電体セラミック
スを主成分とする磁器組成物を誘電体層とするコンデン
サー部を挾着した絶縁体層が、第１図に示す下記Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、の各点で囲まれた範囲内のマグネ
シア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）を主
成分とする絶縁体であり、該絶縁体がフォルステライト
（Mg2SiO4）とメルウイナイト（Ca3MgSi2O8）、モンチ
セライト（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgSi
2O7）、またはエンスタタイト（MgSiO3）のうち少なく
とも１種の結晶相を含有し、前記誘電体層と該誘電体層
及び電極層とから形成されるコンデンサー部を挾着した
絶縁体層とは同時焼成して成ることを特徴とするもので
ある。但し、Ｘ、Ｙ、Ｚ、はそれぞれマグネシア（Mg
O）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の重量％を表
わす。
X Y Z Ａ 60 36 4 Ｂ 46 50 4 Ｃ 30 50 20 Ｄ 30 40 30 Ｅ 40 30 30 Ｆ 60 30 10 即ち、前記絶縁体層の組成は第１図において、MgOが6
0重量％を越えると焼成温度が1360℃以上となり前記２
種類の誘電体材料と同時焼成できず、その上、結晶相と
してペリクレース（MgO）が析出し耐湿性が劣化する。
他方、30重量％未満ではコンデンサー部の絶縁抵抗値及
び絶縁破壊電圧が低下してしまい実用範囲を越えてしま
う。
0重量％を越えると焼成温度が1360℃以上となり前記２
種類の誘電体材料と同時焼成できず、その上、結晶相と
してペリクレース（MgO）が析出し耐湿性が劣化する。
他方、30重量％未満ではコンデンサー部の絶縁抵抗値及
び絶縁破壊電圧が低下してしまい実用範囲を越えてしま
う。
また、SiO2が50重量％を越えると絶縁体層の熱膨張率
が低下し、該絶縁体層と前記誘電体層との熱膨張差によ
り、該誘電体層にクラックが発生し、所期の誘電体特性
が得られない。他方、30重量％未満では焼成温度が1360
℃以上となり、前記２種類の誘電体材料と同時焼成でき
ない。
が低下し、該絶縁体層と前記誘電体層との熱膨張差によ
り、該誘電体層にクラックが発生し、所期の誘電体特性
が得られない。他方、30重量％未満では焼成温度が1360
℃以上となり、前記２種類の誘電体材料と同時焼成でき
ない。
一方、CaOが30重量％を越えると焼成温度が1400℃以
上となり、前記２種類の誘電体材料と同時焼成できず、
かつCaSiO3またはCaSiO4等のカルシウムケイ酸塩が析出
し耐湿性の劣化と共に、絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が
低下し実用範囲を越える。また、４重量％未満ではチタ
ン酸バリウム（BaTiO3）を主成分とするセラミックスと
の反応性が極めて大となり、高い静電容量を有するコン
デンサー部が得られない。
上となり、前記２種類の誘電体材料と同時焼成できず、
かつCaSiO3またはCaSiO4等のカルシウムケイ酸塩が析出
し耐湿性の劣化と共に、絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が
低下し実用範囲を越える。また、４重量％未満ではチタ
ン酸バリウム（BaTiO3）を主成分とするセラミックスと
の反応性が極めて大となり、高い静電容量を有するコン
デンサー部が得られない。
故に、前記絶縁体層の組成は第１図のＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅ、Ｆ、の各点で囲まれた範囲内に特定される。
Ｄ、Ｅ、Ｆ、の各点で囲まれた範囲内に特定される。
［作用］ コンデンサー部を挾着した絶縁体層の組成が、主成分
であるマグネシア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシ
ア（CaO）を第１図に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、の
各点で囲まれた範囲内となる様に調整することにより前
記絶縁体材料をチタン酸バリウム（BaTiO3）及び温度補
償用誘電体セラミックスを主成分とする誘電体材料が焼
結する1240℃乃至1340℃の焼成温度にて同時に焼成し
て、焼成一体化された絶縁体層にフォルステライト（Mg
2SiO4）結晶相以外に、該フォルステライト結晶相と異
なる熱膨張率を有するメルウイナイト（Ca3MgSi2O8）、
モンチセライト（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgS
i2O7）、またはエンスタタイト（MgSiO3）の結晶相が少
なくとも１種形成されて、前記絶縁体の熱膨張率が調整
できることから、焼成一体化後の熱応力の発生が極めて
少なくなる。
であるマグネシア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシ
ア（CaO）を第１図に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、の
各点で囲まれた範囲内となる様に調整することにより前
記絶縁体材料をチタン酸バリウム（BaTiO3）及び温度補
償用誘電体セラミックスを主成分とする誘電体材料が焼
結する1240℃乃至1340℃の焼成温度にて同時に焼成し
て、焼成一体化された絶縁体層にフォルステライト（Mg
2SiO4）結晶相以外に、該フォルステライト結晶相と異
なる熱膨張率を有するメルウイナイト（Ca3MgSi2O8）、
モンチセライト（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgS
i2O7）、またはエンスタタイト（MgSiO3）の結晶相が少
なくとも１種形成されて、前記絶縁体の熱膨張率が調整
できることから、焼成一体化後の熱応力の発生が極めて
少なくなる。
［実施例］ 次に本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板を第２図
に示す実施例に基づき詳細に説明する。
に示す実施例に基づき詳細に説明する。
第２図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
図において、１は絶縁体層、２、２′はコンデンサー
部、３は電気配線用導体で、前記コンデンサー部２、
２′は交互に積層されたチタン酸バリウム（BaTiO3）を
主成分とする誘電体層４と電極層５及び温度補償用誘電
体セラミックを主成分とする誘電体層４′と電極層５′
とからなる。
部、３は電気配線用導体で、前記コンデンサー部２、
２′は交互に積層されたチタン酸バリウム（BaTiO3）を
主成分とする誘電体層４と電極層５及び温度補償用誘電
体セラミックを主成分とする誘電体層４′と電極層５′
とからなる。
前記絶縁体層１はその組成が第１図に示す下記Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点 X Y Z Ａ 60 36 4 Ｂ 46 50 4 Ｃ 30 50 20 Ｄ 30 40 30 Ｅ 40 30 30 Ｆ 60 30 10 但し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア（MgO）、シ
リカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の重量％を表わす。
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点 X Y Z Ａ 60 36 4 Ｂ 46 50 4 Ｃ 30 50 20 Ｄ 30 40 30 Ｅ 40 30 30 Ｆ 60 30 10 但し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア（MgO）、シ
リカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の重量％を表わす。
で囲まれた範囲内となるように、MgO、SiO2及びCaOか
ら成るセラミック原料粉末を混合し、該混合物を1000℃
乃至1300℃の温度で仮焼する。その後、前記仮焼物を粉
砕したセラミック粉末に適当な有機バインダー、分散
剤、可塑剤及び溶媒を添加混合して泥漿物を作り、該泥
漿物を例えば従来周知のドクターブレード法等によりシ
ート状に成形し、得られたグリーンシートを複数枚積層
したものから形成される。
ら成るセラミック原料粉末を混合し、該混合物を1000℃
乃至1300℃の温度で仮焼する。その後、前記仮焼物を粉
砕したセラミック粉末に適当な有機バインダー、分散
剤、可塑剤及び溶媒を添加混合して泥漿物を作り、該泥
漿物を例えば従来周知のドクターブレード法等によりシ
ート状に成形し、得られたグリーンシートを複数枚積層
したものから形成される。
また、前記コンデンサー部２、２′はBaTiO3及び温度
補償用誘電体セラミックスを主成分とする誘電体材料に
有機バインダーや溶媒等を添加混合して調整した泥漿物
を従来周知の引き上げ法等によりシート状に成形する。
次いで前記グリーンシート上に銀・パラジウム（Ag−P
d）合金ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等によ
り所定の電極パターンに被着し、電極層５、５′を成形
する。
補償用誘電体セラミックスを主成分とする誘電体材料に
有機バインダーや溶媒等を添加混合して調整した泥漿物
を従来周知の引き上げ法等によりシート状に成形する。
次いで前記グリーンシート上に銀・パラジウム（Ag−P
d）合金ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等によ
り所定の電極パターンに被着し、電極層５、５′を成形
する。
尚、絶縁体層１及びコンデンサー部２、２′の上下面
の導通をはかるため、絶縁体及び誘電体のグリーンシー
トには打ち抜き加工等によりスルホール部６が成形さ
れ、該スルホール部６には前記合金ペーストが充填され
ている。
の導通をはかるため、絶縁体及び誘電体のグリーンシー
トには打ち抜き加工等によりスルホール部６が成形さ
れ、該スルホール部６には前記合金ペーストが充填され
ている。
次いで、前記絶縁体とチタン酸バリウム（BaTiO3）及
び温度補償用誘電体セラミックスを主成分とする誘電体
の各グリーンシートを夫々積層して熱圧着し、得られた
積層体を大気中、200℃乃至400℃の温度で脱バインダー
し、その後、1240℃乃至1340℃の温度にて焼成一体化す
ることにより、コンデンサー部２、２′を内蔵した絶縁
基板を得る。
び温度補償用誘電体セラミックスを主成分とする誘電体
の各グリーンシートを夫々積層して熱圧着し、得られた
積層体を大気中、200℃乃至400℃の温度で脱バインダー
し、その後、1240℃乃至1340℃の温度にて焼成一体化す
ることにより、コンデンサー部２、２′を内蔵した絶縁
基板を得る。
とりわけ、前記コンデンサー部２、２′は高い誘電率
を有するチタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分とする誘
電体層４の上下面に温度補償用誘電体セラミックスを主
成分とする誘電体層４′を積層して形成することによ
り、同時に焼成一体化するに際して前記誘電体層中の拡
散速度の大なるTi及びBaの移動を抑制することが可能と
なり、コンデンサー部の温度特性の劣化が防止できる。
を有するチタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分とする誘
電体層４の上下面に温度補償用誘電体セラミックスを主
成分とする誘電体層４′を積層して形成することによ
り、同時に焼成一体化するに際して前記誘電体層中の拡
散速度の大なるTi及びBaの移動を抑制することが可能と
なり、コンデンサー部の温度特性の劣化が防止できる。
かくして前記焼成一体化した絶縁体層１表面にAg−Pd
系の電気配線用導体パターン及び酸化ルテニウム（Ru
O2）等の抵抗パターンを夫々印刷形成し、大気中およそ
850℃の温度で焼成して抵抗体７を有するコンデンサー
内蔵複合回路基板が得られる。
系の電気配線用導体パターン及び酸化ルテニウム（Ru
O2）等の抵抗パターンを夫々印刷形成し、大気中およそ
850℃の温度で焼成して抵抗体７を有するコンデンサー
内蔵複合回路基板が得られる。
また、電気配線用導体パターンを銅（Cu）を主成分と
するもので形成する場合には、硼化ランタン（LaB6）や
酸化スズ（SnO2）等を主成分とする抵抗体材料で抵抗パ
ターンを成形し、窒素雰囲気中およそ900℃の温度で焼
成することにより、前記同様のコンデンサー内蔵複合回
路基板が得られる。
するもので形成する場合には、硼化ランタン（LaB6）や
酸化スズ（SnO2）等を主成分とする抵抗体材料で抵抗パ
ターンを成形し、窒素雰囲気中およそ900℃の温度で焼
成することにより、前記同様のコンデンサー内蔵複合回
路基板が得られる。
尚、前記絶縁体層１に残留する不可避不純物として、
アルミナ（Al2O3）、酸化鉄（Fe2O3）及び酸化バリウム
（BaO）の総量は、MgO、SiO2及びCaOの総量を100重量部
とした場合、５重量部以下であればコンデンサー部の各
種特性を劣化させることはない。
アルミナ（Al2O3）、酸化鉄（Fe2O3）及び酸化バリウム
（BaO）の総量は、MgO、SiO2及びCaOの総量を100重量部
とした場合、５重量部以下であればコンデンサー部の各
種特性を劣化させることはない。
次に実験例に基づき本発明を説明する。
絶縁体層の組成が第１表に示す組成比となるように、
MgO、SiO2及びCaOから成るセラミック原料粉末を混合
し、該混合物を1100℃乃至1300℃の温度で仮焼を行っ
た。その後、前記仮焼物を所望の粒度に粉砕調整し、得
られた原料粉末に適当な有機バインダー及び溶媒を添加
混合して泥漿状と成すとともに、該泥漿物をドクターブ
レード法により厚さ約200μｍのグリーンシートを成形
し、しかる後、該グリーンシートに打ち抜き加工を施
し、170mm角の絶縁体シートを得た。
MgO、SiO2及びCaOから成るセラミック原料粉末を混合
し、該混合物を1100℃乃至1300℃の温度で仮焼を行っ
た。その後、前記仮焼物を所望の粒度に粉砕調整し、得
られた原料粉末に適当な有機バインダー及び溶媒を添加
混合して泥漿状と成すとともに、該泥漿物をドクターブ
レード法により厚さ約200μｍのグリーンシートを成形
し、しかる後、該グリーンシートに打ち抜き加工を施
し、170mm角の絶縁体シートを得た。
一方、チタン酸バリウム（BaTiO3）及び第２表に示す
温度補償用誘電体材料を主成分する夫々の原料粉末に適
当な有機バインダー及び溶媒を添加混合して泥漿状と成
すとともに、該泥漿物を引き上げ法により夫々のコンデ
ンサーの容量設定のため厚さ20μｍ乃至60μｍのグリー
ンシートを成形し、しかる後、該グリーンシートに打ち
抜き加工を施し、夫々170mm角の高容量及び温度補償用
の誘電体シートを得た。
温度補償用誘電体材料を主成分する夫々の原料粉末に適
当な有機バインダー及び溶媒を添加混合して泥漿状と成
すとともに、該泥漿物を引き上げ法により夫々のコンデ
ンサーの容量設定のため厚さ20μｍ乃至60μｍのグリー
ンシートを成形し、しかる後、該グリーンシートに打ち
抜き加工を施し、夫々170mm角の高容量及び温度補償用
の誘電体シートを得た。
次いで、前記２種の誘電体シートにスクリーン印刷等
の厚膜印刷法によりAg−Pd合金ペーストを用いて約1mm
乃至10mm角の電極パターンを必要とする静電容量に応じ
て印刷形成した。
の厚膜印刷法によりAg−Pd合金ペーストを用いて約1mm
乃至10mm角の電極パターンを必要とする静電容量に応じ
て印刷形成した。
また、前記絶縁体シート及び夫々の誘電体シートに予
め形成されたスルホール部にもスクリーン印刷法等によ
りAg−Pd合金ペーストを充填した。
め形成されたスルホール部にもスクリーン印刷法等によ
りAg−Pd合金ペーストを充填した。
しかる後、前記絶縁体シートの間に、チタン酸バリウ
ムから成る誘電体シートの積層体の上下面に温度補償用
誘電体セラミックスから成る誘電体シートを夫々複数枚
積層したものを挾み込み、熱圧着し、得られた積層体を
大気中200℃乃至400℃の温度で脱バインダーし、続いて
第１表に示す温度にて大気中で焼成した。
ムから成る誘電体シートの積層体の上下面に温度補償用
誘電体セラミックスから成る誘電体シートを夫々複数枚
積層したものを挾み込み、熱圧着し、得られた積層体を
大気中200℃乃至400℃の温度で脱バインダーし、続いて
第１表に示す温度にて大気中で焼成した。
上記評価試料によりLCRメーターを使用して高容量及
び温度補償用コンデンサー部の電極層間の短絡の有無を
確認した後、JIS C 5102の規定に準じて前記LCRメータ
ーにより周波数1KHz、入力信号レベル1.0Vrmsの測定条
件にて、高容量コンデンサー部の静電容量を測定し、該
静電容量から比誘電率（εｒ）を算出し、一方、温度補
償用コンデンサー部の−55℃乃至125℃における静電容
量を測定して、該静電容量の変化率を温度係数（TCC）
として算出した。また、前記各コンデンサー部の絶縁抵
抗値は25V直流電圧を印加し60秒後に測定した抵抗値と
し、絶縁破壊電圧はコンデンサー部の端子間に毎秒100V
の昇圧速度で電圧を印加した時の漏れ電流値が1.0mAを
越えた瞬間の電圧値とした。
び温度補償用コンデンサー部の電極層間の短絡の有無を
確認した後、JIS C 5102の規定に準じて前記LCRメータ
ーにより周波数1KHz、入力信号レベル1.0Vrmsの測定条
件にて、高容量コンデンサー部の静電容量を測定し、該
静電容量から比誘電率（εｒ）を算出し、一方、温度補
償用コンデンサー部の−55℃乃至125℃における静電容
量を測定して、該静電容量の変化率を温度係数（TCC）
として算出した。また、前記各コンデンサー部の絶縁抵
抗値は25V直流電圧を印加し60秒後に測定した抵抗値と
し、絶縁破壊電圧はコンデンサー部の端子間に毎秒100V
の昇圧速度で電圧を印加した時の漏れ電流値が1.0mAを
越えた瞬間の電圧値とした。
一方、絶縁体層の結晶相は、前記評価試料を使用して
Ｘ線回折を行い、評価試料表面のＸ線回折パターンによ
り同定した。また、絶縁体層及び各誘電体層の熱膨張率
は、夫々前記評価試料と同一組成である縦3mm、横3mm、
長さ40mmの角柱状の試験片を前記評価試料の焼成と同時
に焼成し、40℃乃至800℃の温度範囲における平均熱膨
張率を測定した。
Ｘ線回折を行い、評価試料表面のＸ線回折パターンによ
り同定した。また、絶縁体層及び各誘電体層の熱膨張率
は、夫々前記評価試料と同一組成である縦3mm、横3mm、
長さ40mmの角柱状の試験片を前記評価試料の焼成と同時
に焼成し、40℃乃至800℃の温度範囲における平均熱膨
張率を測定した。
以上の結果を第１表及び第２表にしめす。
［発明の効果］ 本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板によれば、マ
グネシア、シリカ及びカルシアを主成分とする高周波絶
縁性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有するチタン酸バ
リウム（BaTiO3）及び各種温度補償用誘電体セラミック
スを主成分とする誘電体層とが互いに反応することなく
同時に焼成一体化することが可能となる上、前記絶縁体
層と誘電体層の熱膨張率を互いに極めて近似したものと
することができることから、誘電体層にクラック等の欠
陥を生ぜず、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧に優れた高い静
電容量を有するコンデンサー部と温度特性に優れた温度
補償用コンデンサー部を同時に内蔵することができ、そ
の結果、ハイブリッド基板等に最適な小型化・高密度化
されたコンデンサー内蔵複合回路基板を得ることが出来
る。
グネシア、シリカ及びカルシアを主成分とする高周波絶
縁性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有するチタン酸バ
リウム（BaTiO3）及び各種温度補償用誘電体セラミック
スを主成分とする誘電体層とが互いに反応することなく
同時に焼成一体化することが可能となる上、前記絶縁体
層と誘電体層の熱膨張率を互いに極めて近似したものと
することができることから、誘電体層にクラック等の欠
陥を生ぜず、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧に優れた高い静
電容量を有するコンデンサー部と温度特性に優れた温度
補償用コンデンサー部を同時に内蔵することができ、そ
の結果、ハイブリッド基板等に最適な小型化・高密度化
されたコンデンサー内蔵複合回路基板を得ることが出来
る。
第１図は本発明の絶縁体層の組成範囲を示す三元系図、
第２図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実
施例を示す断面図である。 1:絶縁体層 ２、２′：コンデンサー部 ４、４′：誘電体層 ５、５′：電極層
第２図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実
施例を示す断面図である。 1:絶縁体層 ２、２′：コンデンサー部 ４、４′：誘電体層 ５、５′：電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安井 正和 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ 株式会社鹿児島国分工場内 審査官 岡田 和加子
Claims (3)
- 【請求項１】複数の誘電体層の上下面に電極層を設けて
コンデンサー部を形成し、該コンデンサー部を絶縁体層
で挾着したコンデンサー内蔵複合回路基板において、上
記誘電体層がチタン酸バリウム（BaTiO3）及び温度補償
用誘電体セラミックスを主成分とする磁器組成物から成
り、コンデンサー部を挾着した絶縁体層が第１図に示す
下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、の各点で囲まれた範囲内
のマグネシア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（C
aO）を主成分とする絶縁体であることを特徴とするコン
デンサー内蔵複合回路基板。但し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞ
れマグネシア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（C
aO）の重量％を表わす。 X Y Z Ａ 60 36 4 Ｂ 46 50 4 Ｃ 30 50 20 Ｄ 30 40 30 Ｅ 40 30 30 Ｆ 60 30 10 - 【請求項２】前記絶縁体層がフォルステライト（Mg2SiO
4）とメルウイナイト（Ca3MgSi2O8）、モンチセライト
（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgSi2O7）またはエ
ンスタタイト（MgSiO3）のうち少なくとも１種の結晶相
を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のコンデンサー内蔵複合回路基板。 - 【請求項３】前記誘電体層と該誘電体層及び電極層とか
ら形成されるコンデンサー部を挾着した絶縁体層とは同
時焼成して成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のコンデンサー内蔵複合回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140190A JP2681216B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140190A JP2681216B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034594A JPH034594A (ja) | 1991-01-10 |
| JP2681216B2 true JP2681216B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=15263003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140190A Expired - Fee Related JP2681216B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681216B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69323127T2 (de) * | 1992-08-10 | 1999-07-22 | Canon Kk | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren |
| DE4436440A1 (de) * | 1994-10-12 | 1996-04-18 | Philips Patentverwaltung | Keramischer Schichtverbundkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Modul |
| US6270880B1 (en) | 1998-10-16 | 2001-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Crystalline glass composition for use in circuit board, sintered crystalline glass, insulator composition insulating paste and thick film circuit board |
| JP3407716B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2003-05-19 | 株式会社村田製作所 | 複合積層電子部品 |
| JP4658465B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2011-03-23 | 京セラ株式会社 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
| JP2014029889A (ja) * | 2010-11-17 | 2014-02-13 | Panasonic Corp | セラミック多層基板、およびセラミック多層基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1140190A patent/JP2681216B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH034594A (ja) | 1991-01-10 |
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