JP2784555B2 - コンデンサー内蔵複合回路基板 - Google Patents
コンデンサー内蔵複合回路基板Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、コンデンサー、抵抗体及び電気配線用導体
層を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関するもの
である。
層を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関するもの
である。
［従来の技術］ 近年、各種の電子部品はIC及びLSI等の半導体集積回
路素子の利用で小型化・高密度実装化が急速に進めら
れ、それに伴い前記半導体集積回路素子等を搭載する絶
縁基板も小型化とともにより高密度化が要求されてき
た。そこで、電気配線の微細化や多層化および電子回路
におけるコンデンサーや抵抗等の受動部品のチップ化が
進められ、更にそれら小型化された受動部品を絶縁基板
の両面に設けられた電気配線用導体層に接続した両面実
装化が実用化されてきた。
路素子の利用で小型化・高密度実装化が急速に進めら
れ、それに伴い前記半導体集積回路素子等を搭載する絶
縁基板も小型化とともにより高密度化が要求されてき
た。そこで、電気配線の微細化や多層化および電子回路
におけるコンデンサーや抵抗等の受動部品のチップ化が
進められ、更にそれら小型化された受動部品を絶縁基板
の両面に設けられた電気配線用導体層に接続した両面実
装化が実用化されてきた。
しかし乍ら、半導体材料の著しい発達に伴って電子部
品は、より一層の小型化・高密度実装化が要求されるよ
うになり、前記受動部品の小型化等ではその要求を満足
することが出来なくなっていた。
品は、より一層の小型化・高密度実装化が要求されるよ
うになり、前記受動部品の小型化等ではその要求を満足
することが出来なくなっていた。
そこでかかる要求に応えるべく、絶縁基板上に受動素
子であるコンデンサー部をスクリーン印刷法等により厚
膜印刷し、同様にして形成された電極層及び内部配線用
導体層とともに前記絶縁基板の焼成と同時に形成し、そ
の後、該絶縁基板面上に同様のスクリーン印刷法等によ
り前記配線用導体層及び抵抗体層を形成し、該導体及び
抵抗体層を焼付けてハイブリッド化することにより小型
化・高密度化せんとする複合セラミック基板が提案され
ている（特公昭63−55795号公報参照）。
子であるコンデンサー部をスクリーン印刷法等により厚
膜印刷し、同様にして形成された電極層及び内部配線用
導体層とともに前記絶縁基板の焼成と同時に形成し、そ
の後、該絶縁基板面上に同様のスクリーン印刷法等によ
り前記配線用導体層及び抵抗体層を形成し、該導体及び
抵抗体層を焼付けてハイブリッド化することにより小型
化・高密度化せんとする複合セラミック基板が提案され
ている（特公昭63−55795号公報参照）。
［発明が解決しようとする課題］ しかし乍ら、この従来の複合セラミック基板は温度補
償用誘電体セラミックス、例えばチタン酸カルシウム
（CaTiO3）、チタン酸マグネシウム（Mg2TiO4）、チタ
ン酸ランタン（La2Ti2O7）、チタン酸ストロンチウム
（SrTiO3）またはチタン酸ネオジウム（Nd2Ti2O7）のい
ずれかを主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、化学
的に安定で且つ絶縁性に優れたアルミナを主成分とする
絶縁基板中に内蔵させた場合には、該アルミナを主成分
とする絶縁基板と前記誘電体との焼成温度を一致させる
ことが難しく、その上、前記絶縁基板と誘電体層との熱
膨張差から誘電体層にクラックを生じ、コンデンサーと
しての絶縁抵抗や耐電圧が低下してしまい、所期の特性
を有する誘電体層が得られないという問題があった。
償用誘電体セラミックス、例えばチタン酸カルシウム
（CaTiO3）、チタン酸マグネシウム（Mg2TiO4）、チタ
ン酸ランタン（La2Ti2O7）、チタン酸ストロンチウム
（SrTiO3）またはチタン酸ネオジウム（Nd2Ti2O7）のい
ずれかを主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、化学
的に安定で且つ絶縁性に優れたアルミナを主成分とする
絶縁基板中に内蔵させた場合には、該アルミナを主成分
とする絶縁基板と前記誘電体との焼成温度を一致させる
ことが難しく、その上、前記絶縁基板と誘電体層との熱
膨張差から誘電体層にクラックを生じ、コンデンサーと
しての絶縁抵抗や耐電圧が低下してしまい、所期の特性
を有する誘電体層が得られないという問題があった。
［発明の目的］ 本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的
は主成分がマグネシア（MgO）、シリカ（SiO2）、もし
くはマグネシア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア
（CaO）にアルミナ（Al2O3）を加えたものから成る高周
波絶縁性に優れた絶縁体層と温度補償用誘電体層を同時
に焼成できると共に、温度補償用コンデンサーとして安
定した諸特性を有するコンデンサー内蔵複合回路基板を
提供することにある。
は主成分がマグネシア（MgO）、シリカ（SiO2）、もし
くはマグネシア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア
（CaO）にアルミナ（Al2O3）を加えたものから成る高周
波絶縁性に優れた絶縁体層と温度補償用誘電体層を同時
に焼成できると共に、温度補償用コンデンサーとして安
定した諸特性を有するコンデンサー内蔵複合回路基板を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係るコンデンサー内蔵複合回路基板は、温度
補償用誘電体セラミックスを主成分とするコンデンサー
部を挾着する絶縁体層の主成分が第１図に示す下記Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点で囲まれた範囲内のマグネシ
ア（MgO）とシリカ（SiO2）もしくはマグネシア（Mg
O）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）と、該マグネ
シア（MgO）とシリカ（SiO2）もしくはマグネシア（Mg
O）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の合計100重
量部に対し、１を越え15未満の重量部のアルミナ（Al2O
3）とから成る絶縁体であり、該絶縁体がフォルステラ
イト（Mg2SiO4）とエンスタタイト（MgSiO3）、モンチ
セライト（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgSi2O7）
またはスピネル（MgAl2O4）のうち少なくとも一種の結
晶相を含有し、前記誘電体層と該誘電体層及び電極層と
から形成されるコンデンサーを挾着した絶縁体層とは同
時焼成して成ることを特徴とするものである。但し、
Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア（MgO）、シリカ（SiO
2）及びカルシア（CaO）の重量％を表す。
補償用誘電体セラミックスを主成分とするコンデンサー
部を挾着する絶縁体層の主成分が第１図に示す下記Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点で囲まれた範囲内のマグネシ
ア（MgO）とシリカ（SiO2）もしくはマグネシア（Mg
O）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）と、該マグネ
シア（MgO）とシリカ（SiO2）もしくはマグネシア（Mg
O）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の合計100重
量部に対し、１を越え15未満の重量部のアルミナ（Al2O
3）とから成る絶縁体であり、該絶縁体がフォルステラ
イト（Mg2SiO4）とエンスタタイト（MgSiO3）、モンチ
セライト（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgSi2O7）
またはスピネル（MgAl2O4）のうち少なくとも一種の結
晶相を含有し、前記誘電体層と該誘電体層及び電極層と
から形成されるコンデンサーを挾着した絶縁体層とは同
時焼成して成ることを特徴とするものである。但し、
Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア（MgO）、シリカ（SiO
2）及びカルシア（CaO）の重量％を表す。
Ｘ Ｙ Ｚ Ａ 60 40 0 Ｂ 40 60 0 Ｃ 30 60 10 Ｄ 20 40 40 Ｅ 40 30 30 Ｆ 60 30 10 即し、前記絶縁体層の組成は第１図において、MgOが6
0重量％を越えると焼成温度が1350℃以上となり前記温
度補償用誘電体材料と同時焼成できず、20重量％未満で
はコンデンサー部の絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が低下
してしまい実用範囲を越えてしまう。
0重量％を越えると焼成温度が1350℃以上となり前記温
度補償用誘電体材料と同時焼成できず、20重量％未満で
はコンデンサー部の絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が低下
してしまい実用範囲を越えてしまう。
また、SiO2が60重量％を越えると絶縁体層の熱膨張率
が低下し、該絶縁体層と前記温度補償用誘電体層との熱
膨張差により、該温度補償用誘電体層にクラックが発生
し、絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が低くなり実用範囲を
越え、30重量％未満では焼成温度が1350℃以上となり、
前記温度補償用誘電体材料と同時焼成できない。
が低下し、該絶縁体層と前記温度補償用誘電体層との熱
膨張差により、該温度補償用誘電体層にクラックが発生
し、絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が低くなり実用範囲を
越え、30重量％未満では焼成温度が1350℃以上となり、
前記温度補償用誘電体材料と同時焼成できない。
一方、CaOが40重量％を越えると焼成温度が1350℃以
上となり、前記温度補償用誘電体材料と同時焼成できな
いか、また同時焼成できたとしてもCaSiO3またはCa2SiO
4等のカルシウムケイ酸塩が析出すると共に絶縁抵抗値
及び絶縁破壊電圧が低下し実用範囲を越える。
上となり、前記温度補償用誘電体材料と同時焼成できな
いか、また同時焼成できたとしてもCaSiO3またはCa2SiO
4等のカルシウムケイ酸塩が析出すると共に絶縁抵抗値
及び絶縁破壊電圧が低下し実用範囲を越える。
故に、前記絶縁体層の組成は第１図のＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅ、Ｆの各点に囲まれた範囲内に特定される。
Ｄ、Ｅ、Ｆの各点に囲まれた範囲内に特定される。
［作用］ コンデンサー部を挾着した絶縁体層の組成の一部であ
るマグネシア（MgO）とシリカ（SiO2）、もしくはマグ
ネシア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の
組成範囲を第１図に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点
で囲まれた範囲内となる様に調整し、それにアルミナ
（Al2O3）を加えることより、前記絶縁体材料をチタン
酸カルシウム（CaTiO3）、チタン酸マグネシウム（MgTi
O3）、チタン酸ランタン（La2Ti2O7）、チタン酸ストロ
ンチウム（SrTiO3）、またはチタン酸ネオジウム（Nd2T
i2O7）のいずれかを主成分とする温度補償用誘電体材料
が焼結する1240℃乃至1300℃の焼成温度にて同時に焼成
一体化することができるとともに、焼成一体化された絶
縁体層にはフォルステライト（Mg2SiO4）結晶相以外
に、該フォルステライト結晶相の熱膨張率と異なる熱膨
張率を有するエンスタタイト（MgSiO3）、モンチセライ
ト（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgSi2O7）、また
はスピネル（MgAl2O4）の結晶相が少なくとも１種形成
され、前記絶縁体の熱膨張率を調整できることとなる。
るマグネシア（MgO）とシリカ（SiO2）、もしくはマグ
ネシア（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の
組成範囲を第１図に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点
で囲まれた範囲内となる様に調整し、それにアルミナ
（Al2O3）を加えることより、前記絶縁体材料をチタン
酸カルシウム（CaTiO3）、チタン酸マグネシウム（MgTi
O3）、チタン酸ランタン（La2Ti2O7）、チタン酸ストロ
ンチウム（SrTiO3）、またはチタン酸ネオジウム（Nd2T
i2O7）のいずれかを主成分とする温度補償用誘電体材料
が焼結する1240℃乃至1300℃の焼成温度にて同時に焼成
一体化することができるとともに、焼成一体化された絶
縁体層にはフォルステライト（Mg2SiO4）結晶相以外
に、該フォルステライト結晶相の熱膨張率と異なる熱膨
張率を有するエンスタタイト（MgSiO3）、モンチセライ
ト（CaMgSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgSi2O7）、また
はスピネル（MgAl2O4）の結晶相が少なくとも１種形成
され、前記絶縁体の熱膨張率を調整できることとなる。
［実施例］ 次に本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板を第２図
に示す実施例に基づき詳細に説明する。
に示す実施例に基づき詳細に説明する。
第２図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
図において、１は絶縁体層、２はコンデンサー部、３
は電気配線用導体で、前記コンデンサー部２は交互に積
層された誘電体層４と電極層５とから成る。
は電気配線用導体で、前記コンデンサー部２は交互に積
層された誘電体層４と電極層５とから成る。
前記絶縁体層１は、その組成が第１図に示す下記Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点 Ｘ Ｙ Ｚ Ａ 60 40 0 Ｂ 40 60 0 Ｃ 30 60 10 Ｄ 20 40 40 Ｅ 40 30 30 Ｆ 60 30 10 即し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア（MgO）、シ
リカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の重量％を表す。
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点 Ｘ Ｙ Ｚ Ａ 60 40 0 Ｂ 40 60 0 Ｃ 30 60 10 Ｄ 20 40 40 Ｅ 40 30 30 Ｆ 60 30 10 即し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア（MgO）、シ
リカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の重量％を表す。
で囲まれた範囲内のMgOとSiO2もしくはMgO、SiO2及びCa
Oの合計100重量部に対し、１を越え15未満の重量部のAl
2O3とから成るセラミック原料粉末を混合し、該混合物
を1100℃乃至1250℃の温度で仮焼する。その後、前記仮
焼物を粉砕したセラミック粉末に適当な有機バインダ
ー、分散剤、可塑剤及び溶媒を添加混合して泥漿物を作
り、該泥漿物を例えば従来周知のドクターブレード法に
よりシート状に成形し、得られたグリーンシートを複数
枚積層したものから形成される。
Oの合計100重量部に対し、１を越え15未満の重量部のAl
2O3とから成るセラミック原料粉末を混合し、該混合物
を1100℃乃至1250℃の温度で仮焼する。その後、前記仮
焼物を粉砕したセラミック粉末に適当な有機バインダ
ー、分散剤、可塑剤及び溶媒を添加混合して泥漿物を作
り、該泥漿物を例えば従来周知のドクターブレード法に
よりシート状に成形し、得られたグリーンシートを複数
枚積層したものから形成される。
また、前記コンデンサー２はCaTiO3、Mg2SiO4、La2Ti
2O7、SrTiO3またはNd2Ti2O7のいずれかを主成分とする
温度補償用誘電体材料の原料粉末に適当なバインダー、
分散剤、可塑剤、及び溶剤を添加混合して泥漿物を作
り、該泥漿物を例えば従来周知のドクターブレード法に
よりシート状に成形する。得られた誘電体のグリーンシ
ートにはその上面に銀・パラジウム（Ag−Pd）合金等か
らなり、該合金の金属粉末に適当な溶剤、溶媒を添加混
合した合金ペーストを従来周知のスクリーン印刷法によ
り所定の電極パターンに被着し、電極層５を形成する。
2O7、SrTiO3またはNd2Ti2O7のいずれかを主成分とする
温度補償用誘電体材料の原料粉末に適当なバインダー、
分散剤、可塑剤、及び溶剤を添加混合して泥漿物を作
り、該泥漿物を例えば従来周知のドクターブレード法に
よりシート状に成形する。得られた誘電体のグリーンシ
ートにはその上面に銀・パラジウム（Ag−Pd）合金等か
らなり、該合金の金属粉末に適当な溶剤、溶媒を添加混
合した合金ペーストを従来周知のスクリーン印刷法によ
り所定の電極パターンに被着し、電極層５を形成する。
尚、絶縁体層１及びコンデンサー部２の上下面の導通
をはかるため、絶縁体及び誘電体のグリーンシートには
打ち抜き加工等によりスルホール部６が形成され、該ス
ルホール部６には前記合金ペーストが充填されている。
をはかるため、絶縁体及び誘電体のグリーンシートには
打ち抜き加工等によりスルホール部６が形成され、該ス
ルホール部６には前記合金ペーストが充填されている。
次いで、前記絶縁体及び誘電体のグリーンシートを夫
々積層して熱圧着し、得られた積層体を大気中、200℃
乃至400℃の温度で脱バインダーし、その後、1240℃乃
至1300℃の温度にて一体化焼成することにより、コンデ
ンサー部２を内蔵した絶縁基板を得る。
々積層して熱圧着し、得られた積層体を大気中、200℃
乃至400℃の温度で脱バインダーし、その後、1240℃乃
至1300℃の温度にて一体化焼成することにより、コンデ
ンサー部２を内蔵した絶縁基板を得る。
かくし前記一体焼成後の絶縁体層１表面にスクリーン
印刷法によりAg−Pd系合金ペーストを使用して電気配線
用導体パターンを、また必要に応じて酸化ルテニウム
（RuO2）等を主成分とするペーストを使用して抵抗パタ
ーンをそれぞれ印刷し、大気中およそ850℃の温度で焼
成することにより抵抗体７を有するコンデンサー内蔵複
合回路基板が得られる。
印刷法によりAg−Pd系合金ペーストを使用して電気配線
用導体パターンを、また必要に応じて酸化ルテニウム
（RuO2）等を主成分とするペーストを使用して抵抗パタ
ーンをそれぞれ印刷し、大気中およそ850℃の温度で焼
成することにより抵抗体７を有するコンデンサー内蔵複
合回路基板が得られる。
また、前記配線用導体パターンに銅（Cu）を主成分と
するペーストを使用する場合には、抵抗パターンに硼化
ランタン（LaB6）や酸化スズ（SnO2）を主成分とするペ
ーストを使用して印刷し、窒素雰囲気中および900℃の
温度で焼成することにより、前記と同様のコンデンサー
内蔵複合回路基板が得られる。
するペーストを使用する場合には、抵抗パターンに硼化
ランタン（LaB6）や酸化スズ（SnO2）を主成分とするペ
ーストを使用して印刷し、窒素雰囲気中および900℃の
温度で焼成することにより、前記と同様のコンデンサー
内蔵複合回路基板が得られる。
尚、前記絶縁体層１に残留する不可避不純物として、
酸化鉄（Fe2O3）及び酸化バリウム（BaO）の総量は、Mg
OとSiO2に、もしくはMgO、SiO2及びCaOにAl2O3を加えた
総量を100重量部とした場合、５重量部以下であればコ
ンデンサー部の各種特性を劣化させることはない。
酸化鉄（Fe2O3）及び酸化バリウム（BaO）の総量は、Mg
OとSiO2に、もしくはMgO、SiO2及びCaOにAl2O3を加えた
総量を100重量部とした場合、５重量部以下であればコ
ンデンサー部の各種特性を劣化させることはない。
次に実験例に基づき本発明を説明する。
絶縁体層の組成が第１表に示す組成比となる様に、Mg
O、SiO2及びAl2O3もしくはMgO、SiO2、CaO及びAl2O3か
ら成るセラミック原料粉末を混合し、該混合物を1100℃
乃至1250℃の温度で仮焼を行った。その後、前記仮焼物
を所望の粒度に粉砕調整し、得られた原料粉末に適当な
有機バインダー及び溶媒を添加して泥漿状となすととも
に、該泥漿物をドクターブレード法により厚さ約200μ
ｍのグリーンシートを成形し、しかる後、該グリーンシ
ートに打ち抜き加工を施し、170mm角の絶縁体のシート
を得た。
O、SiO2及びAl2O3もしくはMgO、SiO2、CaO及びAl2O3か
ら成るセラミック原料粉末を混合し、該混合物を1100℃
乃至1250℃の温度で仮焼を行った。その後、前記仮焼物
を所望の粒度に粉砕調整し、得られた原料粉末に適当な
有機バインダー及び溶媒を添加して泥漿状となすととも
に、該泥漿物をドクターブレード法により厚さ約200μ
ｍのグリーンシートを成形し、しかる後、該グリーンシ
ートに打ち抜き加工を施し、170mm角の絶縁体のシート
を得た。
一方、第１表に示す温度補償様誘電体材料を主成分と
する原料粉末に適当な有機バインダー及び溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともに、該泥漿物を引き上げ法に
よりコンデンサーの容量設定のため厚さ20μｍ乃至60μ
ｍのグリーンシートを成形し、しかる後、該グリーンシ
ートに打ち抜き加工を施し、170mm角の誘電体シートを
得た。
する原料粉末に適当な有機バインダー及び溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともに、該泥漿物を引き上げ法に
よりコンデンサーの容量設定のため厚さ20μｍ乃至60μ
ｍのグリーンシートを成形し、しかる後、該グリーンシ
ートに打ち抜き加工を施し、170mm角の誘電体シートを
得た。
次いで、前記誘電体シートにスクリーン印刷等の厚膜
印刷法によりAg−Pd合金ペーストを用いて約1mm乃至10m
m角の電極パターンを必要とする容量に応じて印刷形成
する。
印刷法によりAg−Pd合金ペーストを用いて約1mm乃至10m
m角の電極パターンを必要とする容量に応じて印刷形成
する。
また、前記絶縁体シート及び誘電体シートに予め形成
されたスルホール部にもスクリーン印刷法等によりAg−
Pd合金ペーストを充填する。
されたスルホール部にもスクリーン印刷法等によりAg−
Pd合金ペーストを充填する。
しかる後、前記絶縁体シートの間に、誘電体シートを
複数枚挾み込み、熱圧着し、得られた積層体を大気中20
0℃乃至400℃の温度で脱バインダーし、続いて第１表に
示す温度にて大気中で焼成する。
複数枚挾み込み、熱圧着し、得られた積層体を大気中20
0℃乃至400℃の温度で脱バインダーし、続いて第１表に
示す温度にて大気中で焼成する。
上記評価試料によりLCRメーターを使用してコンデン
サー部の電極層間の短絡の有無を確認した後、JIS C 51
02の規定に準じて前記LCRメーターにより周波数1MHz、
入力信号レベル1.0Vrmsの測定条件にて、−55℃乃至125
℃における静電容量を測定して該静電容量の変化率を温
度係数（TCC）として算出した。同様に、コンデンサー
部に25Vの直流電圧を印加し60秒後の抵抗値を測定し、
該抵抗値を絶縁抵抗値とした。また、コンデンサー部の
端子間に毎秒100Vの速度で電圧を印加し、それ漏れ電流
値が1.0mAを越えた瞬間の電圧値を測定し、該測定値を
もって絶縁破壊電圧とした。
サー部の電極層間の短絡の有無を確認した後、JIS C 51
02の規定に準じて前記LCRメーターにより周波数1MHz、
入力信号レベル1.0Vrmsの測定条件にて、−55℃乃至125
℃における静電容量を測定して該静電容量の変化率を温
度係数（TCC）として算出した。同様に、コンデンサー
部に25Vの直流電圧を印加し60秒後の抵抗値を測定し、
該抵抗値を絶縁抵抗値とした。また、コンデンサー部の
端子間に毎秒100Vの速度で電圧を印加し、それ漏れ電流
値が1.0mAを越えた瞬間の電圧値を測定し、該測定値を
もって絶縁破壊電圧とした。
一方、絶縁体層の結晶相は、前記評価試料を使用して
Ｘ線回折を行ない、評価試料表面のＸ線回折パターンに
より同定した。また、絶縁体層及び誘電体層の熱膨張率
は、それぞれ前記評価試料と同一組成である縦3mm、横3
mm、長さ40mmの角柱状の試験片を前記評価試料の焼成と
同時に焼成し、40℃乃至800℃の温度範囲における平均
熱膨張率を測定した。
Ｘ線回折を行ない、評価試料表面のＸ線回折パターンに
より同定した。また、絶縁体層及び誘電体層の熱膨張率
は、それぞれ前記評価試料と同一組成である縦3mm、横3
mm、長さ40mmの角柱状の試験片を前記評価試料の焼成と
同時に焼成し、40℃乃至800℃の温度範囲における平均
熱膨張率を測定した。
以上の結果を第１表に示す。
尚、本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板は前述の
実施例のみに限定されるものではなく、受動部品である
抵抗体を絶縁基板の両面に形成すれば、より一層の小型
化・高密度化が実現できることは言うまでもない。
実施例のみに限定されるものではなく、受動部品である
抵抗体を絶縁基板の両面に形成すれば、より一層の小型
化・高密度化が実現できることは言うまでもない。
［発明の効果］ 本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板によれば、マ
グネシア、シリカ及びアルミナもしくはマグネシア、シ
リカ、カルシア及びアルミナを主成分とする高周波絶縁
性に優れた絶縁体層を温度補償用誘電体材料と同時に焼
成一体化することができる上、前記絶縁体層と温度補償
用誘電体層の熱膨張率を互いに極めて近似したものとす
ることができることから、誘電体層にクラック等の欠陥
を生じることなく絶縁抵抗並びに絶縁破壊電圧に優れた
温度補償用コンデンサー部を内蔵することが可能とな
り、その結果、ハイブリッド基板等に最適な小型化・高
密度化されたコンデンサー内蔵複合回路基板を得ること
が出来る。
グネシア、シリカ及びアルミナもしくはマグネシア、シ
リカ、カルシア及びアルミナを主成分とする高周波絶縁
性に優れた絶縁体層を温度補償用誘電体材料と同時に焼
成一体化することができる上、前記絶縁体層と温度補償
用誘電体層の熱膨張率を互いに極めて近似したものとす
ることができることから、誘電体層にクラック等の欠陥
を生じることなく絶縁抵抗並びに絶縁破壊電圧に優れた
温度補償用コンデンサー部を内蔵することが可能とな
り、その結果、ハイブリッド基板等に最適な小型化・高
密度化されたコンデンサー内蔵複合回路基板を得ること
が出来る。
第１図は本発明の絶縁体層の組成の一部であるMgO、SiO
2及びCaOの組成範囲を示す三元系図、第２図は本発明の
コンデンサー内蔵複合回路基板の一実施例を示す断面図
である。 １……絶縁体層 ２……コンデンサー部 ４……誘電体層 ５……電極層
2及びCaOの組成範囲を示す三元系図、第２図は本発明の
コンデンサー内蔵複合回路基板の一実施例を示す断面図
である。 １……絶縁体層 ２……コンデンサー部 ４……誘電体層 ５……電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−236758（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−295473（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 4/12 H05K 3/46
Claims (3)
- 【請求項１】温度補償用誘電体セラミックスを主成分と
する磁器組成物を誘電体層とし、該誘電体層の上下面に
電極層を設けてコンデンサー部を形成し、該コンデンサ
ー部を絶縁体層で挾着したコンデンサー内蔵複合回路基
板において、上記絶縁体層の主成分が、第１図に示す下
記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点で囲まれた範囲内のマ
グネシア（MgO）とシリカ（SiO2）もしくはマグネシア
（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）と、該マ
グネシア（MgO）とシリカ（SiO2）もしくはマグネシア
（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の合計10
0重量部に対し、１を越え15未満の重量部のアルミナ（A
l2O3）とから成ることを特徴とするコンデンサー内蔵複
合回路基板。但し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア
（MgO）、シリカ（SiO2）及びカルシア（CaO）の重量％
を表す。 Ｘ Ｙ Ｚ Ａ 60 40 0 Ｂ 40 60 0 Ｃ 30 60 10 Ｄ 20 40 40 Ｅ 40 30 30 Ｆ 60 30 10 - 【請求項２】前記絶縁体層がフォルステライト（Mg2SiO
4）とエンスタタイト（MgSiO3）、モンチセライト（CaM
gSiO4）、アカーマナイト（Ca2MgSi2O7）、またはスピ
ネル（MgAl2O4）のうち少なくとも１種の結晶相を含有
することを特徴とする請求項１記載のコンデンサー内蔵
複合回路基板。 - 【請求項３】前記誘電体層と該誘電体層及び電極層とか
ら形成されるコンデンサー部を挾着した絶縁体層とは同
時焼成して成ることを特徴とする請求項１記載のコンデ
ンサー内蔵複合回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294972A JP2784555B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294972A JP2784555B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167412A JPH04167412A (ja) | 1992-06-15 |
| JP2784555B2 true JP2784555B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=17814690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2294972A Expired - Fee Related JP2784555B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2784555B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BR112015016946B1 (pt) * | 2013-01-15 | 2021-10-13 | Nsk Ltd. | Placa de circuito impresso e estrutura de supressão de ruído |
| CN108519261B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-04-28 | 西安交通大学 | 一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法 |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP2294972A patent/JP2784555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04167412A (ja) | 1992-06-15 |
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