JPH02305490A - コンデンサー内蔵複合回路基板 - Google Patents
コンデンサー内蔵複合回路基板Info
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- JPH02305490A JPH02305490A JP1127472A JP12747289A JPH02305490A JP H02305490 A JPH02305490 A JP H02305490A JP 1127472 A JP1127472 A JP 1127472A JP 12747289 A JP12747289 A JP 12747289A JP H02305490 A JPH02305490 A JP H02305490A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 23
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical group [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 235000012245 magnesium oxide Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical group [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 abstract description 8
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910015806 BaTiO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- -1 5int Chemical compound 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンデンサー、抵抗体及び電気配線用導体層
を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関し、とりわ
け絶縁基体及び誘電体を同時に焼成して成るコンデンサ
ー内蔵複合回路基板に関するものである。
を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関し、とりわ
け絶縁基体及び誘電体を同時に焼成して成るコンデンサ
ー内蔵複合回路基板に関するものである。
近年、各種の電子部品はＩＣ及びＬＳＩ等の半導体集積
回路素子の利用で小型化・高密度実装化が急速に進めら
れ、それに伴い前記半導体集積回路素子等を搭載する絶
縁基板も小型化とともにより高密度化が要求されてきた
。そこで、電気配線の微細化や多層化による高密度化お
よび電子回路におけるコンデンサーや抵抗等の受動部品
のチップ化が進められ、更にそれら小型化された受動部
品を絶縁基板の両面に設けられた電気配線用導体層に接
続した両面実装化が実用化されてきた。
回路素子の利用で小型化・高密度実装化が急速に進めら
れ、それに伴い前記半導体集積回路素子等を搭載する絶
縁基板も小型化とともにより高密度化が要求されてきた
。そこで、電気配線の微細化や多層化による高密度化お
よび電子回路におけるコンデンサーや抵抗等の受動部品
のチップ化が進められ、更にそれら小型化された受動部
品を絶縁基板の両面に設けられた電気配線用導体層に接
続した両面実装化が実用化されてきた。
しかし乍ら、半導体材料の著しい発達に伴って電子部品
は、より一層の小型化・高密度実装化が要求されるよう
になり、前記受動部品の小型化等ではその要求を満足す
ることができなくなっていた。
は、より一層の小型化・高密度実装化が要求されるよう
になり、前記受動部品の小型化等ではその要求を満足す
ることができなくなっていた。
そこでかかる要求に答えるべく、絶縁基体上に受動素子
であるコンデンサー部をスクリーン印刷法等により厚膜
印刷し、同様にして形成された電極層及び内部配線用導
体層とともに前、記絶縁基体の焼成と同時に形成し、そ
の後、該絶縁基体面上に同様のスフリーラ印刷法により
電気配線用導体層及び抵抗体層を形成し、該導体組及び
抵抗体層を焼付けてハイブリッド化することにより小型
化・高密度化せんとする複合セラミック基板が提案され
ている（持分昭和６３−５５７９５号公報参照）。
であるコンデンサー部をスクリーン印刷法等により厚膜
印刷し、同様にして形成された電極層及び内部配線用導
体層とともに前、記絶縁基体の焼成と同時に形成し、そ
の後、該絶縁基体面上に同様のスフリーラ印刷法により
電気配線用導体層及び抵抗体層を形成し、該導体組及び
抵抗体層を焼付けてハイブリッド化することにより小型
化・高密度化せんとする複合セラミック基板が提案され
ている（持分昭和６３−５５７９５号公報参照）。
しかし乍ら、この従来の複合セラミック基板は、たとえ
ばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｚ ）を主成分とする
セラミックスを誘電体層とし該誘電体層を機械的に強度
が高く化学的に安定で且つ絶縁性に優れたアルミナを主
成分とする絶縁基体中に内蔵させた場合、絶縁基体のア
ルミナセラミ、クスと誘電体層のチタン酸バリウムから
成るセラミックスとが接した状態で同時に焼成すると、
前記セラミックス同士が反応してしまい、所期の特性を
有する誘電体層が得られないという課題と、前記絶縁°
基体のアルミナから成るセラミックスと誘電体層のチタ
ン酸バリウムから成るセラミックスとの焼成温度を一致
させることが難しく、その上、前記絶縁基体と誘電体層
との熱膨張差から誘電体層にクラックを生じ、コンデン
サーとしての絶縁抵抗や絶縁破壊電圧が低下するという
問題があった。
ばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｚ ）を主成分とする
セラミックスを誘電体層とし該誘電体層を機械的に強度
が高く化学的に安定で且つ絶縁性に優れたアルミナを主
成分とする絶縁基体中に内蔵させた場合、絶縁基体のア
ルミナセラミ、クスと誘電体層のチタン酸バリウムから
成るセラミックスとが接した状態で同時に焼成すると、
前記セラミックス同士が反応してしまい、所期の特性を
有する誘電体層が得られないという課題と、前記絶縁°
基体のアルミナから成るセラミックスと誘電体層のチタ
ン酸バリウムから成るセラミックスとの焼成温度を一致
させることが難しく、その上、前記絶縁基体と誘電体層
との熱膨張差から誘電体層にクラックを生じ、コンデン
サーとしての絶縁抵抗や絶縁破壊電圧が低下するという
問題があった。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
ＭｇＯ，５ｉｎｔ、、ＣａＯを主成分とする高周波絶縁
性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有するチタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯｉ）を主成分とする誘電体層を同時に
焼成し、高い静電容量を有するコンデンサーを内蔵した
複合回路基板を提供することにある。
ＭｇＯ，５ｉｎｔ、、ＣａＯを主成分とする高周波絶縁
性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有するチタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯｉ）を主成分とする誘電体層を同時に
焼成し、高い静電容量を有するコンデンサーを内蔵した
複合回路基板を提供することにある。
本発明に係るコンデンサー内蔵複合回路基板は、チタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ，）を主成分とするセラミック
スを誘電体層とするコンデンサー部を挾持する絶縁体層
が第１図に示す下記Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅの各点で囲まれ
た範囲内のマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（Ｓｉ（ｈ）
及びカルシア（ＣａＯ）を主成分とする絶縁体であり、
該絶縁体がフォルステライト（ＭｇｚＳｉｄｅ）とモン
チセライト（ＣａＭｇＳｉ０４）またはアカーマナイト
（ＣａｔＭｇＳｉｚＯｔ）の少なくとも一種の結晶相を
含有し、前記誘電体層と該誘電体層及び電極層とから形
成されるコンデンサー部を挾持した絶縁体層とは同時焼
成して成ることを特徴とするものである。但し、Ｘ、Ｙ
、Ｚはそれぞれマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ
２）及びカルシア（ＣａＯ）の重量％を表わす。
酸バリウム（ＢａＴｉＯ，）を主成分とするセラミック
スを誘電体層とするコンデンサー部を挾持する絶縁体層
が第１図に示す下記Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅの各点で囲まれ
た範囲内のマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（Ｓｉ（ｈ）
及びカルシア（ＣａＯ）を主成分とする絶縁体であり、
該絶縁体がフォルステライト（ＭｇｚＳｉｄｅ）とモン
チセライト（ＣａＭｇＳｉ０４）またはアカーマナイト
（ＣａｔＭｇＳｉｚＯｔ）の少なくとも一種の結晶相を
含有し、前記誘電体層と該誘電体層及び電極層とから形
成されるコンデンサー部を挾持した絶縁体層とは同時焼
成して成ることを特徴とするものである。但し、Ｘ、Ｙ
、Ｚはそれぞれマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ
２）及びカルシア（ＣａＯ）の重量％を表わす。
ＹＺ
＾ ６０ ３６ ４
Ｃ２０５０３０
Ｄ ４０ ３０ ３０
Ｈ６０３０１０
即ち、前記絶縁体層の組成は第１図において、ＭｇＯが
６０重量％を越えると焼成温度が１３６０℃以上となり
前記誘電体材料と同時焼成できず、その上、ＭｇＱが析
出し耐湿性に劣る。他方、２０重量％未満では焼成温度
は１２２０℃以下となり前記誘電体材料と同時焼成でき
ない。
６０重量％を越えると焼成温度が１３６０℃以上となり
前記誘電体材料と同時焼成できず、その上、ＭｇＱが析
出し耐湿性に劣る。他方、２０重量％未満では焼成温度
は１２２０℃以下となり前記誘電体材料と同時焼成でき
ない。
また、Ｓｉｎ、が５０重量％を越えると絶縁体層の熱膨
張率が低下し、該絶縁体層と前記誘電体層との熱膨張差
により、該誘電体層にクラックが発生し、所期の誘電体
特性が得られない。他方、３０重ｉｌｚ未満では焼成温
度が１３６０℃以上となり、前記誘電体材料と同時焼成
できない。
張率が低下し、該絶縁体層と前記誘電体層との熱膨張差
により、該誘電体層にクラックが発生し、所期の誘電体
特性が得られない。他方、３０重ｉｌｚ未満では焼成温
度が１３６０℃以上となり、前記誘電体材料と同時焼成
できない。
一方、ＣａＯが３０重量％を越えるかあるいは４重１ｍ
未満ではチタン酸バリウムから成るセラミックスとの反
応性が極めて大となり、所期の特性を有する誘電体層が
得られなくなる他、３０重量％を越えるとＣａＳｉＯ３
またはＣａＳｉＯ３等のカルシウムケイ酸塩が析出し耐
湿性に劣る。
未満ではチタン酸バリウムから成るセラミックスとの反
応性が極めて大となり、所期の特性を有する誘電体層が
得られなくなる他、３０重量％を越えるとＣａＳｉＯ３
またはＣａＳｉＯ３等のカルシウムケイ酸塩が析出し耐
湿性に劣る。
故に、前記絶縁体層の組成は第１図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、
Ｅの各点に囲まれた範囲内に特定される。
Ｅの各点に囲まれた範囲内に特定される。
コンデンサー部を挾持した絶縁体層の組成が、主成分で
あるマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ２）及びカ
ルシア（ＣａＯ）を第１図に示すＡ、Ｂ、ＣＸ Ｄ、Ｅ
の各点に囲まれた範囲内となる様に調整することにより
、前記絶縁体材料をチタン酸バリウム（ＢａＴｉｏ２）
から成る誘電体材料が焼結する１２４０℃乃至１３４０
℃の焼成温度にて同時に焼成一体化することができると
ともに、焼成一体化された絶縁体層にはフォルステライ
ト （Ｍｇ２ＳｉＯｎ）結晶相以外に、該フォルステラ
イト結晶相の熱膨張率と異なる熱膨張率を有するモンチ
セライト（ＣａＭｇＳｉＯ＊）またはアカーマナイト（
ＣａｚＭｇＳｉｚ０７）の結晶相が少なくとも１種形成
されて、前記絶縁体の熱膨張率が調整できることとなる
。
あるマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ２）及びカ
ルシア（ＣａＯ）を第１図に示すＡ、Ｂ、ＣＸ Ｄ、Ｅ
の各点に囲まれた範囲内となる様に調整することにより
、前記絶縁体材料をチタン酸バリウム（ＢａＴｉｏ２）
から成る誘電体材料が焼結する１２４０℃乃至１３４０
℃の焼成温度にて同時に焼成一体化することができると
ともに、焼成一体化された絶縁体層にはフォルステライ
ト （Ｍｇ２ＳｉＯｎ）結晶相以外に、該フォルステラ
イト結晶相の熱膨張率と異なる熱膨張率を有するモンチ
セライト（ＣａＭｇＳｉＯ＊）またはアカーマナイト（
ＣａｚＭｇＳｉｚ０７）の結晶相が少なくとも１種形成
されて、前記絶縁体の熱膨張率が調整できることとなる
。
次に本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板を第２図に
示す実施例に基づき詳細に説明する。
示す実施例に基づき詳細に説明する。
第２図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
図において、■は絶縁体層、２はコンデンサー部、３は
電気配線用導体で、前記コンデンサー部２は交互に積層
された誘電体層４と電極Ｆｆ５とから成る。
電気配線用導体で、前記コンデンサー部２は交互に積層
された誘電体層４と電極Ｆｆ５とから成る。
前記絶縁体層１は、その組成が第１図に示す下記Ａ、Ｂ
、Ｃ，Ｄ、Ｅの各点 ＹＺ Ａ ６０ ３６ ４ Ｂ ４６ ５０ ４ Ｃ２０５０３０ Ｄ ４０ ３０ ３０ Ｅ ６０ ３０ １０ 但し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア（ＭｇＯ）、シ
リカ（ＳｉＯ２）及びカルシア（ＣａＯ）の重量％を表
わす。
、Ｃ，Ｄ、Ｅの各点 ＹＺ Ａ ６０ ３６ ４ Ｂ ４６ ５０ ４ Ｃ２０５０３０ Ｄ ４０ ３０ ３０ Ｅ ６０ ３０ １０ 但し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれマグネシア（ＭｇＯ）、シ
リカ（ＳｉＯ２）及びカルシア（ＣａＯ）の重量％を表
わす。
で囲まれた範囲内となるように、Ｍｇｏ 、５ｉＯｚ及
びＣａＯから成るセラミック原料粉末を混合し、該混合
物を１１００℃乃至１３００℃の温度で仮焼する。その
後、前記仮焼物を粉砕したセラミック粉末に適当なを機
バインダー、分散剤、可塑剤及び溶媒を添加混合して泥
漿物を作り、該泥漿物を例えば従来周知のドクターブレ
ード法等によりシート状に成形し、得られたグリーンシ
ートを複数枚積層したものから形成される。
びＣａＯから成るセラミック原料粉末を混合し、該混合
物を１１００℃乃至１３００℃の温度で仮焼する。その
後、前記仮焼物を粉砕したセラミック粉末に適当なを機
バインダー、分散剤、可塑剤及び溶媒を添加混合して泥
漿物を作り、該泥漿物を例えば従来周知のドクターブレ
ード法等によりシート状に成形し、得られたグリーンシ
ートを複数枚積層したものから形成される。
また、前記コンデンサー部２はＢａＴｉ０ｚを主成分と
する誘電体材料の原料粉末に適当な有機バインダー、分
散剤、可塑剤、及び溶剤を添加混合して泥漿物を作り、
該泥漿物を例えば従来周知の引き上げ法等によりシート
状に成形する。得られた誘電体のグリーンシートにはそ
の上面に銀・パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金等の金属粉
末に適当な溶剤、溶媒を添加混合した合金ペーストを従
来周知のスクリーン印刷法等により所定の電極パターン
に被着し、電極層５を形成する。
する誘電体材料の原料粉末に適当な有機バインダー、分
散剤、可塑剤、及び溶剤を添加混合して泥漿物を作り、
該泥漿物を例えば従来周知の引き上げ法等によりシート
状に成形する。得られた誘電体のグリーンシートにはそ
の上面に銀・パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金等の金属粉
末に適当な溶剤、溶媒を添加混合した合金ペーストを従
来周知のスクリーン印刷法等により所定の電極パターン
に被着し、電極層５を形成する。
尚、絶縁体層ｌ及びコンデンサー部２の上下面の導通を
はかるため、絶縁体及び誘電体のグリーンシートには打
ち抜き加工等によりスルホール部６が形成され、該スル
ホール部６には前記合金ペーストが充填されている。
はかるため、絶縁体及び誘電体のグリーンシートには打
ち抜き加工等によりスルホール部６が形成され、該スル
ホール部６には前記合金ペーストが充填されている。
次いで、前記絶縁体及び誘電体のグリーンシートを夫々
積層して熱圧着し、得られた積層体を大気中、２００℃
乃至４００℃の温度で脱バインダーし、その後、１２４
０℃乃至１３４０℃の温度にて一体化焼成することによ
り、コンデンサー部２を内蔵した絶縁基板を得る。
積層して熱圧着し、得られた積層体を大気中、２００℃
乃至４００℃の温度で脱バインダーし、その後、１２４
０℃乃至１３４０℃の温度にて一体化焼成することによ
り、コンデンサー部２を内蔵した絶縁基板を得る。
かくして前記一体焼成後の絶縁体層１表面にスクリーン
印刷法によりＡｇ−Ｐｄ系合金ペーストを使用して電気
配線用導体パターンを、また必要に応じて酸化ルテニウ
ム（ＲｕｚＯｉ）等を主成分とするペーストを使用して
抵抗パターンをそれぞれ印刷形成し、大気中およそ８５
０℃の温度で焼成することにより抵抗体７を有するコン
デンサー内蔵複合回路基板が得られる。
印刷法によりＡｇ−Ｐｄ系合金ペーストを使用して電気
配線用導体パターンを、また必要に応じて酸化ルテニウ
ム（ＲｕｚＯｉ）等を主成分とするペーストを使用して
抵抗パターンをそれぞれ印刷形成し、大気中およそ８５
０℃の温度で焼成することにより抵抗体７を有するコン
デンサー内蔵複合回路基板が得られる。
また、電気配線用導体パターンに１ｉ４（Ｃｕ）を主成
分とするペーストを使用する場合には、抵抗パターンに
硼化ランタン（Ｌａｍｂ）や酸化スズ（Ｓｎｕｇ）を主
成分とするペーストを使用して印刷し、窒素雰囲気中お
よそ９００℃の温度で焼成することにより、前記と同様
のコンデンサー内蔵複合回路基板が得られる。
分とするペーストを使用する場合には、抵抗パターンに
硼化ランタン（Ｌａｍｂ）や酸化スズ（Ｓｎｕｇ）を主
成分とするペーストを使用して印刷し、窒素雰囲気中お
よそ９００℃の温度で焼成することにより、前記と同様
のコンデンサー内蔵複合回路基板が得られる。
次に実験例に基づき本発明を説明する。
絶縁体層の組成が第１表に示す組成比となる様に、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ□及びＣａＯから成るセラミック原料粉末を
混合し、該混合物を１１００℃乃至１３００’Ｃの温度
で仮焼を行った。その後、前記仮焼物を所望の粒度に粉
砕調整し、得られた原料粉末に適当な有機バインダー及
び溶媒を添加して泥漿状となすとともに、該泥漿物をド
クターブレード法により厚さ約２００μｍのグリーンシ
ートを成形し、しかる後、該グリーンシートに打ち抜き
加工を施し、１７０ｍｌ１１角の絶縁体シートを得た。
Ｏ、ＳｉＯ□及びＣａＯから成るセラミック原料粉末を
混合し、該混合物を１１００℃乃至１３００’Ｃの温度
で仮焼を行った。その後、前記仮焼物を所望の粒度に粉
砕調整し、得られた原料粉末に適当な有機バインダー及
び溶媒を添加して泥漿状となすとともに、該泥漿物をド
クターブレード法により厚さ約２００μｍのグリーンシ
ートを成形し、しかる後、該グリーンシートに打ち抜き
加工を施し、１７０ｍｌ１１角の絶縁体シートを得た。
一方、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｉ）を主成分とす
るセラミック原料粉末に適当な有機バインダー及び溶媒
を添加混合して泥漿状となすとともに、該泥漿物を引き
上げ法によりコンデンサーの容量設定のため厚さ２０μ
ｍ乃至６０μｍのグリーンシートを成形し、しかる後、
該グリーンシートに打ち抜き加工を施し、１７０ｍ−角
の誘電体シートを得た。
るセラミック原料粉末に適当な有機バインダー及び溶媒
を添加混合して泥漿状となすとともに、該泥漿物を引き
上げ法によりコンデンサーの容量設定のため厚さ２０μ
ｍ乃至６０μｍのグリーンシートを成形し、しかる後、
該グリーンシートに打ち抜き加工を施し、１７０ｍ−角
の誘電体シートを得た。
次いで、前記誘電体シートにスクリーン印刷等の厚膜印
刷法によりＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを用いて約１ＩＩ１
１乃至１０ｍｍ角の電極パターンを必要とする静電容量
に応じて印刷形成する。
刷法によりＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを用いて約１ＩＩ１
１乃至１０ｍｍ角の電極パターンを必要とする静電容量
に応じて印刷形成する。
また、前記絶縁体シート及び誘電体シートに予め、形成
されたスルホール部にもスクリーン印刷法等によりへｇ
−Ｐｄ合金ペーストを充填する。
されたスルホール部にもスクリーン印刷法等によりへｇ
−Ｐｄ合金ペーストを充填する。
しかる後、前記絶縁体シートの間にチタン酸バリウムか
ら成る誘電体シートを複数枚挾み込み、熱圧着し、得ら
れた積層体を大気中２００℃乃至４００℃の温度で脱バ
インダーし、続いて第１表に示す温度にて大気中で焼成
する。
ら成る誘電体シートを複数枚挾み込み、熱圧着し、得ら
れた積層体を大気中２００℃乃至４００℃の温度で脱バ
インダーし、続いて第１表に示す温度にて大気中で焼成
する。
上記評価試料によりＬＣＲメーターを使用してコンデン
サー部の電極層間の短絡の有無を確認した後、ＪＩＳ
Ｃ５１０２の規定に準じて前記ＬＣＲメーターにより周
波数Ｉ ＫＨｚ ％人力信号レベル１．ＱＶｒｍｓの測
定条件にてコンデンサー部の静電容量を測定し、該静電
容量から比誘電率（εｒ）を算出し、一方、−５５℃及
び１２５℃における静電容量を測定して該静電容量の変
化率を温度係数（ＴＴＣ）として算出した。また、コン
デンサー部の絶縁抵抗値は２５Ｖの直流電圧を印加し６
０秒後に測定した抵抗値とし、絶縁破壊電圧はコンデン
サー部の端子間に毎秒１００ｖの昇圧速度で電圧を印加
した時の漏れ電流値が１．０−八を越えた瞬間の電圧値
とした。
サー部の電極層間の短絡の有無を確認した後、ＪＩＳ
Ｃ５１０２の規定に準じて前記ＬＣＲメーターにより周
波数Ｉ ＫＨｚ ％人力信号レベル１．ＱＶｒｍｓの測
定条件にてコンデンサー部の静電容量を測定し、該静電
容量から比誘電率（εｒ）を算出し、一方、−５５℃及
び１２５℃における静電容量を測定して該静電容量の変
化率を温度係数（ＴＴＣ）として算出した。また、コン
デンサー部の絶縁抵抗値は２５Ｖの直流電圧を印加し６
０秒後に測定した抵抗値とし、絶縁破壊電圧はコンデン
サー部の端子間に毎秒１００ｖの昇圧速度で電圧を印加
した時の漏れ電流値が１．０−八を越えた瞬間の電圧値
とした。
一方、絶縁体層の結晶層は、前記評価試料を使用してＸ
線解析を行い、評価試料表面のＸ線解析ターンにより同
定した。また、絶縁体層及び誘電体層の熱膨張率は、そ
れぞれ前記評価試料と同一組成である′Ｉａ３ｍｍ 、
横３１１Ｉｒｎ、長さ４０１の角柱状の試験片を前記評
価試料の焼成と同時に焼成し、４０℃乃至８００℃の温
度範囲における平均熱膨張率を測定した。
線解析を行い、評価試料表面のＸ線解析ターンにより同
定した。また、絶縁体層及び誘電体層の熱膨張率は、そ
れぞれ前記評価試料と同一組成である′Ｉａ３ｍｍ 、
横３１１Ｉｒｎ、長さ４０１の角柱状の試験片を前記評
価試料の焼成と同時に焼成し、４０℃乃至８００℃の温
度範囲における平均熱膨張率を測定した。
以上の結果を第１表に示す。
〔発明の効果〕
本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板によれば、マグ
ネシア、シリカ及びカルシアを主成分とする高周波絶縁
性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有するチタン酸バリ
ウムを主成分とする誘電体材料とが互いに反応すること
なく同時に焼成一体化することができる上、前記絶縁体
層と誘電体層の熱膨張率を互いに極めて近似したものと
することができることから、誘電体層にクランク等の欠
陥を生じることなく絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧に優れた
高い静電容量を有するコンデンサー部を内蔵することが
可能となり、その結果、ハイブリッド基板等に最適な小
型化・高密度化されたコンデンサー内蔵複合回路基板を
得ることができる。
ネシア、シリカ及びカルシアを主成分とする高周波絶縁
性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有するチタン酸バリ
ウムを主成分とする誘電体材料とが互いに反応すること
なく同時に焼成一体化することができる上、前記絶縁体
層と誘電体層の熱膨張率を互いに極めて近似したものと
することができることから、誘電体層にクランク等の欠
陥を生じることなく絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧に優れた
高い静電容量を有するコンデンサー部を内蔵することが
可能となり、その結果、ハイブリッド基板等に最適な小
型化・高密度化されたコンデンサー内蔵複合回路基板を
得ることができる。
第１図は本発明の絶縁体層の組成範囲を示す三元系図、
第２図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実
施例を示す断面図である。 １ ・・・絶縁体層 ２ ・・・コンデンサー部 ４ ・・・誘電体層 ５ ・・・電極層 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社第１図 ９ ９ ロ 、）ｔ
第２図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実
施例を示す断面図である。 １ ・・・絶縁体層 ２ ・・・コンデンサー部 ４ ・・・誘電体層 ５ ・・・電極層 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社第１図 ９ ９ ロ 、）ｔ
Claims (3)
- （１）チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ＿３）を主成分と
するセラミックスを誘電体層とし、該誘電体層の上下面
に電極層を設けてコンデンサー部を形成し、該コンデン
サー部を絶縁体層で挾持したコンデンサー内蔵複合回路
基板において、上記絶縁体層が第１図に示す下記Ａ、Ｂ
、Ｃ、Ｄ、Ｅの各点で囲まれた範囲内のマグネシア（Ｍ
ｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ＿２）及カルシア（ＣａＯ）を
主成分とする絶縁体であることを特徴とするコンデンサ
ー内蔵複合回路基板。但し、Ｘ、Ｙ、Ｚ、はそれぞれマ
グネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ＿２）及びカルシ
ア（ＣａＯ）の重量％を表わす。 ▲数式、化学式、表等があります▼ - （２）前記絶縁体層がフォルステライト（Ｍｇ＿２Ｓｉ
Ｏ＿４）とモンチセライト（ＣａＭｇＳｉＯ＿４）また
はアカーマナイト（Ｃａ＿２ＭｇＳｉ＿２Ｏ＿７）の少
なくとも一種の結晶相を含有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のコンデンサー内蔵複合回路基板
。 - （３）前記誘電体層と該誘電体層及び電極層とから形成
されるコンデンサー部を挟持した絶縁体層とを同時焼成
して成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
コンデンサー内蔵複合回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127472A JP2700920B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127472A JP2700920B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305490A true JPH02305490A (ja) | 1990-12-19 |
| JP2700920B2 JP2700920B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=14960772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127472A Expired - Fee Related JP2700920B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2700920B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525921B1 (en) | 1999-11-12 | 2003-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Capacitor-mounted metal foil and a method for producing the same, and a circuit board and a method for producing the same |
| KR100956219B1 (ko) * | 2008-02-25 | 2010-05-04 | 삼성전기주식회사 | 확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817651A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 多層回路板とその製造方法 |
| JPS62265795A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | 株式会社住友金属セラミックス | コンデンサ内蔵セラミツクス基板 |
| JPS63295473A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
| JPH0195591A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1127472A patent/JP2700920B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817651A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 多層回路板とその製造方法 |
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| JPH0195591A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525921B1 (en) | 1999-11-12 | 2003-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Capacitor-mounted metal foil and a method for producing the same, and a circuit board and a method for producing the same |
| US7013561B2 (en) | 1999-11-12 | 2006-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a capacitor-embedded circuit board |
| KR100956219B1 (ko) * | 2008-02-25 | 2010-05-04 | 삼성전기주식회사 | 확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2700920B2 (ja) | 1998-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |