KR100956219B1 - 확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

소성 과정에서 이종 접합영역에 발생하는 확산 현상을 방지하기 위한 확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 저온동시소성 세라믹 기판은 제 1 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제 1 세라믹층; 상기 제 1 유전율보다 낮은 제 2 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제2 세라믹층; 및 상기 제1 세라믹층과 제2 세라믹층 사이에 개재되고, 상기 제1 세라믹층 물질, 상기 제2 세라믹층 물질 및 바륨(Ba) 화합물로 이루어진 확산 방지층을 포함한다.
본 발명에 따라 소성 과정에서 고 유전율의 제 1 세라믹층과 저 유전율의 제 2 세라믹층 각각을 이루는 재질의 이온이 접합 영역에서 서로 확산되어 확산층과 같은 결함의 발생을 억제하고, 이에 따라 종래에 고 유전율인 제 1 세라믹층의 유전율이 떨어지는 문제점을 해소하여 신뢰성이 향상된 저온 동시 소성 세라믹 기판을 제공할 수 있다.
저온동시소성 세라믹 기판, 확산 방지층, 바륨 농도, 확산

Description

확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조 방법{Low Temperature Co-fired Ceramics with diffusion-blocking layer and method of manufacturing the same}
본 발명은 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 소성 과정에서 이종 접합영역에 발생하는 확산 현상을 방지하기 위한 확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
저온 동시 소성 세라믹(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics) 기판이란 1,000℃ 이하의 저온에서 금속전극과 세라믹 기판을 한꺼번에 소성하여 제조된 소자를 지칭하는 것으로, 일반적으로 저온 동시 소성 세라믹 기판(이하, LTCC로 지칭함)은 고주파 통신용 수동소자에 주로 적용되고 있다.
LTCC는 그린 시트의 주원료로 사용되는 클래스 세라믹 재료의 낮은 유전체 손실에 의한 높은 품질 계수와 내부전극 재료들의 높은 전기 전도도에 의한 낮은 도체 손실의 특성이 있어 모듈 내부에 수동소자(R,L.C)를 구현하는 장점이 있다.
이와 같은 장점을 갖는 LTCC는 최근 들어 전자 기기의 소형화, 경량화, 고밀도화 및 고신뢰성화의 추세에 따라 고집적화, 다기능화, 고속화, 고출력화 및 고신 뢰성화에 필수적으로 요구되고 있다.
따라서, LTCC는 다수의 세라믹층을 서로 적층하여 연결하되, 서로 다른 기능을 하는 회로가 형성된 그린시트 세라믹층을 상하 적층시켜 소정의 회로를 구성한다.
이와 같이 세라믹층을 상하로 적층하여 소정의 회로를 구성하는 LTCC에서 예컨대, 내장 캐패시터(C)는 다른 수동소자(R.L)들과 달리 그린 시트 상에 하부전극을 인쇄하고, 하부전극의 상부에 유전체 페이스트를 인쇄하며, 유전체 페이스트의 상부에 상부전극을 인쇄하여 제조한다.
이와 같은 LTCC를 구성하는 다수의 세라믹층에 대해 소성하는 과정에 의해 도 1에 도시된 바와 같이 고(High-K) 유전율의 제 1 세라믹층(10)과 저(Low-K) 유전율의 제 2 세라믹층(20) 사이의 이종 접합영역에 제 1 세라믹층(10)과 제 2 세라믹층(20)의 이온 확산에 의해 확산층(A)이 발생한다.
이러한 확산층(A)은 소성 과정 중에 제 1 세라믹층(10)의 바륨(Ba)이 제 2 세라믹층(20)으로 확산되고 제 2 세라믹층(20)의 Si이 제 1 세라믹층(10)으로 확산되어 발생한 결과로서, 이렇게 제 1 세라믹층(10)의 바륨이 고 유전율의 제 1 세라믹층(10)에서 저 유전율의 제 2 세라믹층(20)으로 확산되면 제 1 세라믹층(10)의 유전율이 떨어지는 문제점을 가지게 된다.
본 발명은 소성 과정에 의해 고 유전율과 저 유전율의 이종 접합영역에서 확산 현상에 의한 결함 발생을 방지하는 확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 소성 과정에 의해 고 유전율과 저 유전율의 이종 접합영역에서 확산 현상에 의한 결함 발생을 방지하는 확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예는 제 1 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제 1 세라믹층; 상기 제 1 유전율보다 낮은 제 2 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제2 세라믹층; 및 상기 제1 세라믹층과 제2 세라믹층 사이에 개재되고, 상기 제1 세라믹층 물질, 상기 제2 세라믹층 물질 및 바륨(Ba) 화합물로 이루어진 확산 방지층을 포함하고, 상기 확산 방지층에 의해 상기 제1 세라믹층 물질과 제2 세라믹층 물질의 상호 확산을 방지하는 저온동시소성 세라믹 기판에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예는 상기 제1 세라믹층으로부터 상기 확산 방지층을 거쳐서 상기 제2 세라믹층을 관통하는 관통 비아; 및 상기 관통 비아에 일측이 연결되고, 상기 제1 세라믹층 또는 상기 제2 세라믹층의 일면 또는 양면에 형성된 적어도 두 개의 전극 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 제 1 세라믹층은 상기 관통 비아를 따라 일면 방향으로 다수 형성되어, 상기 적어도 두 개의 전극 패턴을 일면 또는 양면에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 제 2 세라믹층은 상기 관통 비아를 따라 일면 방향으로 다수 형성되어, 상기 적어도 두 개의 전극 패턴을 일면 또는 양면에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 확산 방지층은 BaO-CaO-SiO2계 글라스, BaO-Al2O3-SiO2계 글라스, B2O3-SiO2계 글라스, CaO-MgO-SiO2계 글라스, Al2O3-CaO-SiO2계 글라스로 이루어진 실리케이트계 글라스군에서 선택된 어느 하나 또는 조합을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 확산 방지층은 Ba 농도가 인접한 층의 Ba 농도보다 5~20 mol % 더 높게 함유된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 바륨 화합물은 BaTiO3 인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 확산 방지층은 상기 제 1 세라믹층 또는 제 2 세라믹층의 두께와 동일한 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예는 세라믹 물질, 실리케이트계 글라스 물질 및 바륨(Ba) 화합물을 포함한 적어도 하나의 모재층을 마련하는 단계; 상기 모재층의 상부면과 하부면으로 각각 적어도 두 개의 전극 패턴을 일면 또는 양면에 형성하고 제 1 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제 1 세라믹층 및 상기 제 1 유전율보다 낮은 제 2 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제 2 세라믹층을 형성하는 단계; 및 상기 모재층과 상기 세라믹층을 포함한 적층 구조를 소성하여 상기 모재층이 확산 방지층으로 작용하는 저온동시소성 세라믹 기판을 형성하는 단계를 포함하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 모재층을 마련하는 단계는 캐리어 필름의 상부면에 상기 실리케이트계 글라스 물질, 상기 바륨(Ba) 화합물, 분산제 및 바인더(binder)를 포함한 슬러리를 도포하는 단계; 상기 도포된 슬러리를 경화시켜 상기 모재층을 형성하는 단계; 및 상기 캐리어 필름을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 실리케이트계 글라스 물질은 BaO-CaO-SiO2계 글라스, BaO-Al2O3-SiO2계 글라스, B2O3-SiO2계 글라스, CaO-MgO-SiO2계 글라스, Al2O3-CaO-SiO2계 글라스로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 조합을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예는 상기 모재층을 마련하는 단계에서 상기 모재층의 Ba 농도가 인접한 층의 Ba 농도보다 5~20 mol % 높게 함유된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 저온동시소성 세라믹 기판을 형성하는 단계는 상기 적층 구조를 소성하기 전에, 상기 모재층을 포함하여 상기 제 1 세라믹층 또는 제 2 세라믹층에 형성된 전극 패턴의 일측을 관통하는 관통 비아를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 세라믹층을 형성하는 단계는 상기 모재층의 일면에 상기 제 1 세라믹층을 다수 형성하고, 상기 모재층의 타면에 상기 제2 세라믹층을 다수 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 바륨 화합물은 BaTiO3 인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 확산 방지층으로 작용하는 모재층은 상기 제 1 세라믹층 또는 제 2 세라믹층의 두께와 동일한 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라 소성 과정에서 고 유전율의 제 1 세라믹층과 저 유전율의 제 2 세라믹층 각각을 이루는 재질의 이온이 접합 영역에서 서로 확산되어 확산층과 같은 결함의 발생을 억제하고, 이에 따라 종래에 고 유전율인 제 1 세라믹층의 유전율이 떨어지는 문제점을 해소하여 신뢰성이 향상된 저온 동시 소성 세라믹 기판을 제공할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저온 동시 소성 세라믹 기판의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)은 제 1 유전율을 가지는 다수의 제 1 세라믹층(111), 제 1 유전율보다 낮은 제 2 유전율을 가지는 다수의 제 2 세라믹층(112), 제 1 세라믹층(111)과 제 2 세라믹층(112)의 이종 접합에서 이온 확산(ion diffusion)의 발생을 방지하기 위해 제 1 세라믹층(111)과 제 2 세라믹층(112) 사이에 구비된 확산 방지층(110'), 다수의 세라믹층(111,112)과 확산 방지층(110')을 관통하여 구비된 관통 비아(120) 및 캐패시터(capacitor)를 형성하기 위해 세라믹층(111,112) 각각을 중심으로 양면에 형성되어 관통 비아(120)에 각각 연결된 다수의 전극 패턴(130)을 포함하여 구성된다.
제 1 세라믹층(111)은 예를 들어 Bi, Ba, SiO2를 포함하여 구성되어, 12 ~ 13 정도의 열팽창 계수를 가지는 고 유전율층이고, 상부면 또는 하부면에 캐패시터를 형성하기 위해 관통 비아(120)에 각각 연결된 적어도 두 개의 전극 패턴(130)을 구비한다.
제 2 세라믹층(112)은 예를 들어 Ca, Al, SiO2를 포함하여 구성되어, 제 1 열팽창 계수보다 낮은 5 ~ 10 정도의 제 2 열팽창 계수를 가지고 제 1 세라믹층(111)의 유전율보다 낮은 저 유전율층이고, 제 1 세라믹층(111)과 마찬가지로 상부면 또는 하부면에 캐패시터를 형성하기 위해 관통 비아(120)에 각각 연결된 적어도 두 개의 전극 패턴(130)을 구비한다.
확산 방지층(110')은 종래에 이종 접합영역에서 이온 확산에 의한 확산층(A)의 문제점 발생을 방지하기 위해, 제 1 세라믹층(111)과 제2 세라믹층(112)의 이종 접합 사이에 제 1 세라믹층(111)의 재질과 제2 세라믹층(112)의 재질을 합성하여 형성된 층으로, 예를 들어 BaO-CaO-SiO2계 글라스, BaO-Al2O3-SiO2계 글라스, B2O3-SiO2계 글라스, CaO-MgO-SiO2계 글라스, Al2O3-CaO-SiO2계 글라스 등의 어느 하나 또는 조합의 실리케이트계 글라스(silicate glass) 성분 및 BaTiO3 등의 필러(filler) 성분을 포함하여 형성될 수 있다.
여기서, 확산 방지층(110')은 Ba 농도가 제 1 세라믹층(111)의 Ba 농도와 비교하여 5~20 mol % 더 높게 함유한 층으로 형성될 수 있고, 제 1 세라믹층(111) 또는 제 2 세라믹층(112)의 두께와 동일한 두께로 형성될 수 있다.
관통 비아(120)는 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)을 관통하여 금속 등의 전도성 재질이 충진된 비아로서, 각각의 제 1 세라믹층(111)과 제 2 세라믹층(112)을 중심으로 양면 또는 일면에 구비된 적어도 두 개의 전극 패턴(130)과 연결되어 전극 패턴(130) 사이의 제 1 세라믹층(111)과 제 2 세라믹층(112)과 함께 캐패시터를 형성하게 된다.
또한, 이러한 관통 비아(120)의 노출된 상부측 또는 하부측에 본딩재(도시하지 않음)를 구비하여 임의의 소자(도시하지 않음)를 장착할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)은 제 1 세라믹층(111)의 재질과 제 2 세라믹층(112)의 재질을 합성하고 제 1 세라믹층(111)의 Ba 농도보다 5~20 mol % 더 높은 Ba 농도의 확산 방지층(110')을 이용하여, 제 1 세라믹층(111)과 제 2 세라믹층(112)의 재질이 서로의 층으로 이온 확산되는 것을 방지하게 된다.
이하, 이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)의 제조 방법을 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)의 제조를 위해 마일러 필름(mylar film)과 같은 캐리어 필름(101)의 상부면에 확산 방지층(110')을 형성하기 위한 모재층(110)을 형성한다.
구체적으로, 확산 방지층(110')을 형성하기 위한 모재층(110)은 도 3a에 도시된 바와 같이 제 1 세라믹층(111)의 재질과 제 2 세라믹층(112)의 재질을 합성하여, 예를 들어 BaO-CaO-SiO2계 글라스, BaO-Al2O3-SiO2계 글라스, B2O3-SiO2계 글라스, CaO-MgO-SiO2계 글라스, Al2O3-CaO-SiO2계 글라스로 구성된 실리케이트계 글라스군에서 선택된 어느 하나 또는 조합의 성분, 필러로서 BaTiO3 의 바륨 화합물 성분, 실리케이트계 글라스 성분과 바륨 화합물의 필러 성분을 분산시키는 분산제 및 바인더(binder)를 포함하여 혼합한 슬러리를 닥터 블레이드(200)를 이용하여 캐리어 필름(101)의 상부면에 케스팅(casting)하여 형성하고 경화시킬 수 있다.
확산 방지층(110')을 위한 모재층(110)을 경화시켜 형성한 후, 도 3b에 도시된 바와 같이 모재층(110)에 부착된 캐리어 필름(101)을 제거하여 모재층(110)을 마련하고, 적어도 두 개로 마련된 모재층(110)의 상부면과 하부면으로 각각 예를 들어, Bi, Ba, SiO2를 포함하여 구성되어 고유전율을 가지는 제 1 세라믹층(111)과 예를 들어, Ca, Al, SiO2를 포함하여 구성되어 제 1 세라믹층(111)보다 낮은 저유전율의 제2 세라믹층(112)을 다수 접합하며, 다수 접합된 제 1 세라믹층(111)과 제 2 세라믹층(112)을 포함한 적층구조를 균등 압력(isostatic pressure)으로 압착하여 형성한다.
이후, 다수 접합된 제 1 세라믹층(111), 모재층(110), 및 제 2 세라믹층(112)을 포함한 적층 구조에 대해 관통 비아(120)를 형성하고 저온 소성하여, 도 3c에 도시된 바와 같이 제 1 세라믹층(111)의 재질과 제 2 세라믹층(112)의 재질을 합성하여 제 1 세라믹층(111)의 Ba 농도보다 5~20 mol % 더 높은 Ba 함량의 확산 방지층(110')을 포함한 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)을 제조한다.
구체적으로, 적어도 두 개로 마련된 모재층(110)의 일면 방향으로 다수의 제 1 세라믹층(111)을 접합하고, 모재층(110)의 타면 방향으로 다수의 제 2 세라믹층(112)을 접합하며, 이때 제 1 세라믹층(111)과 제 2 세라믹층(112) 각각에는 관통 비아(120)와 전극 패턴(130)이 구비되어 각각의 세라믹층(111,112)을 중심으로 양면 또는 일면에 구비된 전극 패턴(130)이 관통 비아(120)의 일측에 연결되며, 다수의 세라믹층(111,112)은 각각의 관통 비아(120)가 서로 맞물려 결합될 수 있다.
물론, 관통 비아(120)는 전극 패턴(130)이 일면 또는 양면에 형성된 다수의 세라믹층(111,112)을 모재층(110)을 중심으로 양면에 접합한 후에 일괄적으로 다수의 세라믹층(111,112)과 모재층(110)을 관통하여 형성될 수 있다.
이어서, 모재층(110)의 양면에 관통 비아(120)와 전극 패턴(130)이 구비된 다수의 세라믹층(111,112)을 접합 형성한 후에, 예를 들어 300℃ ~ 1000℃의 저온에서 소성하여, 도 3c에 도시된 바와 같이 제 1 세라믹층(111)의 재질과 제 2 세라믹층(112)의 재질을 합성하고 제 1 세라믹층(111)의 Ba 농도보다 5~20 mol % 더 높은 Ba 함량의 확산 방지층(110')을 가진 구조의 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)을 제조할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)의 제조 과정은 소성 과정에서 제 1 세라믹층(111)과 제 2 세라믹층(112) 각각을 이루는 재질의 이온이 접합 영역에서 서로 확산되어 종래의 확산층(A)이 생성되는 것을 억제하고, 이에 따라 종래에 확산 현상에 따라 고 유전율인 제 1 세라믹층(111)의 유전율이 떨어지는 문제점을 해소하여 신뢰성이 향상된 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)을 제공할 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 저온 동시 소성 세라믹 기판에서 발생한 확산층을 도시한 예시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저온 동시 소성 세라믹 기판의 구조를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 저온 동시 소성 세라믹 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 저온 동시 소성 세라믹 기판 101: 캐리어 필름
110: 모재층 110': 확산 방지층
111: 제 1 세라믹층 112: 제 2 세라믹층
120: 관통 비아 130: 전극 패턴
200: 닥터 블레이드

Claims (16)

  1. 제 1 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제 1 세라믹층;
    상기 제 1 유전율보다 낮은 제 2 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제2 세라믹층; 및
    상기 제1 세라믹층과 제2 세라믹층 사이에 개재되고, 상기 제1 세라믹층 물질, 상기 제2 세라믹층 물질 및 바륨(Ba) 화합물로 이루어진 확산 방지층을 포함하고,
    상기 확산 방지층에 의해 상기 제1 세라믹층 물질과 제2 세라믹층 물질의 상호 확산을 방지하는 저온동시소성 세라믹 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 세라믹층으로부터 상기 확산 방지층을 거쳐서 상기 제2 세라믹층을 관통하는 관통 비아; 및
    상기 관통 비아에 일측이 연결되고, 상기 제1 세라믹층 또는 상기 제2 세라믹층의 일면 또는 양면에 형성된 적어도 두 개의 전극 패턴
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 세라믹층은 상기 관통 비아를 따라 일면 방향으로 다수 형성되어, 상기 적어도 두 개의 전극 패턴을 일면 또는 양면에 형성되는 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 세라믹층은 상기 관통 비아를 따라 일면 방향으로 다수 형성되어, 상기 적어도 두 개의 전극 패턴을 일면 또는 양면에 형성되는 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은
    BaO-CaO-SiO2계 글라스, BaO-Al2O3-SiO2계 글라스, B2O3-SiO2계 글라스, CaO-MgO-SiO2계 글라스, Al2O3-CaO-SiO2계 글라스로 이루어진 실리케이트계 글라스군에서 선택된 어느 하나 또는 조합을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은
    Ba 농도가 인접한 층의 Ba 농도보다 5~20 mol % 더 높게 함유된 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 바륨 화합물은 BaTiO3 인 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은
    상기 제 1 세라믹층 또는 제 2 세라믹층의 두께와 동일한 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판.
  9. 세라믹 물질, 실리케이트계 글라스 물질 및 바륨(Ba) 화합물을 포함한 적어도 하나의 모재층을 마련하는 단계;
    상기 모재층의 상부면과 하부면으로 각각 적어도 두 개의 전극 패턴을 일면 또는 양면에 형성하고 제 1 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제 1 세라믹층 및 상기 제 1 유전율보다 낮은 제 2 유전율을 갖는 물질로 이루어진 제 2 세라믹층을 형성하는 단계; 및
    상기 모재층과 상기 세라믹층을 포함한 적층 구조를 소성하여 상기 모재층이 확산 방지층으로 작용하는 저온동시소성 세라믹 기판을 형성하는 단계
    를 포함하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 모재층을 마련하는 단계는
    캐리어 필름의 상부면에 상기 실리케이트계 글라스 물질, 상기 바륨(Ba) 화합물, 분산제 및 바인더(binder)를 포함한 슬러리를 도포하는 단계;
    상기 도포된 슬러리를 경화시켜 상기 모재층을 형성하는 단계; 및
    상기 캐리어 필름을 제거하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 실리케이트계 글라스 물질은
    BaO-CaO-SiO2계 글라스, BaO-Al2O3-SiO2계 글라스, B2O3-SiO2계 글라스, CaO-MgO-SiO2계 글라스, Al2O3-CaO-SiO2계 글라스로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 모재층을 마련하는 단계에서
    상기 모재층은 Ba 농도가 인접한 층의 Ba 농도보다 5~20 mol % 높게 함유된 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 저온동시소성 세라믹 기판을 형성하는 단계는
    상기 적층 구조를 소성하기 전에, 상기 모재층을 포함하여 상기 제 1 세라믹층 또는 제 2 세라믹층에 형성된 전극 패턴의 일측을 관통하는 관통 비아를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 세라믹층을 형성하는 단계는
    상기 모재층의 일면에 상기 제 1 세라믹층을 다수 형성하고, 상기 모재층의 타면에 상기 제2 세라믹층을 다수 형성하는 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법.
  15. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 바륨 화합물은 BaTiO3 인 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법.
  16. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 확산 방지층으로 작용하는 모재층은 상기 제 1 세라믹층 또는 제 2 세라믹층의 두께와 동일한 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 저온동시소성 세라믹 기판의 제조 방법.
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