JP2009196885A - 拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による低温同時焼成セラミック基板は、第1誘電率を有する物質からなる第1セラミック層と、上記第1誘電率より低い第2誘電率を有する物質からなる第2セラミック層と、上記第1セラミック層と第2セラミック層の間に介在し、上記第1セラミック層物質、上記第2セラミック層物質及びバリウム(Ba)化合物からなる拡散防止層を含む。本発明により焼成過程において高誘電率の第1セラミック層と低誘電率の第2セラミック層の夫々を成す材質のイオンが接合領域において互いに拡散され拡散層のような欠陥の発生を抑制し、これにより従来高誘電率である第1セラミック層の誘電率が落ちる問題点を解消し、信頼性が向上した低温同時焼成セラミック基板を提供することができる。
【選択図】図2
【解決手段】本発明による低温同時焼成セラミック基板は、第1誘電率を有する物質からなる第1セラミック層と、上記第1誘電率より低い第2誘電率を有する物質からなる第2セラミック層と、上記第1セラミック層と第2セラミック層の間に介在し、上記第1セラミック層物質、上記第2セラミック層物質及びバリウム(Ba)化合物からなる拡散防止層を含む。本発明により焼成過程において高誘電率の第1セラミック層と低誘電率の第2セラミック層の夫々を成す材質のイオンが接合領域において互いに拡散され拡散層のような欠陥の発生を抑制し、これにより従来高誘電率である第1セラミック層の誘電率が落ちる問題点を解消し、信頼性が向上した低温同時焼成セラミック基板を提供することができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。特に焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。
低温同時焼成セラミック(LTCC:Low Temperature Co−fired Ceramics)基板とは、1,000℃ 以下の低温で金属電極とセラミック基板を一度に焼成して製造された素子を称するもので、一般的に低温同時焼成セラミック基板(以下、LTCCと称する)は、高周波通信用受動素子に主に適用されている。
LTCCは、グリーンシートの主原料として使用されるガラスセラミック材料の低い誘電体の損失による高い品質係数と内部電極材料の高い電気伝導度による低い導体損失の特性があり、モジュール内部に受動素子(R,L.C)を具現するという長所がある。
このような長所を有するLTCCは、最近電子機器の小型化、軽量化、高密度化及び高信頼性化の傾向により高集積化、多機能化、高速化、高出力化及び高信頼性化に必須に要求されている。
従って、LTCCは多数のセラミック層を互いに積層し連結するが、異なる機能をする回路が形成されたグリーンシートセラミック層を上下に積層させて所定の回路を構成する。
このようにセラミック層を上下に積層して所定の回路を構成するLTCCにおいて、例えば、内蔵キャパシタ(C)は他の受動素子(R.L)と異なりグリーンシート上に下部電極を印刷し、下部電極の上部に誘電体ペーストを印刷し、誘電体ペーストの上部に上部電極を印刷して製造する。
このようなLTCCを構成する多数のセラミック層に対して焼成する過程に より、図1に図示されたように高(High−K)誘電率の第1セラミック層10と、低(Low−K)誘電率の第2セラミック層20の間の異種接合領域に、第1セラミック層10と第2セラミック層20のイオン拡散により拡散層Aが発生する。
このような拡散層Aは、焼成過程中に第1セラミック層10のバリウム(Ba)が第2セラミック層20に拡散され、第2セラミック層20のSiが第1セラミック層10に拡散されて発生した結果で、このように第1セラミック層10のバリウムが高誘電率の第1セラミック層10から低誘電率の第2セラミック層20に拡散すると、第1セラミック層10の誘電率が落ちるという問題点を有するようになる。
本発明は、焼成過程により高誘電率と低誘電率の異種接合領域において、拡散現象による欠陥の発生を防止する拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板を提供することに目的がある。
本発明の他の目的は、焼成過程により高誘電率と低誘電率の異種接合領域において、拡散現象による欠陥の発生を防止する拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板の製造方法を提供することにある。
このような目的を達成するための本発明の一実施例は、第1誘電率を有する物質からなる第1セラミック層と、上記第1誘電率より低い第2誘電率を有する物質からなる第2セラミック層と、上記第1セラミック層と第2セラミック層の間に介在し、上記第1セラミック層物質、上記第2セラミック層物質及びバリウム(Ba)化合物からなる拡散防止層を含み、上記拡散防止層により上記第1セラミック層物質と第2セラミック層物質の相互拡散を防止する低温同時焼成セラミック基板に関する。
本発明の一実施例は、上記第1セラミック層を経て上記第2セラミック層を貫通する貫通ビアと、上記貫通ビアに一側が連結され、上記第1セラミック層または上記第2セラミック層の一面または両面に形成された少なくとも二つの電極パターンをさらに含むことを特徴とする。
本発明の一実施例において上記第1セラミック層は、上記貫通ビアに沿って一面方向に多数形成され、上記少なくとも二つの電極パターンが一面または両面に形成されることを特徴とする。
本発明の一実施例において、上記第2セラミック層は、上記貫通ビアに従って一面方向に多数形成され、上記少なくとも二つの電極パターンが一面または 両面に形成されることを特徴とする。
本発明の一実施例において上記拡散防止層は、BaO−CaO−SiO2系ガラス、BaO−Al2O3−SiO2系ガラス、B2O3−SiO2系ガラス、CaO−MgO−SiO2系ガラス、Al2O3−CaO−SiO2系ガラスからなるシリケート系ガラス群から選ばれたいずれかひとつ、またはその組み合わせをさらに含むことを特徴とする。
本発明の一実施例において上記拡散防止層は、Ba濃度が隣接した層のBa 濃度より5〜20mol%さらに高く含有されたことを特徴とする。
本発明の一実施例において上記バリウム化合物は、BaTiO3であることを特徴とする。
本発明の一実施例において上記拡散防止層は、上記第1セラミック層または 第2セラミック層の厚さと同一の厚さで形成されたことを特徴とする。
また、本発明の他の実施例は、セラミック物質、シリケート系ガラス物質及びバリウム(Ba)化合物を含む少なくともひとつの母材層を備える段階と、上記母材層の上面と下面に夫々少なくとも二つの電極パターンを一面または両面に形成して、第1誘電率を有する物質からなる第1セラミック層及び上記第1誘電率より低い第2誘電率を有する物質からなる第2セラミック層を形成する段階と、上記母材層と上記セラミック層を含む積層構造を焼成し、上記母材層が拡散防止層として作用する低温同時焼成セラミック基板を形成する段階を含む低温同時焼成セラミック基板の製造方法に関する。
本発明の他の実施例において上記母材層を備える段階は、キャリアフィルムの上面に上記シリケート系ガラス物質、上記バリウム(Ba)化合物、分散剤及びバインダー(Binder)を含んだスラリーを塗布する段階と、上記塗布されたスラリーを硬化させ、上記母材層を形成する段階と、上記キャリアフィルムを除去する段階を含むことを特徴とする。
本発明の他の実施例において上記シリケート系ガラス物質は、BaO−CaO−SiO2系ガラス、BaO−Al2O3−SiO2系ガラス、B2O3−SiO2系ガラス、CaO−MgO−SiO2系ガラス、Al2O3−CaO−SiO2系ガラスからなる群から選ばれたいずれかひとつまたはその組み合わせを含むことを特徴とする。
本発明の他の実施例は、上記母材層を備える段階において、上記母材層のBa濃度が隣接した層のBa濃度より5〜20mol%高く含有されたことを特徴とする。
本発明の他の実施例において、上記低温同時焼成セラミック基板を形成する段階は、上記積層構造を焼成する前に、上記母材層を含み上記第1セラミック層または第2セラミック層に形成された電極パターンの一側を貫通する貫通ビアを形成する段階を含むことを特徴とする。
本発明の他の実施例において、上記セラミック層を形成する段階は、上記母材層の一面に上記第1セラミック層を多数形成し、上記母材層の他面に上記第2セラミック層を多数形成することを特徴とする。
本発明の他の実施例において、上記バリウム化合物はBaTiO3であることを特徴とする。
本発明の他の実施例において、上記拡散防止層として作用する母材層は、上記第1セラミック層または第2セラミック層の厚さと同一の厚さで形成されたことを特徴とする。
本発明により、焼成過程において高誘電率の第1セラミック層と低誘電率の第2セラミック層の夫々を成す材質のイオンが、接合領域において互いに拡散して拡散層のような欠陥の発生を抑制し、これにより従来高誘電率である第1セラミック層の誘電率が落ちるという問題点を解消して信頼性が向上した低温同時焼成セラミック基板を提供することができる。
以下、添付の図面を参照に本発明の実施例を詳しく説明する。
図2は、本発明の実施例による低温同時焼成セラミック基板の構造を図示した断面図である。
図2に図示されたように、本発明の実施例による低温同時焼成セラミック基板100は、第1誘電率を有する複数の第1セラミック層111、第1誘電率より低い第2誘電率を有する多数の第2セラミック層112、第1セラミック層111と第2セラミック層112の異種接合において、イオン拡散(ion diffusion)の発生を防止するために第1セラミック層111と第2セラミック層112の間に具備された拡散防止層110'、多数のセラミック層111、112と拡散防止層110'を貫通して具備された貫通ビア120、及びキャパシタ(capacitor)を形成するためにセラミック層111、112の夫々を中心に両面に形成され貫通ビア120に夫々連結された多数の電極パターン130を含んで構成される。
第1セラミック層111は、例えば、Bi、Ba、SiO2を含んで構成され、12〜13程度の熱膨張係数を有する高誘電率層であり、上面または下面にキャパシタを形成するために貫通ビア120に夫々連結された少なくとも二つの電極パターン130を具備する。
第2セラミック層112は、例えば、Ca、Al、SiO2を含んで構成され、第1熱膨張係数より低い5〜10程度の第2熱膨張係数を有して第1セラミック層111の誘電率より低い低誘電率層で、第1セラミック層111と同様に上面または下面にキャパシタを形成するために貫通ビア120に夫々連結された少なくとも二つの電極パターン130を具備する。
拡散防止層110'は、従来、異種接合領域においてイオン拡散による拡散層Aの問題の発生を防止するために、第1セラミック層111と第2セラミック層112の異種接合の間に第1セラミック層111の材質と第2セラミック層112の材質を合成して形成された層で、例えばBaO−CaO−SiO2系ガラス、BaO−Al2O3−SiO2系ガラス、B2O3−SiO2系ガラス、CaO−MgO−SiO2系ガラス、Al2O3−CaO−SiO2系ガラス等のいずれかひとつまたはその組み合わせのシリケート系ガラス(silicate glass)成分及びBaTiO3 等のフィラー(filler)成分を含んで形成されることができる。
ここで、拡散防止層110'は、Ba濃度が第1セラミック層111のBa濃度と比較して5〜20mol%さらに高く含有した層で形成されることができ、第1セラミック層111または第2セラミック層112の厚さと同一の厚さで形成されることができる。
貫通ビア120は、低温同時焼成セラミック基板100を貫通して金属等の 伝導性材質が充鎮されたビアで、夫々の第1セラミック層111と第2セラミック層112を中心に両面または一面に具備された少なくとも二つの電極パターン130と連結され、電極パターン130の間の第1セラミック層111と第2セラミック層112とともにキャパシタを形成するようになる。
また、このような貫通ビア120の露出した上部側または下部側にボンディング材(未図示)を具備して任意の素子(未図示)を装着することができる。
このように構成された本発明の実施例による低温同時焼成セラミック基板100は第1セラミック層111の材質と第2セラミック層112の材質を合成して第1セラミック層111のBa濃度より5〜20mol%さらに高いBa濃度の拡散防止層110'を利用し、第1セラミック層111と第2セラミック層112の材質が互いの層にイオン拡散することを防止するようになる。
以下、このような本発明の実施例による低温同時焼成セラミック基板100の製造方法を図3aから図3cを参照して説明する。
先ず、図3aに図示されたように本発明の実施例による低温同時焼成セラミック基板100の製造のためにマイラーフィルム(mylar film)のようなキャリアフィルム101の上面に拡散防止層110'を形成するための母材層110を形成する。
具体的に、拡散防止層110'を形成するための母材層110は、図3aに図示されたように第1セラミック層111の材質と第2セラミック層112の 材質を合成し、例えばBaO−CaO−SiO2系ガラス、BaO−Al2O3−SiO2系ガラス、B2O3−SiO2系ガラス、CaO−MgO−SiO2系ガラス、Al2O3−CaO−SiO2系ガラスで構成されたシリケート系ガラス群から選ばれたいずれかひとつまたはその組み合わせの成分、フィラーとしてBaTiO3のバリウム化合物成分、シリケート系ガラス成分とバリウム化合物のフィラー成分を分散させる分散剤及びバインダー(binder)を 含んで混合したスラリーを、ドクターブレード200を利用してキャリアフィルム101の上面にキャスティング(casting)して形成し、硬化させることができる。
拡散防止層110'のための母材層110を硬化させて形成した後、図3bに図示されたように母材層110に付着したキャリアフィルム101を除去し、母材層110を備え、少なくとも二つ備えられた母材層110の上面と下面夫々に、例えば、Bi、Ba、SiO2を含んで構成され高誘電率を有する第1セラミック層111と、例えば、Ca、Al、SiO2を含んで構成され第1セラミック層111より低い低誘電率の第2セラミック層112を多数接合して、多数接合された第1セラミック層111と第2セラミック層112を含んだ積層構造を均等圧力(isostatic pressure)で圧着して形成する。
この後、多数接合された第1セラミック層111、母材層110、及び第2セラミック層112を含んだ積層構造に対して貫通ビア120を形成して低温 焼成し、図3cに図示されたように第1セラミック層111の材質と第2セラミック層112の材質を合成して第1セラミック層111のBa濃度より5〜20mol%さらに高いBa含量の拡散防止層110'を含んだ低温同時焼成セラミック基板100を製造する。
具体的に、少なくとも二つ備えられた母材層110の一面方向に多数の第1セラミック層111を接合し、母材層110の他面方向に多数の第2セラミック層112を接合する。このとき、第1セラミック層111と第2セラミック層112の夫々には貫通ビア120と電極パターン130が具備され、夫々のセラミック層111、112を中心に両面または一面に具備された電極パターン130が貫通ビア120の一側に連結され、多数のセラミック層111、112は夫々の貫通ビア120が互いにかみ合って結合することができる。
勿論、貫通ビア120は電極パターン130が一面または両面に形成された多数のセラミック層111、112を母材層110を中心に両面に接合した後に一括で多数のセラミック層111、112と母材層110を貫通して形成されることができる。
次いで、母材層110の両面に貫通ビア120と電極パターン130が具備された多数のセラミック層111、112を接合して形成した後に、例えば300℃〜1000℃の低温で焼成し、図3cに図示されたように第1セラミック層111の材質と第2セラミック層112の材質を合成して第1セラミック層111のBa濃度より5〜20mol%さらに高いBa含量の拡散防止層110'を有した構造の低温同時焼成セラミック基板100を製造することができる。
従って、本発明の実施例による低温同時焼成セラミック基板100の製造過程は、焼成過程において第1セラミック層111と第2セラミック層112の夫々を成す材質のイオンが接合領域において互いに拡散し、従来の拡散層Aが生成されることを抑制し、これにより従来拡散現象により高誘電率である第1セラミック層111の誘電率が落ちるという問題点を解消し、信頼性が向上した低温同時焼成セラミック基板100を提供することができる。
本発明の技術思想は、上記の好ましい実施例により具体的に記述されたが、上述の実施例はその説明のためのもので、その制限のためのものではないことに注意すべきである。
また、本発明の技術分野の通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内において多様な実施が可能であることを理解することができるであろう。
100 低温同時焼成セラミック基板;101 キャリアフィルム;110 母材層;110' 拡散防止層;111 第1セラミック層;112 第2セラミック層;120 貫通ビア;130 電極パターン;200 ドクターブレード
Claims (16)
- 第1誘電率を有する物質からなる第1セラミック層と、
前記第1誘電率より低い第2誘電率を有する物質からなる第2セラミック層と、
前記第1セラミック層と前記第2セラミック層の間に介在し、前記第1セラミック層物質、前記第2セラミック層物質及びバリウム(Ba)化合物からなる拡散防止層を含み、
前記拡散防止層により前記第1セラミック層物質と前記第2セラミック層物質の相互拡散を防止する低温同時焼成セラミック基板。 - 前記第1セラミック層を経て前記第2セラミック層を貫通する貫通ビアと、
前記貫通ビアに一側が連結され、前記第1セラミック層または前記第2セラミック層の一面または両面に形成された少なくとも二つの電極パターンと、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の低温同時焼成セラミック基板。 - 前記第1セラミック層は、前記貫通ビアに沿って面に垂直な方向に多数形成され、前記少なくとも二つの電極パターンが一面または両面に形成されることを特徴とする請求項2に記載の低温同時焼成セラミック基板。
- 前記第2セラミック層は、前記貫通ビアに沿って面に垂直な方向に多数形成され、前記少なくとも二つの電極パターンが一面または両面に形成されることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の低温同時焼成セラミック基板。
- 前記拡散防止層は、
BaO−CaO−SiO2系ガラス、BaO−Al2O3−SiO2系ガラス、B2O3−SiO2系ガラス、CaO−MgO−SiO2系ガラス、Al2O3−CaO−SiO2系ガラスからなるシリケート系ガラス群から選ばれたいずれかひとつまたはその組み合わせをさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の低音同時焼成セラミック基板。 - 前記拡散防止層は、
Ba濃度が隣接した層のBa濃度より5〜20mol%さらに高く含有されたことを特徴とする請求項1から請求項5の何れかに記載の低温同時焼成セラミック基板。 - 前記バリウム化合物は、BaTiO3であることを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の低温同時焼成セラミック基板。
- 前記拡散防止層は、
前記第1セラミック層または前記第2セラミック層の厚さと同一の厚さで形成されたことを特徴とする請求項1から請求項7の何れかに記載の低温同時焼成セラミック基板。 - セラミック物質、シリケート系ガラス物質及びバリウム(Ba)化合物を含んだ少なくともひとつの母材層を備える段階と、
前記母材層の一面に、少なくとも二つの電極パターンが一面または両面に形成された第1誘電率を有する物質からなる第1セラミック層を形成して、前記母材層の他面に少なくとも二つの電極パターンが一面または両面に形成された前記第1誘電率より低い第2誘電率を有する物質からなる第2セラミック層を形成する段階と、
前記母材層と前記セラミック層を含む積層構造を焼成し、前記母材層が拡散 防止層として作用する低温同時焼成セラミック基板を形成する段階と、を含む低温同時焼成セラミック基板の製造方法。 - 前記母材層を備える段階は、
キャリアフィルムの一面に前記シリケート系ガラス物質、前記バリウム(Ba)化合物、分散剤及びバインダー(binder)を含んだスラリーを塗布する段階と、
前記塗布されたスラリーを硬化させ、前記母材層を形成する段階と、
前記キャリアフィルムを除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の低温同時焼成セラミック基板の製造方法。 - 前記シリケート系ガラス物質は、
BaO−CaO−SiO2系ガラス、BaO−Al2O3−SiO2系ガラス、B2O3−SiO2系ガラス、CaO−MgO−SiO2系ガラス、Al2O3−CaO−SiO2系ガラスを含む群から選ばれたいずれかひとつ、またはその組み合わせを含むことを特徴とする請求項9または請求項10に記載の低温同時焼成セラミック基板の製造方法。 - 前記母材層を備える段階において、
前記母材層はBa濃度が隣接した層のBa濃度より5〜20mol%高く含有されたことを特徴とする請求項9から請求項11の何れかに記載の低温同時焼成セラミック基板の製造方法。 - 前記低温同時焼成セラミック基板を形成する段階は、
前記積層構造を焼成する前に、前記母材層を含み、前記第1セラミック層または前記第2セラミック層に形成された電極パターンの一側を貫通する貫通ビアを 形成する段階を含むことを特徴とする請求項9から請求項12の何れかに記載の低温同時焼成セラミック基板の製造方法。 - 前記セラミック層を形成する段階は、
前記母材層の一面に前記第1セラミック層を多数形成し、前記母材層の他面に前記第2セラミック層を多数形成することを特徴とする請求項9から請求項13の何れかに記載の低温同時焼成セラミック基板の製造方法。 - 前記バリウム化合物は、BaTiO3であることを特徴とする請求項9から請求項14の何れかに記載の低温同時焼成セラミック基板の製造方法。
- 前記拡散防止層として作用する前記母材層は、前記第1セラミック層または第2セラミック層の厚さと同一の厚さで形成されたことを特徴とする請求項9から請求項15の何れかに記載の低温同時焼成セラミック基板。
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