KR102508016B1 - 페라이트 층을 포함한 ltcc 이종접합 모듈 및 제조방법 - Google Patents
페라이트 층을 포함한 ltcc 이종접합 모듈 및 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102508016B1 KR102508016B1 KR1020210058684A KR20210058684A KR102508016B1 KR 102508016 B1 KR102508016 B1 KR 102508016B1 KR 1020210058684 A KR1020210058684 A KR 1020210058684A KR 20210058684 A KR20210058684 A KR 20210058684A KR 102508016 B1 KR102508016 B1 KR 102508016B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- module
- ltcc
- ferrite layer
- manufacturing
- heterojunction
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 5
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018663 Mn O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003176 Mn-O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 or Bi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B1/00—Producing shaped prefabricated articles from the material
- B28B1/008—Producing shaped prefabricated articles from the material made from two or more materials having different characteristics or properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
- B28B11/24—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for curing, setting or hardening
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
- C04B2235/3234—Titanates, not containing zirconia
- C04B2235/3236—Alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
본 발명은 LTCC 이종 접합 모듈(10)의 제조방법에 관한 것이다. 그러한 LTCC 이종 접합 모듈의 제조방법은, 상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)을 형성하는 제 1단계(S100)와; 모듈(12)의 상면에 일정 깊이로 오목하게 접합홈(14)을 형성하는 제 2단계(S110)와; 접합홈(14)의 내부에 모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 캐패시터(16)를 접합하는 제 3단계(S120)와; 그리고 모듈 및 캐패시터(14,16)를 소성하는 제 4단계(S130)를 포함한다.
Description
본 발명은 LTCC 이종 접합 모듈의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 저 유전율의 LTCC 모듈의 상면 또는 후면에 캐비티를 형성하고, 이 캐비티의 내부에 고유전율의 페라이트층과 LTCC 모듈을 동시 소성함으로써 고유전율 및 저유전율 이종 소재간에 수축율 차이로 소성과정에서 발생하는 수축율 부정합에 의한 휨 현상, 층간 분리 현상 등의 문제를 해결한 기술에 관한 것이다.
최근 무선 통신을 위한 다층(multi layer) 구조의 세라믹 전자통신부품이 상용화되고 있으며, 이를 위해 저온 동시 소성 세라믹 기술(LTCC; Low Temperature Co-fired Ceramic)이 활용되고 있다.
LTCC 기술은 850℃ 부근의 비교적 낮은 온도에서 소성이 가능한 기술로써 고 순도의 은전극을 회로로 사용할 수 있으며, 소재의 저 유전손실 특성과 내외부 전극 회로의 높은 전기전도성으로 우수한 RF 특성을 갖는 다층 회로 모듈 제조 방법이다.
LTCC 이종접합 기술은 LTCC 모듈에서 고 캐패시턴스 특성이 요구되는 경우, 저유전율 소재 기반의 LTCC 모듈층과 고유전율 소재 기반의 페라이트층을 각각 그린시트로 제작하여 이를 동시에 적층하고 소성함으로써 LTCC 모듈 내부에 페라이트층을 형성하여 다기능의 소형 모듈을 제조하는 기술이다.
그리고, 이러한 LTCC 이종접합모듈(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 다층구조로 적층하는 바, 유전율이 서로 다른 이종 재료(3,5,7)를 순차적으로 적층하여 소성하게 된다.
즉, 상, 하부에는 저 유전율 층(3,7)이 배치되고, 중간에는 고 유전율 층(5)이 배치된 구조이다. 예를 들면, 저유전율 LTCC층은 비유전율이 4-8 범위 이내이고, 고유전율 페라이트 층은 비유전율이 10-300범위 이내이다.
그러나, 이러한 종래의 LTCC 이종접합 기술은 저유전율 층과 고유전율의 소재 층을 순차적으로 적층한 상태에서 소성하는 바, 이때 소성 과정에서 이종 재료간의 수축율 부정합으로 인하여 이종 소재의 접합부위에서 휨, 크랙, 분리현상이 발생함으로써 품질이 저하되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 과제는, 종래기술에서 서로 다른 유전율을 갖는 소재의 접합 구조의 문제점을 해결하는 LTCC 이종접합 모듈 및 제조기술을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 일 실시 예는 LTCC 이종 접합 모듈(10) 및 그 제조방법에 관한 것으로서,
LTCC 이종 접합 모듈(10)의 제조방법은,
상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)을 형성하는 제 1단계(S100)와;
모듈(12)의 상면에 일정 깊이로 캐비티(14)를 형성하는 제 2단계(S110)와;
캐비티(14)의 내부에 모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 페라이트층(16)을 접합하는 제 3단계(S120)와; 그리고
모듈 및 페라이트층(14,16)을 동시에 소성하는 제 4단계(S130)를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 LTCC 이종 접합 모듈(10) 및 그 제조방법은,
상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)을 제작하여 소성하는 제 1단계(S200)와;
모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 페라이트층(16)을 제작하여 소성하는 제 2단계(S210)와; 그리고
페라이트층(16)을 모듈(12)의 캐비티(14) 부분에 SMT하여 전기적 연결하는 제 3단계(S220)를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예는,
상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)과;
모듈(12)의 상면에 일정 깊이로 형성된 캐비티(14)과; 그리고
캐비티(14)의 내부에 배치되어 접합되며 모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 페라이트층(16)을 포함하는 LTCC 이종 접합 모듈(10)을 포함한다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 LTCC 이종재료 접합방법은 저 유전율 모듈의 상면에 캐비티를 형성하고, 이 캐비티의 내부에 고유전율의 페라이트층을 배치한 후 소성함으로써 이종의 유전율 소재의 접합 시 발생하는 수축율 정합, 휨 현상 등의 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 LTCC 이종 접합 모듈의 구조를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LTCC 이종 접합 모듈의 구조를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 LTCC 이종 접합 모듈의 내부구조를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 LTCC 이종 접합 모듈의 제조방법을 보여주는 순서도이다.
도 5는 도 2에 도시된 LTCC 이종 접합 모듈의 제조방법의 다른 실시예를 보여주는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LTCC 이종 접합 모듈의 구조를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 LTCC 이종 접합 모듈의 내부구조를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 LTCC 이종 접합 모듈의 제조방법을 보여주는 순서도이다.
도 5는 도 2에 도시된 LTCC 이종 접합 모듈의 제조방법의 다른 실시예를 보여주는 순서도이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 LTCC 이종 접합 모듈을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명이 제안하는 LTCC 이종 접합 모듈(10)는 비유전율이 서로 다른 이종의 세라믹 시트가 적층된 구조를 갖는다.
본 발명에서는 이러한 LTCC 이종 접합 모듈의 일 예로서 RF특성 모듈에 의하여 설명한다.
이러한 LTCC 모듈(10)을 제조하는 방법은, 상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)을 형성하는 제 1단계(S100)와; 모듈(12)의 상면에 일정 깊이로 캐비티(14)를 형성하는 제 2단계(S110)와; 캐비티(14)의 내부에 모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 페라이트층(16)을 접합하는 제 3단계(S120)와; 모듈 및 페라이트층(14,16)을 동시에 소성하는 제 4단계(S130)를 포함한다.
이러한 순서로 제조되는 RF특성을 가지는 모듈의 제조방법에 있어서,
제 1단계(S100)에서는 저유전율의 세라믹으로 모듈(12)을 형성한다. 이때, 저유전율의 세라믹으로는 다양한 세라믹 재료가 적용될 수 있으며, 예를 들면 B, CaO, SiO2, K2O, B2O3, BaO, MgO 를 포함하는 글라스와 Al2O3 필러가 사용될 수 있다.
혹은, 아루미나 붕규산 글래스계, 포스테라이트(forsterite)계의 세라믹 재료를 사용할 수 있다.
또한, 유전율은 4 내지 8의 범위 이내가 바람직하다.
이러한 모듈(12)은 다층 구조로 적층되며, 각 층은 소정의 두께로 형성되는 바, 예를 들면 20-300㎛로 형성된다. 이러한 다층 구조는 최소 3층 이상으로 구성될 수 있다.
그리고, 모듈(12)에는 수동소자 및 RF 회로를 모듈 내부에 스크린 프린팅 방식으로 형성할 수 있다.
그리고, 제 2단계(S110)에서는 이러한 모듈(12)의 상하면에 일정 깊이로 캐비티(14)를 형성한다.
이러한 캐비티(14)는 모듈(12)의 성형 시에 상하부 표면의 일부에 몰드(성형틀)를 배치하여 세라믹이 주입되지 않도록 함으로써 캐비티(14)를 형성하거나, 모듈(12)의 성형 후에 도구를 이용하여 상부 표면을 물리적으로 일정 깊이로 가공함으로써 캐비티(14)를 형성할 수 있다. 또는 모듈을 형성하는 그린시트에 전체 구조에 맞게 각 레이어 층별로 포밍하여 하나의 캐비티가 되도록 적층하여 형성한다.
제 3단계(S120)에서는 캐비티(14)의 내부에 모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 페라이트층(16)을 배치하여 접합한다.
페라이트층(16)은 고 유전율을 갖는 세라믹 재료로서 다양한 소자를 포함하며, 예를 들면 고유전율의 캐패시터(Capacitor)일 수 있다.
이러한 페라이트층(16)은 다양한 재료가 적용될 수 있으며, 예를 들면 Ni-Cu-Zn계, Bi-Ca-Nb-O계, Ba-Ti-O계, Zr(Mg, Zn, Nb)-Ti-Mn-O계 등의 세라믹 재료를 이용할 수도 있고, 또는 Bi, SiO2, CaO, K2O계 글라스와 세라믹 필러로서 BaTiO3를 적용할 수 있다.
이러한 페라이트층(16)은 다층 구조로, 각 층은 소정의 두께로 형성되는 바, 예를 들면 1-10㎛로 형성된다. 이러한 다층 구조는 최소 500층 이상으로 구성될 수 있다.
이때, 고 유전율의 페라이트 층(16)의 비유전율은 10 내지 300 범위 이내가 바람직하며, 저 유전율의 모듈(12)보다 큰 열팽창계수를 갖는다. 따라서, 고 유전율의 페라이트 층(16)과 저 유전율의 모듈(12)을 단순히 상하로 적층한 상태에서 소성하는 경우에는 수축율 부정합으로 인하여 이종 접합체 간에 크랙 등이 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 모듈(12)의 내측에 페라이트층(16)을 배치하여 접합시킴으로써 제 4단계(S130)의 소성공정시에도 접합면에서 크랙, 분리 등의 발생하는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 페라이트층(16)을 모듈 내부에 결합하는 방법으로는 SMT 방식 혹은 결합 후 동시 소결진행을 한다.
따라서, 모듈(12)과 페라이트층(16) 사이에 소재의 수축율 편차로 인해 발생하는 층간 결함을 방지할 수 있다.
그리고, 페라이트층으로 이루어진 페라이트층(16)의 크기는 전체 모듈 구조체(1) 대비 70%까지 형성가능하다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 모듈(12)의 상부면에는 RF회로(17)가 배치되고 하부면에는 SMT패드(22)가 배치된다. 그리고, RF회로(17)와 SMT패드(22)는 은(Ag)또는 구리(Cu) 등의 도전성 재질의 패턴(20)에 의하여 전기적으로 연결된다.
또한, 페라이트층(16)에도 내측에 회로패턴(24)이 다수개 배치되고, 이 회로패턴(24)들은 모듈(12)의 하부면에 배치된 SMT패드(22)와 도전성 재질의 패턴(26)에 의하여 전기적으로 연결된다.
한편, LTCC 이종 접합 모듈(10)을 제조하는 다른 실시예로서, 페라이트층(16)을 모듈(12)의 캐비티(14) 부분에 SMT 방식에 의하여 배치하는 방법도 가능하다.
즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)을 제작하여 소성하는 제 1단계(S200)와; 모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 페라이트층(16)을 제작하여 소성하는 제 2단계(S210)와; 그리고 페라이트층(16)을 모듈(12)의 캐비티(14) 부분에 SMT하여 전기적 연결하는 제 3단계(S220)를 포함한다.
이러한 제 1 내지 제 3단계에 있어서 도 4에 도시된 제조방법과 동일한 기재는 생략한다.
제 1 및 제 2단계(S200, S210)에서는 모듈(12) 혹은 페라이트층(16)의 제작 뿐만 아니라 소성도 진행한다.
그리고, 제 3단계(S220)에서는 SMT 방식(Surface Mounter Technology)에 의하여 페라이트층(16)을 모듈(12)의 캐비티(14)의 내부에 장착하고 납땜 등에 의하여 실장한다.
이러한 방법에 의하여 페라이트층(16)을 모듈(12)의 캐비티(14)에 SMT 방식에 의하여 배치한다.
이러한 LTCC 제조방법에 의하여 제조한 모듈(10)은 다음과 같은 구조를 갖는다.
즉, LTCC 안테나 모듈(10)은, 상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)과; 모듈(12)의 상면에 일정 깊이로 형성된 캐비티(14)와; 캐비티(14)의 내부에 배치되어 접합되며 모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 페라이트층(16)을 포함한다.
Claims (6)
- 삭제
- 상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)을 제작하여 소성하는 제 1단계(S200)와;
모듈(12) 보다 고유전율을 갖는 페라이트층(16)을 제작하여 소성하는 제 2단계(S210)와; 그리고
페라이트층(16)을 모듈(12)의 캐비티(14) 부분에 SMT 방식으로 접합하여 전기적으로 연결하는 제 3단계(S220)를 포함하고,
모듈(12)은 유전율 4-8 범위 이내이고,
페라이트층(16)은 비유전율 10 내지 300 범위 이내인 LTCC 이종 접합 모듈(10)을 제조하는 방법. - 제 2항에 있어서,
모듈(12)은 B, Ca, SiO2를 포함하는 글라스와 Al2O3 필러가 사용되며, 페라이트층(16)은 Ni-Cu-Zn계, Bi-Ca-Nb-O계, Ba-Ti-O계, Zr(Mg, Zn, Nb)-Ti-Mn-O계 중 하나의 세라믹 재료 혹은 Bi, SiO2, CaO, K2O계 글라스 글라스와 세라믹 필러로서 BaTiO3를 적용하는 LTCC 이종 접합 모듈(10)을 제조하는 방법. - 제 2항에 있어서,
페라이트층(16)은 Bi-Ca-Nb-O계, Ba-Ti-O계, Zr(Mg, Zn, Nb)-Ti-Mn-O계, Ni-Cu-Zn계 중 하나의 세라믹 재료 혹은 Bi, SiO2, CaO, K2O계 글라스와 세라믹 필러로서 BaTiO3를 적용하는 LTCC 이종 접합 모듈(10)을 제조하는 방법. - 상대적으로 저유전율을 갖는 모듈(12)과;
모듈(12)의 상면에 일정 깊이로 형성된 캐비티(14)와; 그리고
모듈(12) 보다 고유전율을 갖도록 제작하여 소성하며, 캐비티(14)의 내부에 SMT 방식으로 배치되어 접합되는 페라이트층(16)을 포함하며,
모듈(12)의 유전율은 4-8범위 이내이고, 페라이트층(16)의 비유전율은 10 내지 300범위 이내인 LTCC 이종 접합 모듈(10).
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210058684A KR102508016B1 (ko) | 2021-05-06 | 2021-05-06 | 페라이트 층을 포함한 ltcc 이종접합 모듈 및 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210058684A KR102508016B1 (ko) | 2021-05-06 | 2021-05-06 | 페라이트 층을 포함한 ltcc 이종접합 모듈 및 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220152427A KR20220152427A (ko) | 2022-11-16 |
KR102508016B1 true KR102508016B1 (ko) | 2023-03-10 |
Family
ID=84235795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210058684A KR102508016B1 (ko) | 2021-05-06 | 2021-05-06 | 페라이트 층을 포함한 ltcc 이종접합 모듈 및 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102508016B1 (ko) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060114562A (ko) * | 2005-05-02 | 2006-11-07 | 삼성전기주식회사 | 저온동시소성세라믹 기판의 내장 캐패시터 및 그 제조방법 |
KR20170140754A (ko) | 2016-06-10 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2021
- 2021-05-06 KR KR1020210058684A patent/KR102508016B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220152427A (ko) | 2022-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6153290A (en) | Multi-layer ceramic substrate and method for producing the same | |
US6426551B1 (en) | Composite monolithic electronic component | |
US8124883B2 (en) | Ceramic multilayer substrate and method for manufacturing the same | |
KR0174635B1 (ko) | 세라믹 다층 기판과 이것의 제조방법 | |
JP3928665B2 (ja) | チップ型電子部品内蔵型多層基板及びその製造方法 | |
US6891109B2 (en) | Monolithic ceramic substrate and method for making the same | |
JP4788544B2 (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
US6207905B1 (en) | Glass-ceramic composition, circuit substrate using the same and manufacture method thereof | |
US6711029B2 (en) | Low temperature co-fired ceramic with improved shrinkage control | |
JP4821302B2 (ja) | セラミック多層基板及びその製造方法 | |
WO2003072325A1 (en) | Ceramic multilayer substrate manufacturing method and unfired composite multilayer body | |
US20090214881A1 (en) | Low temperature co-fired ceramic substrate having diffusion barrier layer and method of manufacturing the same | |
JP2007053328A (ja) | チップ型電子部品内蔵型多層基板及びその製造方法 | |
KR102508016B1 (ko) | 페라이트 층을 포함한 ltcc 이종접합 모듈 및 제조방법 | |
JPH10308584A (ja) | セラミック多層基板およびその製造方法 | |
KR100439677B1 (ko) | 다층 기판 및 그의 제조방법 | |
JP2008186909A (ja) | セラミック多層基板 | |
JP2010016141A (ja) | 部品内蔵セラミックス基板およびその製造方法 | |
KR100896610B1 (ko) | 다층 세라믹 기판 및 그 제조방법 | |
KR100925604B1 (ko) | 적층 세라믹 패키지 및 그 제조방법 | |
JP4645962B2 (ja) | 多層セラミック基板 | |
KR100724228B1 (ko) | 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 | |
JP4569265B2 (ja) | セラミック多層基板及びその製造方法 | |
KR20000045202A (ko) | 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법 | |
KR100818461B1 (ko) | 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |