JP7381323B2 - 両面配線回路基板の製造方法および両面配線回路基板 - Google Patents

両面配線回路基板の製造方法および両面配線回路基板 Download PDF

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本発明は、両面配線回路基板の製造方法および両面配線回路基板に関する。
配線回路基板においては、配線の高密度化のために、基板の両面に回路が設けられる構成が採用される場合がある。そのような両面配線回路基板では、両面の回路間を電気的に接続する必要がある。例えば、両面配線回路基板の製造過程において、最終製造物にて両面回路間に位置することとなるコア層を厚み方向に貫通するビアなどの導電構造部を、形成する必要がある。そのような両面配線回路基板の製造方法に関する技術については、例えば下記の特許文献1に記載されている。
特開2018-120968号公報
両面配線回路基板のコア層が金属製である場合、両面回路間の電気的接続のための上述の導電構造部は、従来、例えばその周囲を絶縁膜で囲むことによって金属コア層との間で絶縁を図りつつ形成する必要がある。しかしながら、そのような導電構造部を形成するには、比較的に多くの工程を要する。両面配線回路基板の製造において、その導電構造部の形成に多くの工程を要する方法は、製造効率の観点から好ましくない。
本発明は、金属コア層を有する両面配線回路基板を効率よく製造するのに適した両面配線回路基板の製造方法、および両面配線回路基板を提供する。
本発明[1]は、金属コア層と、前記金属コア層の厚み方向一方側に配置され、第1孔部を有する第1領域部、および、当該第1領域部と隣り合う少なくとも一つの第1開口部を有する、第1絶縁層と、前記第1絶縁層の厚み方向一方側において少なくとも前記第1領域部上に配置された第1配線部、および、前記第1孔部内に配置され且つ前記第1配線部および前記金属コア層と接続している第1導通部、を有する第1導体層と、前記金属コア層の厚み方向他方側に配置され、厚み方向において前記第1領域部と対向する部分を含み且つ当該部分に第2孔部を有する第2領域部、および、当該第2領域部と隣り合う少なくとも一つの第2開口部を有する、第2絶縁層と、前記第2絶縁層の厚み方向他方側において少なくとも前記第2領域部上に配置された第2配線部、および、前記第2孔部内に配置され且つ前記第2配線部および前記金属コア層と接続している第2導通部、を有する第2導体層と、を備える積層体を用意する第1工程と、前記積層体における厚み方向一方側からの、前記第1開口部を介しての前記金属コア層に対する第1エッチング処理と、前記積層体における厚み方向他方側からの、前記第2開口部を介しての前記金属コア層に対する第2エッチング処理とにより、周囲が空隙によって囲まれ、前記第1領域部と前記第2領域部との間を厚み方向に延びて前記第1導通部および前記第2導通部と接続している、ビア部を、前記金属コア層において形成する、第2工程とを含む、両面配線回路基板の製造方法を含む。
本方法においては、金属コア層を有する両面配線回路基板の厚み方向における一方側の第1導体層と他方側の第2導体層との間を電気的に接続し且つ周囲が空隙によって囲まれたビア部が、金属コア層において、上述のような第1エッチング処理および第2エッチング処理によって形成される。このような本方法では、金属コア層においてビア部を他の部分から絶縁するための絶縁膜などを設ける必要がない。そのため、本方法は、金属コア層を有する両面配線回路基板の製造過程において、第1および第2導体層の間を電気的に接続するビア部の形成のための工程数を低減するのに適する。また、当該方法は、金属コア層の外郭(投影視における外郭)を形成するためのエッチングを上述の第1および第2エッチング処理にて実施するのに適し、従って、この観点からも工程数を低減するのに適する。以上のように工程数を低減するのに適する本製造方法は、金属コア層を有する両面配線回路基板を効率よく製造するのに適する。加えて、金属コア層に対する空隙の形成により、両面回路を電気的に接続する導電構造部(ビア部)を形成する本方法によると、金属コア層が厚い場合であっても、両面回路間を適切に電気的接続することが可能である。
本発明[2]は、前記第1エッチング処理と前記第2エッチング処理とを同時に行う、上記[1]に記載の両面配線回路基板の製造方法を含む。
このような構成は、金属コア層を有する両面配線回路基板の製造過程において工程数を低減するのに適し、従って、金属コア層を有する両面配線回路基板を効率よく製造するのに適する。
本発明[3]は、前記厚み方向の投影視において、前記第1開口部および前記第2開口部は、繋がって前記第1導通部および前記第2導通部を囲む、上記[1]または[2]に記載の両面配線回路基板の製造方法を含む。
積層体における厚み方向投影視において第1開口部および第2開口部が繋がって第1導通部および第2導通部を囲むという上述の構成は、金属コア層に対する第1開口部を介した第1エッチング処理と第2開口部を介した第2エッチング処理とにより、金属コア層においてビア部周囲の空隙を形成するのに適する。
本発明[4]は、前記積層体が、前記第1絶縁層の厚み方向一方側において前記第1導体層を覆い、且つ前記第1開口部と連通する第3開口部を有する、第3絶縁層と、前記第2絶縁層の厚み方向他方側において前記第2導体層を覆い、且つ前記第2開口部と連通する第4開口部を有する、第4絶縁層とを更に備える、上記[1]から[3]のいずれか一つに記載の両面配線回路基板の製造方法を含む。
このような構成は、第1導体層を被覆保護するためのエッチングマスクと第2導体層を被覆保護するためのエッチングマスクとを別途設けずに、上述の第1および第2エッチング処理を実施するのに適し、従って、工程数を低減するのに適する。
本発明[5]は、周囲が空隙によって囲まれているビア部と、当該ビア部と前記空隙を介して隣り合うコア層主部と、を含む金属コア層と、前記金属コア層の厚み方向一方側に配置され、第1孔部を有する第1領域部、および、当該第1領域部と隣り合う少なくとも一つの第1開口部を有する、第1絶縁層と、前記第1絶縁層の厚み方向一方側において少なくとも前記第1領域部上に配置された第1配線部、および、前記第1孔部内に配置され且つ前記第1配線部および前記金属コア層と接続している第1導通部、を有する第1導体層と、前記金属コア層の厚み方向他方側に配置され、厚み方向において前記第1領域部と対向する部分を含み且つ当該部分に第2孔部を有する第2領域部、および、当該第2領域部と隣り合う少なくとも一つの第2開口部を有する、第2絶縁層と、前記第2絶縁層の厚み方向他方側において少なくとも前記第2領域部上に配置された第2配線部、および、前記第2孔部内に配置され且つ前記第2配線部および前記金属コア層と接続している第2導通部、を有する第2導体層と、を備える両面配線回路基板を含む。
このような構造の両面配線回路基板は、その製造過程において工程数を低減するのに適し、従って、効率よく製造するのに適する。
本発明[6]は、前記厚み方向の投影視において、前記第1開口部および前記第2開口部は、繋がって前記第1導通部および前記第2導通部を囲む、上記[5]に記載の両面配線回路基板を含む。
両面配線回路基板の厚み方向投影視において第1開口部および第2開口部が繋がって第1導通部および第2導通部を囲むという上述の構成は、当該両面配線回路基板の製造過程において、金属コア層に対する第1開口部を介した第1エッチング処理と第2開口部を介した第2エッチング処理とにより、金属コア層においてビア部周囲の空隙を形成するのに適する。
本発明の両面配線回路基板の第1実施形態の一断面図である。 図1に示す両面配線回路基板の部分上面図である。 図1に示す両面配線回路基板の部分下面図である。 図2および図3におけるIV-IV線に沿った断面図である。 図1に示す両面配線回路基板を厚み方向に投影視した場合の第1開口部、第2開口部、第1導通部、および第2導通部の形状を表す。 図1に示す両面配線回路基板の一変形例における部分上面図である。 図1に示す両面配線回路基板の一変形例における部分下面図である。 図6および図7に示す両面配線回路基板を厚み方向に投影視した場合の第1開口部、第2開口部、ビア部、第1導通部、および第2導通部の形状を表す。 図1に示す両面配線回路基板の他の変形例における断面図である。 図10Aは、図1に示す両面配線回路基板の他の変形例における部分下面図である。図10Bは、図1に示す両面配線回路基板の他の変形例における部分下面図である。 第1実施形態の両面配線回路基板の製造方法における一部の工程を、図1に相当する断面の変化として表す。図11Aは用意工程を表し、図11Bは、第1のベース絶縁層形成工程を表し、図11Cは、第1の導体層形成工程を表し、図11Dは、第1のカバー絶縁層形成工程を表す。 図11に示す工程の後に続く工程を表す。図12Aは、第2のベース絶縁層形成工程を表し、図12Bは、第2の導体層形成工程を表し、図12Cは、第2のカバー絶縁層形成工程を表し、図12Dはエッチング工程を表す。 第1実施形態の両面配線回路基板の製造方法における一部の工程を、図4に相当する断面の変化として表す。図13Aは用意工程を表し、図13Bは、第1のベース絶縁層形成工程を表し、図13Cは、第1の導体層形成工程を表し、図13Dは、第1のカバー絶縁層形成工程を表す。 図13に示す工程の後に続く工程を表す。図14Aは、第2のベース絶縁層形成工程を表し、図14Bは、第2の導体層形成工程を表し、図14Cは、第2のカバー絶縁層形成工程を表し、図14Dはエッチング工程を表す。 第1実施形態の両面配線回路基板の製造方法の変形例における中間製造物である積層体を表す。図15Aは、図1に示す断面に対応する断面を表し、図15Bは、図4に示す断面に対応する断面を表す。 図15に示す積層体を厚み方向に投影視した場合の第1開口部、第2開口部、第1導通部、および第2導通部の形状を表す。 第1実施形態の両面配線回路基板の製造方法の変形例におけるエッチング工程を表す。図17Aは、図15Aに示す断面に対応する断面を表し、図17Bは、図15Bに示す断面に対応する断面を表す。 本発明の両面配線回路基板の第2実施形態の一断面図である。 図18に示す両面配線回路基板の部分上面図である。 図18に示す両面配線回路基板の部分下面図である。 図19および図20におけるXXI-XXI線に沿った断面図である。 図18に示す両面配線回路基板を厚み方向に投影視した場合の第1開口部、第2開口部、第1導通部、および第2導通部の形状を表す。 第2実施形態の両面配線回路基板の製造方法における一部の工程を、図18に相当する断面の変化として表す。図23Aは用意工程を表し、図23Bは、第1のベース絶縁層形成工程を表し、図23Cは、第1の導体層形成工程を表し、図23Dは、第1のカバー絶縁層形成工程を表す。 図23に示す工程の後に続く工程を表す。図24Aは、第2のベース絶縁層形成工程を表し、図24Bは、第2の導体層形成工程を表し、図24Cは、第2のカバー絶縁層形成工程を表し、図24Dはエッチング工程を表す。 第2実施形態の両面配線回路基板の製造方法における一部の工程を、図18に相当する断面の変化として表す。図25Aは用意工程を表し、図25Bは、第1のベース絶縁層形成工程を表し、図25Cは、第1の導体層形成工程を表し、図25Dは、第1のカバー絶縁層形成工程を表す。 図25に示す工程の後に続く工程を表す。図26Aは、第2のベース絶縁層形成工程を表し、図26Bは、第2の導体層形成工程を表し、図26Cは、第2のカバー絶縁層形成工程を表し、図26Dはエッチング工程を表す。 第2実施形態の両面配線回路基板の製造方法の変形例で用いる中間積層体を表す。図27Aは、図18に示す断面に対応する断面を表し、図27Bは、図21に示す断面に対応する断面を表す。
図1から図4は、本発明の第1実施形態の配線回路基板X1を表す。図1は、配線回路基板X1を概略的に表す断面図である。図2は、配線回路基板X1の部分上面図である(但し、後述の絶縁層40は省略されている)。図3は、配線回路基板X1の部分下面図である(但し、後述の絶縁層70は省略されている)。図4は、図2および図3におけるIV-IV線に沿った断面図である。
配線回路基板X1は、両面配線回路基板であって、金属コア層10と、絶縁層20,40,50,70と、導体層30,60とを備える。
金属コア層10は、図1に示すように、コア層主部11およびビア部12を有する。コア層主部11は、配線回路基板X1の剛性を確保するための要素である。ビア部12は、配線回路基板X1における両面の回路間を電気的に接続するための要素である。ビア部12は、図1および図4に示すように、周囲が空隙13によって囲まれている。この空隙13を介して、ビア部12とコア層主部11とは隣り合う。具体的には、コア層主部11は、板形状を有し、そのコア層主部11に円筒形状の空隙13が形成されている。そして、その空隙13内に、円柱形状のビア部12が、コア層主部11と間隔を隔てて配置されている。ビア部12とコア層主部11との間の離隔距離は、例えば10μm以上であり、好ましくは15μm以上である。ビア部12は、このような空隙13によって囲まれることにより、コア層主部11から絶縁されている。
金属コア層10の構成材料としては、例えば、Cu、Cu合金、ステンレス、および42アロイが挙げられ、熱伝導性および導電性の観点からは、好ましくはCuおよびCu合金が挙げられる。
金属コア層10の厚みは、例えば10μm以上であり、好ましくは15μm以上であり、また、例えば500μm以下であり、好ましくは300μm以下である。
絶縁層20(第1絶縁層)は、図1および図4に示すように、金属コア層10の厚み方向一方側に配置されたベース絶縁層であり、主部21と、領域部22(第1領域部)と、当該領域部22と隣り合い且つ主部21と領域部22との間に介在する複数(本実施形態では、一つの領域部22に対して二つ)の開口部23(第1開口部)とを含むパターン形状を有する。
主部21は、厚み方向の投影視(以下、単に「投影視」と表現する場合がある)においてコア層主部11と重複する。
領域部22は、内側部分22aと、複数の連結部分22bとを有する。
内側部分22aは、投影視において、ビア部12と重複してビア部12の厚み方向一方端に接し、本実施形態では円形状を有する。この内側部分22a内において、領域部22は孔部22cを有する。孔部22cは、領域部22aの投影視中央部において、領域部22aをその厚み方向に貫通する。
連結部分22bは、内側部分22aと主部21とを連結する。連結部分22bは、投影視において後述の開口部53と重複し且つ後述の連結部分52bと重複しない部分であり、内側部分22aを挟むように複数(本実施形態では、一つの領域部22において二つ)配置されている。各連結部分22bは、一端が内側部分22aに連結され且つ他端が主部21に連結されているストリップ形状を有する。
開口部23は、配線回路基板X1の後述の製造過程における、金属コア層10に対するエッチング工程にて、エッチング窓として機能する開口部であり、絶縁層20をその厚み方向に貫通する。開口部23は、本実施形態では、領域部22を挟んで二つ配置されている。また、本実施形態では、図2に示すように、各開口部23は扇形状を有し、領域部22と二つの開口部23とが合わさって投影視略円形状をなす。
絶縁層20の構成材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が挙げられ、好ましくは感光性ポリイミドが用いられる(後述の絶縁層40,50,70の構成材料についても同様である)。
絶縁層20の厚みは、例えば1μm以上、好ましくは3μm以上であり、また、例えば35μm以下、好ましくは20μm以下である。
導体層30(第1導体層)は、図1および図4に示すように、絶縁層20の厚み方向一方側に配置された所定パターン形状の配線部31(第1配線部)と、導通部32(第1導通部)とを含む。配線部31は、本実施形態では、絶縁層20の主部21上と領域部22上とにわたって配置されている。具体的には、図2に示すように、配線部31は、その一端が内側部分22a上に配置され、連結部分22b上を通過して、領域部22外に延びる。導通部32は、絶縁層20における孔部22c内に配置され、配線部31と接続し、且つ、金属コア層10のビア部12の厚み方向一方端と接続している。
導体層30の構成材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属材料が挙げられ、好ましくは銅が挙げられる(後述の導体層60の構成材料についても同様である)。
導体層30の厚みは、例えば3μm以上、好ましくは5μm以上であり、また、例えば50μm以下、好ましくは30μm以下である。
絶縁層40(第3絶縁層)は、絶縁層20の厚み方向一方側において導体層30を覆うように配置されたカバー絶縁層であり、開口部41(第3開口部)を有するパターン形状を有する。開口部41は、投影視において絶縁層20の開口部23と重複し、開口部23と連通する。本実施形態では、開口部41は、開口部23と同一または実質的に同一の開口形状を有する。開口部41は、配線回路基板X1の後述の製造過程における、金属コア層10に対するエッチング工程にて、エッチング窓として機能しうる。
絶縁層40の厚み(絶縁層20からの高さ)は、導体層30の厚みより大きい限りにおいて、例えば4μm以上、好ましくは6μm以上であり、また、例えば60μm以下、好ましくは40μm以下である。
絶縁層50(第2絶縁層)は、図1および図4に示すように、金属コア層10の厚み方向他方側に配置されたベース絶縁層であり、主部51と、領域部52(第2領域部)と、当該領域部52と隣り合い且つ主部51と領域部52との間に介在する複数(本実施形態では、一つの領域部52に対して二つ)の開口部53(第2開口部)とを含むパターン形状を有する。
主部51は、投影視においてコア層主部11と重複する。
領域部52は、内側部分52aと、複数の連結部分52bとを有する。
内側部分52aは、投影視においてビア部12と重複してビア部12の厚み方向他方端に接し、本実施形態では円形状を有する。また、内側部分52aは、厚み方向において上述の領域部22の内側部分22aと対向する。この内側部分52a内において、領域部52は孔部52cを有する。孔部52cは、領域部52aの投影視中央部において、領域部52aをその厚み方向に貫通する。
連結部分52bは、内側部分52aと主部51とを連結する。連結部分52bは、投影視において上述の開口部23と重複し且つ連結部分22bと重複しない部分であり、内側部分52aを挟むように複数(本実施形態では、一つの領域部52において二つ)配置されている。各連結部分52bは、一端が内側部分52aに連結され且つ他端が主部51に連結されているストリップ形状を有する。連結部52bが延びる方向と、上述の連結部22bが延びる方向とは、投影視において交差(本実施形態では直交)している。
開口部53は、配線回路基板X1の後述の製造過程における、金属コア層10に対するエッチング工程にて、エッチング窓として機能する開口部であり、絶縁層50をその厚み方向に貫通する。開口部53は、本実施形態では、領域部52を挟んで二つ配置されている。また、本実施形態では、図3に示すように、各開口部53は扇形状を有し、領域部52と二つの開口部53とが合わさって投影視略円形状をなす。
絶縁層50の厚みは、例えば1μm以上、好ましくは3μm以上であり、また、例えば35μm以下、好ましくは20μm以下である。
導体層60(第2導体層)は、図1および図4に示すように、絶縁層50の厚み方向他方側に配置された所定パターン形状の配線部61(第2配線部)と、導通部62(第2導通部)とを含む。配線部61は、本実施形態では、絶縁層50の主部51上と領域部52上とにわたって配置されている。具体的には、図3に示すように、配線部61は、その一端が内側部分52a上に配置され、連結部分52b上を通過して、領域部52外に延びる。導通部62は、絶縁層50における孔部52c内に配置され、配線部61と接続し、且つ、金属コア層10のビア部12の厚み方向他方端と接続している。
導体層60の厚みは、例えば3μm以上、好ましくは5μm以上であり、また、例えば50μm以下、好ましくは30μm以下である。
絶縁層70(第4絶縁層)は、絶縁層50の厚み方向他方側において導体層60を覆うように配置されたカバー絶縁層であり、開口部71(第4開口部)を有するパターン形状を有する。開口部71は、投影視において絶縁層50の開口部53と重複し、開口部53と連通する。本実施形態では、開口部71は、開口部53と同一または実質的に同一の開口形状を有する。開口部71は、配線回路基板X1の後述の製造過程における、金属コア層10に対するエッチング工程にて、エッチング窓として機能しうる。
絶縁層70の厚み(絶縁層50からの高さ)は、導体層60の厚みより大きい限りにおいて、例えば4μm以上、好ましくは6μm以上であり、また、例えば60μm以下、好ましくは40μm以下である。
配線回路基板X1では、図5に示すように、その厚み方向の投影視において、絶縁層20の開口部23と絶縁層50の開口部53とは、繋がって導通部32,62を囲む(図5では、開口部53の形状を破線で表し、開口部23および導通部32,62の形状を実線で表す)。本実施形態では、上記投影視において、開口部23,53は繋がって円環形状をなす。また、配線回路基板X1の厚み方向の投影視において、開口部23と開口部53とは繋がってビア部12を囲む。本実施形態では、このような開口形状で開口部23,52は設けられている(上述のように、絶縁層40の開口部41は、開口部23と同一または実質的に同一の開口形状を有し、絶縁層70の開口部71は、開口部53と同一または実質的に同一の開口形状を有する)。
配線回路基板X1では、絶縁層20が、図6に示すような投影視形状の領域部22および開口部23を含むパターン形状を有し、且つ、絶縁層50が、図7に示すような投影視形状の領域部52(厚み方向において領域部22に対向する部分を含む)および開口部53を含むパターン形状を有してもよい(絶縁層40の開口部41は、開口部23と同一または実質的に同一の開口形状を有し、図6では省略する。絶縁層70の開口部71は、開口部53と同一または実質的に同一の開口形状を有し、図7では省略する)。本変形例では、領域部22において内側部分22aと連結部22bとで略矩形状を形成し、そのような領域部22を挟む各開口部23も略矩形状を有し、領域部22と二つの開口部23とが合わさって投影視略矩形状をなす。同様に、本変形例では、領域部52において内側部分52aと連結部52bとで略矩形状を形成し、そのような領域部52を挟む各開口部53も略矩形状を有し、領域部52と二つの開口部53とが合わさって投影視略矩形状をなす。そして、本変形例では、図8に示すように、その厚み方向の投影視において、絶縁層20の開口部23と絶縁層50の開口部53とは、繋がって矩形枠形状をなして導通部32,62を囲む。また、配線回路基板X1の厚み方向の投影視において、絶縁層20の開口部23と絶縁層50の開口部53とは、繋がってビア部12を囲む。
配線回路基板X1では、例えば図9に示すように、導体層30の導通部31と導体層60の導通部51とは、厚さ方向に直交する面内方向において互いに位置ずれして配置されてもよい。このような構成においても、ビア部12による導体層31,51間の電気的接続を実現することができる。
配線回路基板X1では、導体層30の導通部32が接続する配線部31、および、導体層60の導通部62が接続する配線部61の一方は、電極パッド部であってもよい。導体層30の導通部32が接続する配線部31が電極パッド部である場合、当該電極パッド部を外部に露出させる所定の開口部が絶縁層40には設けられる。導体層60の導通部62が接続する配線部61が電極パッド部である場合、当該電極パッド部を外部に露出させる所定の開口部が絶縁層70には設けられる。図10Aおよび図10Bは、それぞれ、導体層60の導通部62が接続する配線部61が電極パッド部61Aである場合を例示的に示す(但し、絶縁層70は省略する)。図10Bに示す変形例では、絶縁層50において、領域部52が主部51から離隔している。
図11から図14は、配線回路基板X1の製造方法を表す。図11および図12は、本製造方法を、図1に相当する断面の変化として表し、図13および図14は、本製造方法を、図4に相当する断面の変化として表す。
本製造方法では、まず、図11Aおよび図13Aに示すように、金属コア層10を用意する(用意工程)。
次に、図11Bおよび図13Bに示すように、金属コア層10上に、ベース絶縁層である絶縁層20を形成する(第1のベース絶縁層形成工程)。本工程では、例えば次のようにして絶縁層20を形成する。まず、金属コア層10の厚み方向一方面上に、絶縁層20形成用の感光性樹脂を含有する溶液(ワニス)を塗布して乾燥させて、絶縁膜を形成する。次に、この絶縁膜をパターニングする。具体的には、当該絶縁膜に対して、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。例えば以上のようにして、金属コア層10が部分的に露出する孔部22cおよび開口部23を含む所定パターンの絶縁層20を金属コア層10上に形成することができる。
次に、図11Cおよび図13Cに示すように、絶縁層20上に導体層30を形成する(第1の導体層形成工程)。本工程では、例えば次のようにして導体層30を形成する。まず、絶縁層20の厚み方向一方面上、および、金属コア層10の厚み方向一方面において絶縁層20では覆われていない表面の上に、例えばスパッタリング法により、電解めっき膜形成用の通電層である薄いシード層(図示略)を形成する。シード層の構成材料としては、銅、クロム、ニッケル、およびこれらの合金が挙げられる。次に、シード層上にレジストパターンを形成する。レジストパターンは、導体層30のパターン形状に相当する開口部を有する。レジストパターンの形成においては、例えば、感光性のレジストフィルムをシード層上に貼り合わせてレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜に対し、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。導体層30の形成においては、次に、電解めっき法により、レジストパターンの開口部内の領域にてシード層上に金属材料を成長させる。金属材料としては、好ましくは銅が用いられる。次に、レジストパターンをエッチングにより除去する。次に、シード層においてレジストパターン除去によって露出した部分を、エッチングにより除去する。例えば以上のようにして、配線部31および導通部32を含む所定パターンの導体層30を形成することができる。
本製造方法では、次に、図11Dおよび図13Dに示すように、絶縁層20の厚み方向一方側において導体層30を覆うように、カバー絶縁層である絶縁層40を形成する(第1のカバー絶縁層形成工程)。本工程では、例えば次のようにして絶縁層40を形成する。まず、絶縁層20および導体層30の厚み方向一方面上に、絶縁層40形成用の感光性樹脂の溶液(ワニス)を塗布して乾燥させて、絶縁膜を形成する。次に、この絶縁膜をパターニングする。具体的には、当該絶縁膜に対して、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。例えば以上のようにして、開口部41を含む所定パターンの絶縁層40を形成することができる。
次に、図12Aおよび図14Aに示すように、金属コア層10上に、ベース絶縁層である絶縁層50を形成する(第2のベース絶縁層形成工程)。本工程では、例えば次のようにして絶縁層50を形成する。まず、金属コア層10の厚み方向他方面上に、絶縁層50形成用の感光性樹脂の溶液(ワニス)を塗布して乾燥させて、絶縁膜を形成する。次に、この絶縁膜をパターニングする。具体的には、当該絶縁膜に対して、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。例えば以上のようにして、金属コア層10が部分的に露出する孔部52cおよび開口部51を含む所定パターンの絶縁層50を金属コア層10の厚み方向他方面上に形成することができる。
次に、図12Bおよび図14Bに示すように、絶縁層50上に導体層60を形成する(第2の導体層形成工程)。本工程では、例えば次のようにして導体層60を形成する。まず、絶縁層50の厚み方向他方面上、および、金属コア層10の厚み方向他方面において絶縁層50では覆われていない表面の上に、例えばスパッタリング法により、電解めっき膜形成用の通電層である薄いシード層(図示略)を形成する。次に、シード層上にレジストパターンを形成する。レジストパターンは、導体層60のパターン形状に相当する開口部を有する。レジストパターンの形成においては、例えば、感光性のレジストフィルムをシード層上に貼り合わせてレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜に対し、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。導体層60の形成においては、次に、電解めっき法により、レジストパターンの開口部内の領域にてシード層上に金属材料を成長させる。金属材料としては、好ましくは銅が用いられる。次に、レジストパターンをエッチングにより除去する。次に、シード層においてレジストパターン除去によって露出した部分を、エッチングにより除去する。例えば以上のようにして、配線部61および導通部62を含む所定パターンの導体層60を形成することができる。
本製造方法では、次に、図12Cおよび図14Cに示すように、絶縁層50の厚み方向他方側において導体層60を覆うように、カバー絶縁層である絶縁層70を形成する(第2のカバー絶縁層形成工程)。本工程では、例えば次のようにして絶縁層70を形成する。まず、絶縁層50および導体層60の厚み方向他方面上に、絶縁層70形成用の感光性樹脂の溶液(ワニス)を塗布して乾燥させて、絶縁膜を形成する。次に、この絶縁膜をパターニングする。具体的には、当該絶縁膜に対して、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。例えば以上のようにして、開口部71を含む所定パターンの絶縁層70を形成することができる。
本実施形態では、以上のような各工程を経ることにより、中間製造物として積層体Y1が得られる。積層体Y1は、上述のコア層主部11およびビア部12が未だ形成されていない金属コア層10と、当該金属コア層10の厚み方向一方側に配置された絶縁層20、導体層30および絶縁層40と、金属コア層10の厚み方向他方側に配置された絶縁層50、導体層60および絶縁層70とを備える。積層体Y1における絶縁層20は、孔部22cを有する領域部22と、当該領域部22と隣り合う少なくとも一つの開口部23とを有する。積層体Y1における導体層30は、絶縁層20の厚み方向一方側において少なくとも領域部22上に配置されている配線部31と、孔部22c内に配置され且つ配線部31および金属コア層10と接続している導通部32とを含む。積層体Y1における絶縁層40は、絶縁層20の厚み方向一方側において導体層30を覆い、且つ、絶縁層20の開口部23と連通する開口部41を有する。積層体Y1における絶縁層50は、厚み方向において絶縁層20の領域部22と対向する部分を含み且つ当該部分に孔部52cを有する領域部52と、当該領域部52と隣り合う少なくとも一つの開口部53とを有する。積層体Y1における導体層60は、絶縁層50の厚み方向他方側において少なくとも領域部52上に配置されている配線部61と、孔部52c内に配置され且つ配線部61および金属コア層10と接続している導通部62とを含む。積層体Y1における絶縁層70は、絶縁層50の厚み方向他方側において導体層60を覆い、且つ、絶縁層50の開口部53と連通する開口部71を有する。また、積層体Y1では、配線回路基板X1に関して図5を参照して上述したのと同様に、厚み方向の投影視において、絶縁層20の開口部23と絶縁層50の開口部53とは、繋がって導通部32,62を囲む(絶縁層40の開口部41は、開口部23と同一または実質的に同一の開口形状を有し、絶縁層70の開口部71は、開口部53と同一または実質的に同一の開口形状を有する)。
本製造方法では、次に、図12Dおよび図14Dに示すように、金属コア層10に対するエッチング処理により、金属コア層10においてコア層主部11およびビア部12を形成する(エッチング工程)。エッチング処理のためのエッチング液としては、例えば塩化第二鉄を使用する。
本工程におけるエッチング処理は、第1エッチング処理および第2エッチング処理を含む。第1エッチング処理は、積層体Y1における厚み方向一方側からの、絶縁層20,40の開口部23,41を介しての金属コア層10に対するエッチング処理である。第2エッチング処理は、積層体Y1における厚み方向他方側からの、開口部53,71を介しての金属コア層10に対するエッチング処理である。本工程では、第1および第2エッチング処理を同時に実施することもでき、第1エッチング処理の終了後に第2エッチング処理を実施することもでき、第2エッチング処理の終了後に第1エッチング処理を実施することもできる。好ましくは、第1および第2エッチング処理を同時に実施する。このようなエッチング工程により、周囲が空隙13によって囲まれたビア部12(絶縁層20の領域部22と絶縁層50の領域部52との間を厚み方向に延びて導通部32,62と接続している)を、金属コア層10において形成する。
積層体Y1では、その厚み方向の投影視において、絶縁層20,40の開口部23,41と絶縁層50,70の開口部53,71とは、繋がって導通部32,62を囲む。このような構成によると、エッチング工程において、金属コア層10に対する開口部23,41を介した上述の第1エッチング処理と開口部53,71を介した上述の第2エッチング処理とにより、金属コア層10内においてビア部12の周囲を囲む空隙13を適切に形成することができる。
また、本実施形態では、好ましくは、金属コア層10の外郭(投影視における外郭)を形成するためのエッチング処理も、第1および第2エッチング処理によって行われる。これにより、金属コア層10におけるビア部12の形成と、金属コア層10の外郭の形成とを、併行して実施することができる。ただし、ビア部12が形成される上述のエッチング工程とは別に、金属コア層10の外郭を形成するためのエッチング処理を実施してもよい。
以上のようにして、金属コア層10にビア部12が形成された配線回路基板X1を製造することができる。
本製造方法においては、金属コア層10を有する配線回路基板X1の厚み方向一方側の導体層30と他方側の導体層60との間を電気的に接続し且つ周囲が空隙13によって囲まれたビア部12が、金属コア層10において、上述のような第1エッチング処理および第2エッチング処理によって形成される。このような方法によると、金属コア層10においてビア部12を他の部分から絶縁するための絶縁膜などを設ける必要がない。そのため、本方法は、金属コア層10を有する配線回路基板X1の製造過程において、導体層30,60間を電気的に接続するビア部12の形成のための工程数を低減するのに適する。また、当該方法は、金属コア層10の外郭を形成するためのエッチングを上述の第1および第2エッチング処理にて実施するのに適し、従って、工程数を低減するのに適する。以上のように工程数を低減するのに適する本製造方法は、金属コア層10を有する配線回路基板X1を効率よく製造するのに適する。
加えて、金属コア層10に対する空隙13の形成により、両面回路を電気的に接続する導電構造部(ビア部12)を形成する本方法によると、金属コア層10が厚い場合であっても、両面回路間を適切に電気的接続することが可能である。
本実施形態では、上述のように、第1エッチング処理と前記第2エッチング処理とが同時に行われるのが好ましい。このような構成は、金属コア層10を有する配線回路基板X1の製造過程において工程数を低減するのに適し、従って、配線回路基板X1を効率よく製造するのに適する。
本実施形態では、上述のように、図12Dおよび図14Dに示すエッチング工程に付される積層体Y1が、絶縁層40(絶縁層20の厚み方向一方側において導体層30を覆い、且つ、絶縁層20の開口部23と連通してエッチング窓として機能する開口部41を有する)と、絶縁層70(絶縁層50の厚み方向他方側において導体層60を覆い、且つ、絶縁層50の開口部53と連通してエッチング窓として機能する開口部71を有する)とを備える。このような構成は、導体層30を被覆保護するためのエッチングマスクと、導体層60を被覆保護するためのエッチングマスクとを別途設けずに、第1および第2エッチング処理を実施するのに適し、従って、工程数を低減するのに適する。
配線回路基板X1の製造方法においては、図15Aおよび図15Bに示すように、絶縁層40,70の代わりにレジストマスク101,102を設けた積層体Y2を用いて、金属コア層10に対するエッチング工程を実施してもよい(図15Aは、図1に示す断面に対応する断面を表し、図15Bは、図4に示す断面に対応する断面を表す)。図16に示すように、積層体Y2においては、その厚み方向の投影視において、絶縁層20の開口部23と絶縁層50の開口部53とは、繋がって円環形状をなして導通部32,62を囲む。また、図15に示すように、積層体Y2において、レジストマスク101は、絶縁層20の厚み方向一方側において導体層30を覆うように配置され、開口部101aを有するパターン形状を有する。開口部101aは、開口部23と連通し、開口部23と同一または実質的に同一の開口形状を有する。レジストマスク102は、絶縁層50の厚み方向一方側において導体層60を覆うように配置され、開口部102aを有するパターン形状を有する。開口部102aは、開口部53と連通し、開口部53と同一または実質的に同一の開口形状を有する。
積層体Y2は、例えば、上述の用意工程(図11A,図13A)と、第1の絶縁層形成工程(図11B,図13B)と、その後の第1の導体層形成工程(図11C,図13C)と、第2の絶縁層形成工程(図12A,図14A)と、その後の第2の導体層形成工程(図12B,図14B)と、第1の導体層形成工程より後にレジストマスク101を形成する第1のレジストマスク形成工程と、第2の導体層形成工程より後にレジストマスク102を形成する第2のレジストマスク形成工程とを経ることにより、得られる。第1のレジストマスク形成工程では、レジストマスク101は、例えば、絶縁層20の厚み方向一方側において導体層30を覆うように配置された感光性レジスト膜をパターニングして形成することができる。第2のレジストマスク形成工程では、レジストマスク102は、例えば、絶縁層50の厚み方向他方側において導体層60を覆うように配置された感光性レジスト膜をパターニングして形成することができる。
そして、本変形例におけるエッチング工程では、このような積層体Y2を用いて、金属コア層10に対する第1エッチング処理および第2エッチング処理を実施して、図17Aおよび図17Bに示すように、金属コア層10にコア層主部11およびビア部12を形成する(図17Aは、図15Aに示す断面に対応する断面を表し、図17Bは、図15Bに示す断面に対応する断面を表す)。
本変形例における第1エッチング処理は、積層体Y2における厚み方向一方側からの、絶縁層20の開口部23とレジストマスク101の開口部101aとを介しての金属コア層10に対するエッチング処理である。本変形例における第2エッチング処理は、積層体Y2における厚み方向他方側からの、絶縁層50の開口部53とレジストマスク102の開口部102aとを介しての金属コア層10に対するエッチング処理である。本工程では、第1および第2エッチング処理を同時に実施することもでき、第1エッチング処理の終了後に第2エッチング処理を実施することもでき、第2エッチング処理の終了後に第1エッチング処理を実施することもできる。工程数の低減の観点からは、第1および第2エッチング処理を同時に実施するのが好ましい。このようなエッチング工程により、周囲が空隙13によって囲まれたビア部12(絶縁層20の領域部22と絶縁層50の領域部52との間を厚み方向に延びて導通部32,62と接続している)を、金属コア層10において形成する。
エッチング工程の後、積層体Y2からレジストマスク101,102を除去する。
以上のような過程を経ることによっても、周囲が空隙13によって囲まれたビア部12を含む金属コア層10を有する配線回路基板X1を製造することができる。本方法においても、第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
なお、本方法においても、必要により、図11Dおよび図13Dを参照して上述したように、カバー絶縁層である絶縁層40を形成し(第1のカバー絶縁層形成工程)、図12Cおよび図14Cを参照して上述したように、カバー絶縁層である絶縁層70を形成してもよい(第2のカバー絶縁層形成工程)。
図18から図21は、本発明の第2実施形態の配線回路基板X2を表す。図18は、配線回路基板X2を概略的に表す断面図である。図19は、配線回路基板X2の部分上面図である(但し、絶縁層40は省略されている)。図20は、配線回路基板X2の部分下面図である(但し、絶縁層70は省略されている)。図21は、図19および図20におけるXXI-XXI線に沿った断面図である。
配線回路基板X2は、以下に説明すること以外は配線回路基板X1と同様であり、同一の部材には同一の参照符号を付している。
配線回路基板X2の金属コア層10において、ビア部12は、金属コア層10の投影視形状における所定端部に位置する。
配線回路基板X2の絶縁層20において、領域部22および開口部23も、ビア部12形成位置に対応した上記所定端部に位置する。
領域部22は、図19に示すように、投影視矩形状であり、内側部分22aが遊端部をなす。内側部分22aと主部21とを連結する連結部22bは一つである。
開口部23は、領域部22を挟む投影視略U字形状であって、絶縁層20の縁端に近接する側が開放された投影視U字形状を有する。本実施形態では、領域部22と開口部23とが合わさって投影視略矩形状をなす。
配線回路基板X2における配線部31は、内側部分22a上に配置された一端から連結部分22b上を通過して、開口部23のU字形状開放側から領域部22外に延びる。
配線回路基板X2における絶縁層40において、開口部41は、開口部23と同様に、絶縁層20の縁端に近接する側が開放された投影視U字形状を有する。
配線回路基板X2の絶縁層50において、領域部52および開口部53は、ビア部12形成位置に対応した上記所定端部に位置する。
領域部52は、図20に示すように、投影視矩形状であり、内側部分52aが遊端部をなす。内側部分52aと主部51とを連結する連結部52bは一つである。連結部52bは、厚さ方向に直交する面内方向において、ビア部12に対して連結部22bとは反対の側に位置する。
開口部53は、絶縁層50の所定の縁端から切り欠かれるように形成された切欠き開口部である。開口部53は、領域部52を挟む投影視略U字形状であって、絶縁層50の縁端に近接する側とは反対の側が開放された投影視U字形状を有する。
配線回路基板X2における配線部61は、内側部分52a上に配置された一端から連結部分52b上を通過して、開口部53のU字形状開放側(上述の開口部23のU字形状開放側とは反対側)から、領域部22外に延びる。
また、配線回路基板X2の厚み方向の投影視において、開口部23と開口部53とは繋がって矩形枠形状をなしてビア部12を囲む。本実施形態では、このような開口形状で開口部23,54は設けられている。
図23から図26は、配線回路基板X2の製造方法を表す。図23および図24は、本製造方法を、図18に相当する断面の変化として表し、図25および図26は、本製造方法を、図21に相当する断面の変化として表す。以下の各工程の具体的な実施手法は、配線回路基板X1の製造方法において対応する工程に関して上述したのと同様である。
本製造方法では、まず、図23Aおよび図25Aに示すように、金属コア層10を用意する(用意工程)。
次に、図23Bおよび図25Bに示すように、金属コア層10上に、ベース絶縁層である絶縁層20を形成する(第1のベース絶縁層形成工程)。
次に、図23Cおよび図25Cに示すように、絶縁層20上に導体層30を形成する(第1の導体層形成工程)。
次に、図23Dおよび図25Dに示すように、絶縁層20の厚み方向一方側において導体層30を覆うように、カバー絶縁層である絶縁層40を形成する(第1のカバー絶縁層形成工程)。
次に、図24Aおよび図26Aに示すように、金属コア層10上に、ベース絶縁層である絶縁層50を形成する(第2のベース絶縁層形成工程)。
次に、図24Bおよび図26Bに示すように、絶縁層50上に導体層60を形成する(第2の導体層形成工程)。
次に、図24Cおよび図26Cに示すように、絶縁層50の厚み方向他方側において導体層60を覆うように、カバー絶縁層である絶縁層70を形成する(第2のカバー絶縁層形成工程)。
本実施形態では、以上のような各工程を経ることにより、中間製造物として積層体Y3が得られる。
本製造方法では、次に、図24Dおよび図26Dに示すように、金属コア層10に対するエッチング処理により、金属コア層10においてコア層主部11およびビア部12を形成する(エッチング工程)。
また、本実施形態では、開口部53が切欠き開口部として形成されていることから、金属コア層10を外形加工するためのエッチング処理も、第1および第2エッチング処理によって行われる。これにより、金属コア層10におけるビア部12の形成と、金属コア層10の外形加工とを、併行して実施することができる。
以上のようにして、金属コア層10の端部にビア部12が形成された配線回路基板X2を製造することができる。
配線回路基板X2およびその製造方法においても、配線回路基板X1およびその製造方法に関して上述したのと同様の作用効果が奏される。
配線回路基板X2の製造方法においては、絶縁層40,70の代わりにレジストマスク101,102を設けた、図27に示す積層体Y4を用いて、金属コア層10に対するエッチング工程を実施してもよい。具体的には、配線回路基板X1に関して積層体Yを用いてエッチング工程を実施する場合として上述したのと同様である。
また、本発明に関して上述した各実施形態および各変形例は、適宜組み合わせて実施することが可能である。
X1,X2 配線回路基板(両面配線回路基板)
Y1,Y2,Y3,Y4 積層体
10 金属コア層
11 コア層主部
12 ビア部
13 空隙
20,40,50,70 絶縁層
21,51 主部
22,52, 領域部
22a,52a, 孔部
23,41,53,71 開口部
30,60 導体層
31,61 配線部
32,62 導通部

Claims (6)

  1. 金属コア層と、
    前記金属コア層の厚み方向一方側に配置され、第1孔部を有する第1領域部、および、当該第1領域部と隣り合う少なくとも一つの第1開口部を有する、第1絶縁層と、
    前記第1絶縁層の厚み方向一方側において少なくとも前記第1領域部上に配置された第1配線部、および、前記第1孔部内に配置され且つ前記第1配線部および前記金属コア層と接続している第1導通部、を有する第1導体層と、
    前記金属コア層の厚み方向他方側に配置され、厚み方向において前記第1領域部と対向する部分を含み且つ当該部分に第2孔部を有する第2領域部、および、当該第2領域部と隣り合う少なくとも一つの第2開口部を有する、第2絶縁層と、
    前記第2絶縁層の厚み方向他方側において少なくとも前記第2領域部上に配置された第2配線部、および、前記第2孔部内に配置され且つ前記第2配線部および前記金属コア層と接続している第2導通部、を有する第2導体層と、を備える積層体を用意する第1工程と、
    前記積層体における厚み方向一方側からの、前記第1開口部を介しての前記金属コア層に対する第1エッチング処理と、前記積層体における厚み方向他方側からの、前記第2開口部を介しての前記金属コア層に対する第2エッチング処理とにより、周囲が空隙によって囲まれ、前記第1領域部と前記第2領域部との間を厚み方向に延びて前記第1導通部および前記第2導通部と接続している、ビア部を、前記金属コア層において形成する、第2工程とを含むことを特徴とする、両面配線回路基板の製造方法。
  2. 前記第1エッチング処理と前記第2エッチング処理とを同時に行うことを特徴とする、請求項1に記載の両面配線回路基板の製造方法。
  3. 前記厚み方向の投影視において、前記第1開口部および前記第2開口部は、繋がって前記第1導通部および前記第2導通部を囲むことを特徴とする、請求項1または2に記載の両面配線回路基板の製造方法。
  4. 前記積層体が、
    前記第1絶縁層の厚み方向一方側において前記第1導体層を覆い、且つ前記第1開口部と連通する第3開口部を有する、第3絶縁層と、
    前記第2絶縁層の厚み方向他方側において前記第2導体層を覆い、且つ前記第2開口部と連通する第4開口部を有する、第4絶縁層と、を更に備えることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一つに記載の両面配線回路基板の製造方法。
  5. 周囲が空隙によって囲まれているビア部と、当該ビア部と前記空隙を介して隣り合うコア層主部と、を含む金属コア層と、
    前記金属コア層の厚み方向一方側に配置され、第1孔部を有する第1領域部、および、当該第1領域部と隣り合う少なくとも一つの第1開口部を有する、第1絶縁層と、
    前記第1絶縁層の厚み方向一方側において少なくとも前記第1領域部上に配置された第1配線部、および、前記第1孔部内に配置され且つ前記第1配線部および前記金属コア層と接続している第1導通部、を有する第1導体層と、
    前記金属コア層の厚み方向他方側に配置され、厚み方向において前記第1領域部と対向する部分を含み且つ当該部分に第2孔部を有する第2領域部、および、当該第2領域部と隣り合う少なくとも一つの第2開口部を有する、第2絶縁層と、
    前記第2絶縁層の厚み方向他方側において少なくとも前記第2領域部上に配置された第2配線部、および、前記第2孔部内に配置され且つ前記第2配線部および前記金属コア層と接続している第2導通部、を有する第2導体層と、を備えることを特徴とする、両面配線回路基板。
  6. 前記厚み方向の投影視において、前記第1開口部および前記第2開口部は、繋がって前記第1導通部および前記第2導通部を囲むことを特徴とする、請求項5に記載の両面配線回路基板。
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