JP5781773B2 - 回路付サスペンション基板 - Google Patents

Description

本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。

ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを実装するスライダを搭載しており、スライダをハードディスクに対して微小間隔で浮上させる。

そのようなスライダには、空気中に含まれる水分や熱などに影響されることなく、ハードディスクに対する浮上姿勢（姿勢角）が一定となるように安定して維持されることが要求される。

上記した要求を満たすべく、例えば、金属基板と、その上に形成される絶縁層と、その上に形成される配線層と、その上に形成されるカバー層とを備えるサスペンション用基板において、絶縁層形成材料とカバー層形成材料の吸湿膨張係数を０／％ＲＨ〜３０×１０^−６ ／％ＲＨにし、かつ、それらの差が、０〜５×１０^−６／％ＲＨにすることが提案されている。

特開平１０−２７４４７号公報

しかし、特許文献１で提案されるサスペンション基板においても、上記の要求を十分に満足させることができない場合がある。

本発明の目的は、高湿雰囲気下におけるジンバル部の変形を防止することができ、それによって、ハードディスクに対するスライダの姿勢角を安定して維持することのできる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、回路付サスペンション基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される導体層とを備える回路付サスペンション基板であって、前記回路付サスペンション基板には、ジンバル部が設けられ、前記ジンバル部には、前記金属支持層を上下方向に貫通する開口部が形成され、前記ジンバル部は、前記開口部の内側に形成され、前記導体層と電気的に接続される磁気ヘッドを実装するスライダが搭載されるタング部と、前記開口部の外側に形成され、前記タング部を支持するアウトリガー部と、前記ジンバル部の前記開口部および／または前記アウトリガー部の外側領域を通過する通過部とを備え、前記通過部は、前記導体層と、前記導体層を被覆する前記絶縁層とを備え、前記通過部の前記絶縁層の下側半分部分の厚みと、前記通過部の前記絶縁層の上側半分部分の厚みとが、同一であることを特徴としている。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における上下方向中央と前記導体層の前記上側半分部分の上面との距離が、前記通過部における前記上下方向中央と前記導体層の前記下側半分部分の下面との距離と同一であることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における前記絶縁層は、中間絶縁層を備え、前記通過部における前記導体層は、第１導体層と、前記第１導体層の上に、前記中間絶縁層を介して形成される第２導体層とを備え、前記第１導体層と前記第２導体層との厚みが、同一であることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における前記導体層の上側半分部分および下側半分部分は、上下方向中央を中心とする対称に形成されていることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における前記絶縁層は、前記中間絶縁層の下に形成され、前記導体層の下側部分を被覆する第１カバー絶縁層と、前記中間絶縁層の上に形成され、前記導体層の上側部分を被覆する第２カバー絶縁層とを備え、前記絶縁層の前記下側半分部分は、前記中間絶縁層の下側半部分と、前記第１カバー絶縁層とであり、前記絶縁層の前記上側半分部分は、前記中間絶縁層の上側半部分と、前記第２カバー絶縁層とであることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における前記絶縁層の前記上側半分部分および前記下側半分部分は、上下方向中央を中心とする対称に形成されていることが好適である。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、磁気ヘッドを実装するスライダが搭載されるタング部と、前記タング部を支持するアウトリガー部とを備えるジンバル部が設けられる回路付サスペンション基板の製造方法であって、金属支持層を用意する工程、絶縁層を前記金属支持層の上に形成する工程、導体層を前記絶縁層の上に形成する工程、および、前記金属支持層に、前記ジンバル部における前記導体層に対応し、前記タング部と前記アウトリガー部とを区画する開口部を形成する工程を備え、前記絶縁層を形成する工程において、前記絶縁層を、前記導体層を被覆するように、かつ、前記開口部および／または前記アウトリガー部の外側領域を通過する通過部における前記絶縁層の下側半分部分の厚みと、前記通過部における前記絶縁層の上側半分部分の厚みとが同一となるように、形成することを特徴としている。

本発明の回路付サスペンション基板の製造方法およびそれにより得られる回路付サスペンション基板では、通過部の絶縁層の下側半分部分の厚みと、通過部の絶縁層の上側半分部分の厚みとが、同一であるので、高湿雰囲気下において、通過部の絶縁層の下側半分部分と上側半分部分とが吸湿して膨張しても、それらは同じ割合で膨張する。そのため、通過部の吸湿による変形を有効に防止することができる。

その結果、回路付サスペンション基板に搭載されるスライダのハードディスクに対する姿勢角を安定して維持することができる。

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態のジンバル部の平面図を示す。 図２は、図１に示すジンバル部の底面図を示す。 図３は、図１および図２のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。 図４は、図３に示すジンバル部の通過部の拡大断面図を示す。 図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図で、図３の断面図に対応する工程図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、スリットを形成する工程（ｄ）は、導体層を形成する工程、（ｅ）は、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層を形成する工程を示す。 図６は、図５（ａ）の金属支持層を用意する工程を説明する平面図を示す。 図７は、図５（ｂ）のベース絶縁層を形成する工程を説明する図面であって、（ａ）は、平面図（ｂ）は、底面図を示す。 図８は、図５（ｃ）のスリットを形成する工程を説明する図面であって、（ａ）は、平面図（ｂ）は、底面図を示す。 図９は、図５（ｄ）の第１導体層および第２導体層を形成する工程を説明する図面であって、（ａ）は、平面図（ｂ）は、底面図を示す。 図１０は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の通過部（第１配線および第２配線が厚み方向に投影した時にずれて配置される態様）の拡大断面図を示す。 図１１は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態のジンバル部（ヘッド側端子が４つ設けられる態様）の平面図を示す。 図１２は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態のジンバル部（ベース絶縁層、第２配線および第２カバー絶縁層からなる態様）の平面図を示す。 図１３は、図１２に示すジンバル部の通過部の拡大断面図を示す。 図１４は、実施例１の回路付サスペンション基板の平面図であって、金属支持層およびベース絶縁層の寸法を示す。 図１５は、比較例１の回路付サスペンション基板の通過部の拡大断面図を示す。

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態のジンバル部の平面図を、図２は、図１に示すジンバル部の底面図、図３は、図１および図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図４は、図３に示すジンバル部の通過部の拡大断面図、図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図で、図３の断面図に対応する工程図、図６は、図５（ａ）の金属支持層を用意する工程を説明する平面図、図７は、図５（ｂ）のベース絶縁層を形成する工程を説明する図面、図８は、図５（ｃ）のスリットを形成する工程を説明する図面、図９は、図５（ｄ）の第１導体層および第２導体層を形成する工程を説明する図面を示す。

なお、図１、図２および図９において、ベース絶縁層１４、第１導体層２８および第２導体層１６の相対配置を明確に示すため、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６を省略している。

図１および図２において、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド（図示せず）を実装するスライダ（図示せず）を搭載して、スライダをハードディスクドライブに対して微小間隔で浮上させる。

この回路付サスペンション基板１では、金属支持層としての金属支持層２に、導体層としての導体層３が支持されている。

金属支持層２は、長手方向に延びる平帯状に形成されている。金属支持層２は、長手方向一方側（以下、後側という。図１および図２における紙面下側。）に配置される配線部４と、配線部４の長手方向他方側（以下、先側という。図１および図２における紙面上側。）に配置されるジンバル部５とを一体的に備えている。

配線部４は、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。

なお、配線部４には、先後方向に沿って延びる２本のスリット６が、幅方向（先後方向に直交する方向）に互いに間隔を隔てて２つ形成されている。各スリット６は、先後方向に沿って直線状に延びている。なお、図１において省略されているが、配線部４の後端部には、後述する外部側端子が配置される。

ジンバル部５は、配線部４の先端縁から連続して形成されており、配線部４に対して幅方向（先後方向に直交する方向、図１および図２に示される左右方向。）両外側に膨出する平面視略矩形状に形成されている。

ジンバル部５には、金属支持層２を厚み方向に貫通する開口部としての第１開口部７が形成されている。

第１開口部７は、平面視において先側に向かって開く略Ｃ字状をなし、具体的には、先後方向に延び、幅方向に間隔を隔てて対向配置される１対の幅広開口部８と、各幅広開口部８の後端部を連通する連通開口部９と、各幅広開口部８の先端部から幅方向中央に屈曲する屈曲開口部１０とから一体的に形成されている。

各幅広開口部８の後端部は、スリット６の先端と連通している。また、各幅広開口部８は、スリット６より幅広に形成されている。

また、ジンバル部５は、１対の幅広開口部８の幅方向内側に挟まれるタング部１１と、１対の幅広開口部８の幅方向外側にそれぞれ配置されるアウトリガー部１２と、タング部１１およびアウトリガー部１２との先側に配置される連絡部４０とを備えている。

タング部１１は、連絡部４０から後方に向かって平面視略矩形舌状に延びるように形成されている。なお、タング部１１の上面には、スライダ（図示せず）が搭載される。

連絡部４０は、タング部１１およびジンバル部５の先側において、幅方向に沿って延びる平面視略矩形状に形成されている。

アウトリガー部１２は、タング部１１と、連絡部４０を介してと連結されており、これにより、タング部１１を支持している。

そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持層２と、金属支持層２の上に形成される絶縁層１３と、絶縁層１３の上に形成される導体層３とを備えている。

金属支持層２は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、ニッケル、鉄、銅、および、それらの合金などの金属材料から形成されている。好ましくは、バネ特性および耐腐食性の観点から、ステンレスから形成されている。

金属支持層２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。

絶縁層１３は、導体層３が形成される領域を含むパターンに形成されており、ベース絶縁層としてのベース絶縁層１４と、ベース絶縁層１４の下に形成されるカバー絶縁層および第１カバー絶縁層としての第１カバー絶縁層１５と、ベース絶縁層１４の上に形成されるカバー絶縁層および第２カバー絶縁層としての第２カバー絶縁層１６とを備えている。

ベース絶縁層１４は、図１および図２に示すように、配線部４において、先後方向に直線状に延びるように形成されており、各スリット６の幅方向両側の金属支持層２にわたるように形成されている。

ベース絶縁層１４は、ジンバル部５において、幅方向中央がわずかに後側に突出する平面視略逆Ｕ字状をなし、具体的には、幅広開口部８を先後方向に通過する１対のベース通過部１７と、各ベース通過部１７の先端部を連結し、平面視において各屈曲開口部１０を含むように形成されるベース連結部１８と、ベース連結部１８の幅方向中央から後側に平面視略矩形状に突出し、タング部１１における先側部分を含むベース突出部１９とを備えている。

ベース通過部１７は、後述する第１カバー絶縁層１５、第２カバー絶縁層１６および導
体層３とともに、通過部としての通過部２５を形成している。

ベース連結部１８は、幅方向に沿って延びるように形成されている。

なお、ベース連結部１８には、図３に示すように、後述する導通部２０に対応するベース開口部２１が形成されている。ベース開口部２１は、ベース連結部１８の厚み方向を貫通するように、平面視略円形状に形成されている。

第１カバー絶縁層１５は、ベース絶縁層１４の下において、次に説明する第１配線２２を被覆するように形成されている。

第２カバー絶縁層１６は、ベース絶縁層１４の上において、次に説明する第２配線２４を被覆するように形成されている。

ベース連結部１８、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６は、例えば、それぞれ、同一または相異なる絶縁材料から形成されている。ベース連結部１８、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６は、好ましくは、すべて同一の絶縁材料から形成されている。そのような絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル、ベンゾシクロブテン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などの耐熱絶縁材料などが挙げられ、好ましくは、耐熱性、機械強度および熱膨張係数の観点から、ポリイミドが挙げられる。

ポリイミドは、例えば、有機テトラカルボン酸二無水物（例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物など）と、ジアミン（例えば、１，４−ジアミノベンゼン、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルなど）とを反応させることによって得ることができる。上記した反応は、例えば、有機溶媒（例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）など）中で、感光剤（例えば、１−エチル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン−３，５−ジカルボン酸−ジメチルなど）および／または添加剤（２−（１，２−シクロヘキサンジカルボキシイミド）エチルアクリレート）など）の存在下で、実施する。

絶縁材料は、吸湿膨張係数が、例えば、５〜１００ｐｐｍであり、熱膨張係数が、例えば、１０〜１００ｐｐｍである。

なお、図４に示すように、ベース絶縁層１４の下側半部分と、第１カバー絶縁層１５とは、絶縁層１３の下側半分部分２６とされ、ベース絶縁層１４の上側半部分と、第２カバー絶縁層１６とは、絶縁層１３の上側半分部分２７とされる。

ベース絶縁層１４の厚みＴＩ１は、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、３〜１５μｍである。

第１カバー絶縁層１５の厚みＴＩ２と第２カバー絶縁層１６の厚みＴＩ３とは、例えば、同一であり、具体的には、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、３〜１５μｍである。

なお、第１カバー絶縁層１５の厚みＴＩ２は、第１配線２２の下面と、それを被覆する第１カバー絶縁層１５の下面との間の長さである。

また、第２カバー絶縁層１６の厚みＴＩ３は、第２配線２４の上面と、それを被覆する第２カバー絶縁層１６の上面との間の長さである。

従って、絶縁層１３の下側半分部分２６の厚み、つまり、ベース絶縁層１４の下側半分部分の厚み（１／２×ＴＩ１）および第１カバー絶縁層１５の厚みＴＩ２の総厚みは、絶縁層１３の上側半分部分２７の厚み、つまり、ベース絶縁層１４の上側半分部分の厚み（１／２×ＴＩ２）および第２カバー絶縁層１６の厚みＴＩ３の総厚みと、同一である。

具体的には、絶縁層１３の下側半分部分２６の厚みＴＩ４および絶縁層１３の上側半分部分２７の厚みＴＩ５は、例えば、５〜４０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。

導体層３は、絶縁層１３に被覆されており、具体的には、ベース絶縁層１４の下に形成される第１導体層２８と、ベース絶縁層１４の上に形成される第２導体層２９とを備えている。

第２導体層２９は、ベース絶縁層１４の上面に形成されており、磁気ヘッドに接続されるヘッド側端子３２（図１）と、外部基板（図示せず）に接続される外部側端子（図示せず）と、ヘッド側端子３２と外部側端子とを電気的に接続する配線および第２配線としての第２配線２４とを一体的に備えている。

ヘッド側端子３２は、タング部１１の先側部分において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（８つ）並列配置されている。また、ヘッド側端子３２は、第２カバー絶縁層１６から露出するように形成されている。なお、ヘッド側端子３２の表面には、金および／またはニッケルなどからなる金属めっき層（図示せず）が形成されている。

外部側端子（図示せず）は、配線部４の後端部において、互いに間隔を隔てて複数（８つ）配置されている。また、外部側端子は、第２カバー絶縁層１６から露出するように形成されている。なお、外部側端子の表面には、金および／またはニッケルなどからなる金属めっき層（図示せず）が形成されている。

第２配線２４は、回路付サスペンション基板１の先後方向にわたって、幅方向に間隔を隔てて複数（４つ）設けられている。また、第２配線２４は、各スリット６、各幅広開口部８および各屈曲開口部１０に対して、２つずつ設けられている。

具体的には、第２配線２４は、厚み方向に投影したときに、スリット６に含まれるように、スリット６に沿って先後方向に延びている。また、第２配線２４は、ジンバル部５では、ベース通過部１７およびベース連結部１８の上面において、それらに沿う平面視略Ｌ字状に形成されている。

また、第２配線２４は、その側面および上面が、第２カバー絶縁層１６によって被覆されている。

第１導体層２８は、第２導体層２９と厚み方向においてベース絶縁層１４を挟むように形成されている。つまり、第１導体層２８は、ベース絶縁層１４の下面に形成されており、配線および第１配線としての第１配線２２を備えている。

第１配線２２は、厚み方向に投影したときに、上記した第２配線２４と重複するパターンに形成されている。具体的には、各第１配線２２は、各第２配線２４と厚み方向において対向配置されている。

また、第１配線２２の下面および側面は、第１カバー絶縁層１５によって被覆されている。

また、導体層３は、図１および図３に示すように、導通部２０と、導通部２０およびヘッド側端子３２を電気的に接続する端子連絡部３４とをさらに備えている。

導通部２０は、ベース連結部１８のベース開口部２１内に充填される充填部３５と、充填部３５の下に形成される第１導通部３６と、充填部３５の上に形成される第２導通部３７とを備えている。

第１導通部３６は、支持導通部３８と、その周囲に形成される第１導体部３９とを備えている。

支持導通部３８は、充填部３５の下面から下側および外側に向かって膨出する平面視略円形状に形成されている。支持導通部３８は、金属支持層２と同様の金属材料から形成されている。

第１導体部３９は、支持導通部３８の下面および側面を被覆している。第１導体部３９の幅方向外側部は、第１配線２２に接続されている。

第２導通部３７は、充填部３５の上面から上側および外側に向かって膨出する平面視略円形状に形成されている。

端子連絡部３４は、図１および図２に示すように、第２導通部３７の後端部から後方に延び、ヘッド側端子３２に至っている。

導通部２０と端子連絡部３４とは、第１配線２２と、ヘッド側端子３２とを電気的に接続している。

なお、ヘッド側端子３２は、幅方向中央側から幅方向外側（一方側および他方側の両側）に向かって順次配置される第１ヘッド側端子３２Ａ、第２ヘッド側端子３２Ｂ、第３ヘッド側端子３２Ｃおよび第４ヘッド側端子３２Ｄをそれぞれ１対備えており、それらはすべて同一平面上、すなわち、ベース絶縁層１４の上面に形成されている。各第１ヘッド側端子３２Ａおよび各第３ヘッド側端子３２Ｃは、端子連絡部３４および導通部２０を介して第１配線２２と電気的に接続され、各第２ヘッド側端子３２Ｂおよび各第４ヘッド側端子３２Ｄは、第２配線２４と電気的に接続されている。

第１導体層２８および第２導体層２９は、例えば、同一の材料から形成され、具体的には、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料から形成され、導電性の観点から、好ましくは、銅から形成されている。

第１導体層２８の厚みＴＣ１は、第２導体層２９の厚みＴＣ２と、例えば、同一であって、具体的には、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。

また、第１配線２２の幅Ｗ１および第２配線２４の幅Ｗ２は、例えば、同一であり、具体的には、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。また、スリット６における第１配線２２間の間隔Ｉ１は、例えば、スリット６における第２配線２４間の間隔Ｉ２と、例えば、同一であり、具体的には、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。

また、各ヘッド側端子３２の幅および各外部側端子の幅は、例えば、２〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各ヘッド側端子３２間の間隔および各外部側端子の間隔は、例えば、２〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。

そして、幅広開口部８を通過する絶縁層１３は、ベース絶縁層１４（ベース通過部１７）、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６からなる。また、幅広開口部８を通過する導体層３は、第１配線２２および第２配線２４からなる。

幅広開口部８を通過する絶縁層１３の上下方向中央Ｃ１と、第１カバー絶縁層１５の下面との間の距離Ｌ１は、幅広開口部８を通過する絶縁層１３の上下方向中央Ｃ１と、第２カバー絶縁層１６の上面との間の距離Ｌ２と同一であり、具体的には、例えば、５〜４０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。

さらに、幅広開口部８を通過する絶縁層１３の上下方向中央Ｃ１と、第１導体層２８の下面との間の距離Ｌ３は、幅広開口部８を通過する絶縁層１３の上下方向中央Ｃ１と、第２導体層２９の上面との間の距離Ｌ４と同一であり、具体的には、４〜３５μｍ、好ましくは、８〜２５μｍである。

そして、幅広開口部８を通過する第１配線２２と、幅広開口部８を通過する第２配線２４とは、上下方向中央を通る面（１点鎖線Ｃ１）と中心とする対称（面対称）に形成されている。

さらに、幅広開口部８を通過する第１配線２２と、幅広開口部８を通過する第２配線２４とは、ベース通過部１７の幅方向中央および厚み方向中央を先後方向に沿って進む通過軸ＰＡを中心とする点対称に形成されている。

また、ベース通過部１７の下側半分部分、および、幅広開口部８を通過する第１カバー絶縁層１５は、ベース通過部１７の上側半分部分、および、幅広開口部８を通過する第２カバー絶縁層１６に対して、上下方向中央を通る面（１点鎖線Ｃ１）を中心とする対称（面対称）に形成されている。

次に、この回路付サスペンション基板１を製造する方法について、図１〜図３および図５〜図９を参照して説明する。なお、図７、図８および図９においては、図面の理解を容易にするために、第３ヘッド側端子３２Ｃおよび第４ヘッド側端子３２Ｄを省略している。

この方法では、まず、図５（ａ）および図６に示すように、シート状の金属支持層２を用意する。

次いで、この方法では、図５（ｂ）、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１４を、金属支持層２の上に形成する。

ベース絶縁層１４を金属支持層２の上に形成するには、例えば、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミド酸樹脂溶液）を、金属支持層２の上面全面に塗布し、乾燥してベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、上記したパターンで露光し、続いて、現像し、その後、これを加熱して硬化する。

次いで、この方法では、図５（ｃ）、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、金属支持層２に、第２開口部２３と、スリット６とを一体的に形成する。

第２開口部２３は、金属支持層２の厚み方向を貫通しており、第１開口部７を開口するための予備孔であって、幅狭開口部３３と、屈曲開口部１０とから一体的に形成されている。

幅狭開口部３３は、金属支持層２が、ベース通過部１７の幅方向両端部を支持するように、次に形成される幅広開口部８（図１および図２）より幅狭に形成されている。また、幅狭開口部３３は、幅広開口部８と同じ長さ（長手方向長さ）の平面視略矩形状に形成されており、その後端部は、スリット６の先端と連続（連通）している。

なお、各幅狭開口部３３は、平面視において、各スリット６と同一直線状に形成されている。

また、屈曲開口部１０は、金属支持層２に支持導通部３８が残存するように、形成する。

次いで、この方法では、図５（ｄ）、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、第１導体層２８を、ベース絶縁層１４の下に形成するとともに、第２導体層２９を、ベース絶縁層１４の上に形成する。

第１導体層２８および第２導体層２９は、例えば、アディティブ法などの公知の導体パターン形成法によって形成する。

上記した第１導体層２８および第２導体層２９の形成とともに、第１導体部３９と、第２導通部３７と、端子連絡部３４とを形成する。なお、第１導体部３９は、支持導通部３８の下側および外側（先後方向両側および幅方向両側）に向かって膨出するように形成される。

これによって、導通部２０を形成する。

次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、第１カバー絶縁層１５を、ベース絶縁層１４の下に、第１配線２２を被覆するように形成するとともに、第２カバー絶縁層１６を、ベース絶縁層１４の上に、第２配線２４を被覆するように形成する。

第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６を形成するには、例えば、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミド酸樹脂溶液）を、ベース絶縁層１４の両面全面に塗布し、乾燥してカバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、上記したパターンで露光し、続いて、現像し、その後、これを加熱して硬化する。

また、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６は、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、ベース絶縁層１４の両面に、公知の接着剤層（図示せず）を介して貼着することもできる。

さらに、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６は、同時または順次形成することができる。好ましくは、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６を同時に形成する。

次いで、この方法では、図１〜図３に示すように、第１開口部７を金属支持層２に形成する。

第１開口部７は、第２開口部２３の幅狭開口部３３を拡幅するように、形成する。

また、第１開口部７の形成とともに、金属支持層２を上記した形状に外形加工する。

これによって、アウトリガー部１２およびタング部１１が形成されるとともに、通過部２５が、その周囲のアウトリガー部１２およびタング部１１と独立して形成される。すなわち、通過部２５は、幅方向において、アウトリガー部１２およびタング部１１と間隔を隔てられる。

その後、図示しないが、ヘッド側端子３２および外部側端子の表面に、めっきなどによって、めっき層を形成する。

これにより、回路付サスペンション基板１を得る。

その後、この回路付サスペンション基板１のタング部１１に、磁気ヘッドを実装するスライダ（図示せず）を搭載するとともに、磁気ヘッド（図示せず）を、ヘッド側端子３２と接続する。また、外部基板（図示せず）を、外部側端子（図示せず）と接続する。

そして、この回路付サスペンション基板１では、通過部２５の絶縁層１３の下側半分部分２６の厚みＴＩ４と、通過部２５の絶縁層１３の上側半分部分２７の厚みＴＩ５とが、同一である。そのため、高湿雰囲気下において、通過部２５の絶縁層１３の下側半分部分２６と上側半分部分２７とが吸湿して膨張しても、それらは同じ割合で膨張する。そのため、通過部２５の吸湿による反りなどの変形を有効に防止することができる。

その結果、回路付サスペンション基板１に搭載されるスライダのハードディスクに対する姿勢角を安定して維持することができる。

また、第１導体層２８の厚みＴＣ１は、例えば、第２導体層２９の厚みＴＣ２と同一である。すなわち、幅広開口部８を通過する第１配線２２の厚みＴＣ１と、幅広開口部８を通過する第２配線２４の厚みＴＣ２とが同一であるので、高湿雰囲気下において、幅広開口部８を通過する第１配線２２および第２配線２４が熱によって膨張しても、それらは同じ割合で膨張する。そのため、通過部２５の吸湿による変形を有効に防止することができる。

なお、図１〜図３の実施形態では、ベース通過部１７を、第１開口部７を通過するように形成しているが、例えば、図示しないが、アウトリガー部１２の外側領域を通過するように形成することもできる。

図１０は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の通過部（第１配線および第２配線が厚み方向に投影した時にずれて配置される態様）の拡大断面図、図１１は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態のジンバル部（ヘッド側端子が４つ設けられる態様）、図１２は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態のジンバル部（ベース絶縁層、第２配線および第２カバー絶縁層からなる態様）の平面図、図１３は、図１２に示すジンバル部の通過部の拡大断面図を示す。

なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図４の実施形態では、第１配線２２を、第２配線２４と上下方向に対向配置させているが、例えば、図１０に示すように、第２配線２４と厚み方向に投影したときに、幅方向にずらして配置することもできる。

具体的には、図１０において、第１配線２２および第２配線２４は、ベース通過部１７の通過軸ＰＡを中心とする点対称に形成されている。

また、幅広開口部８を通過する第１配線２２の幅方向外側端部は、厚み方向に投影したときに、幅広開口部８を通過する第２配線２４の幅方向内側端部と重複している。

第１配線２２の外側端縁と、第２配線２４の外側端縁との幅方向における間隔（ずれ幅）Ｇは、例えば、１〜１００μｍ、好ましくは、１〜５０μｍである。

図１０に示す実施形態によって、上記と同様の効果を得ることができる。

また、上記した図１の実施形態では、ヘッド側端子３２を８つ設けているが、その数は、特に、限定されない。例えば、図１１に示すように、ヘッド側端子３２を４つ設けることもできる。

図１１において、第２配線２４は、各幅広開口部８に対して、１つ設けられている。

図１１に示す実施形態によって、上記と同様の効果を得ることができる。

さらに、図３の実施形態では、導体層３を、第１導体層２８および第２導体層２９から形成し、絶縁層１３を、ベース絶縁層１４、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６から形成しているが、例えば、図１２および図１３に示すように、導体層３を、第２導体層２９から形成し、絶縁層１３を、ベース絶縁層１４および第２カバー絶縁層１６から形成することもできる。

すなわち、図１２および図１３において、各幅広開口部８を通過する導体層３は、ベース通過部１７の上面において、幅方向に互いに間隔を隔てて配置される１対の第２配線２４を備えている。

通過部２５を通過する絶縁層１３は、ベース通過部１７と、ベース通過部１７の上に、第２配線２４を被覆するように形成される第２カバー絶縁層１６とを備えている。

そして、ベース通過部１７の厚みＴＩ１と、第２カバー絶縁層１６の厚み（第２配線２４の上における第２カバー絶縁層１６の厚み）ＴＩ３とは、同一である。

また、通過部２５における上下方向中央Ｃ１と、第２配線２４の下面との間の距離Ｌ１は、通過部２５における上下方向中央Ｃ１と、第２配線２４の上面との間の距離Ｌ２と同一である。

なお、１対の第２配線２４は、絶縁層１３の上下方向中央を通る面（１点鎖線Ｃ１）を中心とする対称に形成されるとともに、ベース通過部１７の通過軸ＰＡを中心とする点対称に形成されている。

図１２および図１３に示す実施形態によって、上記と同様の効果を得ることができる。

以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らそれらに限定されない。

実施例１
厚み１８μｍのシート状のステンレスからなる金属支持層を用意した（図５（ａ）および図６参照）。

次いで、厚み（ＴＩ１）１０μｍのポリアミドからなるベース絶縁層を、金属支持層の上に形成した（図５（ｂ）、図７（ａ）および図７（ｂ）参照）。

具体的には、表１の配合処方に従って、まず、感光性ポリアミド酸樹脂溶液を調製した。次いで、調製した感光性ポリイミド酸樹脂溶液を、金属支持層の上面全面に塗布し、乾燥してベース皮膜を形成した。次いで、ベース皮膜を、上記したパターンで露光し、続いて、現像し、その後、これを加熱して硬化した。なお、ベース絶縁層の吸湿膨張係数が１３ｐｐｍであり、熱膨張係数が１８ｐｐｍであった。

次いで、金属支持層に、第２開口部と、スリットとをエッチングによって一体的に形成した（図５（ｃ）、図８（ａ）および図８（ｂ）参照）。

次いで、厚み（ＴＣ２）１０μｍの第１導体層を、ベース絶縁層の下にアディティブ法によって形成すると同時に、厚み（ＴＣ３）１０μｍの第２導体層を、ベース絶縁層の上にアディティブ法によって形成した（図５（ｄ）、図９（ａ）および図９（ｂ）参照）。

なお、第１配線と第２配線とは、厚み方向において対向配置した。

次いで、第１カバー絶縁層を、ベース絶縁層の下に、第１配線を被覆するように形成するとともに、第２カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、第２配線を被覆するように形成した（図５（ｅ）参照）。

具体的には、表１の配合処方に従って調製した感光性ポリアミド酸樹脂溶液を、ベース絶縁層の両面全面に塗布し、乾燥してカバー皮膜を形成した。次いで、カバー皮膜を、上記したパターンで露光し、続いて、現像し、その後、これを加熱して硬化した。

なお、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層の吸湿膨張係数が１３ｐｐｍであり、熱膨張係数が１８ｐｐｍであった。

第１カバー絶縁層の厚み（ＴＩ２）と第２カバー絶縁層の厚み（ＴＩ３）とは、同一であり、５μｍであった。

また、幅広開口部を通過する絶縁層の上下方向中央（Ｃ１）と、第１カバー通過部の下面との間の距離（Ｌ１）は、幅広開口部を通過する絶縁層の上下方向中央（Ｃ１）と、第２カバー通過部の上面との間の距離（Ｌ２）と同一であり、２０μｍであった。

幅広開口部を通過する絶縁層の上下方向中央（Ｃ１）と、第１導体層の下面との間の距離（Ｌ３）は、幅広開口部を通過する絶縁層の上下方向中央（Ｃ１）と、第２導体層の上面との間の距離（Ｌ４）と同一であり、１５μｍであった。

次いで、第１開口部を金属支持層にエッチングによって形成した（図１〜図３参照）。具体的には、幅狭開口部を拡幅するように、第１開口部を形成した。

その後、ヘッド側端子および外部側端子の表面に、金およびニッケルからなる金属めっき層をめっきにより形成した。

これにより、回路付サスペンション基板を作製した。

なお、作製した回路付サスペンション基板における金属支持層およびベース絶縁層の寸法を図１３に示す。

実施例２
導体層の形成において、第１配線および第２配線を、厚み方向に投影した時に互いに幅方向にずれ、かつ、通過軸（ＰＡ）を中心とする点対称に形成した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を作製した（図１０参照）。

なお、第１配線と第２配線とのずれ幅（Ｇ）は１０μｍであった。

実施例３
導体層を、第２導体層から形成し、絶縁層を、ベース絶縁層および第２カバー絶縁層から形成した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を作製した（図１２および図１３参照）。

なお、第２配線の上における第２カバー絶縁層の厚み（ＴＩ２）は、５μｍであり、ベース絶縁層の厚み（ＴＩ１）と同一であった。

比較例１
第２配線の上における第２カバー絶縁層の厚み（ＴＩ２）を５μｍにした以外は、実施例３と同様にして、回路付サスペンション基板を作製した（図１５参照）。

なお、ベース絶縁層の厚み（ＴＩ１）は、第１カバー絶縁層の厚み（ＴＩ２：５μｍ）と相異しており、１０μｍであった。

（評価）
実施例１〜３および比較例１の回路付サスペンション基板について、配線部をガラスステージに固定した状態で、回路付サスペンション基板を、２５℃、１０％ＲＨ、および、２５℃、８０％ＲＨの高湿器に２時間それぞれ投入した。

その後、高湿器内において、タング部の中央の厚み方向における変位量を、レーザー光によって測定し、下記の基準に従って、回路付サスペンション基板を評価した。

なお、変位量は、回路付サスペンション基板の先端から５０００μｍの部分（ジンバル部および配線部の先端部）が遊端（フリー）となるように、先端から５０００μｍの部分から後側の部分を固定し、そして、図１４において、タング部において＋字で示される箇所（先端から１０００μｍの幅方向中央部分、測定ポイント）の変位量を、タング部の厚み方向の変位量とした。
１． タング部の変位量を下記式に代入して、姿勢角の変化量を算出した。

姿勢角の変化量（ｄｅｇ／％ＲＨ）＝ＡＴＡＮ（タング部の変位量／４０００）／π×１８０／７０
２． 算出した姿勢角の変化量を以下のように評価した。
◎：姿勢角の変化量（ｄｅｇ／％ＲＨ）が０．００２未満であった。
○：姿勢角の変化量（ｄｅｇ／％ＲＨ）が０．００２以上０．００６未満であった
×：姿勢角の変化量（ｄｅｇ／％ＲＨ）が０．００６以上であった。

その結果、実施例１〜３では、すべて評価が「◎」であった。

一方、比較例１の評価は「×」であった。

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持層
３ 導体層
５ ジンバル部
７ 第１開口部
１１ タング部
１２ アウトリガー部
１３ 絶縁層
１４ ベース絶縁層
１５ 第１カバー絶縁層
１６ 第２カバー絶縁層
２５ 通過部
２６ 下側半分部分（絶縁層）
２７ 上側半分部分（絶縁層）
２８ 第１導体層
２９ 第２導体層

Claims (4)

1. 金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層と、前記導体層を被覆するカバー層とを備える回路付サスペンション基板であって、
   前記回路付サスペンション基板には、ジンバル部が設けられ、
   前記ジンバル部には、前記金属支持層を上下方向に貫通する開口部が形成され、
   前記ジンバル部は、
   前記開口部の内側に形成され、前記導体層と電気的に接続される磁気ヘッドを実装するスライダが搭載されるタング部と、
   前記開口部の外側に形成され、前記タング部を支持するアウトリガー部と、
   前記ジンバル部の前記開口部および／または前記アウトリガー部の外側領域を通過する通過部と
   を備え、
   前記通過部は、前記金属支持層を備えておらず、前記ベース絶縁層と、前記導体層と、前記カバー絶縁層とを備え、
   前記通過部における前記導体層は、前記ベース絶縁層の上に形成される配線を備え、
   前記通過部における前記カバー絶縁層は、前記ベース絶縁層の上に形成され、前記配線を被覆し、
   前記通過部における前記配線の下面から、前記ベース絶縁層の下面までの距離と、前記通過部における前記配線の上面から、前記カバー絶縁層の上面までの距離とが、同一であることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
2. 前記通過部における上下方向中央と前記配線の上面との距離が、前記通過部における前記上下方向中央と前記配線の下面との距離と同一であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
3. 前記通過部における前記配線の上側半分部分および下側半分部分は、上下方向中央を中心とする対称に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
4. 前記通過部における前記ベース絶縁層、および、前記カバー絶縁層からなる絶縁層の上側半分部分および下側半分部分は、上下方向中央を中心とする対称に形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。