JP6385198B2 - 回路付サスペンション基板の製造方法 - Google Patents

回路付サスペンション基板の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、回路付サスペンション基板の製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板の製造方法に関する。
金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成される配線などの導体パターンとを備える回路付サスペンション基板が知られており、磁気ヘッドを搭載してハードディスクドライブなどに用いられている。
導体パターンは、書込配線と読取配線とを備え、各配線の先端部が磁気ヘッドに、後端部が外部基板に接続されている。そして、信号伝送におけるノイズを低減するため、導体パターンは、１対の書込配線および１対の読取配線を備え、各書込配線および各読取配線は、第１の電気信号が伝送される第１配線と、第１の電気信号と逆位相となる第２の電気信号が伝送される第２配線とを備える差動信号配線が一般的に採用されている。
ところで、このような差動信号配線では、差動インピーダンスが発生するため、差動インピーダンスを低減する必要がある。
そこで、１対の書込配線の第１配線および第２配線と、１対の読取配線の第１配線および第２配線とを交互に配置する構成（インターリーブ配線）が知られている。この構成では、第１配線と第２配線とを接触させることなく交差させる必要が生じる。すなわち、一方の配線（第１配線）を、他方の配線（第２配線）を跨いで、電気的に接続させる必要が生じる。
このような方法として、例えば、特許文献１には、第２配線を跨いた一方側と反対側とのそれぞれに、ベース絶縁層を貫通し、第１配線と金属支持基板とを接続する金属導通部が形成されたサスペンション基板が開示されている。このサスペンション基板では、一方側にある第１配線は、一方側にある金属導通部、金属支持基板、および、他方側にある金属導通部を介して、他方側にある第１配線と電気的に接続されるため、第１配線は、第２配線と接触することなく、交差することができる。
特開２０１２−１１４２１７号公報（図２、図３、図５、図６（ａ）、（ｂ）参照）
サスペンション基板では、外部と接続させる端子部やそれに伴う配線の数がより多く必要になってきている。そのため、サスペンション基板の上に形成される導体パターンの小型化がより一層求められ、金属導通部についても、小型化が求められている。
ところで、特許文献１のサスペンション基板では、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を、金属支持基板が露出する平面視円形状の開口部が形成されるようにパターン形成し、次いで、その開口部に金属導通部を形成している。
しかしながら、金属露出面をより小型にすると、金属導通部と金属露出面との界面での電気抵抗値が増加する割合が大きくなる不具合が生じる。
本発明の目的は、金属導通部と金属支持層との界面での電気抵抗値を低減することができる回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持層を用意する工程、感光性硬化性絶縁組成物を用いて、硬化性絶縁層を、前記金属支持層の上に、開口部が形成されるように形成する工程、前記硬化性絶縁層を硬化して、絶縁層を形成する工程、前記開口部から露出する前記金属支持層に、マイクロ波プラズマ処理を実施する工程、および、金属導通部を、前記開口部から露出する前記金属支持層の上に形成する工程を備えることを特徴としている。
このような回路付サスペンション基板の製造方法によれば、硬化性絶縁層を硬化した後に、開口部から露出する金属支持層に、マイクロ波プラズマ処理を実施するため、露出する金属支持層表面に付着した異物（硬化性絶縁層由来成分）を効果的に除去することができる。その結果、金属導通部と金属支持層との界面での電気抵抗値を低減させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、硬化性絶縁層を、前記金属支持層の上に、開口部が形成されるように形成する工程が、前記感光性硬化性絶縁組成物を含有する溶液を前記金属支持層の上に塗布し、現像する工程であることが好適である。
このような回路付サスペンション基板の製造方法によれば、より小さい開口部を精度よく形成することができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記マイクロ波プラズマ処理に用いられるガスが、不活性ガスを含有することが好適である。
このような回路付サスペンション基板の製造方法によれば、露出する金属支持層表面に付着した異物をより効果的に除去することができる。その結果、金属導通部と金属支持層との界面での電気抵抗値をより確実に低減させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記金属導通部が、差動信号を電気的に接続していることが好適である。
このような回路付サスペンション基板の製造方法によれば、電気信号のノイズを低減することができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記開口部および前記金属導通部が、それぞれ複数形成され、前記複数の金属導通部が、前記金属支持層を介して、互いに電気的に接続されていることが好適である。
このような回路付サスペンション基板の製造方法によれば、各配線を接触させることなく交差させることができるため、配線の配置の自由度を向上させることができる。また、絶縁層の数を増加させる必要がないため、回路付サスペンション基板の薄膜化および低コストを図ることができる。
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、金属導通部と金属支持層との界面での電気抵抗値を低減させることができる。
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態により得られる回路付サスペンション基板の平面図を示す。 図２Ａおよび図２Ｂは、図１に示す回路付サスペンション基板の配線交差領域の拡大図であり、図２Ａは、平面図、図２Ｂは、底面図を示す。 図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の信号配線接続部の拡大図であり、図２ＡのＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。 図４Ａ〜図４Ｅは、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿う断面図であって、図４Ａは、金属支持層を用意する工程、図４Ｂは、感光性硬化性ベース皮膜を形成する工程、図４Ｃは、感光性硬化性ベース皮膜を露光する工程図４Ｄは、感光性硬化性ベース皮膜を現像する工程、図４Ｅは、硬化性絶縁層を硬化する工程を示す。 図５Ｆ〜図５Ｉは、図４Ａ〜図４Ｅに引き続き、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿う断面図であって、図５Ｆは、マイクロ波プラズマ処理を実施する工程、図５Ｇは、金属導通部を形成する工程、図５Ｈは、カバー絶縁層を形成する工程、図５Ｉは、支持開口部を形成する工程を示す。
図１において、紙面左側を先側（第１方向一方側）、紙面右側を後側（第１方向他方側）とし、紙面上側を左側（第２方向一方側）、紙面下側を右側（第２方向他方側）とし、紙面手前側を上側（第３方向一方側、厚み方向一方側）、紙面奥側を下側（第３方向他方側、厚み方向他方側）とする。図１以外の図面についても、図１の方向を基準とする。なお、図１〜図３において、カバー絶縁層６は、導体パターン５および信号配線接続部１１の配置を明確に示すため、省略している。
回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、長手方向に延びる平帯状に形成されており、図５Ｉに示すように、金属支持層２と、金属支持層２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン５と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン５を被覆するように形成されるカバー絶縁層６とを備えている。
金属支持層２は、回路付サスペンション基板１の平面形状に対応する形状に形成されている。また、金属支持層２には、後述するヘッド側端子７を左右方向に挟むスリット２１、および、後述する支持開口部２３が、厚み方向を貫通するように形成されている。
金属支持層２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが挙げられる。好ましくは、ステンレスが挙げられる。
金属支持層２の厚みは、例えば、８μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
ベース絶縁層３は、金属支持層２の上面において、導体パターン５および信号配線接続部１１（後述）に対応するパターンに形成されている。なお、信号配線接続部１１におけるベース絶縁層３には、後述する開口部１３が形成されている。
ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。
ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂（ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）など）などが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、３３μｍ以下である。
導体パターン５は、回路付サスペンション基板１の先端部に接続されるヘッド側端子７と、回路付サスペンション基板１の後端部に接続される外部側端子１７と、ヘッド側端子７と外部側端子１７とに接続される信号配線８とを備えている。
ヘッド側端子７は、回路付サスペンション基板１の先端部において、左右方向に間隔を隔てて複数（４つ）配置され、各ヘッド側端子７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
外部側端子１７は、回路付サスペンション基板１の後端部において、左右方向に間隔を隔てて複数（４つ）配置され、各外部側端子１７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
信号配線８は、１対の書込配線８Ｗと、１対の読取配線８Ｒとを備えている。
１対の書込配線８Ｗは、ヘッド側端子７と外部側端子１７との間において、互いに平行するように、回路付サスペンション基板１の左側端部に沿って延びるように配置されている。
各書込配線８Ｗは、第１配線１９と第２配線２０とを備えている。すなわち、１対の書込配線８Ｗは、１対の第１配線１９と１対の第２配線２０とを備えている。
１対の第１配線１９は、左右方向に互いに間隔を隔てて並列に配置されている。各第１配線１９は、先端部においてヘッド側端子７に接続され、後端部において外部側端子１７に接続されている。
１対の第２配線２０は、１対の第１配線１９の左右方向内方であって、左右方向に互いに間隔を隔てて並列に配置されている。
具体的には、左右方向外方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａに対応する第２配線２０Ａは、左右方向内方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂに隣接して配置されている。また、左右方向内方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂに対応する第２配線２０Ｂは、左右方向外方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａに隣接して配置されている。
これによって、左右方向において、左右方向内方（一方）の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂ、左右方向外方（他方）の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａに対応する第２配線２０Ａ、左右方向内方（一方）の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂに対応する第２配線２０Ｂ、および、左右方向外方（他方）の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａが並列して配置している。つまり、左右方向において、一方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂ、他方の書込配線８Ｗの第２配線２０Ａ、一方の書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂ、他方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａが交互に配置されている。換言すると、一方の書込配線８Ｗの２つの配線と、他方の書込配線８Ｗの２つの配線とが交互に配置されている。
そして、各第２配線２０は、対応する第１配線１９に対して、第１配線１９の先側部分および後側部分のいずれか一方から分岐し、他方に後述する交差接続部９を介して接合（合流）している。
具体的には、左右方向外方の書込配線８Ｗにおいては、第２配線２０は、後側部分から分岐し、先側部分にて交差接続部９を介して接合する。また、左右方向内方の書込配線８Ｗにおいては、第２配線２０は、先側部分から分岐し、後側部分にて交差接続部９を介して接合する。
１対の読取配線８Ｒは、ヘッド側端子７と外部側端子１７との間において、互いに平行するように、回路付サスペンション基板１の右側端部に沿って延びるように配置されている。１対の読取配線８Ｒは、１対の書込配線８Ｗと略同一構成（略左右対称）であり、その説明を省略する。
導体パターン５（および後述する金属導通部１２）を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などが挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン５の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
また、各ヘッド側端子７および各外部側端子１７の幅は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
各信号配線８の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
カバー絶縁層６は、図５Ｈで示すように、導体パターン５から露出するベース絶縁層３の上面と、信号配線８（および後述する金属導通部１２）の上面および側面とに形成されている。また、カバー絶縁層６は、ヘッド側端子７および外部側端子１７を露出するように形成されている。
カバー絶縁層６を形成する絶縁材料としては、ベース絶縁層３を形成する絶縁材料と同様のものが挙げられる。また、カバー絶縁層６の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、４μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
次に、交差接続部９について詳述する。
交差接続部９は、図１に示すように、書込配線８Ｗの第２配線２０Ａの先端部、書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂの後端部、読取配線８Ｒの第２配線２０Ａの後端部、および、読取配線８Ｒの第２配線２０Ｂの先端部にそれぞれ対応するように設けられている。各交差接続部９は、略同一構成であるため、以下、書込配線８Ｗの第２配線２０Ａの先端部に対応する交差接続部９について詳述する。
交差接続部９は、図３に示すように、２つの信号配線接続部１１と、それらの間に配置され、それらを電気的に接続する支持接続部１８とを備えている。
各信号配線接続部１１は、ベース絶縁層３に形成される開口部１３を備えている。
開口部１３は、平面視略円形状をなし、上側に向かって広がる（つまり、上側に向かって開口断面積が大きくなる）側断面視テーパ状（略円錐台形状）に形成されている。開口部１３は、開口部１３の周側部をなし、厚み方向に対して表面が傾斜するように形成される周側部２４の傾斜面（周側面）と、開口部１３の底部をなし、ベース絶縁層３から露出する金属支持層２の表面（金属露出面１６）とから区画され形成されている。そして、周側部２４の周縁のベース絶縁層３の上面と、金属露出面１６とで段差部を形成している。平面視において、周側部２４の外側周端縁の直径は、開口部１３の外径Ｗ１をなしている。一方、周側部２４の内側周端縁は、金属露出面１６との外縁と一致し、その直径は、開口部１３の内径Ｗ２をなしている。
また、信号配線接続部１１は、金属導通部１２を備えている。金属導通部１２は、開口部１３に充填されている。
金属導通部１２は、平面視略円形状であり、開口部１３と同心円となるように形成されている。金属導通部１２は、金属露出面１６および周側面（周側部２４の傾斜面）の全面、ならびに、周側部２４の周縁のベース絶縁層３の上面と接触し、それらを被覆している。
金属導通部１２は、内側部１４と、内側部１４の周端縁から外側に膨出する外側部１５とを一体的に備えている。
内側部１４は、平面視略円形状をなし、側断面視において、表面が金属露出面１６および周側面に沿うＵ字状に形成されている。内側部１４は、金属露出面１６および周側面を被覆する。内側部１４の外周縁は、周側部２４の外側周端縁と一致し、その直径は、開口部１３の外径Ｗ１と一致とする。
外側部１５は、平面視略円環状に形成されている。
開口部１３の外径Ｗ１（開口部１３の外側周端縁の直径、すなわち、金属導通部１２の内側部１４の直径）は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、１１０μｍ以下、好ましくは、９０μｍ以下である。
開口部１３の内径Ｗ２（開口部１３の内側周端縁の直径、すなわち、金属露出面１６の直径）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、８０μｍ以下である。開口部１３の内径Ｗ２は、開口部１３の外径Ｗ１に対して、例えば、５０％以上、好ましくは、６５％以上であり、また、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下である。
金属導通部１２の直径Ｗ３（すなわち、外側部１５の外径）は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、７０μｍ以上であり、また、例えば、１７０μｍ以下、好ましくは、１４０μｍ以下である。
そして、図２Ａ、図２Ｂおよび図３に示すように、２つの信号配線接続部１１は、第２配線２０Ｂを挟んで左右方向に間隔を隔てて配置され、一方（左側）の信号配線接続部１１は、第１配線１９Ａの先端部分から分岐した配線に接続され、他方（右側）の信号配線接続部１１は、第２配線２０Ａの先端部に接続されている。２つの信号配線接続部１１は、支持接続部１８によって電気的に接続されている。
支持接続部１８は、支持開口部２３により仕切られる金属支持層２の部分として形成されている。
支持開口部２３は、図２Ｂおよび図３に示すように、厚み方向を貫通し、左右方向に長い底面視略矩形枠状をなし、２つの信号配線接続部１１を囲むように形成されている。
また、支持接続部１８は、支持開口部２３内において、左右方向に長い底面視略矩形状をなし、一方の書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂを左右方向に横切るように配置されている。また、支持接続部１８は、支持開口部２３の周囲の金属支持層２の内側に間隔を隔てて配置されている。このため、支持接続部１８は、支持開口部２３の周囲の金属支持層２と電気的に絶縁されている。
そして、２つの信号配線接続部１１の金属導通部１２のそれぞれは、共通の支持接続部１８に接続されている。つまり、支持接続部１８は、厚み方向に投影したときに、２つの信号配線接続部１１と、それらに挟まれる書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂとを含んでいる。
これにより、２つの信号配線接続部１１は、書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂを跨ぐ一方、支持接続部１８を介して、電気的に接続される。つまり、第１配線１９Ａは、一方の金属導通部１２、支持接続部１８および他方の信号配線接続部１１を介して、第２配線２０Ａに電気的に接続（導通）されている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド（図示せず）と外部基板（図示せず）とを実装して、ハードディスクドライブに搭載される。
次に、回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４Ａ〜図４Ｅおよび図５Ｆ〜図５Ｉを参照して説明する。
まず、図４Ａに示すように、この方法では、長手方向に延びる平板状の金属支持層２を用意する。
次いで、感光性硬化性絶縁組成物を用いて、硬化性絶縁層３ｂを、金属支持層２の上に、開口部１３が形成されるように形成する。具体的には、図４Ｂに示すように、感光性硬化性絶縁組成物を用いて、感光性硬化性ベース皮膜３ａを金属支持層２の表面に、形成した後、図４Ｃに示すように、感光性硬化性ベース皮膜３ａを露光し、その後、図４Ｄに示すように、感光性硬化性ベース皮膜３ａを現像する。
感光性硬化性ベース皮膜３ａを形成するには、例えば、金属支持層２の上に、感光性硬化性絶縁組成物の溶液（ワニス）を塗布して、乾燥する。
感光性硬化性絶縁組成物としては、好ましくは、感光性熱硬化性絶縁組成物が挙げられる。感光性熱硬化性絶縁組成物は、光により潜像を形成することができ、その後の加熱によって硬化し、絶縁性樹脂を形成することのできる組成物である。
感光性硬化性絶縁組成物は、上記した絶縁材料の前駆体が挙げられる。
乾燥温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、９０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。
乾燥時間は、例えば、１分以上、好ましくは、３分以上であり、また、例えば、１０分以下、好ましくは、８分以下である。
形成される感光性硬化性ベース皮膜３ａの厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、３３μｍ以下である。
そして、図４Ｃの工程では、遮光部分３１および光透過部分３２を備えるフォトマスク３０を感光性硬化性ベース皮膜３ａの上側に配置する。具体的には、光透過部分３２を、ベース絶縁層３を形成する部分に対向させ、遮光部分３１を、金属露出面１６を形成する部分に対向させる。
その後、感光性硬化性ベース皮膜３ａを、上側からフォトマスク３０を介して露光する。これにより、光透過部分３２に対応する部分が不溶となり、遮光部分３１に対応する部分が可溶となる潜像が感光性硬化性ベース皮膜３ａに形成される。
露光における光源としては、公知の各種光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハイドライドランプなどの紫外線を有効に照射するものが用いられる。また、写真用フラッド電球、太陽ランプなどの可視光を有効に照射するものも用いられる。
露光量としては、例えば、０．０５〜１０Ｊ／ｃｍ２の範囲内に設定することができる。
次いで、図４Ｄに示すように、感光性硬化性ベース皮膜３ａを現像して、硬化性絶縁層３ｂを形成する。現像は、アルカリ系溶液を現像液とするスプレー法や浸漬法が用いられる。このとき、遮光部分３１に対向する部分つまり未露光部分が溶解し、金属支持層２の表面（金属露出面１６）を露出する開口部１３が形成される。
このとき、遮光部分３１と光透過部分３２との境界周辺において、遮光部分３１側に光透過部分３２からの露光が僅かに漏れるため、遮光部分３１の境界側端部は、遮光部分３１の中心部よりも露光量が増大する。その結果、遮光部分３１と光透過部分３２との境界に、傾斜面（周側面）を備える周側部２４が形成される。
これにより、金属露出面１６を露出する開口部１３が形成された硬化性絶縁層３ｂを形成することができる。
次いで、図４Ｅに示すように、硬化性絶縁層３ｂを加熱硬化する。
加熱温度は、例えば、２５０℃以上、好ましくは、３００℃以上であり、また、例えば、４００℃以下、好ましくは、３８０℃以下である。
加熱時間は、例えば、４５分以上、好ましくは、６０分以上であり、また、例えば、１０時間以下、好ましくは、８時間以下である。
これにより、開口部１３が形成されたベース絶縁層３が形成される。このとき、開口部１３の金属露出面１６には、異物２２が付着している。
異物２２は、ベース絶縁層３に由来する成分であって、例えば、ベース絶縁層３を形成する絶縁材料またはこの前駆体が挙げられる。異物２２は、図４Ｃや図４Ｄの工程において、金属露出面１６に付着される。
次いで、図５Ｆに示すように、マイクロ波プラズマ処理を実施する。
マイクロ波プラズマ処理に使用する装置としては、例えば、マイクロ波プラズマ発生装置「Ｍ１１０−ＲＴＲ」（ニッシン社製）などが挙げられる。
マイクロ波プラズマ処理における周波数は、例えば、１．０ＧＨｚ以上、好ましくは、２．０ＧＨｚ以上であり、１０ＧＨｚ以下、好ましくは、５．０ＧＨｚ以下である。
マイクロ波プラズマ処理に使用されるガスとしては、例えば、酸化性ガス、不活性ガス、還元性ガスなどが挙げられる。具体的には、空気、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素、二酸化炭素などが挙げられる。
これらの酸化性ガス、不活性ガス、還元性ガスは、単独で、または２種以上混合して、使用することができる。
マイクロ波プラズマ処理に使用されるガスは、好ましくは、不活性ガスを含有する。
このようなガスを用いることにより、金属露出面１６に付着した異物２２をより確実に除去することができ、金属導通部１２と金属露出面１６との界面での電気抵抗値をより確実に低減させることができる。
マイクロ波プラズマを発生させるチャンバー内のガス圧は、例えば、１Ｐａ以上、好ましくは、５Ｐａ以上であり、また、例えば、２００Ｐａ以下、好ましくは、１００Ｐａ以下、より好ましくは、８０Ｐａ以下である。
チャンバー内へのガス流量は、例えば、１０ｓｃｃｍ以上、好ましくは、５０ｓｃｃｍ以上であり、例えば、５０００ｓｃｃｍ以下、好ましくは、３０００ｓｃｃｍ以下である。
マイクロ波プラズマが照射されるプラズマ照射口から、金属露出面１６までの距離は、例えば、５ｃｍ以上、好ましくは、１０ｃｍ以上であり、また、例えば、３０ｃｍ以下、好ましくは、２５ｃｍ以下である。
電力は、例えば、０．５ｋＷ以上、好ましくは、２ｋＷ以上であり、また、例えば、１５ｋＷ以下、好ましくは、７ｋＷ以下である。
マイクロ波プラズマ処理の時間は、例えば、０．５秒以上、好ましくは、１秒以上であり、また、例えば、２分以下、好ましくは、１分以下である。
これにより、金属露出面１６に付着した異物２２が除去される。
次いで、図５Ｇに示すように、開口部１３内に金属導通部１２を形成する。
具体的には、ベース絶縁層３の上に導体パターン５を形成するとともに、開口部１３に金属導通部１２を形成する。すなわち、ヘッド側端子７、外部側端子１７および信号配線８を上記したパターンで形成する。同時に、金属導通部１２を、上記したパターンでかつ信号配線８と連続するように形成する。
導体パターン５および金属導通部１２を形成するには、例えば、アディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３および金属露出面１６の上面全面に、金属薄膜（種膜）５ａを形成する。金属薄膜５ａとしては、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などの金属材料が用いられる。種膜の厚みは、例えば、０．０１μｍ〜０．２μｍである。金属薄膜５ａは、スパッタリング、めっきなどの薄膜形成方法により、形成する。好ましくは、スパッタリングにより金属薄膜５ａを形成する。
次いで、金属薄膜５ａの表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、導体パターン５および金属導通部１２のパターンと逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、電解めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜５ａの表面に、導体パターン５および金属導通部１２を形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜５ａをエッチングなどにより除去する。
次いで、図５Ｈに示すように、カバー絶縁層６を形成する。
具体的には、カバー絶縁層６を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン５および金属導通部１２を被覆し、ヘッド側端子７および外部側端子１７を露出するように形成する。例えば、ベース絶縁層３の形成と同様に、感光性硬化性絶縁組成物の溶液を、導体パターン５および金属導通部１２を含むベース絶縁層３の上に塗布して、感光性絶縁性カバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
その後、図示しないが、必要により、ヘッド側端子７および外部側端子１７の上面に、金属めっき層を形成する。金属めっき層は、例えば、金および／またはニッケルからなり、厚みが、例えば、０．０１〜１μｍである。
次いで、図５Ｉに示すように、支持開口部２３およびスリット２１（図１参照）を、金属支持層２に形成する。支持開口部２３の形成により、支持接続部１８が形成される。
支持開口部２３およびスリット２１は、例えば、エッチング、ドリル穿孔、レーザ加工などによって形成する。
これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
その後、ヘッド側端子７に磁気ヘッド（図示せず）を接続するとともに、外部側端子１７に外部基板（図示せず）を接続する。
そして、電気信号が、磁気ヘッドと外部基板との間において、ヘッド側端子７、信号配線８および外部側端子１７に伝送される。このとき、一方の第２配線２０を伝送する電気信号は、交差接続部９において、他方の第２配線２０に短絡することなく、信号配線接続部１１を介して一方の第１配線１９に伝送される。
このように、信号配線８（１対の書込配線８Ｗおよび１対の読取配線８Ｒ）は、差動信号配線として使用される。具体的には、１対の書込配線８Ｗでは、第１配線１９Ａ、１９Ｂに、第１の電気信号が伝送され、第２配線２０Ａ、２０Ｂには、第１の電気信号と逆位相の第２の電気信号が伝送される。また、具体的には、１対の読取配線８Ｒでは、第１配線１９Ａ、１９Ｂに、第１の電気信号が伝送され、第２配線２０Ａ、２０Ｂには、第１の電気信号と逆位相の第２の電気信号が伝送される。
そして、金属導通部１２は、差動信号を伝送するための差動信号配線を接続している。
そして、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、硬化性絶縁層３ｂを硬化してベース絶縁層３を形成し、開口部１３から露出する金属露出面１６にマイクロ波プラズマ処理を実施した後に、金属露出面１６に金属導通部１２を形成する。
そのため、開口部１３の金属露出面１６に付着した異物２２（硬化性絶縁層由来成分）を効果的に除去することができる。その結果、金属導通部１２と金属露出面１６との界面での電気抵抗値を低減させることができる。
特に、この製造方法によれば、マイクロ波プラズマ処理を実施するため、従来の洗浄液によるウエットエッチングと比べて精度よく処理することが可能であり、また、金属露出面１６は小さくなるほど、金属導通部１２と金属露出面１６との界面での電気抵抗値が増加する割合が大きくなる。したがって、この製造方法は、開口部１３が小型化されている回路付サスペンション基板１に対して特に有効である。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、金属導通部１２が、差動信号配線を電気的に接続している。そのため、差動インピーダンスを低減して、電気信号のノイズを低減することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、各信号配線接続部１１において、開口部１３および金属導通部１２が、それぞれ複数（２つ）形成され、複数（２つ）の金属導通部１２が、金属支持層２を介して、互いに電気的に接続されている。そのため、１対の第２配線２０を接触させることなく互いに交差させることができる。その結果、配線の配置の自由度を向上させることができる。また、絶縁層の数を増加させる必要がないため、回路付サスペンション基板１の薄膜化および低コストを図ることができる。
（変形例）
図１の実施形態では、図４Ｂ〜図４Ｄに示すように、感光性硬化性ベース皮膜３ａを形成し、次いで、感光性硬化性ベース皮膜３ａを露光および現像することにより、開口部１３が形成された硬化性絶縁層３ｂを形成しているが、例えば、図示しないが、感光性硬化性絶縁組成物の溶液をスクリーン印刷することにより、開口部１３が形成された硬化性絶縁層３ｂを形成することもできる。
この場合、開口部１３が形成された硬化性絶縁層３ｂは、感光性を有する硬化性絶縁層であってもよい。
開口部１３を精度よく小型に形成できる観点から、好ましくは、図４Ｂ〜図４Ｄに示すように、感光性硬化性ベース皮膜３ａを形成し、露光および現像することにより、開口部１３を形成する。
また、図１〜図３の実施形態では、信号配線接続部１１を差動信号配線の接続部として説明しているが、例えば、図示しないが、信号配線接続部１１をグランド配線の接続部とすることもできる。
信号配線接続部１１がグランド配線の接続部である実施形態では、金属露出面１６が形成されている金属支持層２は、接地（グランド接続）されている。また、金属支持層２には、支持開口部２３が形成されていない。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
実施例１
ステンレスからなる厚み１８μｍの金属支持層を用意した（図４Ａ参照）。次いで、ポリイミド前駆体からなる感光性硬化性絶縁組成物のワニスを金属支持層の上に塗布し、１６０℃で５分間乾燥させて、感光性硬化性ベース皮膜（厚み１０μｍ）を形成した（図４Ｂ参照）。
次いで、フォトマスクを用いて、金属露出面に相当する部分を遮光しつつ、ベース絶縁層を形成する部分を露光量０．４Ｊ／ｃｍ２で露光し（図４Ｃ参照）、その後、現像した（図４Ｄ参照）。これにより、金属露出面が露出された開口部を備える硬化性絶縁層を形成した。
次いで、硬化性絶縁層を３６０℃、３時間の条件にて加熱硬化させて、ベース絶縁層（厚み１０μｍ）を形成した（図４Ｅ参照）。ベース絶縁層の開口部は、平面視略円形状であり、開口部の外径Ｗ１が４０μｍ、内径Ｗ２（金属露出面の直径）が３０μｍであった。
その後、マイクロ波プラズマ発生装置（商品名「Ｍ１１０−ＲＴＲ」、ニッシン社製、周波数２．４５ＧＨｚ）に、プラズマ照射口から金属露出面までの距離が１５ｃｍとなるように、図４Ｅの積層体を設置した。そして、表１に記載の条件にて、開口部の金属露出面に向かってマイクロ波プラズマ処理を実施した（図５Ｆ参照）。
次いで、ベース絶縁層および金属露出面の上面全面に、Ｃｕ薄膜（種膜、厚さ０．１μｍ）をスパッタリングにより形成した後、そのＣｕ薄膜の表面に、導体パターンおよび金属導通部のパターンの逆パターンでドライフィルムレジストを形成した。そして、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの導体パターンおよび金属導通部を、レジストから露出するＣｕ薄膜の表面に形成した（図５Ｇ参照）。
金属導通部は、平面視円形状で、その内側部が開口部内に充填され、その外側部が信号配線に接続されるように、形成した。金属導通部の直径Ｗ３は、７０μｍであった。
次いで、レジストおよびレジストが形成されたＣｕ薄膜を、エッチングによって除去し、ポリイミドからなる厚み５μｍのカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンおよび金属導通部を被覆するように形成した（図５Ｈ参照）。
その後、支持開口部およびスリットを、エッチングによって形成すると同時に、金属支持層を外形加工した（図５Ｉ参照）。
これにより、回路付サスペンション基板を得た。
実施例２〜３
マイクロ波プラズマ処理の条件を表１に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
比較例１
マイクロ波プラズマ処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
比較例２
マイクロ波プラズマ処理の代わりに、ＲＦプラズマ発生装置（ヒラノ光音社製、周波数１３．５６ＭＨｚ）を用いて表１に示す条件で、ＲＦプラズマ処理を実施した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。
（電気抵抗値測定）
各実施例および各比較例の回路付サスペンション基板（カバー絶縁層が形成された後の回路付サスペンション基板）の金属導通部に、デジタルマルチメーター（２０００型、ＫＥＩＴＨＬＡＹ社製）を接続し、金属導通部と金属露出面との電気抵抗値を測定した。その結果を表１に示す。
Figure 0006385198
１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持層
３ ベース絶縁層
３ｂ 硬化性絶縁層
１２ 金属導通部
１３ 開口部

Claims (5)

  1. 金属支持層を用意する工程、
    感光性硬化性絶縁組成物を用いて、硬化性絶縁層を、前記金属支持層の上に、開口部が形成されるように形成する工程、
    前記硬化性絶縁層を硬化して、絶縁層を形成する工程、
    前記開口部から露出する前記金属支持層に、マイクロ波プラズマ処理を実施する工程、および、
    金属導通部を、前記開口部から露出する前記金属支持層の上に形成する工程
    を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
  2. 硬化性絶縁層を、前記金属支持層の上に、開口部が形成されるように形成する工程が、前記感光性硬化性絶縁組成物を含有する溶液を前記金属支持層の上に塗布し、現像する工程であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
  3. 前記マイクロ波プラズマ処理に用いられるガスが、不活性ガスを含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
  4. 前記金属導通部が、差動信号配線を電気的に接続していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
  5. 前記開口部および前記金属導通部が、それぞれ複数形成され、
    前記複数の金属導通部が、前記金属支持層を介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする、請求項４に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
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