JP2000090420A - 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置 - Google Patents

磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置

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JP2000090420A
JP2000090420A JP29180599A JP29180599A JP2000090420A JP 2000090420 A JP2000090420 A JP 2000090420A JP 29180599 A JP29180599 A JP 29180599A JP 29180599 A JP29180599 A JP 29180599A JP 2000090420 A JP2000090420 A JP 2000090420A
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film
magnetoresistive
gap
signal detection
head
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JP29180599A
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English (en)
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Isamu Yuhito
勇 由比藤
Hidetoshi Moriwaki
英稔 森脇
Naoki Koyama
直樹 小山
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの記録媒体との摺動面に露出
する電極部を耐食性に優れた材料で形成したことによ
り、高い信頼性をもつ磁気抵抗効果型ヘッドを提供す
る。 【課題】磁気ヘッドの摺動面に露出した電極部の耐食性
を向上する。 【解決手段】摺動面に露出する電極部をCr、Ta、N
iのいずれか1またはこれらのいずれか1を含有する合
金で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置、
あるいはVTR等の磁気記録装置の信号再生用磁気抵抗
効果型ヘッドにおける電極材料、およびその構造に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば
図3に示すような構造となっている。この種の磁気抵抗
効果型ヘッドとしては、例えば特開昭60−163222が挙げ
られる。磁気抵抗効果型ヘッドは、基板1上に形成され
た下部シールド膜2,第1ギャップ層3,磁気抵抗効果
膜4,該磁気抵抗効果膜4の両側に形成された信号検出
用電極5a,5b、図示していないが該磁気抵抗効果膜
4上に形成された第2ギャップ層、および上部シールド
膜より構成されている。
【0003】該磁気抵抗効果膜4へのバイアス磁界印加
法としては、例えば該磁気抵抗効果膜4上に導体層を積
層したシャントバイアス法が挙げられる。磁気抵抗効果
型ヘッドにおいては信号検出用電極5a,5bの間隔が
トラック幅、すなわち信号磁界検知部となる。
【0004】磁気抵抗効果ヘッドは信号磁界に対する磁
気抵抗効果膜4の電気抵抗の変化を、信号検出用電極5
a,5b間に一定直流電流を流しておくことにより電圧
として検出する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来ヘッドにおい
ては、信号検出用電極5a,5bの側面が摺動面に露出
している。このため、ヘッド使用中に信号検出用電極5
a,5bが腐食し、信頼性が低下する問題があった。ま
た、狭トラック時における信号検出用電極の形成方法に
ついても配慮されていなかった。
【0006】本発明は、耐食性に優れ、かつ狭トラック
な加工が可能な信号検出用電極材料、構造を有する磁気
抵抗効果型ヘッドの提供を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、信号検出用電極材料として耐食性
に優れ、かつ微細加工が可能な反応性プラズマエッチン
グでパターン化可能な材料を用いるようにしたものであ
る。この種の材料としてはNb,Ti,Ta,Cr,A
u,Pt、あるいはこれらの材料を主とする合金が挙げ
られる。また、加工性、電流密度分布を考慮して少なく
とも磁気抵抗効果膜上に形成されている信号検出用電極
材料は、上記材料のうちの1つのみとした。
【0008】上記信号検出用電極材料は比抵抗が大き
い。このため上記信号検出用電極材料のみで電極5a,
5bを構成すると電気抵抗が増加してしまい、発熱,ノ
イズの原因となる。本発明においては磁気抵抗効果膜上
以外の領域に形成されている信号検出用電極は比抵抗の
小さなCu,Al、およびその合金薄膜、あるいは上記
Nb等の薄膜との積層構造とした。
【0009】図1を用いて説明する。基本的構造は図3
に示した従来の磁気抵抗効果型ヘッドと同じである。
【0010】本発明においては摺動面に露出する信号検
出用電極材料として前述したNb,Ti,Ta,Cr,
Au,Pt、あるいはそれらを主とする合金を用いた。
これらの材料は耐食性に優れているとともに、Cl系、
F系ハロゲンガスを反応ガスとした反応性プラズマエッ
チングで加工可能である。それによって、狭トラック
で、信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッドを提供できる。
【0011】また、信号検出用電極5a,5b上に積層
された薄膜はCu,Al、あるいはそれらの合金で形成
されている。これにより信号検出用電極の電気抵抗を下
げることができ、発熱,ノイズを低下できる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により詳細
に説明する。
【0013】(実施例1)図1を用いて述べる。基板1
にはAl23・TiC板を用いた。基板1上に下部シー
ルド膜2、および第1ギャップ層3を積層する。成膜に
はスパッタリング法を用いた。下部シールド膜2はNi
Fe合金で、膜厚は1μmである。また、第1ギャップ
層3はSiO2で、膜厚は0.3μmである。続いて磁
気抵抗効果膜4となるNiFe合金薄膜を蒸着法で堆積
する。膜厚は0.04μmとした。磁気抵抗効果膜4は
通常のホトリソグラフィ技術により幅(トラック幅方向
の長さ)30μm,高さ(トラック幅方向に対し垂直方
向の長さ)10μmの長方形状にパターニングし、その
後、信号検出用電極5a,5bを形成した。信号検出用
電極5a,5bの材料としてはNbを用いた。
【0014】信号検出用電極5a,5bの形成は以下の
方法で行なった。磁気抵抗効果4表面をわずかにスパッ
タクリーニングした後、Nb膜を堆積する。スパッタク
リーニングは磁気抵抗効果膜4と信号検出用電極5a,
5bとの電気的接続を良好にするため行なう。Nb膜の
厚さは0.2μmである。Nb膜のパターニングは平行
平板型反応性プラズマエッチング法で行なった。反応ガ
スはCF4+4%O2ガスである。パターニング時のマス
クはホトレジスト膜である。トラック幅は2μmであ
る。この際、磁気抵抗効果膜4へのダメージが懸念され
るが、磁気抵抗効果膜4であるNiFe膜は上記エッチ
ング法ではほとんどエッチングされず、磁気特性の劣化
はみられなかった。
【0015】信号検出用電極5a,5bを形成後、磁気
抵抗効果膜4上以外の信号検出用電極5a,5b上に低
電気抵抗膜6を形成する。これは、上記Nb膜のみで信
号検出用電極5a,5bを形成すると電極5a,5bの
電気抵抗が大きくなりすぎ、発熱,ノイズの原因となる
ためである。ここでは低電気抵抗膜6としてCuを用い
た。Cu合金,Al,Al合金でも有効である。膜厚は
1μmとした。さらに、これらパターン上に第2ギャッ
プ層(SiO2、膜厚0.3μm)第2ギャップ層内にあ
ってバイアス磁界を印加するためのソフト膜上部シール
ド膜(NiFe,膜厚1μm)(以上は図示省略)を形
成した。
【0016】以上により本発明による磁気抵抗効果型ヘ
ッドが形成される。本磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
は、記録媒体との摺動面に露出する材料はAl23・T
iC,SiO2,NiFe,Nbである。これらの材料
はいずれも高い耐食性を有しており、ヘッド使用中に腐
食しヘッドの信頼性を低下させる可能性が著しく小さ
い。例えば、相対湿度80%,温度60℃の恒温恒湿槽
に5000時間放置した後においても、再生出力値の低
下は3%未満であった。これに対し、信号検出用電極5
a,5bとしてCuを用いたヘッドにおいては、100
時間で著しい腐食が生じ、使用できない状態に至った。
【0017】また、信号検出用電極5a,5bのパター
ニングに微細加工に優れた反応性プラズマエッチング法
を用いることができる。このため、狭トラックな加工に
も有利で、サブミクロンのトラック幅をもつヘッドも作
製可能であった。
【0018】(実施例2)実施例1で述べたNb以外の
材料でも同様の効果が得られる。Nb以外の材料として
はTi,Ta,Au,Pt,Cr、あるいはそれらを主
とする合金がある。これら材料のうちTi,Pt,Ta
はNbと同様にCF4を主とする反応ガスでパターニン
グが可能である。ヘッド構造も図1に示したものと同じ
でよい。
【0019】Cr,Auの場合にはClを含んだ反応ガ
スが必要となる。例えばCrはCCl4+O2、AuはC
Cl24が有効である。これらの反応ガスを用いた場合
においても、磁気抵抗効果膜4(NiFe膜)がClと化学
反応しエッチングされる可能性は少ない。しかし、磁気
抵抗効果膜4が非常に薄いこと、およびClが反応性に
富んでいることから、図2に示すように磁気抵抗効果膜
表面に保護膜7をあらかじめ形成しておくことが望まし
い。ここでは保護膜7としてSiO2,Al23膜を用
いた。膜厚は0.1μmとした。なお、この保護膜7が
第2ギャップ層の1部を兼ねることも可能である。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、記録媒体との摺動面に
露出する信号検出電極を、高耐食性で微細加工に優れた
反応性プラズマエッチング法で加工可能な材料で形成す
る。これにより狭トラックで高い信頼性をもつ磁気抵抗
効果型ヘッドを作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例になる磁気ヘッドの要部斜視
図。
【図2】本発明の実施例になる磁気ヘッドの要部斜視
図。
【図3】従来の磁気ヘッドの要部斜視図。
【符号の説明】
1…基板、2…下部シールド膜、3…第1ギャップ層、
4…磁気抵抗効果膜、5a,5b…信号検出用電極、6
…低電気抵抗膜、7…1…基板、2…下部シールド膜、
3…第1ギャップ層、4…磁気抵抗効果膜、5a,5b
…信号検出用電極、6…低電気抵抗膜、7…保護膜。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下部シールド膜、該下部シールド膜上に形
    成された下部ギャップ膜、該下部ギャップ膜上に形成さ
    れた磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜の両側に形成さ
    れた一対の電極、前記磁気抵抗効果膜上に形成された上
    部ギャップ膜、該上部ギャップ膜上に形成された上部シ
    ールド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
    電極がNb、Ta、Crあるいはこれらの材料を主とす
    る合金を含む磁気抵抗効果型ヘッドを具備することを特
    徴とする磁気ディスク装置。
  2. 【請求項2】下部シールド膜、該下部シールド膜上に形
    成された下部ギャップ膜、該下部ギャップ膜上に形成さ
    れた磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜の両側に形成さ
    れた一対の電極、前記磁気抵抗効果膜上に形成された上
    部ギャップ膜、該上部ギャップ膜上に形成された上部シ
    ールド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
    電極の少なくとも摺動面に露出する部分がNb、Ta、
    Crあるいはこれらの材料を主とする合金を含む磁気抵
    抗効果型ヘッドを具備することを特徴とする磁気ディス
    ク装置。
  3. 【請求項3】前記電極は信号取出用電極であることを特
    徴とする請求項1または2記載の磁気ディスク装置。
  4. 【請求項4】基板上に形成された下部シールド膜と、該
    下部シールド上に形成された第1ギャップ膜と、該第1
    ギャップ膜上に形成された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵
    抗効果膜上に形成された第2ギャップ膜とを有する磁気
    ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜の両側に形成され
    かつ前記第1ギャップ膜と第2ギャップ膜で挟まれた部
    分であって少なくとも摺動面に露出した部分が、Nb,
    Ta、Crのいずれか1またはいずれか1を含有する合
    金を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
  5. 【請求項5】請求項4記載の磁気ヘッドにおいて、磁気
    抵抗効果膜の両側に形成されかつ第1ギャップ膜と第2
    ギャップ膜で挟まれた部分であって摺動面に露出しない
    部分が、AlまたはCuのいずれか1もしくはAlまた
    はCuのいずれか1を含有する合金を含むことを特徴と
    する磁気抵抗効果型ヘッド。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7245460B2 (en) 2001-07-05 2007-07-17 Tdk Corporation Magnetoresistive effective type element, method for fabricating the same, thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic disk drive device
JP2016045971A (ja) * 2014-08-21 2016-04-04 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板の製造方法

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