JPH11175929A - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JPH11175929A
JPH11175929A JP34467097A JP34467097A JPH11175929A JP H11175929 A JPH11175929 A JP H11175929A JP 34467097 A JP34467097 A JP 34467097A JP 34467097 A JP34467097 A JP 34467097A JP H11175929 A JPH11175929 A JP H11175929A
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JP
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film
gap
width
magnetic head
electrode
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JP34467097A
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English (en)
Inventor
Kazue Kudo
一恵 工藤
Matahiro Komuro
又洋 小室
Nobuo Yoshida
伸雄 芳田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】磁気記録装置の高密度化に伴う狭ギャップ化が
困難であり、また、高電流密度化による素子の温度上昇
のための出力低下も狭ギャップ化対応では解決方法がな
かった。 【解決手段】巨大磁気抵抗効果膜あるいは磁気抵抗効果
膜上のギャップ膜の幅が電極間隔あるいは再生トラック
幅を決定しており、かつ、前記ギャップ膜が熱伝導率の
高い材料で形成することにある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置用
薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド構造に関し、特に再生トラ
ック幅をギャップ膜の幅で決定することを特徴とし、S
V膜あるいは磁気抵抗効果膜上のギャップ膜の幅により
電極間隔が決定されている再生ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置用薄膜磁気ヘッドは高
速回転するディスク上で保持されたスライダ上に形成さ
れる。一般的な記録,再生分離型ヘッドとして、記録ヘ
ッドに誘導型薄膜ヘッド、再生ヘッドにはヘッドと磁気
記録媒体の相対速度に再生出力が依存しない磁気抵抗効
果ヘッドあるいは巨大磁気抵抗効果ヘッドが用いられ
る。このような再生ヘッドにおいて、高い分解能を実現
するため、ギャップ絶縁膜を介して磁気抵抗効果膜ある
いは巨大磁気抵抗効果膜の上下に一対のシールド層を配
置し、再生すべき信号磁界以外の磁界を除去している。
【0003】記録密度を高めるためには磁気ディスクの
表面に多くのデータを書き込む必要があり、このために
は、トラック間隔及びトラック幅を狭くして記録密度を
高める方法がある。これに伴って再生ヘッドのシールド
間隔及びトラック幅は狭くなる。シールド間隔が狭くな
るためギャップ膜や巨大磁気抵抗効果膜の膜厚を薄くす
る必要がある。
【0004】従来の方法では平坦な下部シールド上に下
部ギャップ膜を形成し、巨大磁気抵抗効果膜を形成後2
層レジストをパターニングし、下層レジストにウェット
法でアンダーカットを形成し巨大磁気抵抗効果膜(以下
SV膜と呼ぶ)をイオンミリング法でエッチングし、磁
区制御膜及び電極膜を形成後下層レジストから剥離し上
層レジスト上の磁区制御膜や電極膜を除去する。次に上
部ギャップ膜をスパッタリング法で形成し、上部シール
ド膜をめっきあるいはスパッタリング法で形成する。
【0005】SV膜の下層レジストのアンダーカットは
ウェット法で形成されアンダーカット量は下層レジスト
のベーク条件や膜厚により変動する。下層レジストの膜
厚変動及びアンダーカット量の変動はトラック幅が狭く
なると下層レジストの下にあるSV膜の幅、磁区制御膜
の間隔及び電極間隔の変動の原因となる。
【0006】従来の方法ではトラック幅は上層及び下層
レジストの幅や膜厚とミリング条件で決定され、上記の
ようにトラック幅が狭くなるとともに形状のバラツキが
大きくなる。これを解決するため、特開平6−68431号公
報記載のヘッドではトラック幅を絶縁膜で決定しようと
する方法が開示されている。しかし、この絶縁膜上に電
極,ギャップ膜を形成するため狭ギャップ化するのは困
難である。
【0007】上部ギャップ膜の膜厚は再生ヘッドのシー
ルド間隔とSV膜の膜厚と膜構成で決定され、上部シー
ルド膜を形成する前(電極膜形成後)にギャップ膜を形
成するため、電極膜のテーパ部上では上部ギャップ膜の
膜厚がSV膜の平坦部上よりも薄くなり、電極膜のテー
パ部付近で耐圧が低下し、磁気ヘッド製造歩留まりが低
下する。
【0008】これに対して下部ギャップ膜は平坦部上に
形成されるため、上部ギャップ膜のような耐圧低下は起
こりにくい。上記耐圧低下を抑制する方法として、特開
平9−106513号公報で示されているように、MR膜から
離れたギャップ膜の感磁部以外の平坦部の膜厚を厚くす
ることで耐圧低下による歩留まり低下を抑える方法があ
るがこれも狭ギャップ化するのは困難である。
【0009】一方、高感度化に伴い、ヘッドの動作電流
も増加する。電流が増加すると素子自身の発熱により温
度が上がってしまう。特開平9−138916 号公報記載のヘ
ッドではトラック幅を決める絶縁層のうち中央部は熱伝
導率の高い材料、両端部はSiO2 を形成することによ
り、温度上昇を低減する方法が示されている。しかし、
この方法においても狭ギャップ化するのは困難である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、磁
気記録装置の高密度化に伴う狭ギャップ化が困難であ
り、また、高電流密度化による素子の温度上昇のための
出力低下も狭ギャップ化対応では解決方法がなかった。
【0011】本発明の目的は2つのシールド膜の間にギ
ャップ膜を介して磁気抵抗効果膜があり、巨大磁気抵抗
効果膜あるいは磁気抵抗効果膜に電流を流すための電極
膜が磁気抵抗効果膜あるいは巨大磁気抵抗効果膜に電気
的に接触している磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜
あるいは巨大磁気抵抗効果膜の上のギャップ膜の幅が電
極間隔あるいは再生トラック幅を決定し、かつ、通電発
熱による温度上昇を抑制させる手法とその手法を用いて
作製したヘッドの構造を提供することである。本手法を
用いることにより、薄くかつ膜厚精度の良いギャップ膜
を用いてトラック幅を決定でき、かつ、ヘッドの感磁部
の温度が上昇しないので従来の手法よりもトラック幅の
精度を高くでき、さらに通電による温度上昇を抑制する
ため特性が低下することなく、信頼性の高いヘッドが得
られ、狭トラック狭ギャップ再生ヘッドの作製に有利で
ある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明ではリフトオフパ
ターンを形成する前にSV膜上に上部ギャップ膜を作製
し、ドライエッチング法によってエッチングされた上部
ギャップ膜をマスクにしてSV膜をドライエッチング法
やミリング法でエッチングしてSV膜の幅を決定する。
【0013】上記方法は図1,図3に示すようにSV膜
をエッチングする前に、SV膜1上に形成したギャップ
膜7上のレジスト14/酸化物13のリフトオフパター
ンにおいて、レジストにアンダーカットを形成する。ア
ンダーカット形成後、SV膜のエッチング,磁区制御膜
3形成,電極膜4形成,電極膜上の厚膜ギャップ膜9
(耐圧保護膜)形成というプロセスに従って再生ヘッド
を作製する。
【0014】図2の電極内決め(電極間隔が磁区制御膜
間隔よりも狭い)の場合には図2に示す形成プロセスが
考えられ、SV膜1上に形成したギャップ膜7の幅によ
って電極間隔が決定する。この場合にはSV膜1上のギ
ャップ膜7をエッチングする前にSV膜1をエッチング
し、電極膜4はSV膜の両端に乗り上げ、電極膜4上に
はSV膜上のギャップ膜よりも厚い耐圧保護膜9を形成
する。
【0015】図3の場合ギャップ膜7の幅でSV膜幅,
磁区制御膜間隔及び電極間隔を決定するのに対し、図2
の電極内決め構造ではSV膜上のギャップ膜の幅は、電
極膜の幅を決定する。
【0016】図2のような電極内決め構造では再生ヘッ
ドのトラック幅は電極間隔で決定されるため電極間隔を
決定する方法が重要である。電極膜は図2の(9)で形
成するが、その間隔はギャップ膜の幅で決定される。ま
た図3の場合には電極間隔と磁区制御膜間隔及びSV膜
の幅がほぼ一致するが、これらの寸法を決定するのは
(4)及び(5)に示すようにSV膜上に形成したギャ
ップ膜の幅である。
【0017】図2,図3のギャップ膜の幅はリアクティ
ブエッチング法を用いることにより、容易に決定でき
る。すなわち、図3(2),(3)に示すように、ギャッ
プ膜7上に形成したレジスト14/酸化物13を酸化物
の上のレジストを露光,現像後、リアクティブエッチン
グ法によって酸化物,レジスト,ギャップ膜をほぼ垂直
にエッチングする。
【0018】この時、エッチング条件としてギャップ膜
とSV膜の選択比(SV膜のエッチングレート/ギャッ
プ膜のエッチングレート)が高くなるようなガスの種
類,ガス圧力,パワーを最適にする必要がある。あるい
はSV膜上に選択比を高くするために高比抵抗の膜をエ
ッチングする前に形成しても良い。高選択比が得られる
条件でエッチング後、ギャップ膜7上のレジスト14を
サイドエッチングし、アンダーカットを図3(3)に示
すように形成する。
【0019】アンダーカット形成には酸素ガス等を用い
ガス圧力,パワーが最適な条件にする。アンダーカット
量は従来方法であるレジスト/レジストの場合よりも高
精度であり、ギャップ膜7の幅も高精度で決定できる。
また本方法ではレジスト/酸化物を採用するため、レジ
スト/レジストの場合よりも変形しにくく、酸化物膜の
膜厚精度が高いため、ギャップ膜7の幅のバラツキが少
なく、かつアンダーカット量のバラツキも少なくなる。
【0020】得に、1μm以下の狭トラック幅の場合ア
ンダーカット量やSV膜上のマスク形状の精度が重要で
あるが、アンダーカットは本手法ではドライエッチング
法を採用しているため、高精度となり、SV膜をエッチ
ングするマスクがSV膜の上に形成された薄いギャップ
膜であるため、厚いレジストをマスクとする場合よりも
高精度になる。また、このような方法で作製したギャッ
プ膜の材料を熱伝導率の高いものとすることにより、S
V膜に通電した際に発熱が生じてもギャップ膜を介して
シールド膜へ熱が逃げやすくなるため、SV膜の温度上
昇を抑制することができ、出力の低下が生じない。
【0021】即ち、本発明ではリフトオフパターンを形
成する前にSV膜上に上部ギャップ膜を作製し、ドライ
エッチング法によってエッチングされた上部ギャップ膜
をマスクにしてSV膜の幅あるいは電極幅を決定する。
ギャップ膜の幅はリアクティブエッチング法を用いるこ
とにより、容易に決定でき、アンダーカット量は従来方
法であるレジスト/レジストの場合よりも高精度であ
り、ギャップ膜7の幅も高精度で決定できる。本方法で
はSV膜上にギャップ膜/レジスト/酸化物3層(リフ
トオフ)構造を採用するため、レジスト/レジストの場
合よりも変形しにくく、酸化物膜の膜厚精度が高いた
め、ギャップ膜7の幅のバラツキが少なく、かつアンダ
ーカット量のバラツキも少なくなる。
【0022】得に、1μm以下の狭トラック幅の場合ア
ンダーカット量やSV膜上のマスク形状の精度が重要で
あるが、アンダーカットは本手法ではドライエッチング
法を採用しているため、高精度となり、SV膜をエッチ
ングするマスクがSV膜の上に形成された薄いギャップ
膜であるため、厚いレジストをマスクとする場合よりも
高精度になる。
【0023】また、このような方法で作製したギャップ
膜の材料を熱伝導率の高いものとすることにより、SV
膜に通電した際に発熱が生じても狭ギャップでかつ熱伝
導率が高いギャップ膜を介してシールド膜へ熱が逃げや
すくなるため、SV膜の温度上昇を抑制することがで
き、出力の低下が生じない。本構造あるいは方法を採用
することにより、シールド間隔が0.15μm以下、再
生トラック幅1.0μm以下の再生ヘッドを提供するこ
とが可能である。
【0024】
【発明の実施の形態】実施例1 本発明の実施例を以下に説明する。最初に電極間隔が磁
区制御膜の間隔よりも狭い再生ヘッドを作製する時のプ
ロセスを図2で説明する。図2は図4の記録再生ヘッド
の中の再生用ヘッドを浮上面側から見た場合であり、主
にトラック幅決定に関連するプロセスを説明するための
図面である。
【0025】基板上に形成した下部シールド膜10は、
NiFe合金膜,センダスト膜あるいは軟磁性非晶質合
金膜である。下部シールド膜10上には膜厚80nm以
下のAl23,Si23,Al23とSiO2 の混合膜
のいずれかからなる下部ギャップ膜2をスパッタリング
法やCVD法で形成する。
【0026】下部ギャップ膜2上の凹凸は10nm以下
であることが望ましい。下部ギャップ2上にSV膜をス
パッタリング法やイオンビームスパッタリング法で作製
する。膜構成は基板側からTa5nm/NiFe5nm
/Co1nm/Cu2.5nm/Co3nm/CrMnP
t25nm/Ta3nmである。反強磁性膜であるCr
MnPtの代わりに、MnPt合金,NiMn合金でも
良い。反強磁性膜上のTaは無くても良い。また反強磁
性膜が基板側にある膜構成でも可能である。図2ではS
V膜形成後リフトオフパターンを形成しているが、形成
前にSV膜上にギャップ膜7を形成しても良い。図2の
(2)から(4)で用いるリフトオフパターンはレジス
ト11/レジスト12で良い。あるいはレジスト11/
SiO212を用いても良い。
【0027】レジスト/レジストの場合にはウェット法
(現像液使用)で下層レジスト11にアンダーカットを
形成し、上層レジスト12の幅でSV膜の幅が決定す
る。SV膜はイオンミリング法でエッチングし(3)続
いてSV膜の両端部に磁区制御膜3をスパッタリング法
や真空蒸着法等で作製する。磁区制御膜3はCoCrPt合
金,CoPt合金あるいはこれらの合金膜にZrO2
の酸化物を添加した膜であり、これらの膜の下地膜とし
て非磁性のCr,Nb,Mo等のbcc構造の膜を用い
ることも可能である。これらの膜の保持力は約1000
〜1500Oeである。
【0028】磁区制御膜をリフトオフする前に、磁区制
御膜の保護膜として薄いCrあるいは貴金属合金、ある
いは高融点金属膜を形成した方が良い。磁区制御膜をリ
フトオフした後の浮上面から見た図が(5)であり、こ
の後ギャップ膜7をスパッタリング法やCVD法等で作
製する。尚、上記のように、ギャップ膜は(1)の時に
形成しておいても良い。
【0029】このギャップ膜7は熱伝導率が高い、Al
N,BeO,SiC,Si34,グラファイト,Co
O,MgO,MnO,NbO,NiO,PbO,Sn
O,TiN,TiC,VN,VC,WC,ZnOのうち少
なくとも1種以上を混合した絶縁膜である。
【0030】ギャップ膜7上には膜厚0.1〜0.2μm
のレジスト14を塗布し、その上に0.1〜0.4μmの
SiO2 膜13を形成しSiO2 上にパターニングされ
たレジストをマスクにして(6)のようにSiO2 膜1
3をCHF3 ガスによってエッチングする。この時、レ
ジスト14の表面もエッチングされるが、レジスト14
はO2 ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法で
容易にエッチング可能である。レジスト14をエッチン
グ後、ギャップ膜7をエッチングする。
【0031】次にギャップ膜7上にレジスト14を0.
1〜0.2μmほどサイドエッチングし、(8)のよう
な形状とする。このときのリアクティブイオンエッチン
グ条件は高ガス圧低バイアスであり、基板は水冷されて
いる。この条件ではSV膜へのダメージは無く、エッチ
ングレートも小さい。またSiO2 膜のシフトは認めら
れない。
【0032】次に、(8)で形成したパターンを用いて
SV膜の両端部に(9)に示すように電極膜4と耐圧保
護膜9を形成する。電極膜4は、低比抵抗かつ高融点材
料であるTa,TaW,Ru,Ir,Nbのうちのいず
れかを含むものであり、これらの膜と貴金属元素の膜の
多層とすることも可能であり、例えば、Ta/Au/T
a,Ru/Pt/Ruのような多層膜からなる電極とす
ることもできる。電極膜4の膜厚は200nm以下であ
る。また耐圧保護膜9はAl23やSiO2 あるいはこ
れらの混合膜であり、スパッタリング法や低温(250
℃以下の基板温度)CVDで形成する。
【0033】膜厚はギャップ膜7の膜厚よりも厚くする
ことが可能であり電極膜のテーパ部上の耐圧保護膜の膜
厚はギャップ膜7の膜厚よりも厚く、ギャップ膜7と耐
圧保護膜9は必ずしも同じ材料である必要はない。
【0034】電極膜4及び耐圧保護膜9をリフトオフし
た後の図が(10)であり、さらにこの上に上部シール
ド膜(記録ヘッドの下部磁極)をスパッタリング法ある
いはメッキ法により形成し、(11)のような形状の再
生ヘッドが作製される。さらに再生ヘッドの上には図4
に示すように、上部シールド膜上に記録ヘッドを作製す
る。
【0035】実施例2 次に電極間隔と磁区制御間隔がほぼ等しい再生ヘッドの
作製方法について図3を用いて説明する。SV膜を形成
するプロセスまでは、実施例1と同じである。リフトオ
フパターン形成前にSV膜上にギャップ膜7を形成す
る。このギャップ膜7は熱伝導率が高い、AlN,Be
O,SiC,Si34,グラファイト,CoO,Mg
O,MnO,NbO,NiO,PbO,SnO,Ti
N,TiC,VN,VC,WC,ZnOのうち少なくと
も1種以上を混合した絶縁膜である。ギャップ膜7上に
は膜厚0.1〜0.2μmのレジスト14を塗布し、その
上に0.1〜0.4μmのSiO2 膜13を形成しSiO
2 上にパターニングされたレジストをマスクにして
(2)のようにSiO2 膜13をCHF3 ガスによって
エッチングする。この時、レジスト14の表面もエッチ
ングされるが、レジスト14はO2 ガスを用いたリアク
ティブイオンエッチング法で容易にエッチング可能であ
る。レジスト14をエッチング後、ギャップ膜7(Si
2 の場合)をエッチングする。
【0036】次にギャップ膜7上のレジスト14を0.
1〜0.2μmほどサイドエッチングし、(3)のよう
な形状とする。このときのリアクティブイオンエッチン
グ条件は高ガス圧低バイアスであり、基板は水冷されて
いる。この条件ではSV膜へのダメージは無く、エッチ
ングレートも小さい。またSiO2 膜のシフトは認めら
れない。
【0037】次に、(3)で形成したパターンを用いて
SV膜をイオンミリング法あるいはリアクティブイオン
エッチング法を用いてエッチングし(4)、その両端部
に(5)に示すように電極膜4と耐圧保護膜9を形成す
る。電極膜4は、低比抵抗かつ高融点材料であるTa,
TaW,Ru,Ir,Nbのうちのいずれかを含むもの
であり、これらの膜と貴金属元素の膜の多層とすること
も可能であり、例えば、Ta/Au/Ta,Ru/Pt
/Ruのような多層膜からなる電極とすることもでき
る。
【0038】電極膜4の膜厚は200nm以下である。
また耐圧保護膜9はAl23やSi34,SiO2 ある
いはこれらの混合膜であり、スパッタリング法や低温
(250℃以下の基板温度)CVDで形成する。
【0039】膜厚はギャップ膜7の膜厚よりも厚くする
ことが可能であり電極膜のテーパ部上の耐圧保護膜の膜
厚はギャップ膜7の膜厚よりも厚く、ギャップ膜7と耐
圧保護膜9は必ずしも同じ材料である必要はない。
【0040】電極膜4及び耐圧保護膜9をリフトオフし
た後の図が(6)であり、さらにこの上に上部シールド
膜(記録ヘッドの下部磁極)をスパッタリング法あるい
はメッキ法により形成し、(7)のような形状の再生ヘ
ッドが作製される。さらに再生ヘッドの上には図4に示
すように、上部シールド膜上に記録ヘッドを作製する。
【0041】図4には再生用ヘッドと記録用ヘッドを示
した図であり、再生ヘッドには上述したように、下部シ
ールド膜21上に、ギャップ膜を介して、GMR素子2
4とGMR膜端部の磁区制御膜23、電気的にGMR膜
と接触する電極膜22があり、再生ヘッドのGMR素子
の上には上部ギャップ膜(図4の上部シールドの下にあ
り、説明のため大きくスペースが取られている)があ
る。再生ヘッドの上には記録ヘッドがあり、上部シール
ド膜25と上部コア28の間に磁気ギャップ26,コイ
ル29、及び絶縁層27が形成されている。記録のトラ
ック幅は再生トラック幅よりも広い。
【0042】
【発明の効果】本発明では、記録再生分離ヘッドの再生
ヘッドの狭ギャップ狭トラックに対する最適構造と作製
法が記載されており、面記録密度4Gb/in2 以上の磁
気ディスク装置に用いる磁気記録ヘッドを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例である磁気ヘッドの側断面図。
【図2】図1の磁気ヘッドの製造工程を説明する側断面
図。
【図3】本発明の他の実施例である磁気ヘッドの製造工
程を説明する側断面図。
【図4】本発明の磁気ヘッドの構成を説明する部分斜視
図。
【符号の説明】 1…SV(GMR)膜、2…下部ギャップ膜、3,23
…磁区制御膜、4,22…電極膜、7…ギャップ(上部
ギャップ)膜、8,25…上部シールド膜、9…耐圧保
護膜、10,21…下部シールド膜、11…下層レジス
ト、12…上層レジスト、13…SiO2 (他の酸化物
膜でも可能)、14…レジスト、24…GMR素子、2
6…磁気ギャップ、27…絶縁層、28…上部コア、2
9…コイル。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】2つのシールド膜の間にギャップ膜を介し
    て磁気抵抗効果膜があり、巨大磁気抵抗効果膜あるいは
    磁気抵抗効果膜に電流を流するための電極膜が磁気抵抗
    効果膜あるいは巨大磁気抵抗効果膜に電気的に接触して
    いる磁気ヘッドにおいて、巨大磁気抵抗効果膜あるいは
    磁気抵抗効果膜上のギャップ膜の幅が電極間隔あるいは
    再生トラック幅を決定しており、かつ、前記ギャップ膜
    が熱伝導率の高い材料で形成されていることを特徴とす
    る磁気ヘッド。
  2. 【請求項2】請求項1記載の磁気ヘッドにおいて、電極
    間隔あるいは再生トラック幅を決定しているギャップ膜
    がAlN,BeO,SiC,Si34,グラファイト,
    CoO,MgO,MnO,NbO,NiO,PbO,Sn
    O,TiN,TiC,VN,VC,WC,ZnOのうち
    少なくとも1種以上を混合した絶縁膜からなることを特
    徴とする磁気ヘッド及び上記磁気ヘッド。
  3. 【請求項3】2つのシールド膜の間にギャップ膜を介し
    て磁気抵抗効果膜あるいは巨大磁気抵抗効果膜があり、
    磁気抵抗効果膜に電流を流すための電極膜が磁気抵抗効
    果膜あるいは巨大磁気抵抗効果膜に電気的に接触してい
    る磁気ヘッドにおいて、シールド間隔が最も狭い部分の
    ギャップ膜の膜厚が他の部分のギャップ膜の膜厚よりも
    薄く、ギャップ膜の幅が電極間隔あるいは再生トラック
    幅を決定しており、かつ、前記ギャップ膜が熱伝導率の
    高い材料で形成されていることを特徴とする磁気ヘッド
    及び上記磁気ヘッド。
  4. 【請求項4】請求項3記載の磁気ヘッドにおいて、電極
    間隔あるいは再生トラック幅を決定しているギャップ膜
    がAlN,BeO,SiC,Si34,グラファイト,
    CoO,MgO,MnO,NbO,NiO,PbO,Sn
    O,TiN,TiC,VN,VC,WC,ZnOのうち
    少なくとも1種以上を混合した絶縁膜からなることを特
    徴とする磁気ヘッド及び上記磁気ヘッド。
  5. 【請求項5】2つのシールド膜の間にギャップ膜を介し
    て磁気抵抗効果膜あるいは巨大磁気抵抗効果膜があり、
    磁気抵抗効果膜に電流を流すための電極膜が磁気抵抗効
    果膜あるいは巨大磁気抵抗効果膜に電気的に接触してい
    る磁気ヘッドにおいて、感磁部のギャップ膜の材料が他
    の部分のギャップ膜の材料と異なり、かつ、前記ギャッ
    プ膜が他の部分のギャップ膜より熱伝導率の高い材料で
    形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
  6. 【請求項6】請求項5記載の磁気ヘッドにおいて、感磁
    部のギャップ膜がAlN,BeO,SiC,Si34
    グラファイト,CoO,MgO,MnO,NbO,Ni
    O,PbO,SnO,TiN,TiC,VN,VC,W
    C,ZnOのうち少なくとも1種以上を混合した絶縁膜
    からなることを特徴とする磁気ヘッド。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291915A (ja) * 2000-02-11 2001-10-19 Headway Technologies Inc 磁気抵抗センサ素子およびその製造方法
US7244368B2 (en) 2002-03-29 2007-07-17 Fujitsu Limited Manufacturing process of a magnetic head, magnetic head, pattern formation method

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