JPH09128712A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH09128712A JPH09128712A JP30355295A JP30355295A JPH09128712A JP H09128712 A JPH09128712 A JP H09128712A JP 30355295 A JP30355295 A JP 30355295A JP 30355295 A JP30355295 A JP 30355295A JP H09128712 A JPH09128712 A JP H09128712A
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- Japan
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- film
- electrode
- insulating film
- head
- magnetoresistive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】下部シ−ルド膜上に形成される絶縁膜や電極膜
の破断を阻止することができる磁気抵抗効果型ヘッドを
提供する。 【解決手段】基板２上に下部シ−ルド膜３、絶縁膜４、
磁気抵抗効果素子２２及び電極膜６等を全面的或いは部
分的に積層してなる磁気抵抗効果型ヘッド２０におい
て、上記下部シ−ルド膜の電極引き出し方向１９の端部
の下部シ−ルド膜及び埋め込み絶縁膜２１表面を平坦化
する。これにより、磁気抵抗効果素子２２の形成の際の
イオンエッチングで絶縁膜４が極端に薄くなるのを防止
することができる。また平坦な上に電極膜６を形成する
ので均一な厚さの膜となる。これらにより破断が発生す
ることを大幅に軽減することが可能となる。
の破断を阻止することができる磁気抵抗効果型ヘッドを
提供する。 【解決手段】基板２上に下部シ−ルド膜３、絶縁膜４、
磁気抵抗効果素子２２及び電極膜６等を全面的或いは部
分的に積層してなる磁気抵抗効果型ヘッド２０におい
て、上記下部シ−ルド膜の電極引き出し方向１９の端部
の下部シ−ルド膜及び埋め込み絶縁膜２１表面を平坦化
する。これにより、磁気抵抗効果素子２２の形成の際の
イオンエッチングで絶縁膜４が極端に薄くなるのを防止
することができる。また平坦な上に電極膜６を形成する
ので均一な厚さの膜となる。これらにより破断が発生す
ることを大幅に軽減することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装
置、或いはＶＴＲ等の磁気テ−プ装置用の再生専用ヘッ
ド等として用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
置、或いはＶＴＲ等の磁気テ−プ装置用の再生専用ヘッ
ド等として用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置の記録密度向上により、例
えば磁気ディスク装置或いはＶＴＲ等の磁気テ−プ装置
においては、狭トラック化、狭ギャップ化、低相対速度
化が進行しているが、そのような条件下でも高いＳ／Ｎ
比で信号検出が可能な再生専用ヘッドが望まれている。
このような要求に応じて、従来の誘導型磁気ヘッドに代
わり磁気抵抗効果型ヘッドが開発されて、有望視されて
いる。
えば磁気ディスク装置或いはＶＴＲ等の磁気テ−プ装置
においては、狭トラック化、狭ギャップ化、低相対速度
化が進行しているが、そのような条件下でも高いＳ／Ｎ
比で信号検出が可能な再生専用ヘッドが望まれている。
このような要求に応じて、従来の誘導型磁気ヘッドに代
わり磁気抵抗効果型ヘッドが開発されて、有望視されて
いる。
【０００３】このような磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
も狭ギャップ化は必要不可欠であり、例えばシ−ルドタ
イプの磁気抵抗効果型ヘッドの狭ギャップ化を図るため
には絶縁膜や電極膜を薄くしなければならないが、一方
シ−ルドはその効果を発揮するためにはある程度の厚
み、例えば１μｍ程度の厚みが必要であり、絶縁膜や電
極がシ−ルド後方の大きな段差を乗り越えて良好な絶縁
性や導電性をそれぞれ保持しなければならない。
も狭ギャップ化は必要不可欠であり、例えばシ−ルドタ
イプの磁気抵抗効果型ヘッドの狭ギャップ化を図るため
には絶縁膜や電極膜を薄くしなければならないが、一方
シ−ルドはその効果を発揮するためにはある程度の厚
み、例えば１μｍ程度の厚みが必要であり、絶縁膜や電
極がシ−ルド後方の大きな段差を乗り越えて良好な絶縁
性や導電性をそれぞれ保持しなければならない。
【０００４】ここで従来の磁気抵抗効果型ヘッドの構造
を図３に基づいて説明する。図示するように従来の磁気
抵抗効果型ヘッド１は基板上に他の膜と比較して厚い所
定形状の下部シ−ルド膜３を形成し、この上に絶縁膜４
を形成し、更に、一端部側に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）５を設けて構成される。更に全体に渡って電極膜６
を積層して構成されている。そして、下部シ−ルド膜の
端部を越えて上記絶縁膜４や電極膜６は成膜されてお
り、これにより信号を取り出すようになっている。尚、
図示されていないが、電極膜６の上には上部シ−ルド膜
等も積層される。
を図３に基づいて説明する。図示するように従来の磁気
抵抗効果型ヘッド１は基板上に他の膜と比較して厚い所
定形状の下部シ−ルド膜３を形成し、この上に絶縁膜４
を形成し、更に、一端部側に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）５を設けて構成される。更に全体に渡って電極膜６
を積層して構成されている。そして、下部シ−ルド膜の
端部を越えて上記絶縁膜４や電極膜６は成膜されてお
り、これにより信号を取り出すようになっている。尚、
図示されていないが、電極膜６の上には上部シ−ルド膜
等も積層される。
【０００５】しかし、磁気抵抗効果型ヘッド１の作製工
程において、下部シ−ルド膜３の端部の略垂直形状の段
差部分７における絶縁膜４の厚さや電極膜６の厚さは非
常に薄く断線等が起こりやすかった。そこで、上記問題
点を解決するために、本出願人は特開平７−１４１６３
０で開示した構造を提案した。その構造を図４に示す。
この磁気抵抗効果型ヘッド１０は、基板１上に比較的厚
さの大きな下部シ−ルド膜３及び比較的厚さの薄い第１
の絶縁膜４を順次積層し、この上の一端部即ち電極引き
出し方向とは反対側（前方ギャップ部）に磁気抵抗効果
素子５を設け、更にこの上に全体に渡って電極膜４を積
層させて、これを上記磁気抵抗効果素子５と導通させて
いる。下部シ−ルド膜３上に形成される第１の絶縁膜４
の厚さが各部分で均一になるように、下部シ−ルド膜３
の電極引き出し方向の端部は傾斜させてある。さらに、
第２の絶縁膜１１を形成し、この上の必要部分に比較的
膜厚の厚い上部シ−ルド膜１２を積層してある。また磁
気抵抗効果素子５にソフトアジャセントレイヤ−バイア
スＭＲ素子（ＳＡＬ素子）を用いたものもある。
程において、下部シ−ルド膜３の端部の略垂直形状の段
差部分７における絶縁膜４の厚さや電極膜６の厚さは非
常に薄く断線等が起こりやすかった。そこで、上記問題
点を解決するために、本出願人は特開平７−１４１６３
０で開示した構造を提案した。その構造を図４に示す。
この磁気抵抗効果型ヘッド１０は、基板１上に比較的厚
さの大きな下部シ−ルド膜３及び比較的厚さの薄い第１
の絶縁膜４を順次積層し、この上の一端部即ち電極引き
出し方向とは反対側（前方ギャップ部）に磁気抵抗効果
素子５を設け、更にこの上に全体に渡って電極膜４を積
層させて、これを上記磁気抵抗効果素子５と導通させて
いる。下部シ−ルド膜３上に形成される第１の絶縁膜４
の厚さが各部分で均一になるように、下部シ−ルド膜３
の電極引き出し方向の端部は傾斜させてある。さらに、
第２の絶縁膜１１を形成し、この上の必要部分に比較的
膜厚の厚い上部シ−ルド膜１２を積層してある。また磁
気抵抗効果素子５にソフトアジャセントレイヤ−バイア
スＭＲ素子（ＳＡＬ素子）を用いたものもある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、特開平７−
１４１６３０で開示された磁気抵抗効果ヘッドの作製工
程において、第１の絶縁膜４上に磁気抵抗効果素子５、
交換結合膜１４、シャントバイアス膜１５を積層後、そ
の上部１３にフォトレジスト等でパタ−ンニングを行
い、、イオンエッチングし、所定形状を得ている。この
イオンエッチングの際、所定形状以外の磁気抵抗効果素
子５、交換結合膜１４、シャントバイアス膜１５を積層
した膜をイオンエッチング除去するためにオ−バ−エッ
チングを行うので第１の絶縁膜４の一部もエッチングし
てしまっている。第１の絶縁膜の厚さは平坦部１８と傾
斜面１７では傾斜面１７の方が薄く形成される傾向にあ
るので上記イオンエッチング後は傾斜面１７上の第１の
絶縁膜４は更に薄くなる。数百Ａのイオンエッチングレ
−トの制御は難しく、オ−バ−エッチングし過ぎてしま
うと、傾斜面１７上で、電極膜６と下シ−ルド膜３がシ
ョ−トしてしまうことがある。
１４１６３０で開示された磁気抵抗効果ヘッドの作製工
程において、第１の絶縁膜４上に磁気抵抗効果素子５、
交換結合膜１４、シャントバイアス膜１５を積層後、そ
の上部１３にフォトレジスト等でパタ−ンニングを行
い、、イオンエッチングし、所定形状を得ている。この
イオンエッチングの際、所定形状以外の磁気抵抗効果素
子５、交換結合膜１４、シャントバイアス膜１５を積層
した膜をイオンエッチング除去するためにオ−バ−エッ
チングを行うので第１の絶縁膜４の一部もエッチングし
てしまっている。第１の絶縁膜の厚さは平坦部１８と傾
斜面１７では傾斜面１７の方が薄く形成される傾向にあ
るので上記イオンエッチング後は傾斜面１７上の第１の
絶縁膜４は更に薄くなる。数百Ａのイオンエッチングレ
−トの制御は難しく、オ−バ−エッチングし過ぎてしま
うと、傾斜面１７上で、電極膜６と下シ−ルド膜３がシ
ョ−トしてしまうことがある。
【０００７】また、傾斜面１７上の電極膜６の厚さも平
坦部１８と傾斜面１７では傾斜面１７の方が薄く形成さ
れる傾向にあり、電極膜６の一部が断線してしまうこと
がある。磁気抵抗素子５にＳＬＡ素子を用いた場合も同
様である。このため、歩留まり低下の原因ともなってい
た。本発明は以上のような問題点に着目し、これを有効
に解決すべく草案されたものであり、その目的は下部シ
−ルド膜上に形成される絶縁膜や電極膜の破断を阻止す
ることができる磁気抵抗効果型ヘッドを提供することに
ある。
坦部１８と傾斜面１７では傾斜面１７の方が薄く形成さ
れる傾向にあり、電極膜６の一部が断線してしまうこと
がある。磁気抵抗素子５にＳＬＡ素子を用いた場合も同
様である。このため、歩留まり低下の原因ともなってい
た。本発明は以上のような問題点に着目し、これを有効
に解決すべく草案されたものであり、その目的は下部シ
−ルド膜上に形成される絶縁膜や電極膜の破断を阻止す
ることができる磁気抵抗効果型ヘッドを提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明になる磁気抵抗効
果型ヘッドは、基板上に形成した下部シ−ルド膜上に絶
縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、この磁気抵抗
効果素子に接続された電極膜を上部シ−ルド膜で挟持し
て形成してなる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記下部
シ−ルド膜の電極引き出し方向の端部が下部シ−ルド膜
と平行となるように形成するようにしたことを特徴とす
る。本発明は、以上のように構成したので、イオンエッ
チングとフォトレジストを用いて磁気抵抗効果素子を形
成の際イオンエッチングの異方性がなくなるので絶縁膜
が極端に薄くなってしまうことを防止できる。また、平
坦な上に電極膜が形成されるので均一な厚さが保たれ
る。従って、この部分における絶縁膜や電極膜の破断を
大幅に抑制することが可能となる。
果型ヘッドは、基板上に形成した下部シ−ルド膜上に絶
縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、この磁気抵抗
効果素子に接続された電極膜を上部シ−ルド膜で挟持し
て形成してなる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記下部
シ−ルド膜の電極引き出し方向の端部が下部シ−ルド膜
と平行となるように形成するようにしたことを特徴とす
る。本発明は、以上のように構成したので、イオンエッ
チングとフォトレジストを用いて磁気抵抗効果素子を形
成の際イオンエッチングの異方性がなくなるので絶縁膜
が極端に薄くなってしまうことを防止できる。また、平
坦な上に電極膜が形成されるので均一な厚さが保たれ
る。従って、この部分における絶縁膜や電極膜の破断を
大幅に抑制することが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係わる磁気抵抗効
果型ヘッドの一実施例を添付図面に基づいて説明する。
図１は本発明に係わる磁気抵抗効果型ヘッドの一例を示
す拡大断面図、図２は図１に示すヘッドの製造工程図で
ある。尚、従来のヘッド構造と同一部分については同一
符号を付す。
果型ヘッドの一実施例を添付図面に基づいて説明する。
図１は本発明に係わる磁気抵抗効果型ヘッドの一例を示
す拡大断面図、図２は図１に示すヘッドの製造工程図で
ある。尚、従来のヘッド構造と同一部分については同一
符号を付す。
【００１０】図１に示すようにこの磁気抵抗効果型ヘッ
ド２０は下地絶縁膜２３が形成された基板２上に比較的
厚さの厚い下部シ−ルド膜３及び比較的厚さの薄い第１
の絶縁膜４を順次積層し、この上の一端部すなわち電極
引き出し方向１９とは反対側（前方ギャップ部）に磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）２２を設け、更に全体に渡っ
て電極膜４を積層させてこれを上記磁気抵抗効果素子２
２と導通させている。下部シ−ルド膜３の電極引き出し
方向１９には第１の絶縁膜４及び電極膜６が平坦になる
ように下部シ−ルド膜３による断差をなくし、電極との
接触が起こらないように埋め込み絶縁膜２１が下部シ−
ルド層３と同一平面となるように形成されている。尚、
このヘッドのトラック幅は、図中紙面垂直方向に形成さ
れるもう１つの電極膜（図示せず）との間隔、即ち一対
の電極膜の間隔で規定される。そして、更に第２の絶縁
膜１１を形成し、この上の必要部分に比較的膜厚の厚い
上部シ−ルド層１２を積層させる。ここで、電極膜４及
びこれを挟み込む第１及び第２の絶縁膜４、１１は、絶
縁性を保持したまま信号を取り出す必要から電極引き出
し方向１９即ち後方ギャップ側に延びている。
ド２０は下地絶縁膜２３が形成された基板２上に比較的
厚さの厚い下部シ−ルド膜３及び比較的厚さの薄い第１
の絶縁膜４を順次積層し、この上の一端部すなわち電極
引き出し方向１９とは反対側（前方ギャップ部）に磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）２２を設け、更に全体に渡っ
て電極膜４を積層させてこれを上記磁気抵抗効果素子２
２と導通させている。下部シ−ルド膜３の電極引き出し
方向１９には第１の絶縁膜４及び電極膜６が平坦になる
ように下部シ−ルド膜３による断差をなくし、電極との
接触が起こらないように埋め込み絶縁膜２１が下部シ−
ルド層３と同一平面となるように形成されている。尚、
このヘッドのトラック幅は、図中紙面垂直方向に形成さ
れるもう１つの電極膜（図示せず）との間隔、即ち一対
の電極膜の間隔で規定される。そして、更に第２の絶縁
膜１１を形成し、この上の必要部分に比較的膜厚の厚い
上部シ−ルド層１２を積層させる。ここで、電極膜４及
びこれを挟み込む第１及び第２の絶縁膜４、１１は、絶
縁性を保持したまま信号を取り出す必要から電極引き出
し方向１９即ち後方ギャップ側に延びている。
【００１１】本実施例においては上記基板２としてはＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣを用い、下部シ−ルド膜３及び上部シ
−ルド膜１２としては厚さ１μｍのＣｏ系非晶質合金膜
を用いている。また、第１及び第２の絶縁膜４、１１と
してはそれぞれ厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2 を用いた。更
に、磁気抵抗効果素子２２としては膜厚が２００オング
ストロ−ムのパーマロイ膜を用いている。また、このヘ
ッドのトラック幅は前述のように一対の電極膜の間隔で
規定され、本実施例では例えば３μｍに規定される。
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣを用い、下部シ−ルド膜３及び上部シ
−ルド膜１２としては厚さ１μｍのＣｏ系非晶質合金膜
を用いている。また、第１及び第２の絶縁膜４、１１と
してはそれぞれ厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2 を用いた。更
に、磁気抵抗効果素子２２としては膜厚が２００オング
ストロ−ムのパーマロイ膜を用いている。また、このヘ
ッドのトラック幅は前述のように一対の電極膜の間隔で
規定され、本実施例では例えば３μｍに規定される。
【００１２】次に、本実施例の磁気抵抗効果型ヘッド２
０の製造工程について図２に基づいて説明する。あらか
じめ下地絶縁層２３が形成された基板２上に下部シ−ル
ド膜３となるＣｏ系非晶質合金膜をスパッタにより、形
成後、フォトリソグラフィ−とイオンミ−リング法によ
り所定のパタ−ンに形成する。（図２ａ）次に、下部シ
−ルド膜３及び下地絶縁膜２３上にＳｉＯ2 をスパッタ
により、下部シ−ルド層よりも１μｍ程度厚く埋め込み
用絶縁膜２１を形成する。（図２ｂ） その後、機械研磨により下部シ−ルド膜３の表面が露出
するまで研磨し、表面の平坦化を行う。（図２ｃ） 更に、１５００オングストロ−ム厚の第１の絶縁膜４を
形成する。このように、第１の絶縁膜４は平坦化した表
面の上に形成されるので角度依存による異方性スパッタ
リングがされず、厚さバラツキがなく均一な厚さの膜を
形成することができる。引き続いて磁気抵抗効果素子２
２を形成する。磁気抵抗効果素子２２のフォトレジスト
によるパタ−ニングは下部シ−ルド膜３上にあり、電極
引き出し方向１９とは反対側（前方ギャップ部）に設け
て行う。
０の製造工程について図２に基づいて説明する。あらか
じめ下地絶縁層２３が形成された基板２上に下部シ−ル
ド膜３となるＣｏ系非晶質合金膜をスパッタにより、形
成後、フォトリソグラフィ−とイオンミ−リング法によ
り所定のパタ−ンに形成する。（図２ａ）次に、下部シ
−ルド膜３及び下地絶縁膜２３上にＳｉＯ2 をスパッタ
により、下部シ−ルド層よりも１μｍ程度厚く埋め込み
用絶縁膜２１を形成する。（図２ｂ） その後、機械研磨により下部シ−ルド膜３の表面が露出
するまで研磨し、表面の平坦化を行う。（図２ｃ） 更に、１５００オングストロ−ム厚の第１の絶縁膜４を
形成する。このように、第１の絶縁膜４は平坦化した表
面の上に形成されるので角度依存による異方性スパッタ
リングがされず、厚さバラツキがなく均一な厚さの膜を
形成することができる。引き続いて磁気抵抗効果素子２
２を形成する。磁気抵抗効果素子２２のフォトレジスト
によるパタ−ニングは下部シ−ルド膜３上にあり、電極
引き出し方向１９とは反対側（前方ギャップ部）に設け
て行う。
【００１３】次にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを蒸着、１２００オ
ングストロ−ム厚の電極膜６を形成する。（図２ｄ） このようにしてイオンエッチングを行うので、磁気抵抗
効果素子２２以外の部分を完全に除去するためにオ−バ
−エッチングしても第１の絶縁膜４の膜厚が均一なため
薄くなり過ぎて電極膜６と下地シ−ルド膜３がショ−ト
することがない。また同様に電極膜６も薄くなり過ぎて
断線することがない。更に、全体に第２の絶縁膜１１を
形成し、この上の必要部分に厚い膜厚の上部シ−ルド膜
１２を積層する。
ングストロ−ム厚の電極膜６を形成する。（図２ｄ） このようにしてイオンエッチングを行うので、磁気抵抗
効果素子２２以外の部分を完全に除去するためにオ−バ
−エッチングしても第１の絶縁膜４の膜厚が均一なため
薄くなり過ぎて電極膜６と下地シ−ルド膜３がショ−ト
することがない。また同様に電極膜６も薄くなり過ぎて
断線することがない。更に、全体に第２の絶縁膜１１を
形成し、この上の必要部分に厚い膜厚の上部シ−ルド膜
１２を積層する。
【００１４】このように構成されたヘッドにあっては、
平坦化された下部シ−ルド層３及び埋め込み絶縁層２１
上に第１の絶縁膜４を形成しているので、イオンエッチ
ングの異方性がないので磁気抵抗効果素子２２を形成時
の際オ−バ−エッチングしても極端に薄くなってしまう
箇所がない。また電極膜６は平坦な第１の絶縁膜４の上
に形成されるので均一な厚さの膜が成膜される。従っ
て、電極引き出し方向の絶縁膜４、１１の絶縁不良や電
極膜６の断線の発生を大幅に抑制することができる。な
お、上記実施形態に示した磁気抵抗効果素子２２はアニ
ソトロピ−ＭＲ素子、ジャイアントＭＲ素子、スピンバ
ルブＭＲ素子等を含むことは当然のことである。
平坦化された下部シ−ルド層３及び埋め込み絶縁層２１
上に第１の絶縁膜４を形成しているので、イオンエッチ
ングの異方性がないので磁気抵抗効果素子２２を形成時
の際オ−バ−エッチングしても極端に薄くなってしまう
箇所がない。また電極膜６は平坦な第１の絶縁膜４の上
に形成されるので均一な厚さの膜が成膜される。従っ
て、電極引き出し方向の絶縁膜４、１１の絶縁不良や電
極膜６の断線の発生を大幅に抑制することができる。な
お、上記実施形態に示した磁気抵抗効果素子２２はアニ
ソトロピ−ＭＲ素子、ジャイアントＭＲ素子、スピンバ
ルブＭＲ素子等を含むことは当然のことである。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
効果型ヘッドによれば次のように優れた作用効果を発揮
することができる。下部シ−ルド層の電極引き出し方向
の端部を下部シ−ルド膜と平行になるようにしたのでこ
の上に積層される絶縁膜や電極膜が極端に薄くなること
を防止することができる。従って、絶縁膜の絶縁不良や
電極膜の断線等を大幅になくすことができ、歩留まりを
改善することができる。
効果型ヘッドによれば次のように優れた作用効果を発揮
することができる。下部シ−ルド層の電極引き出し方向
の端部を下部シ−ルド膜と平行になるようにしたのでこ
の上に積層される絶縁膜や電極膜が極端に薄くなること
を防止することができる。従って、絶縁膜の絶縁不良や
電極膜の断線等を大幅になくすことができ、歩留まりを
改善することができる。
【図１】本発明に係わる磁気抵抗効果型ヘッドの一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】図１に示すヘッドの製造工程図である。
【図３】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの一部を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の他の磁気抵抗効果型ヘッドの一部を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
２…基板 ３…下部シ−ルド膜 ４…絶縁膜（第１の絶縁膜） ５、２２…磁気抵抗効果素子 ６…電極膜 １１…絶縁膜（第２の絶縁膜） １２…上部シ−ルド膜 １９…電極引き出し方向 ２０…磁気抵抗効果型ヘッド ２１…埋め込み絶縁層 ２３…下地絶縁層
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成した下部シ−ルド膜上に絶縁
膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、この磁気抵抗効
果素子に接続された電極膜を上部シ−ルド膜で挟持して
形成してなる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記下部シ−ルド膜の電極引き出し方向の端部が下部シ
−ルド膜と平行となるように形成するようにしたことを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30355295A JPH09128712A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30355295A JPH09128712A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09128712A true JPH09128712A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17922390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30355295A Pending JPH09128712A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09128712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7548400B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-06-16 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction |
| WO2011005914A1 (en) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensor with composite magnetic shield |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP30355295A patent/JPH09128712A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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