KR100203612B1 - 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법 - Google Patents
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Abstract
자기 저항 효과형 헤드는 자기 저항 효과막 및 자계인가막을 포함한다. 자기 저항 효과막은 외부 자계를 감지하는 중앙 영역에 형성된다. 자계인가막은 자기 저항 효과막의 자기 영역을 제어하기 위해, 중앙 영역을 사이에 끼고 배치된 한 쌍의 단부 영역에 형성된다. 자계인가막은 자기 저항 효과막과 접촉하지 않고 자기 저항 효과막에 인접하게 형성된다.
Description
제1도는 본 발명에 따른 자기 저항 효과형 헤드의 기본 구조를 도시하는 도면.
제2a도 내지 제2e도는 본 발명의 실시예에 따른 자기 저항 효과형 헤드와 그 제작 방법의 단계를 도시하는 단면도.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 자기 저항 효과형 헤드를 나타내는 단면도.
제4도는 종래의 자기 저항 효과형 헤드를 나타내는 단면도.
제5도는 본 발명에 따른 자기 저항 효과형 헤드의 저항과 외부인가 자계간의 관계를 종래의 자기 저항 효과형 헤드와 비교하여 도시한 그래프.
제6a도 및 제6b도는 본 발명에 따른 자기 저항 효과형 헤드와 종래의 자기저항 효과형 헤드간의 자기적 관계를 도시하는 도면.
제7a도 및 제7b도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기 저항 효과형 헤드와 그 제작 방법의 단계를 도시하는 단면도.
제8도는 종래의 자기 저항 효과형 헤드를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 중앙 영역 12a, 12b : 도전체
13a, 13b : 단부 영역 21, 31 : 연질 자성체막
32 : 자기 분리막 23 : 자기 저항 효과막
24 : 금속막 26, 36 : 자기 스페이서막
27, 47 : 경질 자성체막 28 : 전극막
63a, 63b : 자기 저항 효과막 67a, 67b : 경질 자성체막
71 : 연질 자성체막 72 : 자기 분리막
73 : 자기 저항 효과막 76 : 자기 스페이서막
77 : 연질 자성체막 78 : 반강자성체막
79 : 전극막
본 발명은 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 외부 자계에 대하여 고감도를 갖고 있는 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
자기 기록 기기의 소형 대용량화에 따라 자기 기록 기술의 고밀도화가 급속히 진전되고 있다. 자기 저항 효과(MR 효과)를 이용한 재생 헤드(MR 헤드)와 관련한 기술은 자기 저항 효과형 헤드가 높은 재생 출력을 내기 때문에 자기 기록의 고밀도화를 증진시키기 위한 주요한 기술 중의 하나이다. 이러한 MR 헤드에 대해서는 IEEE Trans.Magn.MAG-7(1971) 150에서 알.피.헌트(R.P.Hunt)에 의해 자기 저항 판독 변환기(magnetoresistive readout transducer)로서 논의되고 있다.
한편, MR 헤드에서는 바크하우젠(Barkhausen) 노이즈를 방지하기 위해, 외부 자계에 대한 자기 감지부로서 작용하는 자기 저항 효과막(주로, Ni-Fe막)에 자기 영역 제어를 위한 일방향성 자계를 인가할 필요가 있다. 자기 저항 효과막에 일방향성 자계를 인가하는 방법 중에서, 자기 저항 효과막으로서 작용하는 Ni-Fe막의 자기 감지부의 양단부에 Fe-Mn막 등의 반강자성막을 형성하고, Ni-Fe막과 반강자성막간의 교환 결합에 의해 발생되는 일방향성 자계에 의해 자기 감지부에 자계를 인가하는 방법이 미합중국 특허 제4,103,315호에 기재되어 있다. 또, 자기 감지부로서 작용하는 Ni-Fe막의 양단부에 형성된 경질 자성체막을 자화함으로써 발생되는 일방향성 자계에 의해 자기 감지부에 자계를 인가하는 방법이 일본 특허 공개공보 제3-125311호에 기재되어 있다.
미합중국 특허 제4,103,315호에 기재된 구조에 따르면, Ni-Fe막 및 자기 감지부는, 반강자성막이 형성되고 자기 영역을 제어하기 위한 일방향성 자계가 발생되는 부분에까지 연속적으로 형성되어 있다. 반강자성막이 형성되고, 자기 감지부에 일방향성 자계가 인가되면, 자기 감지부의 Ni-Fe막이 반강자성막에 의해 자화되는 부분의 Ni-Fe막과 접속되기 때문에, 자기 감지부의 양단의 자화가 교환 결합에 의해 고정되고, 외부 자계에 대하여 감도가 저하된다.
일본국 특허 공개공보 제3-125311에 기재된 구조에 따르면, Ni-Fe막과 그 양단에 배치된 경질 자성체막이 접촉하기 때문에 접촉부의 Ni-Fe막의 자화가 자기적인 결합에 의해 고정되고, 외부 자계에 대하여 감도가 저하된다.
경질 자성체막을 사용하여 상술한 자계를 인가하는 방법은 일본국 특허 공개 공보 제5-94605에도 기재되어 있다. 그러나, 이 방법은, 경질 자성체막이 자기 감지부의 Ni-Fe막을 사이에 끼고 경질 자성체막의 자속을 직접 Ni-Fe막에 인가하는 것이 아니라, 경질 자성체막의 자속이 자기 감지부의 양단의 Ni-Fe막을 자화하는 것에 의해 자기 감지부의 Ni-Fe막에 자계를 인가하는 방법이기 때문에, 일본국 특허 공보 제3-125311호의 구조에서와 같이, 자기 감지부의 양단의 Ni-Fe막의 자화는 자기 결합에 의해 고정되고, 외부 자계에 대하여 감도가 저하된다.
본 발명의 목적은 자기 영역을 제어하기 위한 일방향성 자계를 인가할 때 자기 감지부와 경질 자성체막간의 접촉부의 교환 결합에 의한 자화의 고착을 제거하여 외부 자계에 대한 자기 저항 효과막의 감도를 향상시키는 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 상술한 목적을 달성하기 위해, 자기 저항 효과형 헤드는, 외부 자계를 감지하기 위해 중앙 영역에 형성된 자기 저항 효과막과, 자기 저항 효과막의 자기 영역을 제어하기 위해 상기 중앙 영역을 사이에 끼고 배치된 한 쌍의 단부 영역에 형성된 자계인가막을 포함하고 있으며, 상기 자계인가막은 자기 저항 효과막과 접촉하지 않고기 저항 효과막에 인접하게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
제1도는 본 발명에 따른 자기 저항 효과형 헤드의 기본 구조이다. 외부 자계를 감지하기 위한 중앙 영역(11)은 자기 저항 효과막을 포함하고 있다. 이 중앙영역(11)은, 도전체(12a, 12b)를 통해 단부 영역(13a, 13b)와 인접하고 있다. 자기 영역을 제어하기 위한 일방향성 자계를 발생시키는 자계인가막은 단부 영역(13a, 13b) 각각에 형성된다. 2개의 자계인가막 각각은 경질 자성체막, 혹은 연질 자성체막과 반강자성막으로 구성되는 적층 구조체막이 바람직하다. 연질 자성체막과 반강자성체막으로 구성되는 적층 구조체막으로서는, 연질 자성체막이 주성분으로서 Ni-Fe를 포함하고, 반강자성체막이 Mn을 포함하는 적층 구조체막과, 연질 자성체막이 Ni-Fe를 주성분으로 하고, 반강자성체막이 Ni 혹은 Co를 포함하는 산화물로 이루어진 적층 구조체막, 혹은 연질 자성체막이 Ni-Fe를 주성분으로 하고, 반강자성체막이 희토류 금속을 포함하는 적층 구조체막을 들 수 있다. 중앙 영역(11)을 단부 영역(13a, 13b)으로부터 자기적으로 분리시키기 위한 도전체(12a, 12b)로서는, 두께가 5nm 이상, 70nm 이하의 Cr막, 혹은 두께가 5nm 이상, 70nm 이하의 Ta막이 사용된다.
제2a도 내지 제2e도는 본 발명의 실시예에 따른 자기 저항 효과형 헤드와 그 제작 방법의 단계를 도시한다.
제2a도에 도시한 바와 같이, 세라믹 기판(20)상의 스퍼터링(Sputtering) 방법에 의해, 연질 자성체막(21), 자기 분리막(22), 및 자기 저항 효과막(23)으로 구성되는 3층 구조체막이 형성된다. 연질 자성체막은, CO-Zr-Mo 아모포스막이며 막 두께는 35nm이고, 자기 분리막은 Ta막이며 막 두께는 20nm이고, 자기 저항 효과막은 Ni-Fe막이며 막 두께는 20nm이다. 250nm두께의 금속막(24)은 최종의 적층막상에 형성된다. 여기서는 Cu막이 금속막(24)으로서 사용되었다. 마지막으로, Cu막(24)상에 포토레지스트(PR)막(25)을 1㎛두께로 형성하고 소정의 형상의 스텐실(stencil)로서 패턴화한다.
제2b도에 도시한 바와 같이, 최종의 구조물을 Cu 부식액(etchant)에 담가, Cu막(24)을 애칭하여 Cu막(24)으로 구성되는 마스크를 대형 마스크로서 작용하는 PR막의 폭보다 작은 폭을 갖도록 형성한다. 보다 구체적으로, 중앙 영역(11)과 단부 영역(13a, 13b)간의 결합부의 모양을 자유롭게 제어할 수 있도록, 포토레지스트막(25)과 Cu막(24)으로 구성되는 2개층의 구조물을 마스크가 갖도록 하고, 하부의 Cu막(24)은 상부의 포토레지스트(25)에 비하여 안쪽으로 도려내어진다(일본국 특허 공개공보 제3-125311호 참조). 에칭 시간은 PR막(25)의 단부와 Cu막의 벽간의 거리가 약 1㎛정도가 되도록 조정된다.
제2c도에 도시한 바와 같이, 이온 밀링(ion milling)에 의해 제1도에 도시한 단부 영역(13a, 13b)에 대응하는 3층 구조체의 막이 마스크 폭의 외측 범위에서도 제거된다. 이때, 이온의 수직 입사 각도를 사각(斜角)으로 변화시켜서 밀링에 의해 제거되지 않고 남아 있는 부분의 측벽을 테이퍼(taper)형으로 만든다. 이러한 테이퍼형 벽에 의하여 이후에 형성되게 되는 경질 자성체막(27)과 전극막(28)간의 전기적 결합을 양호하게 할 수 있다.
제2d도에 도시한 바와 같이, 스퍼터링 방법에 의하여 자기 스페이서막(26), 경질 자성체막(27), 및 전극막(28)을, 단부 영역(13a, 13b)에 대응하는 3층 구조막이 제거된 세라믹 기판(20)상에 순차적으로 형성한다. 자기 스페이서막(26), 경질 자성체막(27), 및 전극막(28)으로는 막 두께가 각각 10nm인 Cr막, 막 두께가 각각 40nm인 Co-Cr-Tr막, 그리고 막 두께가 각각 100nm인 W막이 각기 형성되었다. 자기 스페이서막(26)은 비자성의 저비저항 박막이 사용될 수 있으며, 자기 스페이서막(26)의 테이퍼형 부분은 제1도에 도시한 도전체(12a, 12b)의 대응하는 것을 구성한다. 자기 스페이서막(26)의 두께는 연속적인 박막을 얻도록 5nm이상인 것이 좋으며, 자기 저항 효과막(23)과 경질 자성체막(27)간에 큰 단차(large step difference)가 생기지 않는 70nm이하인 것이 좋다.
제2e도에 도시한 바와 같이, Cu막(24)을 제2a도에서 사용된 부식액으로 에칭하여 Cu막(24)과 포토레지스트막(25)으로 구성된 마스크를 제거하여 소망의 패턴을 얻는다.
비교예로서 자기 스페이서막(26)을 형성하지 않은 것 외에는 제2a도 내지 제2e도와 동일한 단계로 종래의 자기 저항 효과형 헤드를 제작했다.
상술한 단계로 형성된 소자와 종래의 소자를 제3도 및 제4도에 각각 도시하였다. 본 발명에 따른 소자에 있어서, 자기 스페이서막(36)은 자계를 인가하기 위한 경질 자성체막(37)으로부터 자기 저항 효과막(33)을 자기적으로 분리한다. 이것에 대하여, 종래의 소자에서는 자기 저항 효과막(43)과 경질 자성체막(47)이 서로 자기적으로 결합된다. 도면 참조 번호(31, 41)는 각각 연질 자성체막을 나타내며, 도면 참조번호(32, 42)는 각각 자기 분리막을 나타낸다.
제5도는 본 발명의 소자(A)와 종래 소자(B)의 저항(R)과 외부인가 자계(H)와의 관계를 나타낸다. 본 발명의 소자의 저항 변화는 다음의 이유로 인해 종래의 소자의 저항 변화보다 크다. 즉, 제6a도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 소자에서는 경질 자성체막(67a)과 자기 저항 효과막(63a) 사이에 자기 스페이스(magnetic space)가 있기 때문에, 자기 저항 효과막(63a)과 경질 자성체막(67a)간에 교환 결합이 발생되지 않고, 자기 저항 효과막(63a)은 외부 자계에 의해 민감하게 자화될 수 있기 때문이다. 이와 대조적으로, 제6b도에 도시한 바와 같이, 종래의 소자에서는, 경질 자성체막(67b)과 자기 저항 효과막(63b) 사이에 자기 스페이서가 없기 때문에, 자기 저항 효과막(636)과 경질 자성체막(676) 사이에 교환 결합이 발생되어, 자기 저항 효과막(63b)이 외부 자계에 민감하게 반응하지 않기 때문이다. 이상의 결과, 제3도에 도시한 본 발명의 자기 저항 효과형 헤드에서는 제4도에 도시한 종래의 헤드에 비하여 2dB 높은 출력을 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서는, 연질 자성체막(21)으로서 Co-Zr-Mo막뿐만 아니라, Co를 주성분으로 하는 아모포스막, 혹은 Ni-Fe-M(M은 Rh, Pd, Nb, Zr, Ta, Hf, Al, Pt, Au, Cr, Mo, W, 및 Si로부터 선택된 적어도 하나의 원소)이 사용될 수 있다. 자기 분리막(22)은 Ta뿐만 아니라, Ti, Zr, W 및 Nb로부터 선택된 하나의 원소 또는 2 또는 그 이상의 원소로 구성될 수 있다. 자기 저항 효과막(23)으로서는 Ni-Fe막뿐만 아니라 Ni-Fe-Co막이 사용될 수 있다. 이와 같은 경우에는 상술한 바와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 자기 스페이서막(26)의 물질로서는 Cr뿐만 아니라 W, Ta, Nb, Zr 등이 사용될 수 있다. 경질 자성체막(27)으로서는 Co-Cr-Ta막뿐만 아니라 Co-Cr막, Co-Cr-Pt막, Co-Cr-Pt-Ta막 등이 사용될 수 있고, 전극막(28)의 물질로서는 W뿐만 아니라 Ta, Au, Cu 등이 사용될 수 있다. 이와 같은 경우에 상술한 바와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
제7a도 및 제7b도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기 저항 효과형 헤드와 그 제작 방법의 단계를 나타내고 있다. 제7a도의 구조체는 제2a, 2b, 2c 및 2e도와 동일한 단계에 의해 제작된 것이다. 연질 자성체막(71), 자기 분리막(72), 및 자기 저항 효과막(73)으로 구성되는 3개층의 구조체막에 있어서, 연질 자성체막(71)은 Co-Zr-Mo 아모포스막으로서 막 두께는 35nm이며, 자기 분리막(72)은 Ta막으로서 막 두께는 20nm이며, 자기 저항 효과막(73)은 Ni-Fe막으로서 막 두께는 20nm이다. 3층 구조체막은 1㎛의 폭을 갖는다. 도면 참조 번호(76)는 자기 스페이서막을, 도면 참조 번호(77)는 연질 자성체막을, 도면 참조 번호(78)는 반강자성체막을, 그리고 도면 참조 번호(79)는 전극막을 각각 나타낸다. Ta막은 두께가 20nm이고, Ni-Fe막은 두께가 20nm이며, Fe-Mn막은 두께가 15nm이며, Ta막은 두께가 100nm로서 자기 스페이서막(76), 연질 자성체막(77), 반강자성체막(78), 및 전극막(79)으로서 각각 형성되었다. 자기 스페이서막(76)은 비자성의 저비저항의 박막이면 좋다. 자기 스페이서막(76) 각각은 연속적인 박막을 얻도록 두께가 5nm이상이면 좋고, 자기 저항 효과막(73)과 연질 자성체막(77)간에 큰 단차가 생기지 않도록 두께가 70nm이하이면 좋다.
마지막으로, 금속막(Cu)(74)을 에칭하여 마스크를 제거함으로써 제7b도에 도시한 구조물을 가진 소망의 소자를 얻었다.
비교예로서 자기 스페이서막을 형성하지 않은 것 이외에는 제7a도 및 제7b도와 동일한 단계를 통해 종래의 자기 저항 효과형 헤드를 제작했다.
제8도에는 상술한 단계에 의해 형성된 종래 소자의 구조물이 도시되어 있다.
제7b도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 소자에서는, 자기 스페이서막(76)이 자계를 인가하는 연질 자성체막(77)으로부터 자기 저항 효과막(73)을 분리한다. 이것에 대하여, 제8도에의 종래 소자에서는, 자기 저항 효과막(83)이 연질 자성체막(87)과 자기적으로 결합된다. 도면 참조 번호(81)는 연질 자성체막을, 도면 참조 번호(82)는 자기 분리막을 나타낸다. 이상의 결과로서, 제7b도에 도시한 본 발명의 자기 저항 효과형 헤드는 제8도에 도시한 종래 헤드보다 3dB 높은 출력을 얻는다.
제7a도 및 제7b도에 도시한 소자에 대하여, 반강자성체막(78)으로서 Ni-Mn막, Ni-O막, Co-O막, 혹은 Tb-Fe막이 사용될 때도 상술한 바와 같은 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 자기 저항 헤드에 있어서는, 외부 자계를 감지하는 영역의 자기저항 효과막과 이 막에 자계를 인가하는 자계인가막이 자기적으로 분리되어 있기 때문에, 교환 결합에 의한 제한을 받지 않고 외부 자계에 대한 감도를 높게 유지 할 수 있다.
Claims (15)
- 자기 저항 효과형 헤드에 있어서, 외부 자계를 감지하는 중앙 영영(11)에 형성된 자기 저항 효과막(23, 33, 73), 및 상기 자기 저항 효과막의 자기 영역(magnetic domain)을 제어하기 위해 상기 중앙 영역을 사이에 끼고 배치된 한 쌍의 단부 영역들(13a, 13b)에 형성된 자계인가막들(27, 37, 77, 78)을 구비하되, 상기 자계인가막들은 상기 자기 저항 효과막과 접촉하지 않고 상기 자기 저항 효과막에 인접하게 형성되며, 상기 자계인가막들 각각은 연질 자성체막(soft magnetic film)과 반강자성체막(antiferromagnetic film)으로 구성되는 적층 구조체막(77, 78)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 연질 자성체막은 Ni-Fe를 주성분으로서 포함하고, 상기 반강자성체막은 적어도 Mn을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 연질 자성체막은 Ni-Fe를 주성분으로서 포함하고, 상기 반강자성체막은 Ni 및 Co로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 연질 자성체막은 Ni-Fe를 주성분으로서 포함하고, 상기 반강자성체막은 적어도 희토류 금속(rare earth metal)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 자계인가막으로부터 상기 자기 저항 효과막을 자기적으로 분리하기 위해 상기 중앙 영역과 상기 단부 영역들 간에 형성된 자기 스페이서막들(12a, 12b, 26, 36, 76)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제5항에 있어서, 상기 자기 스페이서막들 각각은 도전체막(12a, 12b)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제6항에 있어서, 상기 도전체막은 5nm 이상 70nm 이하의 두께를 가진 Cr막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제6항에 있어서, 상기 도전체막은 5nm이상 70nm이하의 두께를 가진 Ta막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 자기 저항 효과형 헤드에 있어서, 세라믹 기판(20), 외부 자계를 감지하는 중앙 영역에 대응하는 상기 세라믹 기판 상에 연질 자성체막(21, 31, 71), 자기 분리막(22, 32, 72), 및 자기 저항 효과막(23, 33, 73)을 순차적으로 적층하여 얻은 3층 구조체막 - 이 3층 구조체막은 그 양 측벽 상에 테이퍼형 표면(tapered surfaces)을 가짐-, 적어도 상기 3층 구조체막의 테이퍼형 표면 상에 형성되는 자기 스페이서막들(26, 36, 76), 상기 중앙 영역을 사이에 끼고 서로 인접한 한 쌍의 단부 영역에 대응하는 상기 세라믹 기판 상에 형성되는 자계인가막들(27, 37, 77, 78), 및 상기 자계인가막들 상에 형성된 전극막들(28, 79)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제9항에 있어서, 상기 자계인가막들 각각은 경질 자성체막(27, 37)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 제9항에 있어서, 상기 자계인가막들 각각은 연질 자성체막과 반강자성체막으로 구성되는 적층구조체막(77, 78)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드.
- 자기 저항 효과형 헤드를 제작하는 방법에 있어서, 세라믹 기판(20) 상에 3층 구조체막을 구성하는 연질 자성체막(21, 31, 71), 자기 분리막(22, 32, 72), 및 자기 저항 효과막(23, 33, 73)을 순차적으로 적층하는 단계, 외부 자계를 감지하는 중앙 영역에 대응하는 상기 3층 구조체막 상에 레지스트막(25, 75)을 형성하는 단계, 상기 레지스트막을 마스크로서 사용함으로써 상기 중앙 영역을 사이에 끼고 배치되는 한 쌍의 단부 영역(13a, 13b)에 대응하는 상기 3층 구조체막을 제거하는 단계, 상기 레지스트막을 마스크로서 사용하여 상기 3층 구조체막이 제거된 상기 세라믹 기판 상에 그리고 상기 3층 구조체의 측벽 상에 자기 스페이서막들(26, 36, 76), 자계인가막들(27, 37, 77, 78), 및 전극막들(28, 29)을 적층하여 형성하는 및 상기 3층 구조체막으로부터 상기 레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드 제작 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 자계인가막들 각각은 경질 자성체막(27, 37)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드 제작 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 자계인가막들 각각은 연질 자성체막 및 반강자성체막(78)으로 구성되는 적층 구조체막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드 제작 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 레지스트막을 형성하는 단계는 상기 레지스트막의 하부를 도려내는 단계를 포함하고, 상기 3층 구조체막을 제거하는 단계는 이온 밀링에 의하여 상기 3층 구조체막을 제거하는 단계와 이온 밀링에 사용되는 이온의 입사 각도를 수직 방향으로부터 사각(斜角)으로 변화시켜서 상기 중앙 영역에 형성된 상기 3층 구조체막의 측벽 상에 테이퍼형 표면들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드 제작 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP94-222510 | 1994-08-24 | ||
| JP6222510A JPH0863716A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960008703A KR960008703A (ko) | 1996-03-22 |
| KR100203612B1 true KR100203612B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=16783567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950026068A KR100203612B1 (ko) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법 |
Country Status (2)
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|---|---|
| JP (1) | JPH0863716A (ko) |
| KR (1) | KR100203612B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674824B1 (ko) | 2004-12-08 | 2007-01-25 | 삼성전기주식회사 | 자기저항소자 제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1995
- 1995-08-23 KR KR1019950026068A patent/KR100203612B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674824B1 (ko) | 2004-12-08 | 2007-01-25 | 삼성전기주식회사 | 자기저항소자 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0863716A (ja) | 1996-03-08 |
| KR960008703A (ko) | 1996-03-22 |
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