JPH0811696B2 - 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 - Google Patents
多層ガラスセラミック基板とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0811696B2 JPH0811696B2 JP9471893A JP9471893A JPH0811696B2 JP H0811696 B2 JPH0811696 B2 JP H0811696B2 JP 9471893 A JP9471893 A JP 9471893A JP 9471893 A JP9471893 A JP 9471893A JP H0811696 B2 JPH0811696 B2 JP H0811696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- weight
- glass
- ceramic substrate
- alumina
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 55
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 title claims description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 100
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 39
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 38
- 229910052661 anorthite Inorganic materials 0.000 claims description 35
- GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N dialuminum;calcium;disilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910001597 celsian Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 15
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910021489 α-quartz Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 10
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 241000411532 Erites Species 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 22
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 14
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 8
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000019901 Anxiety disease Diseases 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036506 anxiety Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Chemical group 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12007—Component of composite having metal continuous phase interengaged with nonmetal continuous phase
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12611—Oxide-containing component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩ素子を高密度に実
装するための多層ガラスセラミック基板、特に低温で焼
結できる多層ガラスセラミック基板とその製造方法に関
するものである。
装するための多層ガラスセラミック基板、特に低温で焼
結できる多層ガラスセラミック基板とその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術の発展にともない電子装置
は、システムの小型化，高速化が益々要求されている。
半導体素子においては、ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩと高密度高
集積化され、これらをアセンブリするための実装技術は
極めて高密度微細化が必要とされている。特に半導体素
子を搭載するための実装基板は配線密度の増大による微
細配線化とともに配線抵抗の低減化，高速化に対応した
基板材料の低誘電率化および高密度配線化が要求されて
いる。
は、システムの小型化，高速化が益々要求されている。
半導体素子においては、ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩと高密度高
集積化され、これらをアセンブリするための実装技術は
極めて高密度微細化が必要とされている。特に半導体素
子を搭載するための実装基板は配線密度の増大による微
細配線化とともに配線抵抗の低減化，高速化に対応した
基板材料の低誘電率化および高密度配線化が要求されて
いる。
【０００３】従来から使用されているものにアルミナ多
層基板がある。この基板の製造方法としては、厚膜印刷
多層法およびグリーンシート積層法があるが、高密度化
の要求に対してはグリーンシート積層法が有利である。
グリーンシート積層法は薄いセラミックグリーンシート
各層に配線を印刷形成し一体に積層して得られるため配
線層数を任意に多くすることができ、その結果厚膜印刷
多層よりも配線密度を高くすることができる。しかし、
アルミナセラミックは焼結温度が１５００℃以上と高
く、配線導体に電気抵抗の比較的高いＭｏ，Ｗ金属を使
わなければならず、配線の微細化が困難であった。
層基板がある。この基板の製造方法としては、厚膜印刷
多層法およびグリーンシート積層法があるが、高密度化
の要求に対してはグリーンシート積層法が有利である。
グリーンシート積層法は薄いセラミックグリーンシート
各層に配線を印刷形成し一体に積層して得られるため配
線層数を任意に多くすることができ、その結果厚膜印刷
多層よりも配線密度を高くすることができる。しかし、
アルミナセラミックは焼結温度が１５００℃以上と高
く、配線導体に電気抵抗の比較的高いＭｏ，Ｗ金属を使
わなければならず、配線の微細化が困難であった。
【０００４】一方最近、低抵抗導体のＡｕ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ａｇ，Ｃｕ等を用いるために低温焼結型のセラミッ
ク材料が開発されている。まずアルミナとホウケイ酸鉛
系ガラスの複合材料の場合、１０００℃以下の低温で焼
結が可能で、Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇを配線導体に用い
た多層基板が開発されている。この材料は鉛を含んでい
るため卑金属であるＣｕを配線に用いることは困難であ
り、更に誘電率においても７．５以上にしか低減するこ
とができない。低誘電率化と１０００℃以下の還元雰囲
気焼成をねらったホウケイ酸系ガラスを用いたガラスセ
ラミック材料も開発されている。これは誘電率が５．５
程度と低く抑えられ、Ｃｕ配線による多層化が、ガラス
セラミックと導体との同時焼結法により実現されている
が、焼結時に結晶化を起こしておらず機械的強度が著し
く低くなる欠点があった。
ｄ，Ａｇ，Ｃｕ等を用いるために低温焼結型のセラミッ
ク材料が開発されている。まずアルミナとホウケイ酸鉛
系ガラスの複合材料の場合、１０００℃以下の低温で焼
結が可能で、Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇを配線導体に用い
た多層基板が開発されている。この材料は鉛を含んでい
るため卑金属であるＣｕを配線に用いることは困難であ
り、更に誘電率においても７．５以上にしか低減するこ
とができない。低誘電率化と１０００℃以下の還元雰囲
気焼成をねらったホウケイ酸系ガラスを用いたガラスセ
ラミック材料も開発されている。これは誘電率が５．５
程度と低く抑えられ、Ｃｕ配線による多層化が、ガラス
セラミックと導体との同時焼結法により実現されている
が、焼結時に結晶化を起こしておらず機械的強度が著し
く低くなる欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のアルミナ多層基
板では、高温でしか焼結できないため電気抵抗の高いＭ
ｏ，Ｗしか導体に利用できないため、配線抵抗が高くな
ったり、微細配線が不可能であった。またアルミナの誘
電率は約１０と高く信号の高速化には不利であった。
板では、高温でしか焼結できないため電気抵抗の高いＭ
ｏ，Ｗしか導体に利用できないため、配線抵抗が高くな
ったり、微細配線が不可能であった。またアルミナの誘
電率は約１０と高く信号の高速化には不利であった。
【０００６】アルミナとホウケイ酸鉛系ガラスの複合材
料は、低温焼結化ができ低抵抗導体を配線に使えるが、
還元雰囲気焼成や卑金属導体配線の実現が困難であっ
た。
料は、低温焼結化ができ低抵抗導体を配線に使えるが、
還元雰囲気焼成や卑金属導体配線の実現が困難であっ
た。
【０００７】更にホウケイ酸系ガラスを用いたガラスセ
ラミック基板では、Ｃｕ多層配線および低誘電率化は可
能であるが、機械的強度が著しく低くなった。基板の機
械的強度は、極めて重要な特性である。特に基板上に多
数の半導体素子が実装されるマルチチップ実装基板にお
いては、基板サイズが大面積化するとともに、入出力端
子またはピンが多数接続されるために、アセンブリ工程
ばかりでなく製品の状態で基板破損や金属との接合不良
等の問題が発生する。
ラミック基板では、Ｃｕ多層配線および低誘電率化は可
能であるが、機械的強度が著しく低くなった。基板の機
械的強度は、極めて重要な特性である。特に基板上に多
数の半導体素子が実装されるマルチチップ実装基板にお
いては、基板サイズが大面積化するとともに、入出力端
子またはピンが多数接続されるために、アセンブリ工程
ばかりでなく製品の状態で基板破損や金属との接合不良
等の問題が発生する。
【０００８】本発明の目的は、このような従来の実装基
板の課題を解決することにより１０００℃以下の低温
で、しかも酸化性ばかりでなく中性および還元雰囲気で
焼成でき、誘電率の低い機械的強度の優れた多層ガラス
セラミック基板を提供することにある。
板の課題を解決することにより１０００℃以下の低温
で、しかも酸化性ばかりでなく中性および還元雰囲気で
焼成でき、誘電率の低い機械的強度の優れた多層ガラス
セラミック基板を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、配線導体に低抵抗な
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の金属を適用すること
が可能となり、高密度微細配線でしかも高速化が期待で
きる実装基板を提供することにある。
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の金属を適用すること
が可能となり、高密度微細配線でしかも高速化が期待で
きる実装基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の複数の導体層を
含んだ第１の多層ガラスセラミック基板は、次の組成物
で構成される。つまりガラスセラミック層がアルミナ１
２〜５９．６重量％、ホウケイ酸系ガラス１８〜６９．
６重量％、アノーサイト結晶１〜４０重量％、セルシア
ン結晶１〜５重量％の組成範囲で総量１００％になるよ
うに構成された基板である。またこの基板を製造するに
あたっては、原料粉末にアルミナ粉末３０〜６０重量％
および酸化物換算表示に従ったとき酸化カルシウムが５
重量％以上、酸化バリウムが０．１重量％以上含んだホ
ウケイ酸ガラス粉末４０〜７０重量％で総量１００％に
なるように混合した混合粉末を用い、焼結工程でアノー
サイト結晶、セルシアン結晶を生成させる方法を採用す
ることができる。
含んだ第１の多層ガラスセラミック基板は、次の組成物
で構成される。つまりガラスセラミック層がアルミナ１
２〜５９．６重量％、ホウケイ酸系ガラス１８〜６９．
６重量％、アノーサイト結晶１〜４０重量％、セルシア
ン結晶１〜５重量％の組成範囲で総量１００％になるよ
うに構成された基板である。またこの基板を製造するに
あたっては、原料粉末にアルミナ粉末３０〜６０重量％
および酸化物換算表示に従ったとき酸化カルシウムが５
重量％以上、酸化バリウムが０．１重量％以上含んだホ
ウケイ酸ガラス粉末４０〜７０重量％で総量１００％に
なるように混合した混合粉末を用い、焼結工程でアノー
サイト結晶、セルシアン結晶を生成させる方法を採用す
ることができる。
【００１１】更に、他の製造方法として、原料粉末とし
て平均粒径が０．５〜３μｍのアルミナ粉末、１〜５μ
ｍのホウケイ酸系ガラス粉末、１〜１０μｍのアノーサ
イト、セルシアン粉末を用い混合し、スラリー状態にし
たのちグリーンシート化し、次にヴァイアホールを形成
し、導体印刷および穴埋めを行ったのち積層、熱圧着し
１０００℃以下の温度で焼成する方法を採用することも
できる。
て平均粒径が０．５〜３μｍのアルミナ粉末、１〜５μ
ｍのホウケイ酸系ガラス粉末、１〜１０μｍのアノーサ
イト、セルシアン粉末を用い混合し、スラリー状態にし
たのちグリーンシート化し、次にヴァイアホールを形成
し、導体印刷および穴埋めを行ったのち積層、熱圧着し
１０００℃以下の温度で焼成する方法を採用することも
できる。
【００１２】本発明の複数の導体層を含んだ第２の多層
ガラスセラミック基板は、次の組成物で構成される。つ
まりガラスセラミック層がアルミナ１２〜５９．６重量
％、Ｘ（ただし、Ｘはムライト、石英ガラス、α−石
英、コーディエライトの中から選ばれた１種以上を含む
無機複合物）１０〜３０重量％、ホウケイ酸系ガラス１
８〜６９．６重量％、アノーサイト結晶１〜４０重量
％、セルシアン結晶１〜５重量％の組成範囲で総量１０
０％になるように構成された基板である。またこの基板
を製造するにあたっては、原料粉末にアルミナ粉末１０
〜５０重量％、Ｘ粉末（ただし、Ｘ粉末はムライト、石
英ガラス、α−石英、コーディエライトの中から選ばれ
た１種以上を含む無機複合粉末）１０〜５０重量％およ
び酸化物換算表示に従ったとき酸化カルシウムを５重量
％以上、酸化バリウムを０．１重量％以上含んだホウケ
イ酸ガラス粉末４０〜７０重量％で総量１００％になる
ように混合した混合粉末を用い、焼結工程でアノーサイ
ト結晶、セルシアン結晶を生成させる方法を採用するこ
とができる。
ガラスセラミック基板は、次の組成物で構成される。つ
まりガラスセラミック層がアルミナ１２〜５９．６重量
％、Ｘ（ただし、Ｘはムライト、石英ガラス、α−石
英、コーディエライトの中から選ばれた１種以上を含む
無機複合物）１０〜３０重量％、ホウケイ酸系ガラス１
８〜６９．６重量％、アノーサイト結晶１〜４０重量
％、セルシアン結晶１〜５重量％の組成範囲で総量１０
０％になるように構成された基板である。またこの基板
を製造するにあたっては、原料粉末にアルミナ粉末１０
〜５０重量％、Ｘ粉末（ただし、Ｘ粉末はムライト、石
英ガラス、α−石英、コーディエライトの中から選ばれ
た１種以上を含む無機複合粉末）１０〜５０重量％およ
び酸化物換算表示に従ったとき酸化カルシウムを５重量
％以上、酸化バリウムを０．１重量％以上含んだホウケ
イ酸ガラス粉末４０〜７０重量％で総量１００％になる
ように混合した混合粉末を用い、焼結工程でアノーサイ
ト結晶、セルシアン結晶を生成させる方法を採用するこ
とができる。
【００１３】更に、他の製造方法として、原料粉末とし
て平均粒径が０．５〜３μｍのアルミナ粉末、０．５〜
１０μｍのＸ粉末（ただし、Ｘ粉末はムライト、石英ガ
ラス、α−石英、コーディエライトの中から選ばれた１
種以上を含む無機複合粉末）、１〜５μｍのホウケイ酸
系ガラス粉末、１〜１０μｍのアノーサイト、セルシア
ン粉末を用い混合し、スラリー状態にしたのちグリーン
シート化し、次にヴァイアホールを形成し、導体印刷お
よび穴埋めを行ったのち積層、熱圧着し１０００℃以下
の温度で焼成する方法を採用することもできる。
て平均粒径が０．５〜３μｍのアルミナ粉末、０．５〜
１０μｍのＸ粉末（ただし、Ｘ粉末はムライト、石英ガ
ラス、α−石英、コーディエライトの中から選ばれた１
種以上を含む無機複合粉末）、１〜５μｍのホウケイ酸
系ガラス粉末、１〜１０μｍのアノーサイト、セルシア
ン粉末を用い混合し、スラリー状態にしたのちグリーン
シート化し、次にヴァイアホールを形成し、導体印刷お
よび穴埋めを行ったのち積層、熱圧着し１０００℃以下
の温度で焼成する方法を採用することもできる。
【００１４】本発明を実施するときは、１０００℃以下
の温度で焼結が可能となるため、所望のグリーンシート
積層法によって容易に多層化ができ、導体としてＡｕ，
Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ等の元素ばかりでなく中性または還元
雰囲気で焼成するＣｕ，Ｎｉ等の卑金属の元素を含め、
それぞれ１種およびこれら２種以上を含む合金が安心し
て使用できるようになり、実装密度が高く機械的強度に
優れた多層ガラスセラミック基板を実用に供することが
可能となる。ここで機械的強度は少なくとも坑折強度で
２０００ｋｇ／ｃｍ2 以上が必要といわれており、この
点からも本発明は十分な強度を有している。
の温度で焼結が可能となるため、所望のグリーンシート
積層法によって容易に多層化ができ、導体としてＡｕ，
Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ等の元素ばかりでなく中性または還元
雰囲気で焼成するＣｕ，Ｎｉ等の卑金属の元素を含め、
それぞれ１種およびこれら２種以上を含む合金が安心し
て使用できるようになり、実装密度が高く機械的強度に
優れた多層ガラスセラミック基板を実用に供することが
可能となる。ここで機械的強度は少なくとも坑折強度で
２０００ｋｇ／ｃｍ2 以上が必要といわれており、この
点からも本発明は十分な強度を有している。
【００１５】
【作用】本発明の多層ガラスセラミック基板の組成は、
１０００℃以下の温度で焼結できるが、その理由を次に
示す。ホウケイ酸系ガラスは焼成の際、約７００℃以上
で軟化を開始する。この液相化したガラスが、アルミナ
またはアルミナとアノーサイト，セルシアンとのセラミ
ック粉末間の空隙を埋めることになり、あるいはアルミ
ナと石英ガラスまたはアルミナ，Ｘ（ただし、Ｘはムラ
イト、石英ガラス、α−石英、コーディエライトの中か
ら選ばれた１種以上を含む無機複合物），アノーサイト
とセルシアンとのセラミック粉末間の空隙を埋めること
になり、緻密化が進行する。こうして８００〜１０００
℃の温度領域で十分緻密なガラスセラミック体が形成さ
れ焼結を完了する。
１０００℃以下の温度で焼結できるが、その理由を次に
示す。ホウケイ酸系ガラスは焼成の際、約７００℃以上
で軟化を開始する。この液相化したガラスが、アルミナ
またはアルミナとアノーサイト，セルシアンとのセラミ
ック粉末間の空隙を埋めることになり、あるいはアルミ
ナと石英ガラスまたはアルミナ，Ｘ（ただし、Ｘはムラ
イト、石英ガラス、α−石英、コーディエライトの中か
ら選ばれた１種以上を含む無機複合物），アノーサイト
とセルシアンとのセラミック粉末間の空隙を埋めること
になり、緻密化が進行する。こうして８００〜１０００
℃の温度領域で十分緻密なガラスセラミック体が形成さ
れ焼結を完了する。
【００１６】次に還元雰囲気で焼結できる理由は、この
組成物がこの条件下で酸化物状態から還元され金属元素
に変化することが抑えられる元素を用いているためであ
る。例えば酸化鉛を含んだ組成物の場合、還元雰囲気下
では金属鉛に変化しガラスセラミック体の絶縁性が著し
く劣化する。
組成物がこの条件下で酸化物状態から還元され金属元素
に変化することが抑えられる元素を用いているためであ
る。例えば酸化鉛を含んだ組成物の場合、還元雰囲気下
では金属鉛に変化しガラスセラミック体の絶縁性が著し
く劣化する。
【００１７】機械的強度は多層ガラスセラミック基板に
おいて重要な特性の一つであり、本発明は、特にこの特
性に対して効果が大である。強度を２０００ｋｇ／ｃｍ
2 以上に実現できる理由は、焼結後のガラスセラミック
体の構造に起因する。つまりアルミナと液相化したガラ
スとは、焼結時に化学反応を伴いアノーサイト，セルシ
アン結晶を生成することができる。こうして焼結後のガ
ラスセラミック体には、アルミナ粒子とガラス質部分お
よびアノーサイト，セルシアン結晶とが三次元的に緻密
に構成されることになり、あるいはアルミナ粒子、Ｘ
（ただし、Ｘはムライト、石英ガラス、α−石英、コー
ディエライトの中から選ばれた１種以上を含む無機複合
物）粒子とガラス質部分およびアノーサイト，セルシア
ン結晶とが三次元的に緻密に構成されることになり、セ
ラミックとガラスとが強固に結合され、その結果基板と
して抗折強度の十分な特性が得られる。
おいて重要な特性の一つであり、本発明は、特にこの特
性に対して効果が大である。強度を２０００ｋｇ／ｃｍ
2 以上に実現できる理由は、焼結後のガラスセラミック
体の構造に起因する。つまりアルミナと液相化したガラ
スとは、焼結時に化学反応を伴いアノーサイト，セルシ
アン結晶を生成することができる。こうして焼結後のガ
ラスセラミック体には、アルミナ粒子とガラス質部分お
よびアノーサイト，セルシアン結晶とが三次元的に緻密
に構成されることになり、あるいはアルミナ粒子、Ｘ
（ただし、Ｘはムライト、石英ガラス、α−石英、コー
ディエライトの中から選ばれた１種以上を含む無機複合
物）粒子とガラス質部分およびアノーサイト，セルシア
ン結晶とが三次元的に緻密に構成されることになり、セ
ラミックとガラスとが強固に結合され、その結果基板と
して抗折強度の十分な特性が得られる。
【００１８】
【実施例】（実施例１）ガラスセラミック層を形成する
組成物を表１に示す。
組成物を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】これら組成物を製造するための方法を次に
示す。
示す。
【００２１】アルミナ＋Ｘ粉末とホウケイ酸系ガラス粉
末を、３０重量％：７０重量％〜６０重量％：４０重量
％の比率で十分に混合し、グリーンシート積層法によっ
てシート状に形成する。ここで用いるホウケイ酸系ガラ
ス粉末は、酸化物換算表記で酸化カルシウム１０重量
％、酸化バリウム５重量％含んでいる。グリーンシート
に作成する方法は、混合粉をポリビニルブチラール，ポ
リビニルアルコールあるいはポリアクリル系樹脂などの
有機バインダーとともに溶媒中に分散し泥漿化したのち
スリップキャスティング法により形成する。グリーンシ
ート厚みは、１０〜４００μｍの範囲で均一にしかも自
由にコントロールすることが可能である。
末を、３０重量％：７０重量％〜６０重量％：４０重量
％の比率で十分に混合し、グリーンシート積層法によっ
てシート状に形成する。ここで用いるホウケイ酸系ガラ
ス粉末は、酸化物換算表記で酸化カルシウム１０重量
％、酸化バリウム５重量％含んでいる。グリーンシート
に作成する方法は、混合粉をポリビニルブチラール，ポ
リビニルアルコールあるいはポリアクリル系樹脂などの
有機バインダーとともに溶媒中に分散し泥漿化したのち
スリップキャスティング法により形成する。グリーンシ
ート厚みは、１０〜４００μｍの範囲で均一にしかも自
由にコントロールすることが可能である。
【００２２】次に上下導体を接続するためのヴァイアホ
ールを、打ち抜き装置によりグリーンシートに形成す
る。ヴァイアホールに電気的接続を行うための導体ペー
ストの埋め込みおよび配線パターン印刷を行う。ここで
用いた導体としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，
Ｎｉ，Ａｇ−Ｐｔ等を主成分とした導体ペーストであ
り、スクリーン印刷法によって所定の位置に印刷され
る。導体パターンが印刷されヴァイアフィルされたグリ
ーンシートを所定の層数になるように積層し、熱圧着す
る。成形時に添加された有機バインダーおよび溶剤を４
００℃〜７００℃の温度の脱バインダー工程により除去
した後、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成し多層ガ
ラスセラミック基板を得た。この焼成に際し、ガラスが
軟化し、アルミナ＋Ｘ粒子間の空隙をガラスが占有する
ことになり緻密化が進む。更にアルミナとの化学反応に
よりアノーサイト，セルシアン結晶が生成されることに
なる。
ールを、打ち抜き装置によりグリーンシートに形成す
る。ヴァイアホールに電気的接続を行うための導体ペー
ストの埋め込みおよび配線パターン印刷を行う。ここで
用いた導体としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，
Ｎｉ，Ａｇ−Ｐｔ等を主成分とした導体ペーストであ
り、スクリーン印刷法によって所定の位置に印刷され
る。導体パターンが印刷されヴァイアフィルされたグリ
ーンシートを所定の層数になるように積層し、熱圧着す
る。成形時に添加された有機バインダーおよび溶剤を４
００℃〜７００℃の温度の脱バインダー工程により除去
した後、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成し多層ガ
ラスセラミック基板を得た。この焼成に際し、ガラスが
軟化し、アルミナ＋Ｘ粒子間の空隙をガラスが占有する
ことになり緻密化が進む。更にアルミナとの化学反応に
よりアノーサイト，セルシアン結晶が生成されることに
なる。
【００２３】次に上記組成物を製造するための他の製造
方法を示す。アルミナ粉末を粉砕により平均粒径０．５
〜３μｍになるようにコントロールする。またホウケイ
酸系ガラスを例えばアルミナボールミル等により平均粒
径１〜５μｍになるように粉砕し微粉末化する。更にア
ノーサイト，セルシアン粉末を同様に１〜１０μｍにな
るように粉砕する。これらの粉末を目標組成になるよう
に秤量し、アルミナボールミル等により均一に混合す
る。この混合粉末を、ポリアクリル系樹脂，ポリビニル
ブチラールおよびポリビニルアルコールなどの有機バイ
ンダーとともに溶媒中に分散し泥漿にする。この泥漿を
ドクターブレード法やロール法等のスリップキャスティ
ング法により絶縁層を形成するのに適した膜厚、例えば
１０〜４００μｍの範囲でグリーンシートとする。次に
上下導通を得るためのヴァイアホールをグリーンシート
にダイおよびポンチで形成する。ヴァイアホールの形成
されたシートに導体ペーストを埋め込み、配線パターン
印刷を施す。印刷およびペーストが埋め込まれたシート
を複数枚積層し、１００〜１２０℃の温度で１００〜３
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で熱圧着し積層体を得る。４０
０〜６００℃で有機バインダーを分解除去したのち、８
００〜１０００℃の範囲で焼結を完了する。ここで用い
た導体ペーストは、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等を
主成分としたペーストを用いた。
方法を示す。アルミナ粉末を粉砕により平均粒径０．５
〜３μｍになるようにコントロールする。またホウケイ
酸系ガラスを例えばアルミナボールミル等により平均粒
径１〜５μｍになるように粉砕し微粉末化する。更にア
ノーサイト，セルシアン粉末を同様に１〜１０μｍにな
るように粉砕する。これらの粉末を目標組成になるよう
に秤量し、アルミナボールミル等により均一に混合す
る。この混合粉末を、ポリアクリル系樹脂，ポリビニル
ブチラールおよびポリビニルアルコールなどの有機バイ
ンダーとともに溶媒中に分散し泥漿にする。この泥漿を
ドクターブレード法やロール法等のスリップキャスティ
ング法により絶縁層を形成するのに適した膜厚、例えば
１０〜４００μｍの範囲でグリーンシートとする。次に
上下導通を得るためのヴァイアホールをグリーンシート
にダイおよびポンチで形成する。ヴァイアホールの形成
されたシートに導体ペーストを埋め込み、配線パターン
印刷を施す。印刷およびペーストが埋め込まれたシート
を複数枚積層し、１００〜１２０℃の温度で１００〜３
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で熱圧着し積層体を得る。４０
０〜６００℃で有機バインダーを分解除去したのち、８
００〜１０００℃の範囲で焼結を完了する。ここで用い
た導体ペーストは、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等を
主成分としたペーストを用いた。
【００２４】表２および表３には、多層ガラスセラミッ
ク基板を作製したときの焼成条件，配線仕様および特性
を示した。焼結後の基板におけるガラスセラミック層の
組成を示した表１の試料番号と表２および表３の試料番
号は対応している。
ク基板を作製したときの焼成条件，配線仕様および特性
を示した。焼結後の基板におけるガラスセラミック層の
組成を示した表１の試料番号と表２および表３の試料番
号は対応している。
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】表２および表３からも明らかなように、本
実施例の組成物を使用することにより、容易に高密度で
微細な配線を形成できるばかりでなく特性上も優れか
つ、実用に供されるために必要な機械的強度も充分満足
する多層ガラスセラミック基板を得ることができる。
実施例の組成物を使用することにより、容易に高密度で
微細な配線を形成できるばかりでなく特性上も優れか
つ、実用に供されるために必要な機械的強度も充分満足
する多層ガラスセラミック基板を得ることができる。
【００２８】本実施例によれば、以下の点が明らかとな
った。 １）アルミナ＋Ｘが１２重量％未満の場合、抗折強度が
２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満となり不充分となる。また５
９．６重量％を越えると１０００℃以下の温度で焼結が
不充分となり、その結果、絶縁抵抗が低下するとともに
抗折強度も２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満となる。更に誘電
率も７を越えるため高速化に不利となり、実用的な多層
ガラスセラミック基板が得られない。 ２）ホウケイ酸系ガラスが１８重量％未満の場合、アル
ミナ＋Ｘ粒子間の空隙を占有するに十分なガラス相を得
ることができなくなるため、強度が低下するとともに信
頼性が得られない。６９．６重量％を越えるとガラスの
本来持つ強度が支配的となり抗折強度２０００ｋｇ／ｃ
ｍ2 未満になってしまう。 ３）アノーサイト，セルシアン結晶が１重量％未満の場
合、これらによる強度補強効果がなくなり抗折強度２０
００ｋｇ／ｃｍ2 以上が得られない。５０重量％を越え
ると、多層ガラスセラミック基板の収縮性が不均一にな
り信頼性が低下する。 ４）原料粉末として用いるアルミナ粉末が３０重量％未
満の場合、焼結時のアノーサイト，セルシアン結晶生成
に対しガラスとの化学反応性が低下し、結晶生成が不十
分となるか、あるいは結晶が不均一に生成することにな
り、その結果、抗折強度が２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満に
なってしまう。６０重量％を越えると１０００℃以下の
温度で焼結が不十分となり絶縁抵抗が低下するとともに
抗折強度も低下する。また誘電率も７を越えてしまう。 ５）原料粉末として用いるホウケイ酸系ガラス粉末が４
０重量％未満の場合、アルミナとの反応性が低下し、ア
ノーサイト，セルシアン結晶の生成が大きく阻害され、
不均一な結晶生成が起こるため強度が低下する。７０重
量％を越える場合には焼成時のガラス軟化反応が進むた
め焼成基板の寸法安定性が悪くなり、実用的な基板が得
られない。 ６）原料粉末として用いるホウケイ酸系ガラスのカルシ
ウム組成が酸化物換算表記に従ったとき酸化カルシウム
で５重量％未満のとき焼成時にアノーサイト結晶がほと
んど生成されない。また、酸化バリウムが同様の表示で
０．１％以下のとき、セルシアン結晶がほとんど生成さ
れない。 ７）原料粉末として用いるアルミナ粉末が０．５μｍ未
満および３μｍを越える場合、ホウケイ酸系ガラス粉末
が１μｍ未満および５μｍを越える場合、更にアノーサ
イト，セルシアン粉末が１μｍ未満および１０μｍを越
える場合には、混合物の焼結性が悪く多層ガラスセラミ
ック基板の特性上の信頼性を著しく低下させるため、実
用的な多層ガラスセラミック基板が得られない。
った。 １）アルミナ＋Ｘが１２重量％未満の場合、抗折強度が
２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満となり不充分となる。また５
９．６重量％を越えると１０００℃以下の温度で焼結が
不充分となり、その結果、絶縁抵抗が低下するとともに
抗折強度も２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満となる。更に誘電
率も７を越えるため高速化に不利となり、実用的な多層
ガラスセラミック基板が得られない。 ２）ホウケイ酸系ガラスが１８重量％未満の場合、アル
ミナ＋Ｘ粒子間の空隙を占有するに十分なガラス相を得
ることができなくなるため、強度が低下するとともに信
頼性が得られない。６９．６重量％を越えるとガラスの
本来持つ強度が支配的となり抗折強度２０００ｋｇ／ｃ
ｍ2 未満になってしまう。 ３）アノーサイト，セルシアン結晶が１重量％未満の場
合、これらによる強度補強効果がなくなり抗折強度２０
００ｋｇ／ｃｍ2 以上が得られない。５０重量％を越え
ると、多層ガラスセラミック基板の収縮性が不均一にな
り信頼性が低下する。 ４）原料粉末として用いるアルミナ粉末が３０重量％未
満の場合、焼結時のアノーサイト，セルシアン結晶生成
に対しガラスとの化学反応性が低下し、結晶生成が不十
分となるか、あるいは結晶が不均一に生成することにな
り、その結果、抗折強度が２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満に
なってしまう。６０重量％を越えると１０００℃以下の
温度で焼結が不十分となり絶縁抵抗が低下するとともに
抗折強度も低下する。また誘電率も７を越えてしまう。 ５）原料粉末として用いるホウケイ酸系ガラス粉末が４
０重量％未満の場合、アルミナとの反応性が低下し、ア
ノーサイト，セルシアン結晶の生成が大きく阻害され、
不均一な結晶生成が起こるため強度が低下する。７０重
量％を越える場合には焼成時のガラス軟化反応が進むた
め焼成基板の寸法安定性が悪くなり、実用的な基板が得
られない。 ６）原料粉末として用いるホウケイ酸系ガラスのカルシ
ウム組成が酸化物換算表記に従ったとき酸化カルシウム
で５重量％未満のとき焼成時にアノーサイト結晶がほと
んど生成されない。また、酸化バリウムが同様の表示で
０．１％以下のとき、セルシアン結晶がほとんど生成さ
れない。 ７）原料粉末として用いるアルミナ粉末が０．５μｍ未
満および３μｍを越える場合、ホウケイ酸系ガラス粉末
が１μｍ未満および５μｍを越える場合、更にアノーサ
イト，セルシアン粉末が１μｍ未満および１０μｍを越
える場合には、混合物の焼結性が悪く多層ガラスセラミ
ック基板の特性上の信頼性を著しく低下させるため、実
用的な多層ガラスセラミック基板が得られない。
【００２９】（実施例２）ガラスセラミック層を形成す
る組成物を表４および表５に示す。
る組成物を表４および表５に示す。
【００３０】
【表４】
【００３１】
【表５】
【００３２】この組成物を製造するための方法を次に示
す。
す。
【００３３】アルミナ粉末，Ｘ粉末（ただし、Ｘ粉末は
ムライト、石英ガラス、α−石英、コーディエライトの
中から選ばれた１種以上を含む無機複合粉末）とホウケ
イ酸系ガラス粉末を、（アルミナ粉末＋Ｘ粉末）：ホウ
ケイ酸カルシウム系ガラス＝３０重量％：７０重量％〜
６０重量％：４０重量％の比率で十分に混合し、グリー
ンシート積層法によってシート状に形成する。このと
き、アルミナ粉末は少なくとも１０％以上含まれてお
り、またここで用いられたホウケイ酸系ガラス粉末に
は、酸化物換算表記で酸化カルシウム１０重量％、酸化
バリウム５重量％含まれている。グリーンシートに作成
する方法は、混合粉をポリビニルブチラール，ポリビニ
ルアルコールあるいはポリアクリル系樹脂などの有機バ
インダーとともに溶媒中に分散し泥漿化したのち、スリ
ップキャスティング法により形成する。グリーンシート
厚みは、１０〜４００μｍの範囲で均一にしかも自由に
コントロールすることが可能である。
ムライト、石英ガラス、α−石英、コーディエライトの
中から選ばれた１種以上を含む無機複合粉末）とホウケ
イ酸系ガラス粉末を、（アルミナ粉末＋Ｘ粉末）：ホウ
ケイ酸カルシウム系ガラス＝３０重量％：７０重量％〜
６０重量％：４０重量％の比率で十分に混合し、グリー
ンシート積層法によってシート状に形成する。このと
き、アルミナ粉末は少なくとも１０％以上含まれてお
り、またここで用いられたホウケイ酸系ガラス粉末に
は、酸化物換算表記で酸化カルシウム１０重量％、酸化
バリウム５重量％含まれている。グリーンシートに作成
する方法は、混合粉をポリビニルブチラール，ポリビニ
ルアルコールあるいはポリアクリル系樹脂などの有機バ
インダーとともに溶媒中に分散し泥漿化したのち、スリ
ップキャスティング法により形成する。グリーンシート
厚みは、１０〜４００μｍの範囲で均一にしかも自由に
コントロールすることが可能である。
【００３４】次に上下導体を接続するためのヴァイアホ
ールを、打ち抜き装置によりグリーンシートに形成す
る。このヴァイアホールに電気的接続を行うための導体
ペーストの埋め込みおよび配線パターン印刷を行う。こ
こで用いた導体としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ−Ｐｔ等を主成分とした導体ペーストで
あり、スクリーン印刷法によって所定の位置に印刷され
る。導体パターンが印刷されヴァイアフィルされたグリ
ーンシートを所定の層数になるように積層し、熱圧着す
る。成形時に添加された有機バインダーおよび溶剤を４
００℃〜７００℃の温度の脱バインダー工程により除去
した後、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成し多層ガ
ラスセラミック基板を得た。この焼成に際し、ガラスが
軟化し、アルミナ，Ｘ（ただし、Ｘはムライト、石英ガ
ラス、α−石英、コーディエライトの中から選ばれた１
種以上を含む無機複合物）粒子間の空隙をガラスが占有
することになり緻密化が進む。更にアルミナとの化学反
応によりアノーサイト，セルシアン結晶が生成されるこ
とになる。
ールを、打ち抜き装置によりグリーンシートに形成す
る。このヴァイアホールに電気的接続を行うための導体
ペーストの埋め込みおよび配線パターン印刷を行う。こ
こで用いた導体としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ−Ｐｔ等を主成分とした導体ペーストで
あり、スクリーン印刷法によって所定の位置に印刷され
る。導体パターンが印刷されヴァイアフィルされたグリ
ーンシートを所定の層数になるように積層し、熱圧着す
る。成形時に添加された有機バインダーおよび溶剤を４
００℃〜７００℃の温度の脱バインダー工程により除去
した後、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成し多層ガ
ラスセラミック基板を得た。この焼成に際し、ガラスが
軟化し、アルミナ，Ｘ（ただし、Ｘはムライト、石英ガ
ラス、α−石英、コーディエライトの中から選ばれた１
種以上を含む無機複合物）粒子間の空隙をガラスが占有
することになり緻密化が進む。更にアルミナとの化学反
応によりアノーサイト，セルシアン結晶が生成されるこ
とになる。
【００３５】次に上記組成物を製造するための他の製造
方法を示す。アルミナ粉末を粉砕により平均粒径０．５
〜３μｍになるようにコントロールする。Ｘ粉末（ただ
し、Ｘ粉末はムライト、石英ガラス、α−石英、コーデ
ィエライトの中から選ばれた１種以上を含む無機複合粉
末）も同様に平均粒径０．５〜１０μｍに粉砕する。ま
たホウケイ酸系ガラスを例えばアルミナボールミル等に
より平均粒径１〜５μｍになるように粉砕し微粉末化す
る。更にアノーサイト，セルシアン粉末を同様に１〜１
０μｍになるように粉砕する。これらの粉末を目標組成
になるように秤量し、アルミナボールミル等により均一
に混合する。この混合粉末を、ポリアクリル系樹脂，ポ
リビニルブチラールおよびポリビニルアルコールなどの
有機バインダーとともに溶媒中に分散し泥漿にする。こ
の泥漿をドクターブレード法やロール法等のスリップキ
ャスティング法により絶縁層を形成するのに適した膜
厚、例えば１０〜４００μｍの範囲でグリーンシートと
する。次に上下導通を得るためのヴァイアホールをグリ
ーンシートにダイおよびポンチで形成する。ヴァイアホ
ールの形成されたシートに導体ペーストを埋め込み、配
線パターン印刷を施す。印刷およびペーストが埋め込ま
れたシートを複数枚積層し、１００〜１２０℃の温度で
１００〜３００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で熱圧着し積層体を
得る。４００〜６００℃で有機バインダーを分解除去し
たのち、８００〜１０００℃の範囲で焼結を完了する。
ここで用いた導体ペーストは、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｃｕ等を主成分としたペーストを用いた。
方法を示す。アルミナ粉末を粉砕により平均粒径０．５
〜３μｍになるようにコントロールする。Ｘ粉末（ただ
し、Ｘ粉末はムライト、石英ガラス、α−石英、コーデ
ィエライトの中から選ばれた１種以上を含む無機複合粉
末）も同様に平均粒径０．５〜１０μｍに粉砕する。ま
たホウケイ酸系ガラスを例えばアルミナボールミル等に
より平均粒径１〜５μｍになるように粉砕し微粉末化す
る。更にアノーサイト，セルシアン粉末を同様に１〜１
０μｍになるように粉砕する。これらの粉末を目標組成
になるように秤量し、アルミナボールミル等により均一
に混合する。この混合粉末を、ポリアクリル系樹脂，ポ
リビニルブチラールおよびポリビニルアルコールなどの
有機バインダーとともに溶媒中に分散し泥漿にする。こ
の泥漿をドクターブレード法やロール法等のスリップキ
ャスティング法により絶縁層を形成するのに適した膜
厚、例えば１０〜４００μｍの範囲でグリーンシートと
する。次に上下導通を得るためのヴァイアホールをグリ
ーンシートにダイおよびポンチで形成する。ヴァイアホ
ールの形成されたシートに導体ペーストを埋め込み、配
線パターン印刷を施す。印刷およびペーストが埋め込ま
れたシートを複数枚積層し、１００〜１２０℃の温度で
１００〜３００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で熱圧着し積層体を
得る。４００〜６００℃で有機バインダーを分解除去し
たのち、８００〜１０００℃の範囲で焼結を完了する。
ここで用いた導体ペーストは、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｃｕ等を主成分としたペーストを用いた。
【００３６】表６および表７には、多層ガラスセラミッ
ク基板を作製したときの焼成条件，配線仕様および特性
を示した。焼結後の基板におけるガラスセラミック層の
組成を示した表４，５の試料番号と表６，表７の試料番
号は対応している。
ク基板を作製したときの焼成条件，配線仕様および特性
を示した。焼結後の基板におけるガラスセラミック層の
組成を示した表４，５の試料番号と表６，表７の試料番
号は対応している。
【００３７】
【表６】
【００３８】
【表７】
【００３９】表６および表７からも明らかなように、本
実施例の組成物を使用することにより、容易に高密度で
微細な配線を形成できるばかりでなく特性上も優れか
つ、実用に供されるために必要な機械的強度も充分満足
する多層ガラスセラミック基板を得ることができる。
実施例の組成物を使用することにより、容易に高密度で
微細な配線を形成できるばかりでなく特性上も優れか
つ、実用に供されるために必要な機械的強度も充分満足
する多層ガラスセラミック基板を得ることができる。
【００４０】本実施例によれば、以下の点が明らかとな
った。 １）アルミナが１２重量％未満の場合、抗折強度が２０
００ｋｇ／ｃｍ2 未満となり不充分となる。また５９．
６重量％を越えると１０００℃以下の温度で焼結が不充
分となり、その結果、絶縁抵抗が低下するとともに抗折
強度も２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満となる。更に誘電率も
７を越えるため高速化に不利となり、実用的な多層ガラ
スセラミック基板が得られない。 ２）Ｘ（ただし、Ｘはムライト、石英ガラス、α−石
英、コーディエライトの中から選ばれた１種以上を含む
無機複合物）が１０重量％未満の場合、誘電率が７を越
えてしまう。また３０重量％を越えると焼結が不十分と
なり、絶縁抵抗を低下させ、抗折強度も２０００ｋｇ／
ｃｍ2 未満に低下してしまう。 ３）ホウケイ酸系ガラスが１８重量％未満の場合、アル
ミナ，Ｘ，粒子間の空隙を占有するに十分なガラス相を
得ることができなくなるため、強度が低下するとともに
信頼性が得られない。６９．６重量％を越えるとガラス
の本来持つ強度が支配的となり抗折強度２０００ｋｇ／
ｃｍ2 未満になってしまう。 ４）アノーサイト結晶，セルシアン結晶が１重量％未満
の場合、アノーサイト結晶による強度補強効果がなくな
り抗折強度２０００ｋｇ／ｃｍ2 以上が得られない。ま
た、アノーサイトでは４０重量％、セルシアンでは５重
量％を越えると、多層ガラスセラミック基板の収縮性が
不均一になり信頼性が低下する。 ５）原料粉末として用いるアルミナ粉末が３０重量％未
満の場合、焼結時のアノーサイト，セルシアン結晶生成
に対しガラスとの化学反応性が低下し、結晶生成が不十
分となるか、あるいは結晶が不均一に生成することにな
り、その結果、抗折強度が２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満に
なってしまう。６０重量％を越えると１０００℃以下の
温度で焼結が不十分となり絶縁抵抗が低下するとともに
抗折強度も低下する。また誘電率も７を越えてしまう。 ６）原料粉末として用いるホウケイ酸系ガラス粉末が４
０重量％未満の場合、アルミナとの反応性が低下し、ア
ノーサイト，セルシアン結晶の生成が大きく阻害され、
不均一な結晶生成が起こるため強度が低下する。７０重
量％を越える場合には焼成時のガラス軟化反応が進むた
め焼成基板の寸法安定性が悪くなり、実用的な基板が得
られない。 ７）原料粉末として用いるホウケイ酸系ガラスのカルシ
ウム組成が酸化物換算表記に従ったとき酸化カルシウム
で５重量％未満のとき焼成時にアノーサイト結晶がほと
んど生成されない。また、酸化バリウムが同様の表示で
０．１％以下のとき、セルシアン結晶がほとんど生成さ
れない。 ８）原料粉末として用いるアルミナ粉末が０．５μｍ未
満および３μｍを越える場合、Ｘ粉末（ただし、Ｘ粉末
はムライト、石英ガラス、α−石英、コーディエライト
の中から選ばれた１種以上を含む無機複合粉末）が０．
５μｍ未満および１０μｍを越える場合、ホウケイ酸系
ガラス粉末が１μｍ未満および５μｍを越える場合、更
にアノーサイト，セルシアン粉末が１μｍ未満および１
０μｍを越える場合には、混合物の焼結性が悪く多層ガ
ラスセラミック基板の特性上の信頼性を著しく低下させ
るため、実用的な多層ガラスセラミック基板が得られな
い。
った。 １）アルミナが１２重量％未満の場合、抗折強度が２０
００ｋｇ／ｃｍ2 未満となり不充分となる。また５９．
６重量％を越えると１０００℃以下の温度で焼結が不充
分となり、その結果、絶縁抵抗が低下するとともに抗折
強度も２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満となる。更に誘電率も
７を越えるため高速化に不利となり、実用的な多層ガラ
スセラミック基板が得られない。 ２）Ｘ（ただし、Ｘはムライト、石英ガラス、α−石
英、コーディエライトの中から選ばれた１種以上を含む
無機複合物）が１０重量％未満の場合、誘電率が７を越
えてしまう。また３０重量％を越えると焼結が不十分と
なり、絶縁抵抗を低下させ、抗折強度も２０００ｋｇ／
ｃｍ2 未満に低下してしまう。 ３）ホウケイ酸系ガラスが１８重量％未満の場合、アル
ミナ，Ｘ，粒子間の空隙を占有するに十分なガラス相を
得ることができなくなるため、強度が低下するとともに
信頼性が得られない。６９．６重量％を越えるとガラス
の本来持つ強度が支配的となり抗折強度２０００ｋｇ／
ｃｍ2 未満になってしまう。 ４）アノーサイト結晶，セルシアン結晶が１重量％未満
の場合、アノーサイト結晶による強度補強効果がなくな
り抗折強度２０００ｋｇ／ｃｍ2 以上が得られない。ま
た、アノーサイトでは４０重量％、セルシアンでは５重
量％を越えると、多層ガラスセラミック基板の収縮性が
不均一になり信頼性が低下する。 ５）原料粉末として用いるアルミナ粉末が３０重量％未
満の場合、焼結時のアノーサイト，セルシアン結晶生成
に対しガラスとの化学反応性が低下し、結晶生成が不十
分となるか、あるいは結晶が不均一に生成することにな
り、その結果、抗折強度が２０００ｋｇ／ｃｍ2 未満に
なってしまう。６０重量％を越えると１０００℃以下の
温度で焼結が不十分となり絶縁抵抗が低下するとともに
抗折強度も低下する。また誘電率も７を越えてしまう。 ６）原料粉末として用いるホウケイ酸系ガラス粉末が４
０重量％未満の場合、アルミナとの反応性が低下し、ア
ノーサイト，セルシアン結晶の生成が大きく阻害され、
不均一な結晶生成が起こるため強度が低下する。７０重
量％を越える場合には焼成時のガラス軟化反応が進むた
め焼成基板の寸法安定性が悪くなり、実用的な基板が得
られない。 ７）原料粉末として用いるホウケイ酸系ガラスのカルシ
ウム組成が酸化物換算表記に従ったとき酸化カルシウム
で５重量％未満のとき焼成時にアノーサイト結晶がほと
んど生成されない。また、酸化バリウムが同様の表示で
０．１％以下のとき、セルシアン結晶がほとんど生成さ
れない。 ８）原料粉末として用いるアルミナ粉末が０．５μｍ未
満および３μｍを越える場合、Ｘ粉末（ただし、Ｘ粉末
はムライト、石英ガラス、α−石英、コーディエライト
の中から選ばれた１種以上を含む無機複合粉末）が０．
５μｍ未満および１０μｍを越える場合、ホウケイ酸系
ガラス粉末が１μｍ未満および５μｍを越える場合、更
にアノーサイト，セルシアン粉末が１μｍ未満および１
０μｍを越える場合には、混合物の焼結性が悪く多層ガ
ラスセラミック基板の特性上の信頼性を著しく低下させ
るため、実用的な多層ガラスセラミック基板が得られな
い。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、１０００℃以下の低温
で、しかも酸化性ばかりでなく中性および還元雰囲気で
焼成でき、誘電率の低い機械的強度の優れた多層ガラス
セラミック基板を実現できる。従って配線導体に低抵抗
なＡｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の金属を適用することが可
能となり、高密度微細配線でしかも高速化が期待できる
実装基板を提供できる。
で、しかも酸化性ばかりでなく中性および還元雰囲気で
焼成でき、誘電率の低い機械的強度の優れた多層ガラス
セラミック基板を実現できる。従って配線導体に低抵抗
なＡｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の金属を適用することが可
能となり、高密度微細配線でしかも高速化が期待できる
実装基板を提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 35/16 37/00 Ｚ 41/88 Ｃ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ 6921−4Ｅ
Claims (8)
- 【請求項１】ガラスセラミック層が、アルミナ，ホウケ
イ酸系ガラス，アノーサイト結晶およびセルシアン結晶
からなる無機組成物であって、アルミナ１２〜５９．６
重量％、ホウケイ酸系ガラス１８〜６９．６重量％、ア
ノーサイト結晶１〜４０重量％、セルシアン結晶１〜５
重量％の組成範囲で総量１００％になるように構成さ
れ、複数の導体層を上記ガラスセラミック層を介して積
層したことを特徴とする多層ガラスセラミック基板。 - 【請求項２】請求項１記載の多層ガラスセラミック基板
の製造方法において、 原料粉末にアルミナ粉末３０〜６０重量％およびホウケ
イ酸ガラス粉末４０〜７０重量％で総量１００％になる
ように混合した混合粉末を用いることを特徴とする多層
ガラスセラミック基板の製造方法。 - 【請求項３】請求項１記載の多層ガラスセラミック基板
の製造方法において、 原料粉末として、アルミナ粉末、ホウケイ酸系ガラス粉
末、アノーサイト粉末、およびセルシアン粉末を用い、
それぞれの平均粒径がアルミナ粉末０．５〜３μｍ、ホ
ウケイ酸系ガラス粉末１〜５μｍ、アノーサイト，セル
シアン粉末１〜１０μｍの範囲にあり、これら粉末を混
合する工程と、 混合した粉末をスラリー状態にしたのちグリーンシート
化する工程と、 グリーンシートにヴァイアホールを形成し、グリーンシ
ートに導体を印刷および穴埋めする工程と、 印刷されたシートを積層熱圧着し１０００℃以下の温度
で焼成する工程と、 を含むことを特徴とする多層ガラスセラミック基板の製
造方法。 - 【請求項４】前記ホウケイ酸系ガラスは、ガラス組成が
ＳｉＯ2 ：４０〜７５重量％、Ｂ2Ｏ3 ：５〜４０重量
％、ＣａＯ：５〜３０重量％、ＢａＯ：０．１〜２０重
量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜３０重量％、Ｍ１０：０〜５重
量％、Ｍ２2 Ｏ：０．１〜５重量％、Ｍ３Ｏ2 ：０．１
〜５重量％（ただし、Ｍ１：Ｍｇ，Ｚｎ、Ｍ２：Ｌｉ，
Ｎａ，Ｋ、Ｍ３：Ｔｉ，Ｚｒ）であることを特徴とする
請求項２記載の多層ガラスセラミック基板の製造方法。 - 【請求項５】ガラスセラミック層が、アルミナ，Ｘ（た
だし、Ｘはムライト、石英ガラス、α−石英、コーディ
エライトの中から選ばれた１種以上を含む無機複合
物），ホウケイ酸系ガラス，アノーサイト結晶，セルシ
アン結晶からなる無機組成物であって、アルミナ１２〜
５９．６重量％、Ｘ１０〜３０重量％、ホウケイ酸系ガ
ラス１８〜６９．６重量％、アノーサイト結晶１〜４０
重量％、セルシアン結晶１〜５重量％の組成範囲で総量
１００％になるように構成され、複数の導体層を前記ガ
ラスセラミック層を介して積層したことを特徴とする多
層ガラスセラミック基板。 - 【請求項６】請求項５記載の多層ガラスセラミック基板
の製造方法において、 原料粉末にアルミナ粉末１０〜５０重量％、Ｘ粉末（た
だし、Ｘ粉末はムライト、石英ガラス、α−石英、コー
ディエライトの中から選ばれた１種以上を含む無機複合
粉末）１０〜５０重量％およびホウケイ酸系ガラス粉末
４０〜７０重量％で総量１００％になるように混合した
混合粉末を用いることを特徴とする多層ガラスセラミッ
ク基板の製造方法。 - 【請求項７】請求項５記載の多層ガラスセラミック基板
の製造方法において、原料粉末として、アルミナ粉末、Ｘ粉末（ただし、Ｘ粉
末はムライト、石英ガラス、α−石英、コーディエライ
トの中から選ばれた１種以上を含む無機複合粉末）、ホ
ウケイ酸系ガラス粉末、アノーサイト粉末およびセルシ
アン粉末を用い、それぞれの平均粒径がアルミナ粉末
０．５〜３μｍ、Ｘ粉末０．５〜１０μｍ、ホウケイ酸
系ガラス粉末１〜５μｍ、アノーサイト、セルシアン粉
末１〜１０μｍの範囲にあり、これら粉末を混合する工
程と、 混合した粉末をスラリー状態にしたのちグリーンシート
化する工程と、 グリーンシートにヴァイアホールを形成し、グリーンシ
ートに導体を印刷および穴埋めする工程と、 印刷されたシートを積層熱圧着し１０００℃以下の温度
で焼成する工程と、 を含む ことを特徴とする多層ガラスセラミック基板の製
造方法。 - 【請求項８】前記ホウケイ酸系ガラスは、ガラス組成が
ＳｉＯ 2 ：４０〜７５重量％、Ｂ 2 Ｏ 3 ：５〜４０重量
％、ＣａＯ：５〜３０重量％、ＢａＯ：０．１〜２０重
量％、Ａｌ 2 Ｏ 3 ：０〜３０重量％、Ｍ１０：０〜５重
量％、Ｍ２ 2 Ｏ：０．１〜５重量％、Ｍ３Ｏ 2 ：０．１
〜５重量％（ただし、Ｍ１：Ｍｇ，Ｚｎ、ＭＳ：Ｌｉ，
Ｎａ，Ｋ、Ｍ３：Ｔｉ，Ｚｒ）であることを特徴とする
請求項６記載の多層ガラスセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9471893A JPH0811696B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 |
| US08/224,742 US5506058A (en) | 1993-04-22 | 1994-04-07 | Mutlilayer glass ceramic substrate and method of fabricating the same |
| EP94105503A EP0621245A1 (en) | 1993-04-22 | 1994-04-08 | Multilayer glass ceramic substrate and method of fabricating the same |
| CA002121301A CA2121301C (en) | 1993-04-22 | 1994-04-14 | Multilayer glass ceramic substrate and method of fabricating the same |
| AU60592/94A AU675113B2 (en) | 1993-04-22 | 1994-04-20 | Multilayer glass ceramic substrate and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9471893A JPH0811696B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06305770A JPH06305770A (ja) | 1994-11-01 |
| JPH0811696B2 true JPH0811696B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=14117917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9471893A Expired - Lifetime JPH0811696B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5506058A (ja) |
| EP (1) | EP0621245A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0811696B2 (ja) |
| AU (1) | AU675113B2 (ja) |
| CA (1) | CA2121301C (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821181A (en) * | 1996-04-08 | 1998-10-13 | Motorola Inc. | Ceramic composition |
| US6406774B1 (en) * | 1996-07-16 | 2002-06-18 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Electrically conductive composition for use in through hole of electric component |
| JP3601679B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2004-12-15 | 株式会社村田製作所 | 複合積層体の製造方法 |
| US6579818B2 (en) * | 2000-08-28 | 2003-06-17 | Kyocera Corporation | Glass ceramic sintered product |
| GB2395365B8 (en) * | 2002-11-13 | 2006-11-02 | Peter Leslie Moran | Electrical circuit board |
| DE10351196B4 (de) * | 2003-10-28 | 2016-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verwendung einer anodisch mit Silizium bondbaren Glas-Keramik (LTCC) |
| JP4145262B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2008-09-03 | 三洋電機株式会社 | 積層セラミック基板 |
| CN1316518C (zh) * | 2004-12-08 | 2007-05-16 | 西安交通大学 | 一种高频片式电感材料及制备方法 |
| US7799405B1 (en) * | 2006-12-01 | 2010-09-21 | Siemens Energy, Inc. | Three dimensional reinforced CMC articles by interlocking two dimensional structures |
| DE102008007338B4 (de) | 2007-02-06 | 2011-08-25 | Mitsubishi Electric Corp. | Keramikpulver für einen Rohling, mehrschichtiges Keramiksubstrat und Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Keramiksubstrats |
| JPWO2009119433A1 (ja) * | 2008-03-25 | 2011-07-21 | 日本山村硝子株式会社 | 無鉛ガラス及び無鉛ガラスセラミックス用組成物 |
| US8298448B2 (en) * | 2008-03-31 | 2012-10-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Low temperature co-fired ceramic circuit board |
| KR100993010B1 (ko) * | 2008-06-26 | 2010-11-09 | 한국과학기술연구원 | 저온소성용 저유전율 유전체 세라믹 조성물 |
| EP3466676B1 (en) * | 2013-12-06 | 2020-08-05 | Corning Incorporated | Methods for forming patterns in thin glass laminate structures |
| CN111548128B (zh) * | 2020-06-16 | 2022-09-09 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 一种低温共烧陶瓷及其制备方法 |
| WO2023228888A1 (ja) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | 京セラ株式会社 | 回路部品 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817651A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 多層回路板とその製造方法 |
| EP0253342A1 (en) * | 1986-07-15 | 1988-01-20 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Glass ceramic dielectric compositions |
| US5185215A (en) * | 1986-08-01 | 1993-02-09 | International Business Machines Corporation | Zirconia toughening of glass-ceramic materials |
| JPH02225339A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラスセラミック焼結体 |
| JPH0360443A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Kyocera Corp | 低温焼成ガラスセラミック体 |
| US5212121A (en) * | 1990-06-13 | 1993-05-18 | Mitsui Mining Company, Limited | Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates |
| JPH0450141A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Hitachi Ltd | ガラス―セラミック基体 |
| JP3017530B2 (ja) * | 1990-11-28 | 2000-03-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 厚膜回路用絶縁ペースト |
| JP2712930B2 (ja) * | 1991-08-29 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 |
-
1993
- 1993-04-22 JP JP9471893A patent/JPH0811696B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-07 US US08/224,742 patent/US5506058A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-08 EP EP94105503A patent/EP0621245A1/en not_active Withdrawn
- 1994-04-14 CA CA002121301A patent/CA2121301C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-20 AU AU60592/94A patent/AU675113B2/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0621245A1 (en) | 1994-10-26 |
| US5506058A (en) | 1996-04-09 |
| CA2121301A1 (en) | 1994-10-23 |
| JPH06305770A (ja) | 1994-11-01 |
| CA2121301C (en) | 1999-04-06 |
| AU6059294A (en) | 1994-10-27 |
| AU675113B2 (en) | 1997-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4861646A (en) | Co-fired metal-ceramic package | |
| JP3669255B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法および未焼成セラミック積層体 | |
| JPH0811696B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 | |
| JPH0634452B2 (ja) | セラミツクス回路基板 | |
| JPS6244879B2 (ja) | ||
| JPH0992983A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JPS6043890A (ja) | 集積回路装置を装着するための誘電体基板 | |
| CA2050095A1 (en) | Dielectric composition containing cordierite and glass | |
| US5989484A (en) | Multilayer glass ceramic substrate and process for producing the same | |
| JP2001114554A (ja) | 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板 | |
| JP3042441B2 (ja) | 低温焼成ガラスセラミックス基板とその製造方法 | |
| JPH0816021B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板およびその製造方法 | |
| JP2513382B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JPH088416B2 (ja) | セラミック多層回路基板の製造方法 | |
| US5068210A (en) | Low dielectric constant ceramic materials | |
| JP2002193691A (ja) | 低誘電率セラミック焼結体及びその製造方法、並びにそれを用いた配線基板 | |
| JP2504350B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 | |
| JP2712930B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 | |
| JP2504351B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 | |
| JP2504349B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 | |
| JPS6357393B2 (ja) | ||
| JP2723710B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板及びその製造方法 | |
| JPH0793480B2 (ja) | 多層ガラスセラミック基板とその製造方法 | |
| JP3047985B2 (ja) | 多層セラミック配線基板の製造方法 | |
| JPH0832238A (ja) | 多層配線基板とその製造方法、及びそれに用いるシリカ焼結体の製造方法 |