JPS6043890A - 集積回路装置を装着するための誘電体基板 - Google Patents

集積回路装置を装着するための誘電体基板

Info

Publication number
JPS6043890A
JPS6043890A JP59131238A JP13123884A JPS6043890A JP S6043890 A JPS6043890 A JP S6043890A JP 59131238 A JP59131238 A JP 59131238A JP 13123884 A JP13123884 A JP 13123884A JP S6043890 A JPS6043890 A JP S6043890A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
integrated circuit
substrate
circuit device
green
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59131238A
Other languages
English (en)
Inventor
カール・ルイス・エガーデイング
エドワード・オーガスト・ギース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS6043890A publication Critical patent/JPS6043890A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/63416—Polyvinylalcohols [PVA]; Polyvinylacetates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
    • C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/6342—Polyvinylacetals, e.g. polyvinylbutyral [PVB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807—Ceramic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はキン青石を含む低誘電定数基板に関する。
本発明の低誘電定数基板は多層セラミック材料の形成に
特に適している。
基板は半導体チップ、接続線、コンデンサ、抵抗器、器
、カバー等を付着するための端子パッドを有する様に、
設計され得る。３次元電流回路網は所謂ＭＬＣプロセス
、即ち多層セラミック・プロセスを使用して製造され得
る。このプロセスでは未焼結即ち生のシー１〜上にスク
リーンされた厚膜である水平回路パターンはｔ直相互接
続体もしくは金属ペーストが充填された開孔によって形
成された貫通体を使用して接続される。個々の層は次に
積層され、次いで焼結さ］し、焼結剤の高密なセラミッ
クー金属パッケージが形成される。
［従来技法の説明コ 電子回路実装における比較的最近の改革は多層セラミッ
ク（以下ＭＬＣと呼ぶ）モジュールの開発である。この
技法においては、一時的な有機的結合剤によって互いに
接着されたセラミック粉末の生のシートには、通常スク
リーン印刷による貴金属もしくは耐火金属の金属化がな
されている。
金属化されたシートは積重ねられて積層化され、焼成さ
ね、単結晶セラミックー金属パッケージにされる。ＭＬ
Ｃ技法の詳細は１９７２年５月刊５ＯＬＩＯ５ＴＡＴＥ
　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ第１５巻、第５号、第３５−４
０頁のＫａｉｓｅｒ等の論文、米国特許第２９６６７１
９号に示されてぃる。
米国特許第４２３４３６７号は銅の融点以下の温度で水
素及びＨ２Ｏの制御された雰囲気中で焼成する事によっ
て、銅をベースとする導体の多重レベルの相互接続厚膜
回路パターンを含も・力゛ラスー薄膜回路の形成を開示
している。
さらに米国特許第４３０１３２４号は、金属の融点以下
の温度で空気もしくは中性の雰囲気中で焼成され得る高
導電性金属の多事レベルの相互接続された厚膜回路パタ
ーンを含む焼結プｊラスーセラミック基板を開示してい
る。これは成るガラスの微細粉末は１０００℃以下の温
度で焼結して多孔性でなくなるという発見に見づいてい
る。
［本発明の概要］ 焼成誘電体基板の形成しこ際し、基板が結晶質のキン青
石（ｅｏｒｄｉｅｒｉｔｅ）の粉末を含むと特性の改良
された製品が得られる事が発見された。
この様な誘電体基板を形成する方法は、結晶質°　のキ
ン青石粉末を結合剤及び溶媒と混合し、混合物を注型し
てシートにし、この注型されたシー１〜を乾燥して自重
に耐える生のシートを形成し、生のシー１−（生のセラ
ミックどシー１〜と呼ぶ）を加熱し、結合剤を焼逐して
、結晶質のキン青石粉末を互に焼結する事より成る。
本発明の一つの目的はキン青石を使用した新規な誘電体
基板を与える事にある。
本発明に従えば、金属がモリブデンを主体としていて、
同時に焼結されるセラミックー金属構造体である、キン
青石の含有量の高い新規な絶縁体基板が与えられる。
本発明に従えば、その上の金属化パターン、（最も好ま
しくはモリブデン金属化パターン）と適合可能であり、
同時に焼成可能である多重層セラミック基板が与えられ
る。
本発明に従えば、耐火金属もしくは他の適切な金属、最
も好ましくはモリブデンであり得る内部金属化パターン
、即ち導体髪含む多重層セラミック基板が与えられる。
本発明に従えば、チップを取付けるための導体、最も好
ましくはモリブデン導体が基板担持°体内の種々のレベ
ルに与えられた、半導体チップのための多重層セラミッ
ク基板運搬体が与えられる。
［好ましい実施例の説明］ 本発明に使用される結晶質キン青石は、理論式２Ｍｇｏ
・２ＡＱ、２０．・５Ｓｉ０２を有する天然のマグネシ
ウム−アルミニウムーケイ酸塩である。これは１３．８
％のＭｇＯ１３４，９％ＡＱ２０３及び５１，３％５ｉ
ｎ２の組成に対応する。
タルク及び粘土もしくは他のケイ酸アルミニウムの混合
物を力位する事によって形成さ九た人造の結晶質キン青
石も使用され得る。
キン青石は熱膨張率が低く、熱的衝撃に耐え、その誘電
定数が低いので本発明に特に有用である本発明に使用さ
れる結晶質のキン青石は、約１３５０乃至１４５０℃の
範囲の温度でシンター即ち焼結された場合、２０℃から
１００℃にかけて約１５’Ｘ　１０−１７°ｃ−’の熱
膨張係数を示す。
本発明に使用されるキン青石の寸法は過度に重要でなく
、焼成可能な生のセラミック・シートを形成するのに通
常使用されている寸法に選択されている。代表的には寸
法は約０．１乃至約１０ミクロンの程度であるが、この
寸法の範囲はもし必要ならば粒子寸法を減少するために
ボール・ミリングもしくは振動ミリングの如き通常の手
順によって調節され得る。
本発明の低誘電定数基板は約６よりも小さい誘電定数を
有することが好ましい。
［重合体結合剤コ この分野で周知の如く、生のセラミソ１ｆｉｉ板ｉ、を
重合体結合剤と組合された微粒子状のセラミック材料か
ら形成される。
多重層セラミック材料の場合は、セラミックの誘電定数
と、使用される導体もしくは金属化パターンの導電串間
にはｆ敗感な相互作用かある。一般的に云って、セラミ
ック基′板の誘電定数がより低く、金属化パターンの導
電率が高し）程Ｍ、　Ｌ　Ｃのノ喝ホーマンスにとって
有利である６ 本発明に使用される重合体結合剤は従来技法で使用され
た重合体結合剤から自由に選択される。
一般にこれ等の重合体結合剤は例えばメタノール、ケト
ンの如き低級脂肪族アルコール、例えばアセ１−ン、メ
チルイソブチルケトン（Ｍ　Ｉ　Ｂ　Ｋ）等の標準有機
溶媒中に溶屏可能な長鎖熱可塑性重合体である。好まし
い重合体結合剤は略８０モル％のポリビニル・アセタル
、１８乃至２０モル％のポリビニル・アルコール及びＯ
乃至２．５モル％のポリビニル・アセテ−１−を含む、
モンサンＩへ社から販売されている登録商標名Ｂｕｔν
ａｒＢ−９８の如きポリビニル・ブチラールである。も
ちろんこの分野の専門家にとっては、例えばポリビニル
・アセテ−１−、ポリメチルメタクリレ−１〜、ポリビ
ニル・フオルマル等の他の周知の重合体結合剤が使用さ
れ得る事は明らかであろう。代表的には、重合体結合剤
は柔軟性を与えるための可塑剤、例えばジオクチル・フ
タシー１−．ジブチル・フタレート、ジプロピレン・グ
リコール・ジベンゾエート等と組合せて使用され得る。
制限的な事柄ではないが、重合体結合剤対可塑剤の比は
約１０＝１乃至約４：１が代表的なものである。
重合体結合剤の分子量は本発明にとっては重要でなく、
従来使用されていた分子量から自由に選択され得る。こ
の分野の専門家にとって明らかなる如く、重合体結合体
は、生のセラミック基板を形成するのに使用されるスラ
リーの形成が容易であり、生のシー１〜が処理中適切に
取扱が出来る様な十分な強さを有し、焼成されたセラミ
ック基板の形成中に結合剤が容易に蒸発されてきれいに
除去される事だけが重要である。
［選択が任意な成分］ 生のセラミック・シー１への形成において、主要成分は
微粒子状セラミック材料及び上述の如き特性を示す重合
体結合剤である。しかしながら、この分野で周知の通常
の添加剤、例えばＭｇ０−Ａ　Ｑ　２０３−　Ｓ　ｊ、
０□、特にＡＱ２０３、ＭｇＡ　Ｑ２０．もしくは結晶
質もしくはアモルファスのアルミノけい酸塩が組合せて
使用され得る。添加剤の目的は機械的及び熱的性質を増
強し、力゛Ｌ結動作を都合よく修正する１（である。特
に有用なのは、ＭｇＯ１Ｃａｂ、　Ａ　ｎ　、０３又は
５ｉｎ２の少爪のアモルファス・アルミノけい酸塩の添
加である。これ等のアモルファス材料は焼結動作を助け
て調書構造体を与える。
こＩｂ等の添加剤の割合は過度に重要ではないが、セラ
ミックの重さに依存して約１乃至１５重置部の程度が代
表的な値である。
［溶媒コ 本発明における生のセラミック・シー１−を形成するの
に使用されるスラリーは代表的には溶媒を使用して形成
される。溶媒の性質は重要でなく、この分野で通常使用
されるものから選択される。
代表的な溶媒はメタノール、トルエン、アセ１〜ン、Ｍ
、　Ｉ　ＢＫ、メチルエチルケトン等の如きケ１−ンを
含むが、例えは、メタノール及びＭＩＢＫの１〜３重量
比の混合物の如きメタノール及びＭＩ　ＢＫの混合物が
好ましい。
［スラリーの割合］ 本・発明の生のセラミック・シー１へを形成するのに使
用されるスラリーはこの分野で周知の如く所望の割合の
成分を含んでいる。
制限的ではないが、代表的にはこの様な比により、約１
．５乃至２：１の無機物対有機物の重量比を生ずる。キ
ン青石は無機物中の８５乃至１００重景置部占め、残り
は上述の選択が自由な成分である。有機部分は１０乃至
２０重置部の重合体結合体及び可塑剤より成り、残りは
選択された溶剤である。
［スラリー及び生のセラミック・シートの形成］本発明
に使用されるスラリー及び生のセラミックは次の如く通
常の従来の手順で形成される。
しかしながら、代表的な場合、キン青石及び他の選択自
由な成分は適切な比になる様に計量され、必要に応じて
粒子の寸法が調節され、所望の熱可塑性樹脂の如き有機
結合剤、可塑剤及び溶媒の成分は別個に混合され、次に
セラミック部分と有機物部分が計量され、ボール・ミル
中で混合され、この結果生じるスラリー（しはしはスリ
ップと呼ばれる）がドクター・ブレードを使用して、マ
イラ（登録商標）上にテープ状に注型される。ドクター
・ブレードはスラーりを拡げて一様な薄模にする。スラ
リーがマイラ（登録商標）ウェブ上に拡げられた後、移
動してもスラリーが流九なくなるに十分な程溶媒が蒸発
される迄、放置される。
この様にして部分的に乾燥さｈたスラリーは次いて完全
に乾燥され、次にマイラ（登録商標）からはがされて、
その後の処理で使用される準備状態におかれる。
この時点で、生のセラミック・シー１〜は寸法がやや太
き目であるので、この生のセラミック・シー１〜から作
業用ブランクが打抜かれ、この様に形成された作業用ブ
ランクに標準の格子パターンに従って貫通孔が選択的に
穿孔される。
この段階で、もし必要とされるならば、通常有機結合剤
に例えばモリブデン、タングステンもしくは銅の夕ｌき
金属粉末を混合した通常の金属ペースＩ〜を使用して通
常の如く、シルク・スクリーニングによって回路の金属
化層が、化シー１への作業用ブランク上に形成される。
金属は代表的には約０．５乃至約５，０ミクロン程度の
粒子寸法を有するが、この範囲に製限されるものではな
い。
もし金属化ペースとを形成するのに溶剤が使用されるの
であれば、この溶剤は処理された後に金属化層だけが残
される様に、焼成もしくは焼結温度以下で駆逐されるも
のでなければならない。
貫通孔の充填は、回路パターンのスクリーニングと同時
に通常の如く一回のスクリーニングで行なわれる。成る
場合、貫通孔を充填するのに２回のスクリーニング動作
が使用される。即ち一回目は金属ペーストを使用して底
からスクリーニングされ、続いて上からスクリーニング
されて貫通孔が充填され、これと同時にもしくは続いて
回路パターンがスクリーンされる。
上述の工程の後に、生のセラミック・ブランクのスタッ
クが形成され、これが最終モジュールとなる。
一般に、−組の作業用ブランクは適切な順序で、整置用
ピン上に積重ねられ、積層用プレス中に置かれ、中庸の
熱及び圧力が加えられる。代表的には約１４０乃至３５
０　ｋｇ／ｃｍ２の圧力、約７０乃至９０℃の温度が約
２乃至１０分間加えられる。
これによって、生のシート・ブランク中の熱可塑性結合
剤が軟化し、層は互に溶融して、金属化パターンのまわ
りが変形し、導線が完全に閉ざされる。
上述の手順に続いて、生のモジュールは３０℃乃至６０
℃の露点を有する。湿った水素の如き雰囲気中で約１乃
至約５時間、約１３００乃至約１４５０℃の温度で焼成
される。この焼成の目的は結合剤を駆逐し、セラミック
及び金属微粒子を互に焼結して所望の電気的導線パター
ンが内部を延びているセラミック絶縁体の構造体を得る
ことにある。
モジュールはここで上述のＫａｉｓｅｒ等の論文に詳細
に説明されている種々の後焼結動作を受ける準備状態に
ある。
上述の金属化パターンの焼結は焼結雰囲気もしくは出発
粉末の粒子の寸法を減少する事によってかなり加速され
得る。従って、例えばモリブデンの焼結は本発明のキン
青石をペースとするセラミック系の適切な焼結範囲であ
る１４００℃の程度である温度で行われる。
もちろん本発明は金属化パターンとしてモリブデンに制
限されず、焼結温度及び時間を適切に修正して上述され
た他の金属が使用される事は明らかであろう。
［実施例］ この実施例では、各層は２０ｍｍの厚さ及び１８５ＩＩ
ＩＴｌ×１８５ＩｎＩｎの縦横の寸法を有し、最終ＭＬ
Ｃは１２層で形成される。使用されるキン青石組成は９
０重置部の結晶質キン青石及び１０重荒％のアモルファ
ス・アルミノケイ酸塩（Ｍ　ｇ　０１ＣａＯ１１ｉ２０
．及びＳｉＯ□）より成る。その平均粒子寸法は４ミク
ロンである。
選択された結合剤はポリビニル・ブチラール（モンサン
Ｉ・礼登録商標Ｂｕｔｖａｒ　Ｂ−９８）及び該ＰＶＢ
の重量をベースとして約２０重量％のジプロピレン・グ
リコール・ジベンゾエートを含む。
選択された溶剤はメタノール及びＭ　１．　Ｂ　Ｋの混
合物（１：３重量部）である。
スラリーの重量に基づき夫々６４置部％、６重量％及び
３０重置部の比率のキン青石組成、結合剤及び溶媒が通
常の如く粉砕、混合された。
２０ｍｍの厚さを有する生のシートが通常のドクター・
ブレード法を使用して、スラリーがら形成された。
生のシー１〜は２４時間空気中で乾燥され、その後これ
は１８５　ｎｕｎ　Ｘ　１８５　ｎｕなる寸法を有する
作業用ブランクに切断され、整置孔が通常の如く穿孔さ
れた。
その後、１５０ミクロンの直径を有する貫通孔が標準の
格子パターンをなす様に各作業用ブランク中に選択的に
穿孔された。
上述の手順に従い、モリブデン金属化ペースト（８５重
量％の固体及び残此の通常の重合体結合体及び溶媒より
成る）を使用し、貫通孔が下側次いで上側から充填され
た。
その後、通常の方法を使用して、各作業用ブラング上に
上記モリブデン金属化ペーストを印刷する事によって配
線パターンが形成され、作業用ブランク上に所望の金属
化パターンが形成された。
上述の手順に続き、１２枚の上記ブランクが積重ねられ
、７５℃の温度、２８０ｋｇ／ａｎ２の圧力で５分間で
積層された。
その後、ＭＬＣ中間体は減圧された雰囲気、具体的には
１４３０℃で１２０分間、４０℃の露点を有する水／水
素雰囲気中で焼結された。
以上で１本発明の主要な処理段階は完了し、その後、焼
成されたＭＬＣは上述のＫａｉｓｅｒの論文に説明され
た種々後焼結動作を受ける準備状態になる。
これ等の後焼結動作のすべてはこの分野で周知の動作で
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 結晶質のキン青石粒子の焼結基板と、該基板内に互に間
    隔をおいて埋込まれて相互接続さ九た少なくとも２層の
    導電性パターンとを備えたことを特徴とする集積回路装
    置を装着するための誘電体基板。
JP59131238A 1983-07-29 1984-06-27 集積回路装置を装着するための誘電体基板 Pending JPS6043890A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US518588 1983-07-29
US06/518,588 US4540621A (en) 1983-07-29 1983-07-29 Dielectric substrates comprising cordierite and method of forming the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6043890A true JPS6043890A (ja) 1985-03-08

Family

ID=24064594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59131238A Pending JPS6043890A (ja) 1983-07-29 1984-06-27 集積回路装置を装着するための誘電体基板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4540621A (ja)
EP (1) EP0132740B1 (ja)
JP (1) JPS6043890A (ja)
DE (1) DE3482352D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6340762A (ja) * 1986-08-01 1988-02-22 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 電子回路パッケ−ジに適したセラミック材料

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60221358A (ja) * 1984-04-13 1985-11-06 日本碍子株式会社 電気絶縁体用セラミック組成物
JPS60254697A (ja) * 1984-05-31 1985-12-16 富士通株式会社 多層セラミック回路基板および製法
JPS6114187A (ja) * 1984-06-27 1986-01-22 日本特殊陶業株式会社 補強板状焼結体
DE3445765A1 (de) * 1984-09-17 1986-03-27 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Keramischer formkoerper
US4943470A (en) * 1985-01-11 1990-07-24 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic substrate for electrical devices
DE3674034D1 (de) * 1985-03-27 1990-10-18 Ibiden Co Ltd Substrate fuer elektronische schaltungen.
FR2585181B1 (fr) * 1985-07-16 1988-11-18 Interconnexions Ceramiques Procede de fabrication d'un substrat d'interconnexion pour composants electroniques, et substrat obtenu par sa mise en oeuvre
FR2585015A1 (fr) * 1985-07-16 1987-01-23 Centre Nat Rech Scient Poudre ceramique de type cordierite frittable a basse temperature, procede de preparation et composition ceramique obtenue par frittage de cette poudre
US4678683A (en) * 1985-12-13 1987-07-07 General Electric Company Process for cofiring structure comprised of ceramic substrate and refractory metal metallization
JPH0632355B2 (ja) * 1986-01-27 1994-04-27 株式会社日立製作所 セラミツク配線基板とその製造方法
US4769294A (en) * 1986-11-26 1988-09-06 Ceramics Process Systems Corp. Alumina materials for low temperature co-sintering with refractory metallization
US4778549A (en) * 1987-04-13 1988-10-18 Corning Glass Works Catalysts for accelerating burnout or organic materials
US4745092A (en) * 1987-04-27 1988-05-17 The Dow Chemical Company Strengthened cordierite having minor amounts of calcia
US4764341A (en) * 1987-04-27 1988-08-16 International Business Machines Corporation Bonding of pure metal films to ceramics
JPH079382Y2 (ja) * 1987-12-28 1995-03-06 日本特殊陶業株式会社 セラミック基板
DE68923417T2 (de) * 1988-03-07 1996-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zur herstellung von keramischen elektronischen schichtbauelementen.
US5270270A (en) * 1989-02-25 1993-12-14 Schott Glaswerke Process for producing dense-sintered cordierite bodies
US5089070A (en) * 1989-12-07 1992-02-18 Pac Polymers Inc. Poly(propylene carbonate)-containing ceramic tape formulations and the green tapes resulting therefrom
US5240671A (en) * 1992-06-01 1993-08-31 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of forming recessed patterns in insulating substrates
JPH0715101A (ja) * 1993-06-25 1995-01-17 Shinko Electric Ind Co Ltd 酸化物セラミック回路基板及びその製造方法
US5655209A (en) * 1995-03-28 1997-08-05 International Business Machines Corporation Multilayer ceramic substrates having internal capacitor, and process for producing same
EP1593660A4 (en) * 2003-01-29 2009-01-21 Tdk Corp COATING COMPOSITION FOR GREEN FILM, MANUFACTURING METHOD, GREEN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, ELECTRONIC COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP2005314215A (ja) * 2004-03-29 2005-11-10 Ngk Insulators Ltd 緻密質コーディエライト焼結体及びその製造方法
JP2007261848A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Ngk Insulators Ltd セラミックスグリーンシート及びその製造方法
JP2007261849A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Ngk Insulators Ltd シート状緻密質コージェライト焼結体の製造方法
CN111138172A (zh) * 2020-01-09 2020-05-12 福建闽航电子有限公司 一种流延片及其制造方法
CN111253150B (zh) * 2020-03-03 2021-04-16 武汉理工大学 一种电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5895643A (ja) * 1981-12-02 1983-06-07 株式会社日立製作所 シリコンと熱膨張係数が合う焼結体

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2731355A (en) * 1952-09-11 1956-01-17 Kenneth G Skinner Process of producing a crystalline magnesium-aluminum-silicate material
GB888227A (en) * 1957-05-03 1962-01-31 Walter Eduard Herbert Bloch Densely vitrified cordierite body compositions with improved firing range
NL7115135A (ja) * 1970-11-04 1972-05-08
US3826813A (en) * 1972-06-20 1974-07-30 Ibm Process for the preparation of mullite by a solid state reaction
US4109377A (en) * 1976-02-03 1978-08-29 International Business Machines Corporation Method for preparing a multilayer ceramic
SU777017A1 (ru) * 1976-04-20 1980-11-07 Предприятие П/Я Г-4696 Шихта дл изготовлени огнеупорного материала
SU652142A1 (ru) * 1977-10-17 1979-03-15 Уфимский Филиал Производственно-Технического Объединения "Росоргтехстром" Шихта дл изготовлени строительных изделий
US4301324A (en) * 1978-02-06 1981-11-17 International Business Machines Corporation Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper
US4225354A (en) * 1979-01-04 1980-09-30 Ford Motor Company Crystalline additive for magnesium alumina silicate
US4364100A (en) * 1980-04-24 1982-12-14 International Business Machines Corporation Multi-layered metallized silicon matrix substrate
US4340436A (en) * 1980-07-14 1982-07-20 International Business Machines Corporation Process for flattening glass-ceramic substrates
JPS5782174A (en) * 1980-11-08 1982-05-22 Nippon Soken Manufacture of cordierite body
US4403017A (en) * 1981-11-30 1983-09-06 The Perkin-Elmer Corporation Low thermal expansion modified cordierites

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5895643A (ja) * 1981-12-02 1983-06-07 株式会社日立製作所 シリコンと熱膨張係数が合う焼結体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6340762A (ja) * 1986-08-01 1988-02-22 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 電子回路パッケ−ジに適したセラミック材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP0132740A3 (en) 1986-12-30
EP0132740B1 (en) 1990-05-23
DE3482352D1 (de) 1990-06-28
US4540621A (en) 1985-09-10
EP0132740A2 (en) 1985-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6043890A (ja) 集積回路装置を装着するための誘電体基板
CA1078079A (en) Method for preparing a multilayer ceramic
US4861646A (en) Co-fired metal-ceramic package
KR100493759B1 (ko) 매립 레지스터를 가지는 다층 세라믹 회로 보드
JPH0649594B2 (ja) 結晶化可能な低誘電率低誘電体損組成物
KR100284068B1 (ko) 지지 기판상의 다층 세라믹 회로판용 전도성 비아 충전 잉크
EP0196670B1 (en) Ceramic substrates for microelectronic circuits and process for producing same
JPH0811696B2 (ja) 多層ガラスセラミック基板とその製造方法
US20080171647A1 (en) Low temperature cofired ceramic materials
US6117367A (en) Pastes for improved substrate dimensional control
JP3467873B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JPH02116196A (ja) セラミック多層回路基板の製造方法
JPS6357393B2 (ja)
JP2513382B2 (ja) 多層ガラスセラミック基板の製造方法
JP2504350B2 (ja) 多層ガラスセラミック基板とその製造方法
JPH0714421A (ja) バイアホール用導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック基板
JP2504351B2 (ja) 多層ガラスセラミック基板とその製造方法
JP2712930B2 (ja) 多層ガラスセラミック基板とその製造方法
JPS6024095A (ja) ガラスセラミツクス多層配線基板の製造法
JP2504349B2 (ja) 多層ガラスセラミック基板とその製造方法
JPS5895643A (ja) シリコンと熱膨張係数が合う焼結体
JP2761790B2 (ja) 窒化アルミニウム質グリーンシートの製法
JPS6323394A (ja) 複合焼結体の製造法
JPS59111987A (ja) 複合焼結体の製造方法
JPS6273791A (ja) セラミツク配線基板