JPH04307769A - 電子デバイス及びその形成方法 - Google Patents

電子デバイス及びその形成方法

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JPH04307769A
JPH04307769A JP3338067A JP33806791A JPH04307769A JP H04307769 A JPH04307769 A JP H04307769A JP 3338067 A JP3338067 A JP 3338067A JP 33806791 A JP33806791 A JP 33806791A JP H04307769 A JPH04307769 A JP H04307769A
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glass support
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casing
diaphragm
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は請求項１の上位概念によ
る電子デバイスを基礎とする。
【０００２】
【従来の技術】主表面上に電子的回路素子部を有するシ
リコンチップを備えた電子デバイスを次のように形成（
作製）することが公知である、即ち、当該シリコンチッ
プをアノード的にガラス支持体上にボンディング（接合
し）し、シリコンチップとガラス支持体との当該ユニッ
トをケーシング（これはシリコンチップの接触接続のた
め接続ピンを有する）上に被着して形成することが公知
である。シリコンチップからケーシングの接続ピンへの
電気的接続がボンド線（ボンディングワイヤ）によって
実現されており、このことは電子デバイスの形成の際１
つのプロセスステップを必要とする。
【０００３】
【発明の目的】本発明の目的ないし課題とするところは
従来技術の問題点を解決することにある。
【０００４】
【発明の構成】上記課題は請求範囲１等の特徴事項の構
成要件により解決される。
【０００５】本発明の請求範囲１の特徴部分の構成要件
により奏される利点とするところは当該デバイス作製の
際ワイヤボンディングの作業ステップが省かれることで
ある。更に、本発明のデバイスの形成の際電子的回路素
子部を備えた、シリコンチップの主表面が、外部からの
影響に対して、殊に、侵蝕性の媒質に対して気密に閉鎖
されているのである。更に、有利にはケーシングの接続
ピンの配列パターンでガラス支持体に設けられた貫通孔
により、簡単な手法で、ケーシング上でガラス保持体な
いしシリコンチップの位置調整された組立取付けが可能
である。導電性ペーストでの貫通孔の充填によってはシ
リコンチップとケーシングの接続ピンとの間の電気的接
触接続の簡単に実施さるべき技術的手段が形成される。
【０００６】引用請求項にて規定された手段によっては
独立的請求項にて特定された電子デバイスの有利な発展
形態が可能である。本発明の電子デバイスの構成ないし
形成は、殊に、マイクロケミカル（化学的微細加工）技
術による構造素子に適する。例えばシリコンセンサチッ
プ（このチップからマイクロケミカルダイヤフラムが形
成されかつこのチップ上に、当該ダイヤフラムの外部領
域にて最大の伸びの個所にシリコンセンサチップの主表
面が形成される）を用いての圧力測定のためには本発明
のデバイスの構成が特に好適である。センサチップのフ
ェース・ダウン（Ｆａｃｅ−Ｄｏｗｎ）組立取付けにお
いては有効な（アクティブな）センサ側が気密に閉鎖さ
れ、付加的に有利には圧力作用印加が次のように行なわ
れる、即ち、すべての接合部（センサチップ−ガラス支
持体−金属ケーシング）が均一に圧力を印加供給される
。殊に比較的高い圧力領域においてはケーシングからの
センサチップの剥離、引離が回避される。上記構成のさ
らなる利点とするところはガラス支持体の特別な構造化
によってセンサダイヤフラムの領域にて圧力センサの過
負荷防止安全手段が形成され得ることにある。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例が図示されており、以下の記
載内容において説明する。
【０００８】図１中センサチップ１０は単結晶シリコン
からつくられている。センサチップ１０のところにダイ
ヤフラム１１が構造化形成されている。センサチップ１
０の表面（この表面内にはダイヤフラム１１が形成され
ている）内にはダイヤフラム１１の外部領域にてセンサ
抵抗が例えば拡散によって形成されている。センサ抵抗
１２の接触接続のため、主表面上に、導体路１４が配置
されており、この導体路はセンサ抵抗１２から出ている
。導体路は同様に主表面内に拡散によりつくり込まれて
よいし、又は主表面上に蒸着されても、またはスパッタ
リングされてもよい。センサチップ１０はその主表面を
以てガラス支持体１５（これは有利にパイレックス（Ｐ
ＹＲＥＸ）ガラスから成る）にボンディング（接合）さ
れている。更にガラス支持体１５はケーシング１７、有
利には金属ケーシング上に被着されており、上記ケーシ
ングはセンサチップ１０の電気的接触接続のため接続ピ
ン１８を有する。ガラス支持体１５における貫通孔１８
は次のように配置されている、即ち、金属ケーシング１
７の接続ピン１８が貫通孔内に突入するように配置され
ている。センサチップ１０の主表面上の導体路１４は次
のように配置されている、即ち、ガラス支持体１５中の
貫通孔にて、導電性ペースト２１と共に、センサ抵抗１
２と、金属ケーシング１７の接続ピン１８との間の電気
的接続を形成するように配置されている。圧力供給は図
１に示す圧力測定のための電子デバイスでは上方から行
なわれる。その場合センサチップ１０のダイヤフラム１
１はガラス支持体に対し垂直な方向に向って変位せしめ
られ、このことは切欠部１６を介してガラス支持体１５
の方向にも可能である。切欠部１６の深さに応じて、ガ
ラス支持体１５はセンサチップ１０に対する過負荷防止
手段としても用いられ得る。センサチップの作用面、即
ち、主表面（この面にはマイクロケミカルな構造素子部
が形成されており、また電子的回路素子部及び導体路が
配置されている）は外部の影響に対して気密に閉鎖され
ている。面して、自動車に使用の際生じるような侵蝕性
の媒質に対して保護されている。センサチップの特別な
配置構成（Ｆａｃｅ−Ｄｏｗｎ）により、比較的高い圧
力作用印加のもとでもケースからのセンサチップの剥離
、離脱が回避される。図１に示す電子デバイスの構成の
場合、シリコンチップとケーシング接続ピンとの電気的
接続が導電性ペーストによって形成され、即ち、高いコ
ストのボンディングプロセスは必要でない。
【０００９】図２には従来技術に相応する構成を有する
図１に示す電子デバイスに相応する圧力測定用の電子デ
バイスの構成を示す。ダイヤフラム１１、センサ抵抗１
２、導体路１４を有するセンサチップ１０はそれの受動
的側を以てガラス支持体１５にボンディングされている
。ガラス支持体１５は接続ピン１８を有する金属ケーシ
ング１７上に被着されている、例えば接着又はろう付け
されている。センサチップ１０と金属ケーシング１７の
接続ピン１８との接続がボンディングワイヤ２０を介し
て形成され、このワイヤはセンサチップ１０上に配置さ
れたボンディングパッド１３から発している。その際導
体路１４はセンサ抵抗１２とボンディングパッドとの接
続を形成するように配置されている。上記構成は図１に
示す構成と異なって付加的なワイヤボンディング−作業
ステップを要する。更に、センサチップの各有効（アク
ティブ）部分、即ち、ダイヤフラム、センサ抵抗、導体
路、センサチップと金属ケーシングの接続ピンとの電気
的接続路が外部の影響を受け、それにより、当該デバイ
スの障害の起こり易さが惹起される。
【００１０】
【発明の効果】本発明により電子デバイスの作成の際ワ
イヤボンディングの作業が省かれ得るという効果が奏さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の圧力測定用の電子デバイスの構成図で
ある。
【図２】従来技術による圧力測定用の電子デバイスの構
成図である。
【符号の説明】
１０　　　　センサチップ １１　　　　ダイヤフラム １２　　　　センサ抵抗 １３　　　　ボンディングパッド １４　　　　導体路 １５　　　　ガラス支持体

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　少なくとも１つのシリコンチップ付電
    子的デバイスであって、上記シリコンチップは少なくと
    も１つの主表面上に電子的回路素子部を有しガラス支持
    体上に接合膜（層）として接合（ボンディング）されて
    おりここにおいて上記の少なくとも１つのシリコンチッ
    プは上記ガラス支持体と共に１構成ユニットを構成し、
    該ユニットは上記シリコンチップの電気的接触接続のた
    めの接続ピンを以ってケーシング上に被着されているも
    のにおいて −上記シリコンチップ（１０）は電気的回路素子部（１
    ２，１４）を備えた主表面を以って上記ガラス支持体（
    １５）上に接合されており、 −上記ガラス支持体（１５）は上記ケーシング（１７）
    の接続ピン（１８）の配列パターンに従って貫通孔を有
    しており、該貫通孔内には上記接続ピン（１８）が突入
    するように構成されており、更に上記貫通孔は導電性ペ
    ーストで充填されていて、上記導電性ペースト（２１）
    によっては上記シリコンチップ（１０）とケーシング（
    １７）の接続ピン（１８）との間の電気的接触接続がな
    されるように構成されていることを特徴とする電子デバ
    イス。
  2. 【請求項２】　　上記ガラス支持体（１５）はケーシン
    グ（１７）に接着又はろう付けされている請求項１記載
    のデバイス。
  3. 【請求項３】　　上記貫通孔は上記ガラス支持体に穿孔
    形成またはエッチング形成されている請求項１又は２記
    載のデバイス。
  4. 【請求項４】　　上記導電性ペースト（２１）はシリコ
    ン導電性ペーストである請求項１から３までのいずれか
    １項記載のデバイス。
  5. 【請求項５】　　上記ガラス支持体（１５）は構造化さ
    れている請求項１から４までのいずれか１項記載のデバ
    イス。
  6. 【請求項６】　　上記シリコンチップ（１０）はマイク
    ロケミカル（化学的微細加工）構造素子（１１）を有す
    る請求項１から５までのいずれか１項記載のデバイス。
  7. 【請求項７】−上記シリコンチップ（１０）のところに
    マイクロケミカルダイヤフラム（１１）が構造化形成さ
    れており、 −上記ダイヤフラム（１１）の外部領域にて最大の伸び
    の個所に抵抗（１２）がシリコンチップ（１０）の主表
    面内に形成されており、 −上記抵抗（１２）の接触接続のため導体路（１４）が
    シリコンチップ（１０）の主表面に被着されており、−
    上記ガラス支持体（１５）は上記ダイヤフラム（１１）
    の領域にて切欠部（１６）を有しており、−当該圧力供
    給部が、ケーシング（１７）から離反したシリコンチッ
    プ（１０）の側に配置されている請求項１から６までの
    いずれか１項記載のデバイス。
  8. 【請求項８】　　少なくとも１つのシリコンチップを有
    する電子デバイスの形成方法であって、上記シリコンチ
    ップは少なくとも１つの主表面上に電子的回路素子部を
    有するようにした方法において、 −ガラス支持体（１５）に接続ピン（１８）の配列パタ
    ーンに従って貫通孔を作成し、 −上記シリコンチップ（１０）を、電子回路素子部（１
    ２，１４）が設けられた主表面を以てガラス支持体（１
    ５）上に接合（ボンディング）し、 −上記貫通孔内に導電性ペースト（２１）を充填し、−
    上記ガラス支持体（１５）を上記シリコンチップ（１０
    ）と共にケーシング（１７）上に被着し、ここにおいて
    、上記接続ピン（１８）は上記貫通孔内に突入するよう
    に被着したことを特徴とする電子デバイス形成方法。
  9. 【請求項９】−シリコンチップ（１０）のところにマイ
    クロケミカルダイヤフラム（１１）を構造化形成し、−
    ダイヤフラム（１１）の外部領域にて最大伸びの個所に
    抵抗をシリコンチップ（１０）の主表面内に形成し、−
    上記抵抗（１２）の接触接続のため導体路（１４）を上
    記シリコンチップ（１０）の主表面上に被着し、更に、 −シリコンチップ（１０）の接合（ボンディング）され
    るガラス支持体（１５）の表面内に、ダイヤフラム（１
    １）の領域にて切欠部を形成するようにした請求項８記
    載の圧力測定センサの形成方法。
JP3338067A 1990-12-20 1991-12-20 電子デバイス及びその形成方法 Pending JPH04307769A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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