DE4040821A1 - Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen aufbau - Google Patents

Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen aufbau

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Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem elektronischen Bauelement nach der Gattung des Hauptanspruchs. Es ist bekannt, elektronische Bauele­ mente mit einem Silizium-Chip, der auf einer Hauptoberfläche mit elektronischen Schaltungselementen versehen ist, so aufzubauen, daß der Silizium-Chip anodisch auf einen Glasträger gebondet wird und diese Einheit aus Silizium-Chip und Glasträger auf ein mit Anschluß­ stiften zur elektrischen Kontaktierung des Silizium-Chips versehenes Gehäuse aufgebracht wird. Die elektrische Verbindung vom Silizium­ Chip zu den Anschlußstiften des Gehäuses ist durch Bonddrähte reali­ siert, was einen Verfahrensschritt beim Aufbau des elektronischen Bauelementes erfordert.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße elektronische Bauelement mit den kennzeichnen­ den Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß bei seiner Herstellung der Arbeitsschritt des Drahtbondens entfällt. Vorteilhaft ist außerdem, daß bei dem erfindungsgemäßen Aufbau des Bauelementes die mit elektronischen Schaltungselementen versehene Hauptoberfläche des Silizium-Chips gegen äußere Einflüsse, insbesondere den Angriff von aggressiven Medien, hermetisch abge­ schlossen ist. Von Vorteil ist außerdem, daß durch die im Rastermaß der Anschlußstifte des Gehäuses in den Glasträger eingebrachten Durchgangslöcher auf einfache Weise eine justierte Montage des Glas­ trägers bzw. des Silizium-Chips auf dem Gehäuse möglich ist. Das Auffüllen der Durchgangslöcher mit einer leitfähigen Paste stellt eine einfach zu handhabende Möglichkeit der elektrischen Kontaktie­ rung zwischen dem Silizium-Chip und den Anschlußstiften des Gehäuses dar.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vor­ teilhafte Weiterbildungen des im Hauptanspruch angegebenen elektro­ nischen Bauelementes möglich. Der erfindungsgemäße Aufbau des elek­ tronischen Bauelementes ist insbesondere für Silizium-Chips mit mi­ kromechanischen Strukturelementen von Vorteil. Beispielsweise zur Druckmessung mittels eines Silizium-Sensorchips, aus dem eine mikro­ mechanische Membran herausstrukturiert ist, und auf den an den Stel­ len maximaler Dehnung in den Außenbereichen der Membran Widerstände in die Hauptoberfläche des Silizium-Sensorchips eingebracht sind, erweist sich der erfindungsgemäße Aufbau des Bauelementes als beson­ ders vorteilhaft. Durch die Face-Down-Montage des Sensorchips ist nicht nur die aktive Sensorseite hermetisch abgeschlossen, vorteil­ haft ist zusätzlich, daß die Druckeinwirkung so erfolgt, daß alle Verbindungen (Sensorchip-Glasträger-Metallgehäuse) gleichmäßig mit Druckkräften beaufschlagt werden. Insbesondere in höheren Druckbe­ reichen ist damit ein Abreißen des Sensorchips vom Gehäuse ausge­ schlossen. Ein weiterer Vorteil dieses Aufbaus ist, daß durch eine spezielle Strukturierung des Glasträgers im Bereich der Sensormem­ bran eine Überlastsicherung des Drucksensors erzeugt werden kann.
Zeichnung
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung darge­ stellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt die
Fig. 1 den Aufbau eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauelements zur Druckmessung und
Fig. 2 im Gegensatz dazu, den Auf­ bau eines elektronischen Bauelementes zur Druckmessung entsprechend dem Stand der Technik.
Beschreibung des Ausführungsbeispieles
In Fig. 1 ist mit 10 ein Sensorchip bezeichnet, der aus monokri­ stallinem Silizium gefertigt ist. Aus dem Sensorchip 10 ist eine Membran 11 strukturiert. In die Oberfläche des Sensorchips 10, in der die Membran 11 ausgebildet ist, sind im Außenbereich der Membran 11 Sensorwiderstände, beispielsweise durch Diffusion, eingebracht. Zur Kontaktierung der Sensorwiderstände 12 sind auf der Hauptober­ fläche Leiterbahnen 14 angeordnet, die von den Sensorwiderständen 12 wegführen. Die Leiterbahnen können ebenfalls in die Hauptoberfläche eindiffundiert sein oder auch auf die Hauptoberfläche aufgedampft oder -gesputtert sein. Der Sensorchip 10 ist mit seiner Hauptober­ fläche gegen einen Glasträger 15 gebondet, der vorzugsweise aus PYREX-Glas besteht. Aus dem Glasträger 15 ist im Bereich der Membran 11 eine Ausnehmung 16 strukturiert. Der Glasträger 15 weist ferner Durchgangslöcher auf, die mit einer leitfähigen Paste 21, vorzugs­ weise einer Silberleitpaste, in den dem Sensorchip 10 zugewandten Bereichen ausgefüllt sind. Der Glasträger 15 ist auf ein Gehäuse 17, vorzugsweise ein Metallgehäuse, aufgebracht, das mit Anschlußstiften 18 zur elektrischen Kontaktierung des Sensorchips 10 versehen ist. Die Durchgangslöcher in dem Glasträger 15 sind so angeordnet, daß die Anschlußstifte 18 des Metallgehäuses 17 in die Durchgangslöcher hineinragen. Die Leiterbahnen 14 auf der Hauptoberfläche des Sensor­ chips 10 sind so angeordnet, daß sie zusammen mit der leitfähigen Paste 21 in den Durchgangsöffnungen im Glasträger 15 eine elek­ trische Verbindung zwischen den Sensorwiderständen 12 und den Anschlußstiften 18 des Metallgehäuses 17 herstellen. Die Druck­ zuführung erfolgt bei dem in Fig. 1 dargestellten elektronischen Bauelement zur Druckmessung von oben. Dabei wird die Membran 11 des Sensorchips 10 senkrecht zum Glasträger hin ausgelenkt, was auch in Richtung des Glasträgers 15 durch die Ausnehmung 16 möglich ist. Je nach Tiefe der Ausnehmung 16 kann der Glasträger 15 auch als Über­ lastsicherung für den Sensorchip 10 dienen. Die aktive Seite des Sensorchips, nämlich die Hauptoberfläche, in der mikromechanische Strukturelemente ausgebildet sind und auf der elektronische Schaltungselemente und Leiterbahnen angeordnet sind, ist hermetisch gegen äußere Einflüsse abgeschlossen und so gegen den Angriff von aggressiven Medien, wie sie beispielsweise bei einem Einsatz im Kraftfahrzeug auftreten, geschützt. Durch die spezielle Anordnung (Face-Down) des Sensorchips ist das Abreißen des Sensorchips vom Gehäuse auch bei höheren Druckeinwirkungen ausgeschlossen. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Aufbau eines elektronischen Bauelementes wird die elektrische Verbindung zwischen Siliziumchip und Gehäuse­ anschlußstiften durch leitfähige Pasten hergestellt, d. h. ein auf­ wendiger Bondprozeß ist nicht notwendig.
In Fig. 2 ist der Aufbau eines elektronischen Bauelementes zur Druckmessung entsprechend dem in Fig. 1 dargestellten elektro­ nischen Bauelement mit einem Aufbau entsprechend dem Stand der Technik dargestellt. Ein Sensorchip 10 mit einer Membran 11, Sensor­ widerständen 12 und Leiterbahnen 14 ist mit seiner passiven Seite gegen einen Glasträger 15 gebondet. Der Glasträger 15 ist auf ein Metallgehäuse 17 mit Anschlußstiften 18 aufgebracht, beispielsweise geklebt oder gelötet. Die Verbindung zwischen dem Sensorchip 10 und den Anschlußstiften 18 des Metallgehäuses 17 wird hier über Bond­ drähte 20 hergestellt, die von auf dem Sensorchip 10 angeordneten Bondpads 13 ausgehen, wobei die Leiterbahnen 14 so angeordnet sind, daß sie eine Verbindung zwischen den Sensorwiderständen 12 und den Bondpads 13 herstellen. Dieser Aufbau erfordert einen im Gegensatz zum in Fig. 1 dargestellten Aufbau zusätzlichen Drahtbond-Arbeits­ schritt. Ferner sind die aktiven Teile des Sensorchips, d. h. die Membran, die Sensorwiderstände, die Leiterbahnen sowie die elek­ trischen Verbindungen zwischen dem Sensorchip und den Anschluß­ stiften des Metallgehäuses äußeren Einflüssen ausgesetzt, was die Störanfälligkeit des Bauelementes wesentlich erhöht.

Claims (9)

1. Elektronisches Bauelement mit mindestens einem Silizium-Chip, der auf mindestens einer Hauptoberfläche mit elektronischen Schaltungs­ elementen versehen ist und auf einen Glasträger als Verbindungs­ schicht gebondet ist, wobei der mindestens eine Silizium-Chip zusammen mit dem Glasträger eine Einheit bildet, die auf ein Gehäuse mit Anschlußstiften zur elektrischen Kontaktierung des Silizium-Chips aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß der Silizium-Chip (10) mit der mit elektronischen Schaltungs­ elementen (12, 14) versehenen Hauptoberfläche auf den Glasträger (15) gebondet ist,
  • - daß der Glasträger (15) im Rastermaß der Anschlußstifte (18) des Gehäuses (17) Durchgangslöcher aufweist, in die die Anschluß­ stifte (18) hineinragen
  • - und daß die Durchgangslöcher mit einer leitfähigen Paste (21) aufgefüllt sind, so daß die leitfähige Paste (21) den elektri­ schen Kontakt zwischen dem Silizium-Chip (10) und den Anschluß­ stiften (18) des Gehäuses (17) herstellt.
2. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß der Glasträger (15) auf das Gehäuse (17) geklebt oder gelötet ist.
3. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Durchgangslöcher in dem Glasträger gebohrt oder geätzt sind.
4. Elektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähige Paste (21) eine Sil­ berleitpaste ist.
5. Elektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß der Glasträger (15) strukturiert ist.
6. Elektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß der Silizium-Chip (10) mikromecha­ nische Strukturelemente (11) aufweist.
7. Elektronisches Bauelement zur Druckmessung nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß aus dem Silizium-Chip (10) eine mikromechanische Membran (11) herausstrukturiert ist,
  • - daß an den Stellen maximaler Dehnung in den Außenbereichen der Membran (11) Widerstände (12) in die Hauptoberfläche des Sili­ zium-Chips (10) eingebracht sind,
  • - daß zur Kontaktierung der Widerstände (12) Leiterbahnen (14) auf die Hauptoberfläche des Silizium-Chips (10) aufgebracht sind
  • - daß der Glasträger (15) im Bereich der Membran (11) eine Ausneh­ mung (16) aufweist
  • - und daß die Druckzuführung auf der dem Gehäuse (17) abgewandten Seite des Silizium-Chips (10) angeordnet ist.
8. Verfahren zum Aufbau eines elektronisches Bauelementes mit mindestens einem Silizium-Chip, der auf mindestens einer Haupt­ oberfläche mit elektronischen Schaltungselementen versehen ist, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß in einen Glasträger (15) im Rastermaß der Anschlußstifte (18) eines Gehäuses (17) Durchgangslöcher eingebracht werden,
  • - daß der Silizium-Chip (10) mit der mit elektronischen Schaltungs­ elementen (12, 14) versehenen Hauptoberfläche auf den Glasträger (15) gebondet wird,
  • - daß in die Durchgangslöcher eine leitfähige Paste (21) einge­ bracht wird
  • - und daß der Glasträger (15) mit dem Silizium-Chip (10) so auf das Gehäuse (17) aufgebracht wird, daß die Anschlußstifte (18) in die Durchgangslöcher hineinragen.
9. Verfahren zum Aufbau eines Sensorelementes zur Druckmessung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß aus einem Silizium-Chip (10) eine mikromechanische Membran (11) herausstrukturiert wird,
  • - daß an den Stellen maximaler Dehnung in den Außenbereichen der Membran (11) Widerstände in die Hauptoberfläche des Silizium-Chips (10) eingebracht werden,
  • - daß zur Kontaktierung der Widerstände (12) Leiterbahnen (14) auf die Hauptoberfläche des Silizium-Chips (10) aufgebracht werden, und
  • - daß in die Oberfläche des Glasträgers (15), auf die der Silizium-Chip (10) gebondet wird, im Bereich der Membran (11) eine Ausnehmung eingebracht wird.
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US07/830,205 US5200363A (en) 1990-12-20 1991-11-20 Method for manufacturing a semiconductor package including a glass support
GB9126483A GB2251125B (en) 1990-12-20 1991-12-13 Electronic component and method for its construction
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0915074A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力検出装置及びその製造方法
US5674785A (en) * 1995-11-27 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Method of producing a single piece package for semiconductor die
US6861290B1 (en) * 1995-12-19 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Flip-chip adaptor package for bare die
USRE43112E1 (en) 1998-05-04 2012-01-17 Round Rock Research, Llc Stackable ball grid array package
US5929497A (en) * 1998-06-11 1999-07-27 Delco Electronics Corporation Batch processed multi-lead vacuum packaging for integrated sensors and circuits
US6109113A (en) * 1998-06-11 2000-08-29 Delco Electronics Corp. Silicon micromachined capacitive pressure sensor and method of manufacture
US6159643A (en) * 1999-03-01 2000-12-12 Advanced Micro Devices, Inc. Extreme ultraviolet lithography reflective mask
JP3619065B2 (ja) * 1999-07-16 2005-02-09 株式会社山武 圧力センサ
JP2002082009A (ja) 2000-06-30 2002-03-22 Denso Corp 圧力センサ
EP1734583A1 (de) * 2005-06-14 2006-12-20 Photonis-DEP B.V. Elektronenbombartierder Bildaufnahmesensor und sein Herstellungsverfahren
CN102575964B (zh) 2009-12-25 2014-06-18 阿尔卑斯电气株式会社 测力传感器及其制造方法
CN101799344B (zh) * 2010-04-21 2014-07-09 无锡莱顿电子有限公司 硅压力传感器的封装结构
US10571348B2 (en) * 2016-08-30 2020-02-25 Honeywell International Inc. Overforce control through sense die design

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3021461A (en) * 1958-09-10 1962-02-13 Gen Electric Semiconductor device
US3370203A (en) * 1965-07-19 1968-02-20 United Aircraft Corp Integrated circuit modules
US3660799A (en) * 1969-06-17 1972-05-02 Honeywell Inf Systems Connector device
US4750092A (en) * 1985-11-20 1988-06-07 Kollmorgen Technologies Corporation Interconnection package suitable for electronic devices and methods for producing same
DE3780764T2 (de) * 1986-11-15 1992-12-24 Matsushita Electric Works Ltd Gegossenes kunststoff-chip-gehaeuse mit steckermuster.
US4951510A (en) * 1988-07-14 1990-08-28 University Of Hawaii Multidimensional force sensor

Also Published As

Publication number Publication date
GB2251125A (en) 1992-06-24
JPH04307769A (ja) 1992-10-29
US5200363A (en) 1993-04-06
GB9126483D0 (en) 1992-02-12
GB2251125B (en) 1995-02-22

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