JP2001074577A - 半導体圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】製造コストの低減，製造工程の合理化を図り、
鉛入りでない半田を使用することが可能な半導体圧力セ
ンサを提供する。 【解決手段】半導体基板４にダイアフラム１，歪ゲージ
２，電極部３を形成して成る感圧素子４´が絶縁基板た
るステム９に接合される。ステム９には、孔の壁面に導
電膜５が形成されたスルーホール６が配設され、スルー
ホール６に該スルーホールを封止するように溶融固化さ
れた導電材７が入る。この溶融固化された導電材７の一
部を感圧素子４´の電極３面に至らせて、該導電材７を
介して感圧素子４´の電極部３とスルーホール６の導電
膜５とが接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、自動車の
エンジン制御などに用いられる半導体式の圧力センサに
係り、高圧の液体，気体測定用に適した実装構造に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】この種の半導体圧力センサに係わる従来
技術としては、例えば、特開平１０−３００６０２号公
報、特開平１１−６４１３４号公報に開示されたものが
ある。

【０００３】図６にその一例の断面図を示す。図６に示
すように、感圧素子となるシリコン基板(シリコンチッ
プ）１０３には、ダイアフラム１００，歪みゲージ１０
１，電極部１２０が形成されている。このシリコン基板
１０３の外枠部１０３ａを台座１０５に気密に接合する
ことで歪みゲージ１０１及び基準圧室１３０が密封され
ている。台座１０５は、例えばホウ珪酸ガラスよりな
り、シリコン基板１０３の外枠部１０３ａと陽極接合さ
れている。

【０００４】シリコン基板１０３は、第１のシリコン板
１０３−１、熱酸化膜１０３−２、第２のシリコン板１
０３−３よりなるＳＯＩ（silicon on insulator）基板
である。第２のシリコン板１０３−３に電極部１２０と
なるシリコンパッドが複数（例えば４個）配設され、ま
た、これらの電極部１２０及び外枠部１０３ａのそれぞ
れが溝１２１で仕切り形成されている。

【０００５】感圧素子（シリコン基板）１０３は、台座
１０５を介して感圧素子保持部材であるステム１０８の
一面に低融点ガラス１１０により接合されている。

【０００６】台座１０５及びステム１０８には、電気的
導通を行う目的で加工したスルーホール１０４，１０６
が貫通形成されている。

【０００７】ステム１０８のスルーホール１０６には、
リードピン１０７が通され、リードピン１０７の一端が
台座１０５に設けたスルーホール１０４内に導かれて、
スルーホール１０４内で半田等の接合材１０９を介して
感圧素子１０６側の電極部１２０に金属膜１０２を介し
て接続されている。スルーホール１０６内には、該スル
ーホール内を封止するための封止材１２２が充填されて
いる。

【０００８】封止材１２２は、ステム１０８が導電性を
有する材料（例えばコバール）で構成されているため、
高融点ガラスのような絶縁材料で構成することで、ステ
ム１０８とリードピン１０７との絶縁を図っている。

【０００９】上記の接合材（半田）１０９は、台座１０
５とステム１０８とを低融点ガラス１１０を介して接合
する場合に、低融点ガラス１１０と同時に加熱溶融され
てリードピン１０７と電極部金属膜１２０とを下地金属
膜１０２を介して接合する。リードピン１０７の他端
は、被測定ガス１１２を導くセンサハウジング１１１の
外部にある増幅回路１１３に接続され、この増幅回路に
より感圧素子１０３が所望の出力を得ている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来例では、
ステム１０８のスルーホール１０６を封止するために高
価な高融点ガラス封止材（ハーメチックシール）１２２
を用いている。また、台座１０５とステム１０８とを接
合するために低融点ガラス１１０を使用し、リードピン
１０７と電極部１２０との接合には半田１０９を用い
る。したがって、圧力センサに、高融点ガラス封止材，
低融点ガラス，半田といった多種類の材料を使用しなけ
ればならず、これも製造コストを高め、しかも製造プロ
セスを増やす原因となっていた。

【００１１】また、リードピンと電極の半田接合工程
と、ステムと台座の低融点ガラスによる接合工程を同時
に行うためには、半田として融点が低融点ガラスに近い
鉛入り半田を使用することになる。

【００１２】本発明の目的は、製造コストの低減，製造
工程の合理化を図り、しかも、鉛入りでない半田いわゆ
る鉛レス半田を使用することが可能な半導体圧力センサ
を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、基本的には、次のように構成される。

【００１４】本発明を、図１に示す符号を引用して説明
すると、半導体基板（例えばシリコンチップ）４にダイ
アフラム１，歪ゲージ２，電極部３（図１では３ａ〜３
ｄを総称して符号３とする）を形成して成る感圧素子４
´を用いて圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、
前記感圧素子４´が絶縁基板９に接合され、この絶縁基
板９には、孔壁面に導電膜５が形成されたスルーホール
６が配設され、前記スルーホール６に該スルーホールを
封止するように溶融固化された導電材７が入り、この溶
融固化された導電材７の一部を前記感圧素子４′の電極
３の面上に至らせて、該導電材７を介して前記感圧素子
４´の電極部３と前記スルーホール６の導電膜５とが接
合されていることを特徴とする。

【００１５】なお、感圧素子４´は前記絶縁基板９に直
接接合するか或いは図５に示すように台座３３を介して
間接的に接合してもよく、後者の場合には、台座３３に
も前記絶縁基板９のスルーホール６に通じるスルーホー
ル３４が形成され、これらのスルーホール６，３４内に
前記導電材７が溶融固化されて前記感圧素子４´の電極
部３と前記絶縁基板９側のスルーホール６の導電膜５と
が接合されるものである。

【００１６】なお、これらの作用効果についは、次の実
施例の項で説明する。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図１〜５に示した実施例を
用いて本発明の実施の形態について説明する。

【００１８】図１（ａ）は本発明の第１実施例に係る縦
断面図で、図１（ｂ）のＢ−Ｂ´線の箇所を断面したも
の、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´線を断面した図
である。

【００１９】図１において、感圧素子４´は、半導体基
板４に、ダイアフラム１，歪みゲージ２，電極部（シリ
コンパッド）３すなわち３ａ〜３ｄを形成してなる。例
えば、エッチング加工によりダイアフラム１を形成した
第１のシリコン基板４−１（第１の半導体基板）と、熱
酸化膜４−２と、エッチング加工により歪ゲージ２を形
成した第２のシリコン基板４−３とを積層形成したＳＯ
Ｉ基板よりなる。

【００２０】第２のシリコン基板４−３は、図２に示す
ようにエッチング加工により外枠部４ａ及び電極部とな
るシリコンパッド３ａ〜３ｄのそれぞれを仕切り形成す
るように溝３２が形成され、この溝３２と絶縁膜２とに
より電極部３ａ〜３ｄ同士及びこれらの電極部と外枠部
４ａとが絶縁されている（ただし、ＧＮＤ電極部３ｂに
ついては後述する導電材７を外枠部４ａに行き渡らせる
便宜から、ＧＮＤ電極部３ｂと外枠部４ａとが符号４０
の連絡部を介してつながっている）。また、第２のシリ
コン基板４−３をエッチング加工して歪ゲージ２の要素
２ａ〜２ｄが形成されている。

【００２１】第１のシリコン基板４−１及び第２のシリ
コン基板４−３は、（１００）面Ｐ型で比抵抗０．０１
〜１．０Ω・ｃｍの単結晶シリコンウエハが用いられて
おり、拡散等によって形成されたピエゾ抵抗効果の歪ゲ
ージ２の電気抵抗値は数百Ω〜数キロΩの値に設定され
ている。なお、ゲージ部２以外の配線部４１もシリコン
基板４−３をエッチングにより薄肉形成したもので、配
線部４１を介して各歪ゲージ２が対応の電極部３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄに接続されている。

【００２２】ゲージ部以外の配線部４１及び電極部とな
るシリコンパッド３ａ〜３ｂには、アルミスパッタなど
による金属薄膜の形成あるいはボロン等の打ち込みによ
って電気抵抗を小さくしている。

【００２３】シリコンパッド３ａはＶｃｃ（電源）電極
部、シリコンパッド３ｂはＧＮＤ（接地）電極部、シリ
コンパッド３ｃは（＋）側出力電極部、シリコンパッド
３ｄは（−）側出力電極部となる。このうち、ＧＮＤの
シリコンパッド３ｂは、既述したように連絡部４０を介
して外枠部４ａにつながっている。

【００２４】本実施例では、ステム９を絶縁基板で構成
し、この絶縁基板９が台座代わりとなって感圧素子４´
を直接接合して感圧素子４´を被検知圧力８のかかる方
向に受けるものである。ステム９は、例えばセラミッ
ク，ムライト等の絶縁材料よりなる。

【００２５】ステム９には、感圧素子４´側の電極部３
ａ〜３ｄと電気的導通を図るための導電膜５付きのスル
ーホール６が複数（ここでは４個）配設されている。ス
ルーホール６の一端は各電極部３ａ〜３ｄのそれぞれに
臨んでいる。導電膜５は例えばＡｌ膜で、スルーホール
６の孔壁面に形成され、その膜の両端は符号５´，５″
のようにステム９の両面まで延設されている。導電膜５
のうちステム９の一面（図１のステム上面側）の延設部
５´は、後述する増幅回路１２との接続用の配線部とな
る。また、ステム９の他面（図１のステム下面側）の延
設部５″は、ステム９が接合材（ここでは導電材７の一
部）を介して感圧素子４´と接合する場合の下地金属膜
となるものであり、延設部５″の一部は図１（ｂ）に示
すような感圧素子の連絡部４０及び外枠部４ａの対向す
る位置にも延設されている。この導電膜５の延設部５″
に対向して感圧素子の電極部３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ及
び連絡部４０，外枠部４ａ面上にも接合用の下地金属膜
３０が形成されている。

【００２６】感圧素子４´とステム９は次のようにして
接合される。

【００２７】導電膜５付きスルーホール６に導電材７
（例えば鉛レス半田）を充填した後、感圧素子４´（半
導体基板４）とステム９を重ねた状態で炉内を通して加
熱溶融させると、導電材７の一部が濡れ性の点で相性の
よい下地金属膜５″及び金属膜３０の間を通り電極部３
ａ〜３ｄ及び外枠部４ａの全周に行き渡る〔図１（ｂ）
の斜線で示す領域が導電材７の行き渡る領域を示してい
る〕。その結果、溶融固化された導電材７がスルーホー
ル６を封止し、該導電材７を介して感圧素子４´の電極
部３ａ〜３ｄとスルーホール６の導電膜５とが接合さ
れ、また、導電材７が外枠部４ａ・ステム９間の接合材
となって感圧素子４´の基準圧力室３１を気密にする。

【００２８】なお、導電材７は、スルーホール６を気密
に封止するので、万一ダイアフラム１が破損しても、被
測定媒体８が外部に漏れることがなく破損を検知できる
利点がある。

【００２９】ステム９は、圧力導入部となるハウジング
（図示省略）のフランジ１１とＯリング１０により気密
に封止されて取り付けられ、また、ステム９のうち感圧
素子４´の取付側と反対側の面にセンサ出力の増幅回路
１２が形成され、この増幅回路１２が導電膜５と接続さ
れている。

【００３０】本実施例では、ダイアフラム１が被測定媒
体の圧力と基準圧との差圧によってたわむと、歪ゲージ
２によって電極部３ｃと３ｄ間に計測すべき圧力に応じ
た電圧が発生し、これが導電材７，導電膜５を介して増
幅回路１２に入力され、増幅回路１２により圧力検出信
号が増幅されて出力する。

【００３１】本実施例によれば、次のような効果を奏す
る。

【００３２】導電材７は、ステム（絶縁基板）９に設
けたスルーホール６の気密封止、導電膜５と電極部３
（３ａ〜３ｄ）との電気的接続、及びステム９と感圧素
子４´との機械的接合の役割を果たすので、これらの用
途に使用する材料の種類を少なくすることができる。ま
た、気密封止材として高価な高融点ガラスを使用するこ
となく、接合材として低融点ガラスを使用しないので、
材料コストの低減を図り、さらに、導電材７の溶融工程
で、上記したスルーホール６の封止工程、導電膜５と電
極部３（３ａ〜３ｄ）との電気的接続工程、及びステム
９と感圧素子４´との機械的接合工程を同時に実現でき
るので、製造プロセスの合理化を図り、この種半導体圧
力センサの品質向上とコスト低減を可能にする。

【００３３】また、ステム９は、印加圧力に対する台座
の役割を果たすと同時に増幅回路１２を形成するので、
部品点数を大幅に削減することができ、これもコスト低
減に貢献することができる。

【００３４】また、上記したようにステム９と感圧素
子４´との接合に低融点ガラスを使用しないので、電極
部３と電気的接続を図る半田（導電材）７についても低
融点ガラスの融点と近い鉛入り半田（Ｐｂ−Ｓｎ系半
田）を用いる必要性がなくなり、接合材として使用する
導電材７に鉛レス半田を使用することが可能になる。

【００３５】図２（ａ），（ｂ）は、本発明の第２実施
例に係る半導体圧力センサの断面図であり、断面箇所は
図１同様の箇所である。図中、図１の実施例と同一符号
は同一要素を示す（図３以降も同様である）。

【００３６】本実施例と第１実施例との相違点は、本実
施例では第１実施例で用いた連絡部４０をなくし、感圧
素子４′の外枠部４ａと電極部３ａ〜３ｄとを溝３２に
より完全に遮断している点にある。したがって、スルー
ホール６の壁面に形成した導電膜５の延設部５″は外枠
部４ａの対向位置まで至らず、電極部３ａ〜３ｄの対向
位置にとどまっている。

【００３７】そして、ステム９のうち感圧素子４′の外
枠部４ａに対向する位置に外枠部４ａのラインに合わせ
た下地金属膜１７が形成されている。また、外枠部４ａ
にも上記下地金属膜１７に対向するようにして下地金属
膜３０ａが形成されている。

【００３８】感圧素子４′をステム９に接合する場合に
は、予め、下地金属膜１７と３０ａとの間に接合材１５
を非加熱状態で介在させ（この接合材１５は、導電材７
と同じ材料の鉛レス半田や導電ペーストとする）、ま
た、スルーホール６内に導電材７を詰め込み、この状態
で、ステム９及び感圧素子４′を炉内に通すと、導電材
７及び接合材１５が同時に加熱溶融して、導電材７はそ
の一部流出した部分が電極３ａ〜３ｄに至って該電極部
のそれぞれと接合され、また、接合材１５を介してステ
ム９と感圧素子４′が接合される。

【００３９】本実施例においても、第１実施例と同様に
高価な高融点ガラスをスルーホールの封止材として使用
することなく、また、低融点ガラスの使用もなくし、且
つ、導電材７と接合材１５とを同じ製造プロセスで扱う
ことができるので、コスト的に有利である。さらに、鉛
レス半田の使用を可能にする。

【００４０】また、接合材１５は、導電材７と短絡しな
いように溝３２を介して導電材７の最寄りの位置から少
なくとも１００μｍ以上離しているので、被測定媒体８
が導電性の場合でも、導電材７によって接続される歪み
ゲージ２の各々の電極部３が短絡することがないため、
被測定媒体８を選ばず、センサを標準化することができ
る利点がある。

【００４１】次に、本発明の第３実施例に係わる半導体
圧力センサを図３により説明する。

【００４２】本実施例も図１，図２の実施例と同様にス
テム（絶縁基板）９のスルーホール６に形成した導電膜
５と感圧素子４′の電極部３（３ａ〜３ｄ）とをスルー
ホール６内に入れた導電材７を介して接合するものであ
るが、異なる点は次の通りである。

【００４３】本実施例では、感圧素子４′（シリコン基
板４）の外枠部４ａとステム９とを接合させておらず
（導電材７の行き渡る範囲は電極部３どまりで、図２同
様に形成した溝３２によって外枠部４ａ面上まで行き渡
らないようにしてある）、感圧素子４′とステム９との
接合は、導電材７により電極部３と導電膜５とを接合さ
せることだけで行なっている。

【００４４】また、ステム９のうち感圧素子４′の在る
位置（感圧素子４′との接合面）は凹部１３になってお
り、この凹部１３の感圧素子周りに絶縁性のコーティン
グ材１４を注入することで感圧素子４′の外枠部４ａと
ステム９との間を覆うことで、感圧素子４′の基準圧力
室３１の気密性を維持している。コーティング材９とし
ては、例えば、フッ素ゴムやポリイミド樹脂を使用すれ
ば、耐食性，耐熱性，絶縁性を保証する。

【００４５】本実施例によれば、第１，第２実施例と同
様に、導電材７がスルーホール６の気密封止、導電膜５
と電極部３（３ａ〜３ｄ）との電気的接続、及びステム
９と感圧素子４´との機械的接合の役割を果たすので、
これらの用途に使用する材料の種類を少なくし、また、
気密封止材として高価な高融点ガラスを使用することな
く、接合材として低融点ガラスを使用せず、さらに、導
電材７の溶融工程で、上記したスルーホール６の気密封
止工程、導電膜５と電極部３（３ａ〜３ｄ）との電気的
接続工程、及びステム９と感圧素子４´との機械的接合
工程を同時に実現させるので、製造プロセスの合理化を
図り、この種半導体圧力センサの品質向上とコスト低減
を可能にする。

【００４６】さらに、ステム９に設けた凹部１３にコー
ティング１４を滴下する簡易な被覆工程だけで、容易に
かつ完全に基準圧力室３１を密閉できる利点がある。

【００４７】また、被測定媒体８が導電性の場合でも、
コーティング１４が絶縁性のため、導電材７によって接
続される歪みゲージ２の各々の電極部３が短絡すること
がないため、被測定媒体８を選ばず、標準化することが
できる。

【００４８】図４に本発明に係る半導体圧力センサの実
装例を示すもので（これを第４実施例とする）、一例と
して、基本的には、半導体圧力センサは第１実施例と同
様のものを例示する。ただし、本例では、導電膜５は、
フレキシブル基板１９により、エンジンや変速機のコン
トロールユニット２０に接続され、歪みゲージ２の出力
は、コントロールユニット２０内の基板に設けられた増
幅回路１２により、所望の値に増幅され、同じ基板上の
圧力制御回路２１部内に取り込まれるようにしてある。

【００４９】本例では、ステム９を被測定媒体８を有す
る圧力発生器１８にＯリング１０により直接気密封止
し、被測定媒体８は、例えば、配管を通る自動車用の燃
料、ブレーキ油、冷却水、変速機油等である。

【００５０】本実施例によれば、ステム９は、増幅回路
１２を囲うハウジングを必要としなくなる。なお、図４
の実装構造は、図１のほか、図２，図３及び次に述べる
図５の半導体圧力センサにも適用可能である。

【００５１】図５は本発明の第５実施例に係る半導体圧
力センサの断面図で、感圧素子４´（半導体基板４）
は、ホウ珪酸ガラスの台座３３に陽極接合され、この台
座３３を介して感圧素子４´とステム（絶縁基板）９が
接合される。この接合態様は、次に述べる。

【００５２】台座３３には、ステム９のスルーホール６
に通じるスルーホール３４が形成され、これらのスルー
ホール６，３４内に鉛レス半田等の導電材７が溶融固化
されてつながるように入り、この導電材７により感圧素
子４´の電極部３（３ａ〜３ｄ）とステム９のスルーホ
ール６の導電膜５とが電気的に接合されている。

【００５３】感圧素子４´には、ガラス台座３３に面す
る側に基準圧力室３１となる空間が形成され、この空間
が陽極接合の台座３３に覆われて密閉されている。本実
施例では、台座３３のスルーホール３４を導電材７によ
って封止しているため、この封止と上記した陽極接合に
より基準圧力室３１が密閉される。したがって、ステム
９と台座３３との接合は気密性を配慮する必要がない。
また、台座３３のスルーホール３４に導かれた導電材７
の一部が下地金属膜３０を介して感圧素子４´の電極部
３（３ａ〜３ｄ）と接合することで、ステム９と感圧素
子４´との機械的接合が可能になるが、さらに、本実施
例では、導電材７と同一材料の接合材１６を、ステム９
側の下地金属膜５″（導電膜５の延長部）と台座３３側
の下地金属膜３５との間に介在させることで、ステム９
と感圧素子４´との機械的接合の強化を図っている。

【００５４】本実施例においても、上記した各実施例同
様の効果を奏する。

【００５５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、絶
縁基板（ステム）と感圧素子を接合してなる半導体圧力
センサにおいて、従来のようにステムにリードピンを通
したりそれを気密に封止した高価な高融点ガラスといっ
たものを不要とし、また、接合材として低融点ガラスと
いった高コスト部品を使用せず、さらに製造工程の合理
化を図り得、しかも、鉛入りでない半田を使用すること
が可能な半導体圧力センサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１実施例に係る縦断面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ´線断面図。

【図２】（ａ）は本発明の第２実施例に係る縦断面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ´線断面図。

【図３】本発明の第３実施例に係る縦断面図。

【図４】本発明の第４実施例に係る縦断面図。

【図５】本発明の第５実施例に係る縦断面図。

【図６】半導体圧力センサの従来例の実装構造を示した
縦断面図。

【符号の説明】

１…ダイアフラム、２…歪ゲージ、３（３ａ〜３ｄ）…
電極部、４…シリコン基板（半導体基板）、５…導電
膜、６…スルーホール、７…導電材、９…ステム（絶縁
基板）、１２…増幅回路、１３…凹み部、１４…コーテ
ィング、１５…接合材。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三木 政之 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 市川 範男 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 (72)発明者 久保田 正則 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 Ｆターム(参考） 2F055 AA21 BB05 CC02 DD05 EE14 FF43 GG12 4M112 AA01 BA01 CA05 CA11 CA13 CA15 DA02 DA18 DA20 EA03 GA01 GA03

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板にダイアフラム，歪ゲージ，
   電極部を形成して成る感圧素子を用いて圧力を検出する
   半導体圧力センサにおいて、 前記感圧素子が絶縁性の基板（以下「絶縁基板」とい
   う）に接合され、この絶縁基板には、孔壁面に導電膜が
   形成されたスルーホールが配設され、前記スルーホール
   に該スルーホールを封止するように溶融固化された導電
   材が入り、この溶融固化された導電材の一部を前記感圧
   素子の電極面に至らせて、該導電材を介して前記感圧素
   子の電極部と前記スルーホールの導電膜とが接合されて
   いることを特徴とする半導体圧力センサ。
2. 【請求項２】 前記感圧素子には、前記絶縁基板に面す
   る側に基準圧力室となる空間が形成され、この空間を密
   閉するため前記感圧素子に設けた外枠部が前記導電材と
   同じ材料の接合材により前記絶縁基板に接合されている
   請求項１記載の半導体圧力センサ。
3. 【請求項３】 前記感圧素子の外枠部と前記絶縁基板と
   を接合する前記接合材は、前記スルーホール内で溶融固
   化した導電部材のうち前記感圧素子側のグラウンド電極
   部に対応する導電部材とつながっている請求項２記載の
   半導体圧力センサ。
4. 【請求項４】 前記絶縁基板のうち前記感圧素子の在る
   位置は凹部になっており、前記感圧素子には、前記絶縁
   基板と面する側に基準圧力室となる空間が形成され、前
   記凹部には前記感圧素子の外枠と前記絶縁基板間を覆う
   絶縁性のコーティング材が注入されている請求項１記載
   の半導体圧力センサ。
5. 【請求項５】 前記感圧素子は、ホウ珪酸ガラスの台座
   に陽極接合され、この台座を介して該感圧素子と前記絶
   縁基板が接合され、前記台座に前記絶縁基板のスルーホ
   ールに通じるスルーホールが形成され、これらのスルー
   ホール内に前記導電材が溶融固化されて、前記感圧素子
   の電極部と前記絶縁基板のスルーホールの導電膜とが接
   合されている請求項１ないし４のいずれか１項記載の半
   導体圧力センサ。
6. 【請求項６】 前記感圧素子には、前記ホウ珪酸ガラス
   の台座に面する側に基準圧力室となる空間が形成され、
   この空間が前記台座に覆われて密閉されており、前記台
   座と前記絶縁基板は前記スルーホール内で溶融固化され
   た前記導電材と同じ材料の接合材を介して接合されてい
   る請求項５記載の半導体圧力センサ。
7. 【請求項７】 前記絶縁基板のうち前記感圧素子を設け
   た側と反対側の面に前記スルーホールの導電膜と接続さ
   れた信号増幅回路が形成されている請求項１ないし６の
   いずれか１項記載の半導体圧力センサ。