JPH1168120A - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板と圧力センサチップとの電気的接続
のためのワイヤボンディングを廃止し、製造工程を簡素
化させ、生産性を向上させることを目的とする。 【解決手段】 ゲージ抵抗（歪みゲージ）１３はシリコ
ン基板（半導体基板）１２に拡散により形成されるとと
もに、シリコン基板１２の表面に少なくとも一部が露出
する。リード部（拡散層）１４は前記歪みゲージと接触
するように延長形成される。絶縁台座１７はシリコン基
板１２に形成されるゲージ抵抗１３に対向する面に凹部
１８を有し、シリコン基板１２を配設する。電極部１６
はリード部１４に接触し、シリコン基板１２のゲージ抵
抗１３の非形成面側に形成される。回路基板７は電極部
１６と接触するランド部９を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、気体，液体等の媒
体の圧力を検出する半導体式圧力センサ及びその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体圧力センサは、特開昭６３
−１９１０３７号公報の第１図や図４に示すような構造
のものが知られている。この半導体圧力センサは、シリ
コン単結晶の薄肉状の受圧起歪ダイアフラム１を形成す
るセンサ素子２と、ダイアフラム１に相当する箇所に圧
力導入孔３を形成し、かつセンサ素子２に熱膨張係数が
略等しいガラス台座４とを陽極接合法によって接合して
圧力センサチップ５を得た後、前記媒体を導入する圧力
導入部６が形成された回路基板７上に圧力センサチップ
５の圧力導入孔３が回路基板７の圧力導入部６に対向す
るように圧力センサチップ５を配設し、回路基板７と圧
力センサチップ５とを接着剤により接合したり、ガラス
台座４の底面にメタライズ層を形成し、このメタライズ
層と回路基板７に形成する接続ランドとを半田を介し接
合するものであった。

【０００３】そして、圧力センサチップ５による圧力検
出及び圧力センサチップ５への電源供給を行うため、圧
力センサチップ５の電極部８と回路基板７のランド部９
とを金やアルミ等の導電部材１０によりワイヤボンディ
ングして、圧力センサチップ５と回路基板７とを電気的
に接続することで半導体圧力センサ１１が得られるもの
であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】かかる構成の半導体圧
力センサ１１は、製造工程において圧力センサチップ５
の電極部８と回路基板７のランド部９とを１箇所づつワ
イヤボンディングするため、大量生産を考慮した場合に
生産性が悪いばかりでなく、ワイヤボンディングの本数
が増加することに伴い、製造コストが高くなってしまう
と言った問題点を有している。

【０００５】そこで本発明は、前記問題点に着目し、回
路基板と圧力センサチップとの電気的接続のためのワイ
ヤボンディングを廃止し、製造工程を簡素化させ、生産
性を向上させることで低コスト化を実現できる半導体圧
力センサ及びその製造方法を提供することを目的とする
ものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、ｎ型又はｐ型の半導体基板と、前記半導体
基板に拡散により形成するｐ型又はｎ型の拡散型歪みゲ
ージと、前記歪みゲージと接触するように延長形成され
るとともに、前記半導体基板の表面に少なくとも一部が
露出するｐ型又はｎ型の拡散層と、前記半導体基板に形
成される前記歪みゲージに対向する面に凹部を有し、前
記半導体基板を配設する絶縁台座と、前記拡散層に接触
し、前記半導体基板の前記歪みゲージの非形成面側に形
成される電極部と、から構成されるものである。

【０００７】また、前記電極部と前記ランド部とは半田
を介し接続してなるものである。

【０００８】また、ｎ型又はｐ型の半導体基板に拡散に
よりｐ型又はｎ型の拡散型歪みゲージを形成する歪みゲ
ージ形成工程と、前記歪みゲージに接触するようにｐ型
又はｎ型の拡散層を延長形成する拡散層形成工程と、ガ
ラス材料等の絶縁材料からなり所定箇所に凹部が形成さ
れた絶縁基板を用意し、前記半導体基板の前記歪みゲー
ジと前記絶縁基板の前記凹部とが対向するように両部材
を接合する接合工程と、前記半導体基板の前記歪みケー
ジ及び前記拡散層の非形成面側を、前記拡散層の少なく
とも一部が外部に露出するように前記半導体基板を薄肉
状に形成する半導体基板形成工程と、前記半導体基板形
成工程で露出させた前記拡散層に接触するように電極部
を形成する電極部形成工程と、前記半導体基板及び前記
絶縁基板の所定位置を切断し、個々の圧力センサチップ
を得るための切断工程と、前記圧力センサチップの前記
電極部に接続するランド部を有する回路基板を用意し、
前記電極部及び前記ランド部を半田を介し接続するリフ
ロー半田工程と、を含むものである。

【０００９】また、ｎ型又はｐ型の半導体基板に拡散に
よりｐ型又はｎ型の拡散型歪みゲージを形成する歪みゲ
ージ形成工程と、前記歪みゲージに接触するようにｐ型
又はｎ型の拡散層を延長形成する拡散層形成工程と、記
半導体基板の前記歪みケージ及び前記拡散層の非形成面
側を、前記拡散層の少なくとも一部が外部に露出するよ
うに前記半導体基板を薄肉状に形成する半導体基板形成
工程と、前記半導体基板形成工程で露出させた前記拡散
層に接触するように電極部を形成する電極部形成工程
と、ガラス材料等の絶縁材料からなり所定箇所に凹部が
形成された絶縁基板を用意し、前記半導体基板の前記歪
みゲージと前記絶縁基板の前記凹部とが対向するように
両部材を接合する接合工程と、前記接合工程後に前記半
導体基板及び前記絶縁基板の所定位置を切断し、個々の
圧力センサチップを得るための切断工程と、前記圧力セ
ンサチップの前記電極部に接続するランド部を有する回
路基板を用意し、前記電極部及び前記ランド部を半田を
介し接続するリフロー半田工程と、を含むものである。

【００１０】また、前記半導体基板の前記歪みケージ及
び前記拡散層の非形成面側を、エッチング処理により薄
肉状に形成するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の半導体圧力センサ２３
は、ｎ型又はｐ型のシリコン基板（半導体基板）１２
と、シリコン基板１２に拡散により形成するｐ型又はｎ
型の拡散型のゲージ抵抗（歪みゲージ）１３と、ゲージ
抵抗１３と接触するように延長形成されるとともに、シ
リコン基板１２の表面に一部が露出するｐ型又はｎ型の
リード部（拡散層）１４と、シリコン基板１２に形成さ
れるゲージ抵抗１３に対向する面に凹部１８を有し、シ
リコン基板１２を配設する絶縁台座１７と、リード部１
４に接触し、シリコン基板１２のゲージ抵抗１３の非形
成面側に形成される電極部１６と、電極部１６に接続す
るランド部９を有する回路基板７と、から構成され、電
極部１６とランド部９とは半田２２を介し接続してなる
ことから、従来のような圧力センサチップ５の電極部８
と回路基板７のランド部９とのワイヤボンディングを廃
止することができるとともに、接着剤や半田等を用いた
回路基板７とガラス台座４との固定構造を考慮しなくと
もよいことから、センサ構造を簡素化することができ
る。

【００１２】また、本発明の半導体圧力センサ２３の製
造方法としては、例えば、ｎ型又はｐ型のシリコンウエ
ハ（半導体基板）２４に拡散によりｐ型又はｎ型の拡散
型ゲージ抵抗（歪みゲージ）１３を形成する歪みゲージ
形成工程と、ゲージ抵抗１３に接触するようにｐ型又は
ｎ型のリード部１４（拡散層）を延長形成し、ブリッジ
回路１５を形成する拡散層形成工程と、ガラス材料等の
絶縁材料からなり所定箇所に凹部１８が形成された絶縁
基板２５を用意し、シリコンウエハ２４に形成されるゲ
ージ抵抗１３及びリード部１４で構成されるブリッジ回
路１５と絶縁基板２５の凹部１８とが対向するように両
部材を接合する接合工程と、シリコンウエハ２４のケー
ジ抵抗１３の非形成面側を、リード部１４の接合部（拡
散層）１４ａ〜１４ｄの少なくとも一部が外部に露出す
るように、ＫＯＨ等のアルカリエッチング液によるウエ
ットエッチング等の適宜方法によりシリコンウエハ２４
を薄肉状に形成する半導体基板形成工程と、前記半導体
基板形成工程で露出させた接合部１４ａ〜１４ｂに接触
するように電極部１６を、蒸着もしくはスパッタリング
法及びフォトエッチング等によりシリコンウエハ２４の
表面に形成する電極部形成工程と、シリコンウエハ２４
及び絶縁基板２５の所定位置を切断し、個々の圧力セン
サチップ２１を得るための切断工程と、電極部１６に接
続するランド部９を有する回路基板７を用意し、圧力セ
ンサチップ２１の電極部１６及びランド部９を半田２２
を介し接続するリフロー半田工程と、を含むものであ
る。従って、従来のワイヤボンディング方式の半導体式
圧力センサ１１に比べ、圧力センサチップ５の電極部８
と回路基板７のランド部９とのワイヤボンディングが不
要となり、リフロー半田工程により前記両電極を接続す
ることができることから、製造工程を簡素化させ、生産
性を向上させることができる。また、生産性が向上する
ことから、低コスト化を実現できる半導体圧力センサを
提供することができる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を添付図面に記載した実施例に
基づき説明するが、従来例と同等もしくは相当箇所には
同一符号を付してその詳細な説明は省く。

【００１４】図１は本発明の実施例における半導体圧力
センサの要部部分断面図、図２は半導体圧力センサの回
路構成を示す図、図３は前記半導体圧力センサの製造工
程を示す図である。

【００１５】図１及び図２において、１２は、シリコン
等の半導体材料からなり、厚さ２０〜５０μｍの薄肉状
のｎ型の半導体基板からなるシリコン基板であり、この
シリコン基板１２の後述する凹部の対向面には、ｐ型領
域からなるピエゾ抵抗効果を有するゲージ抵抗（歪みゲ
ージ）１３（１３ａ〜１３ｄ）と、各ゲージ抵抗１３ａ
〜１３ｄ間を接続するための低抵抗体からなるリード部
（拡散層）１４が拡散により形成され、各ゲージ抵抗１
３ａ〜１３ｄ及びリード部１４により図２で示すような
ブリッジ回路１５を形成している。また、リード部１４
は、各ゲージ抵抗１３ａ〜１３ｄに接触するとともにシ
リコン基板１２の表面に一部が露出する構造としてい
る。１６（１６ａ〜１６ｄ）は、リード部１４の各接合
部（拡散層）１４ａ〜１４ｄに接触するように、アルミ
等の導電部材を蒸着もしくはスパッタリング法等により
形成し、前記導電部材をフォトエッチング等により所定
形状に形成する電極部である。１７は、シリコン基板１
２を配設するガラス材料等の絶縁部材からなる絶縁台座
であり、この絶縁基板１７のシリコン基板１２に形成さ
れる各歪みゲージ１３ａ〜１３ｄに対向する面には、数
十μｍ程度の深さを有する凹部１８がガラスエッチング
等の手段により形成されている。この凹部１８の大きさ
は、シリコン基板１２に形成されるブリッジ回路１５よ
り若干大きめに形成される。前述した凹部１８を絶縁台
座１７に形成することにより、シリコン基板１２の凹部
１８の対向面が媒体の圧力を受圧するダイアフラム部１
９になるものである。２０は、凹部１８の底面から外部
に連通し、媒体の圧力をダイアフラム部１９に伝達する
圧力導入孔である。

【００１６】前述したシリコン基板１２と絶縁台座１７
は陽極接合により固着され、圧力センサチップ２１を構
成する。この圧力センサチップ２１は、回路基板７に形
成されるにランド部９に半田２２を介し接合すること
で、半導体圧力センサ２３を構成する。

【００１７】かかる構成の半導体圧力センサ２３は、ブ
リッジ回路１５の接合部１４ａ，１４ｂに接触する電極
部１６ａ，１６ｂに回路基板７を介して電源電圧Ｖｃｃ
を印加すると、絶縁台座１７に形成される圧力導入孔２
０から伝達される媒体の圧力により、ダイアフラム部１
９の表裏の圧力差による歪みが生じ、各ゲージ抵抗１３
ａ〜１３ｄの変化に応じてブリッジ回路１５の接合部１
４ｃ，１４ｄに接触する電極部１６ｃ，１６ｄから回路
基板７を介し外部に出力電圧Ｖｏを取り出すものであ
る。

【００１８】次に、かかる半導体圧力センサ２３の製造
方法を図３を用いて説明する。

【００１９】まず、０．２ｍｍ程度の厚さを有するｎ型
の半導体基板からなるシリコンウエハ２４内の所定箇所
にボロン等のｐ型の半導体材料を用い、拡散により各ゲ
ージ抵抗１３ａ〜１３ｄを形成し、各ゲージ抵抗１３ａ
〜１３ｄを図２で示すブリッジ回路１５状にするため、
例えば、各ゲージ抵抗１３ａ〜１３ｄの両端から各ゲー
ジ抵抗１３ａ〜１３ｄよりも濃度が高いボロン等のｐ型
の半導体材料を用い、拡散により各リード部１４及び接
合部１４ａ〜１４ｄを形成しブリッジ回路１５を形成す
る「図３（ａ）〜歪みゲージ，拡散層形成工程」。

【００２０】次に、所定の厚さ（例えば２ｍｍ）を有
し、ガラス材料等の絶縁材料からなる絶縁基板２５を用
意し、この絶縁基板２４に前述したブリッジ回路１５の
大きさよりも若干大きい各凹部１８をフッ酸等を用いた
ガラスエッチングにより形成する。そして、この各凹部
１８の略中央に、サンドブラスト法や超音波法等により
凹部１８の底面から裏面に貫通する各圧力導入孔２０を
形成する「図３（ｂ）〜凹部形成工程」。

【００２１】そして、絶縁基板２５の各凹部１８と、シ
リコンウエハ２４のブリッジ回路１５とが対向し、ゲー
ジ抵抗１３が凹部１８側に向くようにシリコンウエハ２
３を裏返して、絶縁基板２５上に配設し、シリコンウエ
ハ２４と絶縁基板２５とを陽極接合することにより、両
部材を固着させる「図３（ｃ）〜接合工程」

【００２２】次に、ＫＯＨ等のアルカリエッチング液に
よるウエットエッチング等の適宜方法により、各リード
部１４に接触する各接合部１４ａ〜１４ｄがシリコンウ
エハ２４の表面に露出し、シリコンウエハ２４の厚さが
２０〜５０μｍ程度の厚さになるようにシリコンウエハ
２４をエッチング処理を行う。そして、エッチング処理
により露出した各接合部１４ａ〜１４ｄに接触し、各接
合部１４ａ〜１４ｄから外方に引き出すように、シリコ
ンウエハ２４の表面にアルミ等の導電部材を蒸着もしく
はスパッタリング法等により形成し、前記導電部材をフ
ォトエッチング等を用いて所定形状の各電極部１６ａ〜
１６ｄに形成する「図３（ｄ）〜電極部形成工程」。

【００２３】次に、各電極部１６ａ〜１６ｄを形成した
シリコンウエハ２４及シリコンウエハ２４に陽極接合し
た絶縁基板２５の所定位置（点線で示す部分）をダイサ
ー等の手段により切断することで、個々の圧力センサチ
ップ２１が得られる「図３（ｅ）〜切断工程」。

【００２４】そして、回路基板７のランド部９にスクリ
ーン印刷等の手段により半田２２を供給し、このランド
部９に個々の圧力センサチップ２１を配設してリフロー
炉に投入することで、回路基板７上に圧力センサチップ
２１が固着された半導体圧力センサ２３が得られるもの
である「図３（ｆ）〜リフロー半田工程」。

【００２５】かかる半導体式圧力センサは、回路基板７
に実装される他の表面実装部品と同様にリフロー半田等
の手段により、回路基板７上に圧力センサチップ２１を
電気的に配設することが可能となるため、従来のワイヤ
ボンディング方式の半導体式圧力センサに比べ、製造工
程を簡素化させるとともに、生産性を向上させることが
できる。また、従来の半導体圧力センサ１１のように接
着剤や半田等を用いた回路基板７と絶縁台座（ガラス台
座）４との固定構造を考慮しなくともよいことから、セ
ンサ構造を簡素化することができる。

【００２６】また、本実施例では、シリコン基板１２の
表裏面に、熱酸化膜や窒化シリコン等の保護膜を形成し
ていないが、この半導体圧力センサ２３を用いて媒体の
圧力を測定する場合は、前記保護膜をシリコン基板１２
の表裏面に形成することが望ましい。

【００２７】この場合の製造工程において、例えば、シ
リコンウエハ２３を高温炉に投入し、シリコンウエハ２
３の表裏面に熱酸化膜を形成する。その後、各ゲージ抵
抗１３ａ〜１３ｄの形成箇所に対応する表面の熱酸化膜
を除去し、ボロン等のｐ型の半導体材料を用い、拡散に
よりシリコンウエハ２３内の所定位置に各ゲージ抵抗１
３ａ〜１３ｄを形成し、再び、各ゲージ抵抗１３ａ〜１
３ｄの形成部分に熱酸化膜を形成する。そして、各ゲー
ジ抵抗１３ａ〜１３ｄを図２で示すブリッジ回路１５状
にするため、例えば、各ゲージ抵抗１３ａ〜１３ｄの両
端から所定パターンで熱酸化膜を除去し、各ゲージ抵抗
１３ａ〜１３ｄよりも濃度が高いボロン等のｐ型の半導
体材料を用い、拡散により各リード部１４及び各接合部
１４ａ〜１４ｄを形成し、ブリッジ回路１５を形成す
る。そして、ブリッジ回路１５を形成した後、シリコン
ウエハ２３の表面の熱酸化膜上に窒化シリコンからなる
ナイトライド膜を形成する。シリコンウエハ２４の裏面
の熱酸化膜を除去し、ＫＯＨ等のアルカリエッチング液
によるウエットエッチング等の適宜方法により、薄肉状
のシリコンウエハ２４を形成した後、再び高温炉に投入
しシリコンウエハ２４の裏面に熱酸化膜を形成する。そ
して、前述した処理を施すことによりシリコンウエハ２
４の表裏面に前記保護膜が形成されることになる。そし
て、各電極部１６ａ〜１６ｄの形成位置の熱酸化膜を除
去し、蒸着やスパッタリング法等により電極部材を形成
し、この電極部材をフォトエッチング等により所定形状
の各電極部１６ａ〜１６ｄに形成した後、シリコンウエ
ハ２４を絶縁基板２５に陽極接合させ、所定位置を切断
することで前記保護膜が形成された圧力センサチップ２
１が得られるものである。

【００２８】上記の製造方法は、前述した製造方法とは
異なり、シリコンウエハ２４にゲージ抵抗１３及びリー
ド部１４を形成した後に薄肉状のシリコンウエハ２４を
形成し、その後、薄肉状のシリコンウエハ２４と絶縁基
板２５とを陽極接合するものである。

【００２９】尚、本実施例では、絶縁基板１７の凹部１
８を形成し、この凹部１８の底面に圧力導入孔２０を形
成するようにしたが、本発明は圧力導入孔２０を形成せ
ずに凹部１８のみの構成とし、絶対圧力を測定する半導
体圧力センサであっても良い。

【００３０】また、本実施例では、シリコンウエハ２４
をエッチング処理により所定の厚さを有するシリコンウ
エハ２４としたが、切削や研磨等の手段により薄肉状の
シリコンウエハを形成するようにしても良い。

【００３１】

【発明の効果】本発明は、ｎ型又はｐ型の半導体基板
と、前記半導体基板に拡散により形成するｐ型又はｎ型
の拡散型歪みゲージと、前記歪みゲージと接触するよう
に延長形成されるとともに、前記半導体基板の表面に少
なくとも一部が露出するｐ型又はｎ型の拡散層と、前記
半導体基板に形成される前記歪みゲージに対向する面に
凹部を有し、前記半導体基板を配設する絶縁台座と、前
記拡散層に接触し、前記半導体基板の前記歪みゲージの
非形成面側に形成される電極部と、前記電極部に接続す
るランド部を有する回路基板と、から構成されるもの
で、また、前記電極部と前記ランド部とは半田を介し接
続することから、前記回路基板に実装される他の表面実
装部品と同様にリフロー半田等の手段により、前記回路
基板上に圧力センサチップを電気的に配設することが可
能になるため、従来のような電極部とランド部とを接続
するワイヤボンディングが不要となる。また、従来の半
導体圧力センサのように、接着剤や半田等を用いた回路
基板と絶縁台座との固定構造を考慮しなくともよいこと
から、センサ構造を簡素化することができる。

【００３２】また、本発明は、ｎ型又はｐ型の半導体基
板に拡散によりｐ型又はｎ型の拡散型歪みゲージを形成
する歪みゲージ形成工程と、前記歪みゲージに接触する
ようにｐ型又はｎ型の拡散層を延長形成する拡散層形成
工程と、ガラス材料等の絶縁材料からなり所定箇所に凹
部が形成された絶縁基板を用意し、前記半導体基板の前
記歪みゲージと前記絶縁基板の前記凹部とが対向するよ
うに両部材を接合する接合工程と、前記半導体基板の前
記歪みケージ及び前記拡散層の非形成面側を、前記拡散
層の少なくとも一部が外部に露出するように前記半導体
基板を薄肉状に形成する半導体基板形成工程と、前記半
導体基板形成工程で露出させた前記拡散層に接触するよ
うに電極部を形成する電極部形成工程と、前記半導体基
板及び前記絶縁基板の所定位置を切断し、個々の圧力セ
ンサチップを得るための切断工程と、前記圧力センサチ
ップの前記電極部に接続するランド部を有する回路基板
を用意し、前記電極部及び前記ランド部を半田を介し接
続するリフロー半田工程と、を含むものであり、また、
ｎ型又はｐ型の半導体基板に拡散によりｐ型又はｎ型の
拡散型歪みゲージを形成する歪みゲージ形成工程と、前
記歪みゲージに接触するようにｐ型又はｎ型の拡散層を
延長形成する拡散層形成工程と、記半導体基板の前記歪
みケージ及び前記拡散層の非形成面側を、前記拡散層の
少なくとも一部が外部に露出するように前記半導体基板
を薄肉状に形成する半導体基板形成工程と、前記半導体
基板形成工程で露出させた前記拡散層に接触するように
電極部を形成する電極部形成工程と、ガラス材料等の絶
縁材料からなり所定箇所に凹部が形成された絶縁基板を
用意し、前記半導体基板の前記歪みゲージと前記絶縁基
板の前記凹部とが対向するように両部材を接合する接合
工程と、前記接合工程後に前記半導体基板及び前記絶縁
基板の所定位置を切断し、個々の圧力センサチップを得
るための切断工程と、前記圧力センサチップの前記電極
部に接続するランド部を有する回路基板を用意し、前記
電極部及び前記ランド部を半田を介し接続するリフロー
半田工程と、を含むものであり、また、前記半導体基板
の前記歪みケージ及び前記拡散層の非形成面側を、エッ
チング処理により薄肉状に形成するものであることか
ら、従来のワイヤボンディング方式の半導体式圧力セン
サに比べ、圧力センサチップの電極部と回路基板のラン
ド部とのワイヤボンディングが不要となり、リフロー半
田工程により前記両電極を接続することができることか
ら、製造工程を簡素化させ、生産性を向上させることが
できる。また、生産性が向上することから、低コスト化
を実現できる半導体圧力センサを提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の半導体圧力センサを示す要部
部分断面図。

【図２】同上実施例の半導体圧力センサの回路構成を示
す図。

【図３】同上実施例の半導体圧力センサの製造方法を示
す図。

【図４】従来の半導体圧力センサを示す要部部分断面
図。

【符号の説明】

７ 回路基板 ９ ランド部 １２ シリコン基板（半導体基板） １３ ゲージ抵抗（歪みゲージ） １４ リード部（拡散層） １４ａ〜１４ｄ 接合部（拡散層） １５ ブリッジ回路 １６（１６ａ〜１６ｄ）電極部 １７ 絶縁基板 １８ 凹部 １９ ダイアフラム部 ２０ 圧力導入孔 ２１ 圧力センサチップ ２２ 半田 ２３ 半導体圧力センサ ２４ シリコンウエハ ２５ 絶縁基板

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｎ型又はｐ型の半導体基板と、前記半導
   体基板に拡散により形成するｐ型又はｎ型の拡散型歪み
   ゲージと、前記歪みゲージと接触するように延長形成さ
   れるとともに、前記半導体基板の表面に少なくとも一部
   が露出するｐ型又はｎ型の拡散層と、前記半導体基板に
   形成される前記歪みゲージに対向する面に凹部を有し、
   前記半導体基板を配設する絶縁台座と、前記拡散層に接
   触し、前記半導体基板の前記歪みゲージの非形成面側に
   形成される電極部と、前記電極部に接続するランド部を
   有する回路基板と、から構成されることを特徴とする半
   導体圧力センサ。
2. 【請求項２】 前記電極部と前記ランド部とは半田を介
   し接続してなることを特徴とする請求項１に記載の半導
   体圧力センサ。
3. 【請求項３】 ｎ型又はｐ型の半導体基板に拡散により
   ｐ型又はｎ型の拡散型歪みゲージを形成する歪みゲージ
   形成工程と、前記歪みゲージに接触するようにｐ型又は
   ｎ型の拡散層を延長形成する拡散層形成工程と、ガラス
   材料等の絶縁材料からなり所定箇所に凹部が形成された
   絶縁基板を用意し、前記半導体基板の前記歪みゲージと
   前記絶縁基板の前記凹部とが対向するように両部材を接
   合する接合工程と、前記半導体基板の前記歪みケージ及
   び前記拡散層の非形成面側を、前記拡散層の少なくとも
   一部が外部に露出するように前記半導体基板を薄肉状に
   形成する半導体基板形成工程と、前記半導体基板形成工
   程で露出させた前記拡散層に接触するように電極部を形
   成する電極部形成工程と、前記半導体基板及び前記絶縁
   基板の所定位置を切断し、個々の圧力センサチップを得
   るための切断工程と、前記圧力センサチップの前記電極
   部に接続するランド部を有する回路基板を用意し、前記
   電極部及び前記ランド部を半田を介し接続するリフロー
   半田工程と、を含むことを特徴とする半導体圧力センサ
   の製造方法。
4. 【請求項４】 ｎ型又はｐ型の半導体基板に拡散により
   ｐ型又はｎ型の拡散型歪みゲージを形成する歪みゲージ
   形成工程と、前記歪みゲージに接触するようにｐ型又は
   ｎ型の拡散層を延長形成する拡散層形成工程と、記半導
   体基板の前記歪みケージ及び前記拡散層の非形成面側
   を、前記拡散層の少なくとも一部が外部に露出するよう
   に前記半導体基板を薄肉状に形成する半導体基板形成工
   程と、前記半導体基板形成工程で露出させた前記拡散層
   に接触するように電極部を形成する電極部形成工程と、
   ガラス材料等の絶縁材料からなり所定箇所に凹部が形成
   された絶縁基板を用意し、前記半導体基板の前記歪みゲ
   ージと前記絶縁基板の前記凹部とが対向するように両部
   材を接合する接合工程と、前記接合工程後に前記半導体
   基板及び前記絶縁基板の所定位置を切断し、個々の圧力
   センサチップを得るための切断工程と、前記圧力センサ
   チップの前記電極部に接続するランド部を有する回路基
   板を用意し、前記電極部及び前記ランド部を半田を介し
   接続するリフロー半田工程と、を含むことを特徴とする
   半導体圧力センサの製造方法。
5. 【請求項５】 前記半導体基板の前記歪みケージ及び前
   記拡散層の非形成面側を、エッチング処理により薄肉状
   に形成することを特徴とする請求項３もしくは請求項４
   に記載の半導体圧力センサの製造方法。