JPH10325772A - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサおよびその製造方法Info
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- JPH10325772A JPH10325772A JP13622997A JP13622997A JPH10325772A JP H10325772 A JPH10325772 A JP H10325772A JP 13622997 A JP13622997 A JP 13622997A JP 13622997 A JP13622997 A JP 13622997A JP H10325772 A JPH10325772 A JP H10325772A
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- semiconductor
- pressure sensor
- piezoresistor
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- glass
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い圧力を検出する。
【解決手段】 ｎ形シリコン基板１の中央にダイアフラ
ム部２を設け、ダイアフラム部２にｐ形ピエゾ抵抗３を
形成し、ｎ形シリコン基板１にｐ形ピエゾ抵抗３と接続
されたパッド電極４を形成し、貫通孔８を有するガラス
・キャップ７をｎ形シリコン基板１に陽極接合し、ｎ形
シリコン基板１とガラス・キャップ７との間に基準圧室
９を形成し、ガラス・キャップ７のｎ形シリコン基板１
が陽極接合されている面と反対側の面に金属ベース１０
を陽極接合し、金属ベース１０のガラス・キャップ７の
貫通孔８に対応する位置にリード１２をハーメチックシ
ール材１１で固定し、リード１２の先端とパッド電極４
とを導電剤１３を介して電気接続する。
ム部２を設け、ダイアフラム部２にｐ形ピエゾ抵抗３を
形成し、ｎ形シリコン基板１にｐ形ピエゾ抵抗３と接続
されたパッド電極４を形成し、貫通孔８を有するガラス
・キャップ７をｎ形シリコン基板１に陽極接合し、ｎ形
シリコン基板１とガラス・キャップ７との間に基準圧室
９を形成し、ガラス・キャップ７のｎ形シリコン基板１
が陽極接合されている面と反対側の面に金属ベース１０
を陽極接合し、金属ベース１０のガラス・キャップ７の
貫通孔８に対応する位置にリード１２をハーメチックシ
ール材１１で固定し、リード１２の先端とパッド電極４
とを導電剤１３を介して電気接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板にピエゾ
抵抗が形成された半導体圧力センサおよびその製造方法
に関するものである。
抵抗が形成された半導体圧力センサおよびその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の半導体圧力センサ（特開昭
５４−１３１８９２号公報）を示す断面図である。図に
示すように、ｎ形シリコン基板２１の中央部に肉薄のダ
イアフラム部が設けられ、ｎ形シリコン基板２１のダイ
アフラム部を取り囲む部分に肉厚のフレーム部が設けら
れ、ダイアフラム部にｐ形ピエゾ抵抗２２が拡散形成さ
れ、ｐ形ピエゾ抵抗２２の一端にはパッド電極（金属電
極）２３が接続され、ｎ形シリコン基板２１の表面には
シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）２４が形成され、シリコ
ン酸化膜２４の上にはパッド電極２３部を除くようにガ
ラス・カバー２７を陽極接合するための導電膜２５が形
成されている。なお、導電膜２５はガラスとの熱膨張係
数が近いシリコン薄膜が適している。また、導電膜２５
を介してｎ形シリコン基板２１にガラス・カバー２７が
陽極接合され、ガラス・カバー２７に電極取り出し用の
貫通孔２８が形成され、ｎ形シリコン基板２１とガラス
・カバー２７との間のダイアフラム部上に真空の基準圧
室２６が形成され、パッド電極２３にワイヤ・ボンディ
ング用キャピラリーを用いて金ワイヤ２９が超音波ボン
ディングされ、貫通孔２８およびパッド電極２３にシリ
コンゲル、ＲＴＶ等の樹脂３０がコートされている。一
方、ｎ形シリコン基板２１のｐ形ピエゾ抵抗２２の形成
された面と反対側の面のフレーム部には圧力導入孔３２
を有するガラス・パイプ３１が陽極接合されている。
５４−１３１８９２号公報）を示す断面図である。図に
示すように、ｎ形シリコン基板２１の中央部に肉薄のダ
イアフラム部が設けられ、ｎ形シリコン基板２１のダイ
アフラム部を取り囲む部分に肉厚のフレーム部が設けら
れ、ダイアフラム部にｐ形ピエゾ抵抗２２が拡散形成さ
れ、ｐ形ピエゾ抵抗２２の一端にはパッド電極（金属電
極）２３が接続され、ｎ形シリコン基板２１の表面には
シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）２４が形成され、シリコ
ン酸化膜２４の上にはパッド電極２３部を除くようにガ
ラス・カバー２７を陽極接合するための導電膜２５が形
成されている。なお、導電膜２５はガラスとの熱膨張係
数が近いシリコン薄膜が適している。また、導電膜２５
を介してｎ形シリコン基板２１にガラス・カバー２７が
陽極接合され、ガラス・カバー２７に電極取り出し用の
貫通孔２８が形成され、ｎ形シリコン基板２１とガラス
・カバー２７との間のダイアフラム部上に真空の基準圧
室２６が形成され、パッド電極２３にワイヤ・ボンディ
ング用キャピラリーを用いて金ワイヤ２９が超音波ボン
ディングされ、貫通孔２８およびパッド電極２３にシリ
コンゲル、ＲＴＶ等の樹脂３０がコートされている。一
方、ｎ形シリコン基板２１のｐ形ピエゾ抵抗２２の形成
された面と反対側の面のフレーム部には圧力導入孔３２
を有するガラス・パイプ３１が陽極接合されている。
【０００３】この半導体圧力センサにおいては、信号処
理回路を有する回路基板（図示せず）と並設し、金ワイ
ヤ２９でｐ形ピエゾ抵抗２２を有する検出部の出力を信
号処理回路に接続することにより、ガラス・パイプ３１
の圧力導入孔３２から導入される圧力を計測することが
できる。そして、半導体圧力センサ内に真空の基準圧室
２６を持っているので、基準圧室を形成するための専用
パッケージングが不要となり、コンパクトな半導体圧力
センサを実現することができる。また、貫通孔２８およ
びパッド電極２３に樹脂３０がコートされているから、
耐食性を向上し、マイグレーションを防止することがで
きる。
理回路を有する回路基板（図示せず）と並設し、金ワイ
ヤ２９でｐ形ピエゾ抵抗２２を有する検出部の出力を信
号処理回路に接続することにより、ガラス・パイプ３１
の圧力導入孔３２から導入される圧力を計測することが
できる。そして、半導体圧力センサ内に真空の基準圧室
２６を持っているので、基準圧室を形成するための専用
パッケージングが不要となり、コンパクトな半導体圧力
センサを実現することができる。また、貫通孔２８およ
びパッド電極２３に樹脂３０がコートされているから、
耐食性を向上し、マイグレーションを防止することがで
きる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体圧力センサにおいては、ｎ形シリコン基板２１に
ガラス・パイプ３１が取り付けられているから、印加圧
力はｎ形シリコン基板２１とガラス・パイプ３１との接
合を引き剥がす方向に働き、過大圧力に対して破壊する
可能性があるため、高い圧力の測定に対応することがで
きない。
半導体圧力センサにおいては、ｎ形シリコン基板２１に
ガラス・パイプ３１が取り付けられているから、印加圧
力はｎ形シリコン基板２１とガラス・パイプ３１との接
合を引き剥がす方向に働き、過大圧力に対して破壊する
可能性があるため、高い圧力の測定に対応することがで
きない。
【０００５】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、高い圧力をも検出することができる半導体
圧力センサ、その製造方法を提供することを目的とす
る。
れたもので、高い圧力をも検出することができる半導体
圧力センサ、その製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、ダイアフラム部にピエゾ低抗が
形成された半導体基板の上記ピエゾ抵抗が形成された面
にガラス・キャップを接合し、上記半導体基板と上記ガ
ラス・キャップとの間に基準圧室を形成した半導体圧力
センサにおいて、上記ガラス・キャップの上記半導体基
板が接合されている面とは反対側の面に金属ベースを接
合し、上記半導体基板に上記ピエゾ抵抗と接続されたパ
ッド電極を形成し、上記パッド電極と接続されかつ上記
ガラス・キャップおよび上記金属ベースを貫通したリー
ドを設ける。
め、本発明においては、ダイアフラム部にピエゾ低抗が
形成された半導体基板の上記ピエゾ抵抗が形成された面
にガラス・キャップを接合し、上記半導体基板と上記ガ
ラス・キャップとの間に基準圧室を形成した半導体圧力
センサにおいて、上記ガラス・キャップの上記半導体基
板が接合されている面とは反対側の面に金属ベースを接
合し、上記半導体基板に上記ピエゾ抵抗と接続されたパ
ッド電極を形成し、上記パッド電極と接続されかつ上記
ガラス・キャップおよび上記金属ベースを貫通したリー
ドを設ける。
【０００７】この場合、上記ガラス・キャップと上記金
属ベースとを陽極接合により接合する。
属ベースとを陽極接合により接合する。
【０００８】また、上記半導体基板と上記ガラス・キャ
ップとを陽極接合により接合する。
ップとを陽極接合により接合する。
【０００９】また、上記ダイアフラム部の厚さを周囲の
厚さよりも薄くする。
厚さよりも薄くする。
【００１０】また、上記ダイアフラム部の厚さを周囲の
厚さと等しくする。
厚さと等しくする。
【００１１】また、上記リードをハーメチックシール材
で上記金属ベースに固定する。
で上記金属ベースに固定する。
【００１２】また、半導体圧力センサの製造方法におい
て、半導体ウェハにピエゾ抵抗を拡散形成する工程と、
上記半導体ウェハに上記ピエゾ抵抗と接続されたパッド
電極を形成する工程と、上記半導体ウェハの上記ピエゾ
抵抗が形成された面とは反対側の面の上記ピエゾ抵抗が
形成された部分を含む領域を肉薄にしてダイアフラム部
を形成する工程と、ガラス基板に貫通孔を形成する工程
と、上記貫通孔を上記パッド電極に合わせて上記ガラス
基板を上記半導体ウェハに接合する工程と、上記ガラス
基板と上記半導体ウェハとを接合したものをダイシング
して半導体基板、ガラス・キャップを有するチップに分
割する工程と、上記貫通孔に対応する位置にリードが固
定された金属ベースを上記ガラス・キャップの上記半導
体基板が接合された面とは反対側の面に接合する工程と
を行なう。
て、半導体ウェハにピエゾ抵抗を拡散形成する工程と、
上記半導体ウェハに上記ピエゾ抵抗と接続されたパッド
電極を形成する工程と、上記半導体ウェハの上記ピエゾ
抵抗が形成された面とは反対側の面の上記ピエゾ抵抗が
形成された部分を含む領域を肉薄にしてダイアフラム部
を形成する工程と、ガラス基板に貫通孔を形成する工程
と、上記貫通孔を上記パッド電極に合わせて上記ガラス
基板を上記半導体ウェハに接合する工程と、上記ガラス
基板と上記半導体ウェハとを接合したものをダイシング
して半導体基板、ガラス・キャップを有するチップに分
割する工程と、上記貫通孔に対応する位置にリードが固
定された金属ベースを上記ガラス・キャップの上記半導
体基板が接合された面とは反対側の面に接合する工程と
を行なう。
【００１３】この場合、上記金属ベースを上記ガラス基
板に接合する工程を、上記金属ベースを上記ガラス基板
に陽極接合により接合する工程とする。
板に接合する工程を、上記金属ベースを上記ガラス基板
に陽極接合により接合する工程とする。
【００１４】また、上記ガラス基板を上記半導体ウェハ
に接合する工程を、上記ガラス基板を上記半導体ウェハ
に陽極接合により接合する工程とする。
に接合する工程を、上記ガラス基板を上記半導体ウェハ
に陽極接合により接合する工程とする。
【００１５】また、上記ダイアフラム部を形成する工程
を、上記半導体ウェハの上記ピエゾ抵抗が形成された面
とは反対側の面に耐エッチング・マスク材を選択的に形
成したのち、異方性エッチングを行なう工程とする。
を、上記半導体ウェハの上記ピエゾ抵抗が形成された面
とは反対側の面に耐エッチング・マスク材を選択的に形
成したのち、異方性エッチングを行なう工程とする。
【００１６】また、上記ダイアフラム部を形成する工程
を、上記ガラス基板を上記半導体ウェハに接合したの
ち、上記半導体ウェハの上記ピエゾ抵抗を形成した面と
は反対側の面を所定の厚さまで研削する工程とする。
を、上記ガラス基板を上記半導体ウェハに接合したの
ち、上記半導体ウェハの上記ピエゾ抵抗を形成した面と
は反対側の面を所定の厚さまで研削する工程とする。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る半導体圧力センサにおいて
は、金属ベースを被測定物に取り付けることができ、こ
の場合には印加圧力が被測定物と金属ベースとの接合を
引き剥がす方向に働くが、金属ベースは十分な強度を有
し、しかも印加圧力は半導体基板の接合を引き剥がす方
向に働くことがないばかりでなく、印加圧力は半導体基
板をガラス・キャップを介して金属ベースに押し付ける
方向に働くから、過大圧力により半導体基板が引き剥が
されることはないので、高い圧力を測定することができ
る。
は、金属ベースを被測定物に取り付けることができ、こ
の場合には印加圧力が被測定物と金属ベースとの接合を
引き剥がす方向に働くが、金属ベースは十分な強度を有
し、しかも印加圧力は半導体基板の接合を引き剥がす方
向に働くことがないばかりでなく、印加圧力は半導体基
板をガラス・キャップを介して金属ベースに押し付ける
方向に働くから、過大圧力により半導体基板が引き剥が
されることはないので、高い圧力を測定することができ
る。
【００１８】また、ガラス・キャップと金属ベースとを
陽極接合により接合したときには、デバイス部が完全に
シールされるから、経時変化が少なく、信頼性が高い。
陽極接合により接合したときには、デバイス部が完全に
シールされるから、経時変化が少なく、信頼性が高い。
【００１９】また、半導体基板とガラス・キャップとを
陽極接合により接合したときには、デバイス部が完全に
シールされるから、経時変化が少なく、信頼性が高い。
陽極接合により接合したときには、デバイス部が完全に
シールされるから、経時変化が少なく、信頼性が高い。
【００２０】また、リードをハーメチックシール材で金
属ベースに固定したときには、金属ベースが被測定物か
ら外れたとしても、デバイス部に測定流体が流入するこ
とがないから、フェールセーフの構成にすることがで
き、しかもパッケージングが不要であるから、実装が安
価となる。
属ベースに固定したときには、金属ベースが被測定物か
ら外れたとしても、デバイス部に測定流体が流入するこ
とがないから、フェールセーフの構成にすることがで
き、しかもパッケージングが不要であるから、実装が安
価となる。
【００２１】また、本発明に係る半導体圧力センサの製
造方法においては、高い圧力を測定することができる半
導体圧力センサを容易に製造することができる。
造方法においては、高い圧力を測定することができる半
導体圧力センサを容易に製造することができる。
【００２２】また、金属ベースをガラス基板に接合する
工程を、金属ベースをガラス基板に陽極接合により接合
する工程としたときには、デバイス部が完全にシールさ
れるから、経時変化が少なく、信頼性が高い。
工程を、金属ベースをガラス基板に陽極接合により接合
する工程としたときには、デバイス部が完全にシールさ
れるから、経時変化が少なく、信頼性が高い。
【００２３】また、ガラス基板を半導体ウェハに接合す
る工程を、ガラス基板を半導体ウェハに陽極接合により
接合する工程としたときには、デバイス部が完全にシー
ルされるから、経時変化が少なく、信頼性が高い。
る工程を、ガラス基板を半導体ウェハに陽極接合により
接合する工程としたときには、デバイス部が完全にシー
ルされるから、経時変化が少なく、信頼性が高い。
【００２４】また、ダイアフラム部を形成する工程を、
半導体ウェハのピエゾ抵抗が形成された面とは反対側の
面に耐エッチング・マスク材を選択的に形成したのち、
異方性エッチングを行なう工程としたときには、容易に
ダイアフラム部を形成することができる。
半導体ウェハのピエゾ抵抗が形成された面とは反対側の
面に耐エッチング・マスク材を選択的に形成したのち、
異方性エッチングを行なう工程としたときには、容易に
ダイアフラム部を形成することができる。
【００２５】また、ダイアフラム部を形成する工程を、
ガラス基板を半導体ウェハに接合したのち、半導体ウェ
ハのピエゾ抵抗を形成した面とは反対側の面を所定の厚
さまで研削する工程としたときには、半導体ウェハへの
マスク材形成、両面アライメント、異方性エッチングと
いった特殊工程が要らないので、製造プロセス・フロー
を簡易化することができる。
ガラス基板を半導体ウェハに接合したのち、半導体ウェ
ハのピエゾ抵抗を形成した面とは反対側の面を所定の厚
さまで研削する工程としたときには、半導体ウェハへの
マスク材形成、両面アライメント、異方性エッチングと
いった特殊工程が要らないので、製造プロセス・フロー
を簡易化することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る半導体圧力セ
ンサを示す断面図である。図に示すように、図１紙面左
右方向寸法が２〜３ｍｍのｎ形シリコン基板１の中央に
周囲の厚さよりも肉薄化されたダイアフラム部２が設け
られ、ダイアフラム部２にｐ形ピエゾ抵抗３が拡散形成
され、ｐ形ピエゾ抵抗３は電極結線によりホイートスト
ン・ブリッジ（図示せず）が形成され、ホイートストン
・ブリッジとｎ形シリコン基板１の端部に形成されたパ
ッド電極４とが接続されている。また、ｎ形シリコン基
板１の表面には保護用のシリコン酸化膜５が形成され、
シリコン酸化膜５の上のダイアフラム部２とパッド電極
４以外の領域には多結晶シリコン膜（ポリＳｉ膜）６が
形成され、パッド電極４に対応する位置に貫通孔８を有
するガラス・キャップ７がｎ形シリコン基板１に陽極接
合されている。また、ガラス・キャップ７のダイアフラ
ム部２と対向する位置に窪みが設けられ、この窪みによ
ってｎ形シリコン基板１とガラス・キャップ７との間に
陽極接合により完全にシールされた基準圧室９が形成さ
れている。一方、ガラス・キャップ７のｎ形シリコン基
板１が陽極接合されている面と反対側の面には図１紙面
左右方向寸法が１〜２ｃｍの金属ベース１０が陽極接合
され、金属ベース１０にはガラス・キャップ７の貫通孔
８に対応する位置に金属からなるリード１２がハーメチ
ックシール材１１で固定され、リード１２の先端は貫通
孔８の奥の方まで入り込んでおり、貫通孔８の中には導
電剤１３が充填され、リード１２の先端とパッド電極４
とが導電剤１３を介して電気接続され、ガラス・キャッ
プ７および金属ベース１０を貫通したリード１２により
ホイートストン・ブリッジの出力を取り出せるような構
成になっている。
ンサを示す断面図である。図に示すように、図１紙面左
右方向寸法が２〜３ｍｍのｎ形シリコン基板１の中央に
周囲の厚さよりも肉薄化されたダイアフラム部２が設け
られ、ダイアフラム部２にｐ形ピエゾ抵抗３が拡散形成
され、ｐ形ピエゾ抵抗３は電極結線によりホイートスト
ン・ブリッジ（図示せず）が形成され、ホイートストン
・ブリッジとｎ形シリコン基板１の端部に形成されたパ
ッド電極４とが接続されている。また、ｎ形シリコン基
板１の表面には保護用のシリコン酸化膜５が形成され、
シリコン酸化膜５の上のダイアフラム部２とパッド電極
４以外の領域には多結晶シリコン膜（ポリＳｉ膜）６が
形成され、パッド電極４に対応する位置に貫通孔８を有
するガラス・キャップ７がｎ形シリコン基板１に陽極接
合されている。また、ガラス・キャップ７のダイアフラ
ム部２と対向する位置に窪みが設けられ、この窪みによ
ってｎ形シリコン基板１とガラス・キャップ７との間に
陽極接合により完全にシールされた基準圧室９が形成さ
れている。一方、ガラス・キャップ７のｎ形シリコン基
板１が陽極接合されている面と反対側の面には図１紙面
左右方向寸法が１〜２ｃｍの金属ベース１０が陽極接合
され、金属ベース１０にはガラス・キャップ７の貫通孔
８に対応する位置に金属からなるリード１２がハーメチ
ックシール材１１で固定され、リード１２の先端は貫通
孔８の奥の方まで入り込んでおり、貫通孔８の中には導
電剤１３が充填され、リード１２の先端とパッド電極４
とが導電剤１３を介して電気接続され、ガラス・キャッ
プ７および金属ベース１０を貫通したリード１２により
ホイートストン・ブリッジの出力を取り出せるような構
成になっている。
【００２７】図２は図１に示した半導体圧力センサの使
用状態を示す図である。図に示すように、半導体圧力セ
ンサ１７の金属ベース１０が熔接、ネジ締め等の方法に
より圧力を測定すべきオイル１６の流れる配管１５の穴
部に固定され、配管１５の内側に半導体圧力センサ１７
の測定面すなわちｎ形シリコン基板１の面が位置し、配
管１５にケース２０が取り付けられ、ケース２０内にプ
リント基板１８が設けられ、半導体圧力センサ１７のリ
ード１２はプリント基板１８に半田付けされて、半導体
圧力センサ１７とプリント基板１８とが電気接続されて
いる。また、プリント基板１８にはＩＣ、チップ部品等
の回路部品１９が装着され、回路部品１９により半導体
圧力センサ１７の出力信号をもとにバルブの制御等の信
号処理が行なわれる。
用状態を示す図である。図に示すように、半導体圧力セ
ンサ１７の金属ベース１０が熔接、ネジ締め等の方法に
より圧力を測定すべきオイル１６の流れる配管１５の穴
部に固定され、配管１５の内側に半導体圧力センサ１７
の測定面すなわちｎ形シリコン基板１の面が位置し、配
管１５にケース２０が取り付けられ、ケース２０内にプ
リント基板１８が設けられ、半導体圧力センサ１７のリ
ード１２はプリント基板１８に半田付けされて、半導体
圧力センサ１７とプリント基板１８とが電気接続されて
いる。また、プリント基板１８にはＩＣ、チップ部品等
の回路部品１９が装着され、回路部品１９により半導体
圧力センサ１７の出力信号をもとにバルブの制御等の信
号処理が行なわれる。
【００２８】図１に示した半導体圧力センサにおいて
は、金属ベース１０を配管１５等の被測定物に取り付け
ることができ、この場合には印加圧力が被測定物と金属
ベース１０との接合を引き剥がす方向に働くが、金属ベ
ース１０は十分な強度を有し、かつ熔接、ネジ締め等の
方法により金属ベース１０を被測定物に取り付けること
ができるから、過大圧力により金属ベース１０が被測定
物から外れることはない。しかも、印加圧力はｎ形シリ
コン基板１の接合を引き剥がす方向に働くことがないば
かりでなく、印加圧力はｎ形シリコン基板１をガラス・
キャップ７を介して金属ベース１０に押し付ける方向に
働くので、過大圧力によりｎ形シリコン基板１が引き剥
がされることはない。したがって、半導体圧力センサ１
７に高い圧力を印加しても半導体圧力センサ１７が損傷
することはないから、高い圧力を測定することができ
る。また、半導体圧力センサ１７の内部に基準圧室９が
形成されているので、半導体圧力センサ１７をそのまま
測定すべき圧力が作用する場所に設置すれば、ダイアフ
ラム部２に応力が印加されて変形し、ｐ形ピエゾ抵抗３
の低抗値変化でその圧力を測定することができる。ま
た、ダイアフラム部２の変位はガラス・キャップ７の窪
みを浅くしておけば、そこで制限されるので、過大圧力
でのダイアフラム部２の破損を防止することができる。
また、ガラス・キャップ７と金属ベース１０とが陽極接
合により接合され、ｎ形シリコン基板１とガラス・キャ
ップ７とが陽極接合により接合されているから、パッド
電極４を有するデバイス部が完全にシールされるので、
経時変化が少なく、信頼性が高く、さらに測定流体がオ
イル１６の場合のような悪環境下でも使用でき、シール
構造を不要にすることができる。また、リード１２がハ
ーメチックシール材１１で金属ベース１０に固定されて
いるから、たとえ仮に過大な圧力で金属ベース１０が被
測定物から外れたとしても、デバイス部にオイル１６等
の測定流体が流入することがないので、フェールセーフ
の構成にすることができ、しかもパッケージングが不要
であるから、実装が安価となる。このように、本発明の
半導体圧力センサ１７を用いれば、専用のパッケージン
グが不要となり、コンパクト化、低価格化が可能とな
る。また、小型の検出部のみを測定流体に曝せばよいの
で、通常のパッケージの圧力センサでは大きすぎて設置
できない場合でも容易に設置することができる。
は、金属ベース１０を配管１５等の被測定物に取り付け
ることができ、この場合には印加圧力が被測定物と金属
ベース１０との接合を引き剥がす方向に働くが、金属ベ
ース１０は十分な強度を有し、かつ熔接、ネジ締め等の
方法により金属ベース１０を被測定物に取り付けること
ができるから、過大圧力により金属ベース１０が被測定
物から外れることはない。しかも、印加圧力はｎ形シリ
コン基板１の接合を引き剥がす方向に働くことがないば
かりでなく、印加圧力はｎ形シリコン基板１をガラス・
キャップ７を介して金属ベース１０に押し付ける方向に
働くので、過大圧力によりｎ形シリコン基板１が引き剥
がされることはない。したがって、半導体圧力センサ１
７に高い圧力を印加しても半導体圧力センサ１７が損傷
することはないから、高い圧力を測定することができ
る。また、半導体圧力センサ１７の内部に基準圧室９が
形成されているので、半導体圧力センサ１７をそのまま
測定すべき圧力が作用する場所に設置すれば、ダイアフ
ラム部２に応力が印加されて変形し、ｐ形ピエゾ抵抗３
の低抗値変化でその圧力を測定することができる。ま
た、ダイアフラム部２の変位はガラス・キャップ７の窪
みを浅くしておけば、そこで制限されるので、過大圧力
でのダイアフラム部２の破損を防止することができる。
また、ガラス・キャップ７と金属ベース１０とが陽極接
合により接合され、ｎ形シリコン基板１とガラス・キャ
ップ７とが陽極接合により接合されているから、パッド
電極４を有するデバイス部が完全にシールされるので、
経時変化が少なく、信頼性が高く、さらに測定流体がオ
イル１６の場合のような悪環境下でも使用でき、シール
構造を不要にすることができる。また、リード１２がハ
ーメチックシール材１１で金属ベース１０に固定されて
いるから、たとえ仮に過大な圧力で金属ベース１０が被
測定物から外れたとしても、デバイス部にオイル１６等
の測定流体が流入することがないので、フェールセーフ
の構成にすることができ、しかもパッケージングが不要
であるから、実装が安価となる。このように、本発明の
半導体圧力センサ１７を用いれば、専用のパッケージン
グが不要となり、コンパクト化、低価格化が可能とな
る。また、小型の検出部のみを測定流体に曝せばよいの
で、通常のパッケージの圧力センサでは大きすぎて設置
できない場合でも容易に設置することができる。
【００２９】つぎに、図３、図４により図１に示した半
導体圧力センサの製造方法すなわち本発明に係る半導体
圧力センサの製造方法について説明する。まず、図３
(ａ)に示すように、（１００）ｎ形シリコンウェハ１ａ
の表面にシリコン酸化膜５を熱酸化により形成し、ボロ
ンのイオン注入等を用いてｐ形ピエゾ抵抗３を選択的に
拡散形成したのち、ＬＰＣＶＤにより多結晶シリコン膜
６を成膜し、多結晶シリコン膜６をパターニングする。
つぎに、必要に応じて層間絶縁膜（図示せず）を形成
し、コンタクト孔（図示せず）をエッチングにより形成
したのち、Ａｌ等の金属膜をスパッタリングしてパッド
電極４を形成する。つぎに、図３(ｂ)に示すように、ｎ
形シリコンウェハ１ａの裏面すなわちｐ形ピエゾ抵抗３
が形成された面とは反対側の面にＳｉＯ2膜もしくはＳ
ｉ3Ｎ4膜からなる耐エッチング・マスク材１４を選択的
に形成したのち、ＫＯＨ、ヒドラジン、ＴＭＡＨ等のア
ルカリ性エッチング液を用いてｎ形シリコンウェハ１ａ
を裏面から異方性エッチングすることにより、ｐ形ピエ
ゾ抵抗３が形成された部分を含む領域を肉薄にしてダイ
アフラム部２を形成する。つぎに、図３(ｃ)に示すよう
に、パイレックス・ガラス基板７ａに超音波、サンドブ
ラスト等の方法により貫通孔８を空けたのち、パイレッ
クス・ガラス基板７ａのダイアフラム部２に対向する領
域にＨＦ系エッチング液を用いて基準圧室９のための窪
みを形成する。つぎに、図４(ｄ)に示すように、ｎ形シ
リコンウェハ１ａの裏面の耐エッチング・マスク材１４
をエッチングにより除去したのち、パッド電極４と貫通
孔８とが一致するようにアライメントをして、ｎ形シリ
コンウェハ１ａとパイレックス・ガラス基板７ａとを温
度３００〜４００℃、電圧５００〜１０００Ｖで陽極接
合する。つぎに、図４(ｅ)に示すように、ｎ形シリコン
ウェハ１ａとパイレックス・ガラス基板７ａとを接合し
たものをダイシングしてｎ形シリコン基板１とガラス・
キャップ７とを有するチップに分割したのち、貫通孔８
の中にペースト状の導電剤１３を注入し、金属ベース１
０にハーメチックシール材１１で固定されたリード１２
が貫通孔８の中に入るようにセットして、ガラス・キャ
ップ７と金属ベース１０とを温度３００〜４００℃、電
圧５００〜１０００Ｖで陽極接合する。この時の熱で導
電剤１３が溶けて、パッド電極４とリード１２とが電気
接続される。
導体圧力センサの製造方法すなわち本発明に係る半導体
圧力センサの製造方法について説明する。まず、図３
(ａ)に示すように、（１００）ｎ形シリコンウェハ１ａ
の表面にシリコン酸化膜５を熱酸化により形成し、ボロ
ンのイオン注入等を用いてｐ形ピエゾ抵抗３を選択的に
拡散形成したのち、ＬＰＣＶＤにより多結晶シリコン膜
６を成膜し、多結晶シリコン膜６をパターニングする。
つぎに、必要に応じて層間絶縁膜（図示せず）を形成
し、コンタクト孔（図示せず）をエッチングにより形成
したのち、Ａｌ等の金属膜をスパッタリングしてパッド
電極４を形成する。つぎに、図３(ｂ)に示すように、ｎ
形シリコンウェハ１ａの裏面すなわちｐ形ピエゾ抵抗３
が形成された面とは反対側の面にＳｉＯ2膜もしくはＳ
ｉ3Ｎ4膜からなる耐エッチング・マスク材１４を選択的
に形成したのち、ＫＯＨ、ヒドラジン、ＴＭＡＨ等のア
ルカリ性エッチング液を用いてｎ形シリコンウェハ１ａ
を裏面から異方性エッチングすることにより、ｐ形ピエ
ゾ抵抗３が形成された部分を含む領域を肉薄にしてダイ
アフラム部２を形成する。つぎに、図３(ｃ)に示すよう
に、パイレックス・ガラス基板７ａに超音波、サンドブ
ラスト等の方法により貫通孔８を空けたのち、パイレッ
クス・ガラス基板７ａのダイアフラム部２に対向する領
域にＨＦ系エッチング液を用いて基準圧室９のための窪
みを形成する。つぎに、図４(ｄ)に示すように、ｎ形シ
リコンウェハ１ａの裏面の耐エッチング・マスク材１４
をエッチングにより除去したのち、パッド電極４と貫通
孔８とが一致するようにアライメントをして、ｎ形シリ
コンウェハ１ａとパイレックス・ガラス基板７ａとを温
度３００〜４００℃、電圧５００〜１０００Ｖで陽極接
合する。つぎに、図４(ｅ)に示すように、ｎ形シリコン
ウェハ１ａとパイレックス・ガラス基板７ａとを接合し
たものをダイシングしてｎ形シリコン基板１とガラス・
キャップ７とを有するチップに分割したのち、貫通孔８
の中にペースト状の導電剤１３を注入し、金属ベース１
０にハーメチックシール材１１で固定されたリード１２
が貫通孔８の中に入るようにセットして、ガラス・キャ
ップ７と金属ベース１０とを温度３００〜４００℃、電
圧５００〜１０００Ｖで陽極接合する。この時の熱で導
電剤１３が溶けて、パッド電極４とリード１２とが電気
接続される。
【００３０】この半導体圧力センサの製造方法において
は、高い圧力を測定することができる半導体圧力センサ
を容易に製造することができる。また、ｎ形シリコンウ
ェハ１ａのｐ形ピエゾ抵抗３が形成された面とは反対側
の面に耐エッチング・マスク材１４を選択的に形成した
のち、異方性エッチングを行なうことにより、ダイアフ
ラム部２を形成するから、容易にダイアフラム部２を形
成することができる。
は、高い圧力を測定することができる半導体圧力センサ
を容易に製造することができる。また、ｎ形シリコンウ
ェハ１ａのｐ形ピエゾ抵抗３が形成された面とは反対側
の面に耐エッチング・マスク材１４を選択的に形成した
のち、異方性エッチングを行なうことにより、ダイアフ
ラム部２を形成するから、容易にダイアフラム部２を形
成することができる。
【００３１】図５は本発明に係る他の半導体圧力センサ
を示す断面図である。図に示すように、ｎ形シリコン基
板４１がダイアフラム部２の領域のみ凹んだ形状ではな
く、ダイアフラム部２の厚さが周囲の厚さと等しく、す
なわちｎ形シリコン基板４１全体がダイアフラム部２に
必要とされる厚さで均一になっており、他の構成につい
ては図１に示した半導体圧力センサと全く同じであるか
ら、構造、機能の説明を省略する。
を示す断面図である。図に示すように、ｎ形シリコン基
板４１がダイアフラム部２の領域のみ凹んだ形状ではな
く、ダイアフラム部２の厚さが周囲の厚さと等しく、す
なわちｎ形シリコン基板４１全体がダイアフラム部２に
必要とされる厚さで均一になっており、他の構成につい
ては図１に示した半導体圧力センサと全く同じであるか
ら、構造、機能の説明を省略する。
【００３２】つぎに、図６、図７により図５に示した半
導体圧力センサの製造方法、すなわち本発明に係る他の
半導体圧力センサの製造方法について説明する。まず、
図６(ａ)に示すように、（１００）ｎ形シリコンウェハ
４１ａの表面にシリコン酸化膜５を熱酸化により形成
し、ボロンのイオン注入等を用いてｐ形ピエゾ抵抗３を
選択的に拡散形成したのち、ＬＰＣＶＤにより多結晶シ
リコン膜６を成膜し、多結晶シリコン膜６をパターニン
グする。つぎに、必要に応じて層間絶縁膜（図示せず）
を形成し、コンタクト孔（図示せず）をエッチングによ
り形成したのち、Ａｌ等の金属膜をスパッタリングして
パッド電極４を形成する。つぎに、図６(ｂ)に示すよう
に、パイレックス・ガラス基板７ａに超音波、サンドブ
ラスト等の方法により貫通孔８を空けたのち、パイレッ
クス・ガラス基板７ａのダイアフラム部２に対向する領
域にＨＦ系エッチング液を用いて基準圧室９のための窪
みを形成する。つぎに、図６(ｃ)に示すように、パッド
電極４と貫通孔８とが一致するようにアライメントをし
て、ｎ形シリコンウェハ４１ａとパイレックス・ガラス
基板７ａとを温度３００〜４００℃、電圧５００〜１０
００Ｖで陽極接合する。つぎに、図７(ｄ)に示すよう
に、ｎ型シリコンウェハ４１ａの裏面すなわちｐ形ピエ
ゾ抵抗３が形成された面とは反対側の面全体を所定の厚
さまで研削したのち、鏡面研磨する。つぎに、図７(ｅ)
に示すように、ｎ形シリコンウェハ４１ａとパイレック
ス・ガラス基板７ａとを接合したものをダイシングして
ｎ形シリコン基板４１とガラス・キャップ７とを有する
チップに分割したのち、貫通孔８の中にペースト状の導
電剤１３を注入し、金属ベース１０にハーメチックシー
ル材１１で固定されたリード１２が貫通孔８の中に入る
ようにセットして、ガラス・キャップ７と金属ベース１
０とを温度３００〜４００℃、電圧５００〜１０００Ｖ
で陽極接合する。この時の熱で導電剤１３が溶けて、パ
ッド電極４とリード１２とが電気接続される。
導体圧力センサの製造方法、すなわち本発明に係る他の
半導体圧力センサの製造方法について説明する。まず、
図６(ａ)に示すように、（１００）ｎ形シリコンウェハ
４１ａの表面にシリコン酸化膜５を熱酸化により形成
し、ボロンのイオン注入等を用いてｐ形ピエゾ抵抗３を
選択的に拡散形成したのち、ＬＰＣＶＤにより多結晶シ
リコン膜６を成膜し、多結晶シリコン膜６をパターニン
グする。つぎに、必要に応じて層間絶縁膜（図示せず）
を形成し、コンタクト孔（図示せず）をエッチングによ
り形成したのち、Ａｌ等の金属膜をスパッタリングして
パッド電極４を形成する。つぎに、図６(ｂ)に示すよう
に、パイレックス・ガラス基板７ａに超音波、サンドブ
ラスト等の方法により貫通孔８を空けたのち、パイレッ
クス・ガラス基板７ａのダイアフラム部２に対向する領
域にＨＦ系エッチング液を用いて基準圧室９のための窪
みを形成する。つぎに、図６(ｃ)に示すように、パッド
電極４と貫通孔８とが一致するようにアライメントをし
て、ｎ形シリコンウェハ４１ａとパイレックス・ガラス
基板７ａとを温度３００〜４００℃、電圧５００〜１０
００Ｖで陽極接合する。つぎに、図７(ｄ)に示すよう
に、ｎ型シリコンウェハ４１ａの裏面すなわちｐ形ピエ
ゾ抵抗３が形成された面とは反対側の面全体を所定の厚
さまで研削したのち、鏡面研磨する。つぎに、図７(ｅ)
に示すように、ｎ形シリコンウェハ４１ａとパイレック
ス・ガラス基板７ａとを接合したものをダイシングして
ｎ形シリコン基板４１とガラス・キャップ７とを有する
チップに分割したのち、貫通孔８の中にペースト状の導
電剤１３を注入し、金属ベース１０にハーメチックシー
ル材１１で固定されたリード１２が貫通孔８の中に入る
ようにセットして、ガラス・キャップ７と金属ベース１
０とを温度３００〜４００℃、電圧５００〜１０００Ｖ
で陽極接合する。この時の熱で導電剤１３が溶けて、パ
ッド電極４とリード１２とが電気接続される。
【００３３】この半導体圧力センサの製造方法において
は、ダイアフラム部２を形成するのにｎ型シリコンウェ
ハ４１ａの裏面へのマスク材形成、両面アライメント、
異方性エッチングといった特殊工程が要らないから、製
造プロセス・フローを簡易化することができる。
は、ダイアフラム部２を形成するのにｎ型シリコンウェ
ハ４１ａの裏面へのマスク材形成、両面アライメント、
異方性エッチングといった特殊工程が要らないから、製
造プロセス・フローを簡易化することができる。
【００３４】なお、上述実施の形態においては、半導体
基板、半導体ウェハがｎ形シリコン基板１、４１、ｎ形
シリコンウェハ１ａ、４１ａである場合について説明し
たが、他の半導体基板、半導体ウェハを用いてもよい。
また、上述実施の形態においては、ガラス・キャップ７
と金属ベース１０とを陽極接合により接合し、ｎ形シリ
コン基板１、４１とガラス・キャップ７とを陽極接合に
より接合し、ｎ形シリコンウェハ１ａ、４１ａとパイレ
ックス・ガラス基板７ａとを陽極接合により接合した
が、ガラス・キャップと金属ベースとを低融点ガラス等
により接合し、半導体基板とガラス・キャップとを低融
点ガラス等により接合し、半導体ウェハとガラス基板と
を低融点ガラス等により接合してもよい。また、上述実
施の形態においては、ｎ形シリコン基板１、４１にｐ形
ピエゾ抵抗３だけを形成したが、ｎ形シリコン基板１、
４１等の半導体基板内に増幅回路、感度温度特性補償回
路、感度・オフセット調整回路等を集積することによ
り、さらに回路をコンパクトにすることも可能である。
また、上述実施の形態においては、配管１５に設けられ
た穴部に半導体圧力センサ１７を設置したが、配管１５
の中あるいは油圧アクチュエータの中に半導体圧力セン
サを設置することもできる。
基板、半導体ウェハがｎ形シリコン基板１、４１、ｎ形
シリコンウェハ１ａ、４１ａである場合について説明し
たが、他の半導体基板、半導体ウェハを用いてもよい。
また、上述実施の形態においては、ガラス・キャップ７
と金属ベース１０とを陽極接合により接合し、ｎ形シリ
コン基板１、４１とガラス・キャップ７とを陽極接合に
より接合し、ｎ形シリコンウェハ１ａ、４１ａとパイレ
ックス・ガラス基板７ａとを陽極接合により接合した
が、ガラス・キャップと金属ベースとを低融点ガラス等
により接合し、半導体基板とガラス・キャップとを低融
点ガラス等により接合し、半導体ウェハとガラス基板と
を低融点ガラス等により接合してもよい。また、上述実
施の形態においては、ｎ形シリコン基板１、４１にｐ形
ピエゾ抵抗３だけを形成したが、ｎ形シリコン基板１、
４１等の半導体基板内に増幅回路、感度温度特性補償回
路、感度・オフセット調整回路等を集積することによ
り、さらに回路をコンパクトにすることも可能である。
また、上述実施の形態においては、配管１５に設けられ
た穴部に半導体圧力センサ１７を設置したが、配管１５
の中あるいは油圧アクチュエータの中に半導体圧力セン
サを設置することもできる。
【図１】本発明に係る半導体圧力センサを示す断面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示した半導体圧力センサの使用状態を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の説
明図である。
明図である。
【図４】本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の説
明図である。
明図である。
【図５】本発明に係る他の半導体圧力センサを示す断面
図である。
図である。
【図６】本発明に係る他の半導体圧力センサの製造方法
の説明図である。
の説明図である。
【図７】本発明に係る他の半導体圧力センサの製造方法
の説明図である。
の説明図である。
【図８】従来の半導体圧力センサを示す断面図である。
１…ｎ形シリコン基板 １ａ…ｎ形シリコンウェハ ２…ダイアフラム部 ３…ｐ形ピエゾ抵抗 ４…パッド電極 ７…ガラス・キャップ ７ａ…パイレックス・ガラス基板 ９…基準圧室 １０…金属ベース １１…ハーメチックシール材 １２…リード １４…耐エッチング・マスク材 ４１…ｎ形シリコン基板 ４１ａ…ｎ形シリコンウェハ
Claims (11)
- 【請求項１】ダイアフラム部にピエゾ低抗が形成された
半導体基板の上記ピエゾ抵抗が形成された面にガラス・
キャップを接合し、上記半導体基板と上記ガラス・キャ
ップとの間に基準圧室を形成した半導体圧力センサにお
いて、上記ガラス・キャップの上記半導体基板が接合さ
れている面とは反対側の面に金属ベースを接合し、上記
半導体基板に上記ピエゾ抵抗と接続されたパッド電極を
形成し、上記パッド電極と接続されかつ上記ガラス・キ
ャップおよび上記金属ベースを貫通したリードを設けた
ことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】上記ガラス・キャップと上記金属ベースと
を陽極接合により接合したことを特徴とする請求項１に
記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項３】上記半導体基板と上記ガラス・キャップと
を陽極接合により接合したことを特徴とする請求項１に
記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項４】上記ダイアフラム部の厚さを周囲の厚さよ
りも薄くしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体
圧力センサ。 - 【請求項５】上記ダイアフラム部の厚さを周囲の厚さと
等しくしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体圧
力センサ。 - 【請求項６】上記リードをハーメチックシール材で上記
金属ベースに固定したことを特徴とする請求項１に記載
の半導体圧力センサ。 - 【請求項７】半導体ウェハにピエゾ抵抗を拡散形成する
工程と、上記半導体ウェハに上記ピエゾ抵抗と接続され
たパッド電極を形成する工程と、上記半導体ウェハの上
記ピエゾ抵抗が形成された面とは反対側の面の上記ピエ
ゾ抵抗が形成された部分を含む領域を肉薄にしてダイア
フラム部を形成する工程と、ガラス基板に貫通孔を形成
する工程と、上記貫通孔を上記パッド電極に合わせて上
記ガラス基板を上記半導体ウェハに接合する工程と、上
記ガラス基板と上記半導体ウェハとを接合したものをダ
イシングして半導体基板、ガラス・キャップを有するチ
ップに分割する工程と、上記貫通孔に対応する位置にリ
ードが固定された金属ベースを上記ガラス・キャップの
上記半導体基板が接合された面とは反対側の面に接合す
る工程とを含むことを特徴とする半導体圧力センサの製
造方法。 - 【請求項８】上記金属ベースを上記ガラス基板に接合す
る工程を、上記金属ベースを上記ガラス基板に陽極接合
により接合する工程としたことを特徴とする請求項７に
記載の半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項９】上記ガラス基板を上記半導体ウェハに接合
する工程を、上記ガラス基板を上記半導体ウェハに陽極
接合により接合する工程としたことを特徴とする請求項
７に記載の半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項１０】上記ダイアフラム部を形成する工程を、
上記半導体ウェハの上記ピエゾ抵抗が形成された面とは
反対側の面に耐エッチング・マスク材を選択的に形成し
たのち、異方性エッチングを行なう工程としたことを特
徴とする請求項７に記載の記載の半導体圧力センサの製
造方法。 - 【請求項１１】上記ダイアフラム部を形成する工程を、
上記ガラス基板を上記半導体ウェハに接合したのち、上
記半導体ウェハの上記ピエゾ抵抗を形成した面とは反対
側の面を所定の厚さまで研削する工程としたことを特徴
とする請求項７に記載の半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13622997A JPH10325772A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13622997A JPH10325772A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10325772A true JPH10325772A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15170314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13622997A Pending JPH10325772A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10325772A (ja) |
Cited By (14)
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-
1997
- 1997-05-27 JP JP13622997A patent/JPH10325772A/ja active Pending
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