WO2022123886A1 - 圧力センサ - Google Patents

圧力センサ Download PDF

Info

Publication number
WO2022123886A1
WO2022123886A1 PCT/JP2021/037129 JP2021037129W WO2022123886A1 WO 2022123886 A1 WO2022123886 A1 WO 2022123886A1 JP 2021037129 W JP2021037129 W JP 2021037129W WO 2022123886 A1 WO2022123886 A1 WO 2022123886A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
unit
pressure
output
pressure sensor
temperature
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/037129
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
達也 田中
琢郎 石川
祐二 金井
Original Assignee
株式会社鷺宮製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社鷺宮製作所 filed Critical 株式会社鷺宮製作所
Priority to CN202180078702.XA priority Critical patent/CN116472444A/zh
Priority to JP2022568069A priority patent/JP7395021B2/ja
Publication of WO2022123886A1 publication Critical patent/WO2022123886A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation

Definitions

  • the present invention relates to a pressure sensor.
  • the sensor unit built into the liquid-sealed semiconductor pressure sensor has a diaphragm that is supported inside the joint and separates the pressure detection chamber from the liquid-sealed chamber, which will be described later, and silicone oil that is formed above the diaphragm and serves as a pressure transmission medium.
  • the liquid sealing chamber to be stored, the sensor chip arranged in the liquid sealing chamber to detect the pressure fluctuation of silicone oil via the diaphragm, the chip mount member supporting the sensor chip, and the circumference of the chip mount member in the through hole of the housing are sealed.
  • Hermetic glass and a group of terminals for transmitting an output signal from the sensor chip and supplying power to the sensor chip are included as main elements.
  • a relay board so as to be compatible with various control circuits of an air conditioning system connected to a semiconductor pressure sensor.
  • a relay board has a conversion circuit in which the terminal group of the above-mentioned sensor unit is connected via a plurality of electric wires to which the terminal group is electrically connected.
  • the conversion circuit includes a step-up circuit section or a step-down circuit section for boosting or stepping down the drive voltage of the control circuit to the drive voltage of the sensor unit.
  • the sensor chip of the sensor unit is subjected to, for example, span adjustment (use) of the output characteristics of the sensor chip under the atmosphere in a constant temperature bath maintained at a predetermined internal temperature. After the adjustment of the output characteristics in the temperature range) etc. is performed, the setting data representing them may be written in the storage unit in the sensor chip, and then, for example, an aging test may be performed on the sensor chip of the sensor unit alone. ..
  • the sensor chip of the sensor unit judged to be a non-defective product may be connected to the relay board as described above depending on the destination in the post-process of the manufacturing process.
  • the sensor chip of the sensor unit connected to the relay board is again inspected at room temperature to see if the characteristics of the output signal output from the output section of the relay board are within the predetermined allowable range. It is done in.
  • the resolution of the sensor chip and the characteristics of the output signal output from the output section of the relay board due to the manufacturing variation of the electronic components used in the conversion circuit of the relay board have a predetermined allowable range. Some of the items may not be accurate.
  • the manufacturing cost of the electronic components constituting the semiconductor pressure sensor is high and it is not a good idea.
  • the present invention is a pressure sensor, and the output characteristics of the sensor chip of the sensor unit connected to the conversion circuit of the relay board without being affected by the manufacturing error of the electronic component. It is an object of the present invention to provide a pressure sensor capable of suppressing variation. Means to solve problems
  • the pressure sensor according to the present invention includes a metal diaphragm that receives the pressure of a liquid, a housing member that forms a liquid sealing chamber for sealing oil together with the diaphragm, and a liquid sealing chamber. From the pressure sensor chip, which is fixed to the housing member and integrally formed with the pressure detection unit that detects the pressure in the liquid sealing chamber and the integrated electronic circuit that corrects the output signal of the pressure detection unit, and the pressure sensor chip. It is a liquid-sealed pressure sensor equipped with a lead pin for deriving an electric signal to the outside, and is characterized by being provided with a conversion board connected to an input unit and an output unit of a pressure sensor chip to convert electrical input / output. And.
  • the pressure sensor chip further adjusts the span between the output unit that sends out the detection output from the pressure detection unit and the detection output of the pressure detection unit, and also adjusts the span of the detection output from the pressure detection unit, and also adjusts the detection signal from the temperature detection unit that forms part of the pressure detection unit. It may include a correction unit that performs temperature compensation for span adjustment according to a temperature change of the detection output of the pressure detection unit, and a storage unit that stores data representing the adjustment amount and the temperature compensation amount from the correction unit. ..
  • the correction unit is a pressure span adjustment unit that adjusts the span of the detection output of the pressure detection unit, and a temperature change of the detection output of the pressure detection unit based on the detection signal from the temperature detection unit that forms a part of the pressure detection unit. It may include a temperature span adjusting unit that performs temperature compensation for span adjustment according to the above, and a temperature offset adjusting unit that adjusts an offset amount to be added to the detected output of the output unit based on a detection signal from the temperature detecting unit.
  • the storage unit may store data representing the adjustment amount of the pressure span adjustment unit, the temperature compensation amount of the temperature span adjustment unit, and data representing the offset amount of the temperature offset adjustment unit.
  • the sensor chip is arranged in the liquid sealing chamber of the sensor unit that detects the pressure in the pressure chamber and sends out the detection output
  • the conversion substrate is formed in the sensor unit accommodating portion accommodating the sensor unit so as to be isolated from the liquid sealing chamber. It may be arranged in the internal space.
  • the conversion board may be one that steps down the power supply voltage and supplies it to the input portion of the pressure sensor chip, or the conversion board may be one that boosts the power supply voltage and supplies it to the input section of the pressure sensor chip. Further, the conversion board may be one that converts the signal of the output unit of the pressure sensor chip into a current signal. Further, the conversion board may be one that converts the signal of the output unit of the pressure sensor chip into a digital signal. Effect of the invention
  • the correction unit of the sensor chip operates so as to match the target value of the output of the output conversion unit of the conversion board with the output characteristics of the output unit. It is possible to suppress variations in the output characteristics of the sensor chip of the sensor unit connected to the conversion circuit of the relay board without being affected by the error.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a sensor chip and a conversion board used in an example of a pressure sensor according to the present invention.
  • FIG. 2 is a block diagram schematically showing the configuration of the correction unit and the storage unit shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an overall configuration of an example of a pressure sensor according to the present invention.
  • FIG. 3 shows the overall configuration of an example of the pressure sensor according to the present invention, and is, for example, a liquid-sealed semiconductor pressure sensor. It was
  • the pressure sensor defines a detection output signal from a sensor chip 16 described later, which is connected to a joint member 30 connected to a pipe to which a fluid for which pressure should be detected is guided and a base plate 28 of the joint member 30 to accommodate a sensor unit. It is configured to include a sensor unit accommodating portion for supplying to the measuring device 42 (see FIG. 1).
  • the metal joint member 30 has an internal female threaded portion 30 fs screwed into the male threaded portion of the above-mentioned pipe connection portion.
  • the female threaded portion 30fs communicates with the port 30a of the joint member 30 that guides the fluid supplied from the direction indicated by the arrow P to the pressure chamber 28A described later.
  • One open end of the port 30a is open toward the pressure chamber 28A formed between the base plate 28 of the joint member 30 and the diaphragm 32 of the sensor unit described later.
  • a gas or liquid as a fluid is supplied into the pressure chamber 28A through the port 30a of the joint member 30.
  • the lower end surface of the housing 62 of the sensor unit is mounted on the base plate 28.
  • the sensor unit that detects the pressure in the pressure chamber 28A and sends out the detection output signal is a cylindrical housing 62, a metal diaphragm 32 that separates the pressure chamber 28A and the inner peripheral portion of the housing 62, and a sensor chip 16.
  • the outer peripheral edge of the diaphragm 32 is supported by one lower end surface of the housing 62 facing the pressure chamber 28A described above.
  • the diaphragm protective cover 34 that protects the diaphragm 32 arranged in the pressure chamber 28A has a plurality of communication holes.
  • the peripheral edge of the diaphragm protective cover 34 is joined to the lower end surface of the stainless steel housing 62 by welding together with the outer peripheral edge of the diaphragm 32.
  • a predetermined amount of silicone oil or a fluorine-based inert liquid is used as the pressure transfer medium PM. Is filled via the oil filling pipe 58. One end of the oil filling pipe 58 is crushed and closed after being filled with oil.
  • a metal potential adjusting member 37 is further supported on the lower end surface of the hermetic glass 64 between the sensor chip 16 and the diaphragm 32 arranged in the recess formed at the end of the hermetic glass 64 as an insulating member. ing.
  • the potential adjusting member 37 is connected to, for example, a terminal connected to the zero potential of the circuit of the sensor chip 16.
  • the insulating member for fixing the input / output terminal group and the oil filling pipe 58 between the outer peripheral surface of the chip mount member 68 and the inner peripheral surface of the housing 62 is not limited to such an example, and the input / output member is, for example, input / output. It may be a ceramic, a heat-resistant resin, or the like that ensures the airtightness of the liquid sealing chamber 33 while insulating the terminal group or the like.
  • the lead pin 60LP6 and the lead pin 60LP7 are, for example, two power supply terminals (Vcc, GND), and the lead pin 60LP8 is, for example, an external output terminal (Vout) for transmitting an output signal from the sensor chip 16.
  • the other lead pins 60LP1 to 60LP5 each have five adjustment terminals. Both ends of the lead pins 60LP1 to 60LP5 project toward the recess formed at the end of the hermetic glass 64 described above and the conversion substrate 24 described later, respectively.
  • Both ends of the lead pin 60LP6, the lead pin 60LP7, and the lead pin 60LP8 project toward the recess formed at the end of the hermetic glass 64 and the conversion substrate 24, respectively.
  • One ends of the lead pin 60LP6, the lead pin 60LP7, and the lead pin 60LP8 are each connected to the lower end portion of the flexible wiring material 56.
  • the sensor chip 16 and the lead pins 60LP1 to 60LP5, the lead pins 60LP6, the lead pins 60LP7, and the other ends of the lead pins 60LP8 are connected by a bonding wire Wi.
  • the number of lead pins is not limited to such an example, and may be appropriately set according to the number of input / output ports of the sensor chip 16, for example.
  • connection terminal 54ai 1 to 3
  • the plurality of connection terminals 54ai penetrate the slits of the conversion board 24 described later and are provided on the terminal block 52a described later.
  • Each connection terminal 54ai is, for example, an external output connection terminal (Vout) connected to one end of the above-mentioned lead pin 60LP6, lead pin 60LP7, and lead pin 60LP8 via a flexible wiring material 56, and a drive voltage supply connection terminal. (Vcc), a grounding connection terminal (GND).
  • the outer shell of the sensor unit accommodating portion sandwiches the above-mentioned housing 62 between the cylindrical waterproof case 50 constituting the male connector 52, the base plate 28 of the joint member 30, and the connecting end of the waterproof case 50. It is formed by a connecting member 70 that connects the base plate 28 and the waterproof case 50.
  • An opening 50a communicating with the internal space 50A is formed on the end surface of the connecting end of the resin waterproof case 50.
  • the recessed internal space 50A is formed from an inner side surface of the waterproof case 50 forming the opening 50a and an uppermost end surface connected to the inner side surface.
  • the conversion substrate 24 is adhered to the uppermost surface by the adhesive 27.
  • a plurality of electronic components 25 are mounted on the mounting surface of the conversion board 24 facing the end of the hermetic glass 64.
  • the upper end surface of the housing 62 is in contact with the peripheral edge of the opening 50a at the end surface of the connecting end of the waterproof case 50. Further, an O-ring groove 50G into which the O-ring 72 is inserted is formed on the peripheral edge of the opening 50a of the waterproof case 50.
  • the waterproof case 50 of the male connector 52 is made of, for example, a resin material.
  • the male connector 52 is a terminal block 52a that is integrally formed with a connection port 52FC that can be attached to and detached from a female connector (not shown) and a base of the connection port 52FC to support the above-mentioned connection terminal 54ai. It is composed of and.
  • the conversion board 24 and the connection terminal 54ai are arranged on the above-mentioned uppermost end surface forming a part of the internal space 50A in the terminal block 52a.
  • connection terminal 54ai The fixed terminal portion of the connection terminal 54ai is supported by a terminal block 52a formed at the lower end of the connection port portion 52FC.
  • the engaging terminals of the connection terminals 54ai protruding from the terminal block 52a extend into the small diameter portion 52b that opens toward the connection port 52FC so as to be parallel to the central axis C of the connection port 52FC.
  • FIG. 1 shows a system configuration including a sensor chip 16 composed of the above-mentioned one-chip IC and a conversion board (conversion circuit) 24.
  • Such a semiconductor pressure sensor is configured to include a sensor unit that detects the pressure in the pressure chamber 28A and sends out a detection output signal.
  • the sensor unit is made of metal, for example, as shown in FIG. 3, which separates the cylindrical stainless steel housing 62 from the pressure chamber 28A into which the fluid to be detected is introduced and the inner circumference of the housing 62.
  • the sensor chip 16 has a diaphragm 32, a sensor chip 16 having a pressure detecting portion arranged in a liquid sealing chamber 33 at the inner peripheral portion of the housing 62 partitioned by the diaphragm 32, and the sensor chip 16 at one end via an adhesive layer.
  • the hermetic glass 64 fixed between the outer peripheral surface of the member 68 and the inner peripheral surface of the housing 62 is included as a main element.
  • the conversion board 24 is detachably connected to a predetermined measuring device 42 in the final step of the manufacturing process of the sensor unit described above.
  • the conversion board 24 has a power supply voltage conversion unit 24A that lowers or boosts the voltage supplied from the output port of the measuring device 42 to the port 24b1 to a predetermined voltage and outputs the voltage to the port 16P1 of the sensor chip 16 through the port 24a1.
  • the sensor output (DC 0.5V to 4.5V) sent from the port 16P2 of the sensor chip 16 to the port 24a2 is boosted (amplified) to a predetermined voltage (DC 0V to 10V), or a predetermined voltage (DC 0.3V to 3). It is configured to include an output conversion unit 24B that steps down (attenuates) to 0.0V) and sends the voltage down to the input port of the measuring device 42 via the port 24b2.
  • the power supply voltage conversion unit 24A steps down the input power supply voltage (DC12V to 24V) supplied to the port 24b1 to the power supply voltage DC5V of the pressure detection element, or the input power supply voltage (DC3.3V) supplied to the port 24b1. ) Is boosted to the power supply voltage DC5V of the pressure detecting element.
  • the output conversion unit 24B may, for example, convert the sensor output into a predetermined current (DC 4 mA to 20 mA) and output it. Further, the output conversion unit 24B may have a serial interface device such as UART: Universal Asynchronous Receiver Transmitter or I2C: Inter-Integrated Circuit, and may have a serial communication function.
  • a serial interface device such as UART: Universal Asynchronous Receiver Transmitter or I2C: Inter-Integrated Circuit
  • the sensor chip 16 is composed of, for example, a one-chip IC, and sends a detection output representing the fluid pressure from a gauge resistor for detecting the pressure to the signal processing unit 16B, and the pressure from the correction unit 16D described later with respect to the detection output.
  • a pressure detection unit 16A that reflects the temperature span adjustment amount and the pressure span adjustment amount in the detection output based on the adjustment signal Acs1 that represents the span adjustment amount and the adjustment signal Acs2 that represents the temperature span adjustment amount, and data to be described later.
  • a pressure detection unit so that the output voltage output from the output conversion unit 24B of the conversion board 24 becomes a predetermined target voltage according to a predetermined test temperature in a predetermined test constant temperature bath (not shown) based on the group Ca1.
  • the correction unit 16D that adjusts the pressure span for the pressure detection output in 16A and adjusts the temperature offset according to the predetermined temperature characteristics for the output signal in the output unit 16C, and the predetermined temperature described later from the correction unit 16D.
  • Each offset amount is added to the temperature offset adjustment signal Avs1 representing the offset amount according to the characteristics and the output signal representing the voltage value proportional to the pressure from the signal processing unit 16B based on Avs2 to form the output voltage. It is configured to include an output unit 16C.
  • the sensor chip 16 sequentially transmits and stores updated data Dp, Dt, DS1 and DS2 from each register 16DR (RAM) of the correction unit 16D described later. It is equipped with a storage unit (EPROM) 16M.
  • EPROM storage unit
  • the storage unit 16M sequentially stores each data of each register 16DR (RAM) described later based on the write control signal CW1 that commands writing while updating, which is supplied to the port 16P5, at a predetermined memory address.
  • the correction unit 16D includes, for example, as shown in FIG. 2, a temperature detection unit (gauge resistance unit) 16Dt that forms a part of the pressure detection unit 16A described above.
  • the output signal St representing the current value flowing through the gauge resistance unit that changes according to the temperature from the temperature detection unit 16Dt is transmitted to the temperature span adjustment unit 16DT and the temperature offset adjustment unit 16Ds1, which will be described later, respectively.
  • the correction unit 16D also includes a pressure span adjustment unit 16DP that adjusts the inclination of the characteristic line (linear function) representing the pressure detection output described above to set a range from the detected minimum pressure to the maximum pressure, and the temperature.
  • the temperature span adjustment unit 16DT that adjusts the inclination of the characteristic line (first-order function) that represents the pressure detection output that changes according to the temperature, and the section (offset amount) of the characteristic line (first-order function) of the pressure detection output that changes according to the temperature. It is provided with a temperature offset adjusting unit 16Ds1 for adjusting (referred to as) and an offset adjusting unit 16Ds2.
  • the adjustment of the correction unit 16D is performed based on the pressure span adjustment unit 16DP, the temperature span adjustment unit 16DT, the temperature detection unit 16Dt, and the offset adjustment unit 16Ds2 in the correction unit 16D.
  • the adjusting units 16DP, 16DT, and 16Ds2 make adjustments based on the data group Ca1, the enable signal Ca2, and the clock signal Ca3 transmitted from the adjustment circuit (not shown) to the ports 16P8, 16P7, and 16P6, respectively.
  • the sensor chip 16 and the conversion board 24 are placed in a constant temperature bath (not shown), the temperature of the constant temperature bath is controlled so that the sensor chip 16 and the conversion board 24 reach a predetermined temperature, and the pressure in the pressure chamber 28A becomes a predetermined pressure.
  • the pressure is controlled so as to be.
  • the adjustment of the correction unit 16D so that the output signal of the conversion board 24 becomes the target voltage is the pressure span adjustment unit 16DP, the temperature span adjustment unit DT, the temperature detection unit Dt, the offset adjustment unit 16Ds2, and the temperature offset adjustment unit in the correction unit 16D. Operate 16Ds1 to make adjustments.
  • the adjustment is performed so that the output of the conversion board 24 becomes the target voltage for each combination of the temperature of one condition or more and the pressure of one condition or more.
  • the final adjustment data of each adjustment unit 16DP, 16DT, 16Ds1 and 16Ds2 is stored in the storage unit (EPROM).
  • the outputs of the output unit 16C of the sensor chip 16 and the output conversion unit 24B of the conversion board 24 are paired and adjusted by the correction unit 16D, which causes an error in the manufacture of electronic components. It is possible to suppress variations in the output characteristics of the sensor chip 16 of the sensor unit connected to the conversion circuit of the conversion board 24 without being affected.
  • the sensor chip 16 and the conversion substrate 24 are connected to the sensor chip 16 by the measuring device 42 connected in the final step of the manufacturing process of the sensor unit after the aging test of the sensor chip 16. It is inspected whether or not the output from the output conversion unit 24B of the conversion board 24 connected to the sensor chip 16 which is regarded as a good product has a predetermined normal voltage value.
  • the adjustment equipment of the pressure detection element can be standardized, and therefore the equipment cost can be saved. Further, even if the pressure detection element and the conversion board are manufactured with high accuracy, there is a problem that the error generated by combining them cannot be eliminated. On the other hand, as in the above example, by correcting the output of the output unit in a state where the pressure detecting element and the conversion board are combined, such a combination error can be eliminated. When the current consumption of the pressure detection element changes, the internal power supply state of the conversion board fluctuates, which causes an error, but this cannot be known until the pressure detection element and the conversion board are combined.
  • each temperature offset amount is added to the output signal from the signal processing unit 16B to form an output voltage, but the output voltage is not limited to such an example.
  • the signal processing unit 16B may form an output voltage based on the temperature offset adjustment signals from the temperature offset adjustment unit 16Ds1 and the offset adjustment unit 16Ds2.

Abstract

変換基板２４に接続されるセンサチップ１６は、ワンチップＩＣからなり、圧力を検出するゲージ抵抗からの流体圧力をあらわす検出出力を信号処理部１６Ｂに送出するとともに、検出出力に温度のスパン調整量および圧力のスパン調整量を反映させる圧力検出部１６Ａと、データ群Ｃａ１に基づいてセンサチップ１６が配される所定の試験恒温槽内の所定の試験温度に応じて変換基板２４の出力変換部２４Ｂから出力される出力電圧が所定の目標電圧となるように、圧力のスパン調整等、ならびに、温度オフセット調整等を行う補正部１６Ｄと、補正部１６Ｄからの所定の温度特性に応じたオフセット量をあらわす温度オフセット調整信号Ａｖｓ１、および、Ａｖｓ２に基づいて信号処理部１６Ｂからの圧力に比例する電圧値をあらわす出力信号に対し各オフセット量を加算し、出力電圧を形成する出力部１６Ｃと、を含んでなる。

Description

圧力センサ
　本発明は、圧力センサに関する。
　液封型の半導体圧力センサに内蔵されるセンサユニットは、継手部内に支持され圧力検出室と後述する液封室とを隔絶するダイヤフラムと、ダイヤフラムの上方に形成され圧力伝達媒体としてのシリコーンオイルを貯留する液封室と、液封室内に配されダイヤフラムを介しシリコーンオイルの圧力変動を検出するセンサチップと、センサチップを支持するチップマウント部材と、ハウジングの貫通孔におけるチップマウント部材の周囲を密封するハーメチックガラスと、センサチップからの出力信号の送出およびセンサチップへの電力供給を行う端子群とを主な要素として含んで構成されている。
　また、上述のセンサユニットにおいては、例えば、特許文献１に示されるように、半導体圧力センサに接続される空調システムの様々な制御回路に対応し得るように、中継基板に電気的に接続される場合がある。そのような中継基板は、上述のセンサユニットの端子群が電気的に接続される複数の電線を介して接続された変換回路を有している。その変換回路は、制御回路の駆動電圧をセンサユニットの駆動電圧に昇圧、または、降圧するための昇圧回路部、または、降圧回路部を備えている。
特許第６６５６１２５号
発明が解決しようとする課題
　上述の半導体圧力センサの一連の製造工程中において、センサユニットのセンサチップは、所定の内部温度に保たれた恒温槽内の雰囲気のもとで、例えば、センサチップの出力特性のスパン調整（使用温度範囲における出力特性の調整）等が行われた後、それらをあらわす設定データがセンサチップ内の記憶部に書き込まれ、その後、センサユニットのセンサチップ単体で例えば、エージング試験が行われる場合がある。
　エージング試験の際、良品と判断されたセンサユニットのセンサチップは、製造工程の後工程において、仕向地に応じて上述のような中継基板に接続される場合がある。このような場合、中継基板に接続されたセンサユニットのセンサチップについて、再度、中継基板の出力部から出力される出力信号の特性が所定の許容範囲内の精度となっているかどうかの検査が常温で行われる。
　このような場合、センサチップの分解能、ならびに、中継基板の変換回路に使用された電子部品の製造上のばらつきに起因して中継基板の出力部から出力される出力信号の特性が所定の許容範囲内の精度とならないものが含まれることがある。斯かる場合の対策としては、予めセンサチップの分解能を高め、中継基板の変換回路に使用される電子部品の製造上のばらつきの少ない電子部品を採用することも考えられる。しかし、半導体圧力センサを構成する電子部品の製造コストが嵩み得策ではない。
　以上の問題点を考慮し、本発明は、圧力センサであって、電子部品の製造上の誤差に影響されることなく、中継基板の変換回路に接続されたセンサユニットのセンサチップの出力特性のばらつきを抑えることができる圧力センサを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
　上述の目的を達成するために、本発明に係る圧力センサは、液体の圧力を受圧する金属製のダイヤフラムと、ダイヤフラムとともにオイルを封止する液封室を形成するハウジング部材と、液封室内でハウジング部材に固着され、液封室内の圧力を検出する圧力検出部と圧力検出部の出力信号を補正する集積化された電子回路とが一体に形成された圧力センサチップと、圧力センサチップからの電気信号を外部に導出するためのリードピンとを備える液封型の圧力センサであって、圧力センサチップの入力部および出力部に接続され電気的な入出力を変換する変換基板を備えることを特徴とする。
　圧力センサチップは、さらに、圧力検出部からの検出出力を送出する出力部と、圧力検出部の検出出力のスパン調整を行うとともに、圧力検出部の一部を形成する温度検出部からの検出信号に基づいて圧力検出部の検出出力の温度変化に応じたスパン調整の温度補償を行う補正部と、補正部からの調整量および温度補償量をあらわすデータを格納する記憶部と、を含んでもよい。補正部は、圧力検出部の検出出力のスパン調整を行う圧力のスパン調整部と、圧力検出部の一部を形成する温度検出部からの検出信号に基づいて圧力検出部の検出出力の温度変化に応じたスパン調整の温度補償を行う温度スパン調整部と、温度検出部からの検出信号に基づいて出力部の検出出力に対し加算するオフセット量を調整する温度オフセット調整部とを含んでもよい。
　記憶部は、圧力のスパン調整部の調整量、および、温度スパン調整部の温度補償量をあらわすデータと、温度オフセット調整部のオフセット量をあらわすデータとを格納するものであってもよい。
　また、センサチップは、圧力室内の圧力を検出し検出出力を送出するセンサユニットの液封室内に配置され、変換基板は、センサユニットを収容するセンサユニット収容部内に液封室と隔絶されて形成された内部空間に配置されてもよい。
　変換基板は、電源電圧を降圧して圧力センサチップの入力部に供給するものでもよく、あるいは、変換基板は、電源電圧を昇圧して圧力センサチップの入力部に供給するものでもよい。また、変換基板は、圧力センサチップの出力部の信号を電流信号に変換するものでもよい。さらに、変換基板は、圧力センサチップの出力部の信号をデジタル信号に変換するものでもよい。
発明の効果
　本発明に係る圧力センサによれば、センサチップの補正部が、変換基板の出力変換部の出力の目標値と出力部の出力の特性とを整合させるように、動作するので電子部品の製造上の誤差に影響されることなく、中継基板の変換回路に接続されたセンサユニットのセンサチップの出力特性のばらつきを抑えることができる。
図１は、本発明に係る圧力センサの一例に用いられるセンサチップおよび変換基板の構成を示すブロック図である。 図２は、図１に示される補正部および記憶部の構成を概略的に示すブロック図である。 図３は、本発明に係る圧力センサの一例の全体構成を概略的に示す断面図である。
　図３は、本発明に係る圧力センサの一例の全体構成を示し、例えば、液封型の半導体圧力センサとされる。　
　圧力センサは、圧力が検出されるべき流体が導かれる配管に接続される継手部材３０と、継手部材３０のベースプレート２８に連結されセンサユニットを収容し後述するセンサチップ１６からの検出出力信号を所定の測定装置４２（図１参照）に供給するセンサユニット収容部と、を含んで構成されている。
　金属製の継手部材３０は、上述の配管の接続部の雄ねじ部にねじ込まれる雌ねじ部３０ｆｓを内側に有している。雌ねじ部３０ｆｓは、矢印Ｐの示す方向から供給される流体を後述する圧力室２８Ａに導く継手部材３０のポート３０ａに連通している。ポート３０ａの一方の開口端は、継手部材３０のベースプレート２８と後述するセンサユニットのダイヤフラム３２との間に形成される圧力室２８Ａに向けて開口している。圧力室２８Ａ内には、継手部材３０のポート３０ａを通じて流体としての気体または液体が供給される。センサユニットのハウジング６２の下端面は、ベースプレート２８に載置されている。
　圧力室２８Ａ内の圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサユニットは、円筒状のハウジング６２と、圧力室２８Ａとハウジング６２の内周部とを隔絶する金属製のダイヤフラム３２と、センサチップ１６と、接着層を介してセンサチップ１６を一端部で支持する金属製のチップマウント部材６８と、センサチップ１６に電気的に接続される入出力端子群を構成するリードピン６０ＬＰ１，６０ＬＰ２，６０ＬＰ３，６０ＬＰ４，６０ＬＰ５、６０ＬＰ６、６０ＬＰ７、および、６０ＬＰ８と、入出力端子群およびオイル充填用パイプ５８をチップマウント部材６８の外周面とハウジング６２の内周面との間に固定するハーメチックガラス６４と、を主な要素として含んで構成されている。
　なお、図３においては、リードピン６０ＬＰ１～６０ＬＰ８のうちリードピン６０ＬＰ６、６０ＬＰ７、６０ＬＰ８、６０ＬＰ１、および、オイル充填用パイプ５８のみを代表的に示す。
　ダイヤフラム３２の外周縁は、上述の圧力室２８Ａに向き合うハウジング６２の一方の下端面に支持されている。圧力室２８Ａに配されるダイヤフラム３２を保護するダイヤフラム保護カバー３４は、複数の連通孔を有している。ダイヤフラム保護カバー３４の周縁は、ダイヤフラム３２の外周縁とともに溶接によりステンレス鋼製のハウジング６２の下端面に接合されている。
　金属製のダイヤフラム３２と向かい合うセンサチップ１６およびハーメチックガラス６４の端面との間に形成される液封室３３には、例えば、圧力伝達媒体ＰＭとして所定量のシリコーンオイル、または、フッ素系不活性液体がオイル充填用パイプ５８を介して充填されている。なお、オイル充填用パイプ５８の一方の端部は、オイル充填後、押し潰され閉塞される。
　絶縁部材としてのハーメチックガラス６４の端部に形成される凹部に配されるセンサチップ１６とダイヤフラム３２との間には、さらに、金属製の電位調整部材３７がハーメチックガラス６４の下端面に支持されている。電位調整部材３７は、例えば、センサチップ１６の回路のゼロ電位に接続される端子に接続されている。
　なお、入出力端子群およびオイル充填用パイプ５８をチップマウント部材６８の外周面とハウジング６２の内周面との間に固定する絶縁部材は、斯かる例に限られることなく、例えば、入出力端子群等を絶縁しながら液封室３３の気密性を担保するセラミック、耐熱性樹脂等であってもよい。
　リードピン６０ＬＰ６およびリードピン６０ＬＰ７は、例えば、２本の電源用端子（Ｖｃｃ、ＧＮＤ）とされ、リードピン６０ＬＰ８は、例えば、センサチップ１６からの出力信号を送出する外部出力用端子（Ｖｏｕｔ）とされる。その他のリードピン６０ＬＰ１～６０ＬＰ５は、それぞれ、５本の調整用端子とされる。リードピン６０ＬＰ１～６０ＬＰ５の両端部は、それぞれ、上述のハーメチックガラス６４の端部に形成される凹部、および、後述する変換基板２４に向けて突出している。
　リードピン６０ＬＰ６、リードピン６０ＬＰ７、および、リードピン６０ＬＰ８の両端部は、それぞれ、上述のハーメッチックガラス６４の端部に形成される凹部、および、変換基板２４に向けて突出している。リードピン６０ＬＰ６、リードピン６０ＬＰ７、および、リードピン６０ＬＰ８の一端は、それぞれ、可撓性結線材５６の下端部に接続されている。センサチップ１６とリードピン６０ＬＰ１～６０ＬＰ５、リードピン６０ＬＰ６、リードピン６０ＬＰ７、および、リードピン６０ＬＰ８の他端との間は、ボンディングワイヤＷｉで接続されている。
　なお、リードピンの本数は、斯かる例に限られることなく、例えば、センサチップ１６の入出力ポートの数に応じて適宜設定されてもよい。
　図３において、複数の接続端子５４ａｉ（ｉ＝１～３）にそれぞれ、接続される可撓性結線材５６は、雄型のコネクタ５２を介して測定装置４２（図１参照）に接続される。複数の接続端子５４ａｉは、後述する変換基板２４のスリットを貫通し後述する端子台５２ａに設けられている。各接続端子５４ａｉは、例えば、上述のリードピン６０ＬＰ６、リードピン６０ＬＰ７、および、リードピン６０ＬＰ８の一端に可撓性結線材５６を介して接続される外部出力用接続端子（Ｖｏｕｔ）、駆動電圧供給用接続端子（Ｖｃｃ）、接地用接続端子（ＧＮＤ）とされる。
　センサユニット収容部の外郭部は、雄型のコネクタ５２を構成する円筒状の防水ケース５０と、継手部材３０のベースプレート２８と防水ケース５０の連結端部との間に上述のハウジング６２を挟持しベースプレート２８と防水ケース５０とを連結する接続部材７０と、により形成されている。
　樹脂製の防水ケース５０の連結端部の端面には、内部空間５０Ａに連通する開口部５０ａが形成されている。窪んだ内部空間５０Ａは、開口部５０ａを形成する防水ケース５０の内側側面と、内側側面に連なる最上端面とから形成されている。最上端面には、接着剤２７により変換基板２４が接着されている。変換基板２４におけるハーメッチックガラス６４の端部に向き合う実装面には、複数の電子部品２５が実装されている。
　防水ケース５０の連結端部の端面における開口部５０ａの周縁には、ハウジング６２の上端面が当接されている。また、防水ケース５０の開口部５０ａの周縁には、Ｏリング７２が挿入されるＯリング用溝５０Ｇが形成されている。
　雄型のコネクタ５２の防水ケース５０は、例えば、樹脂材料で形成されている。雄型のコネクタ５２は、図示が省略される雌型のコネクタに着脱可能とされる接続口部５２ＦＣと、接続口部５２ＦＣの基部と一体に形成され上述の接続端子５４ａｉを支持する端子台５２ａとから構成されている。端子台５２ａにおける内部空間５０Ａの一部を形成する上述の最上端面には、変換基板２４と、接続端子５４ａｉとが配置されている。
　接続端子５４ａｉの固定端子部は、接続口部５２ＦＣの下端に形成される端子台５２ａに支持されている。端子台５２ａから突出する各接続端子５４ａｉの係合端子は、接続口部５２ＦＣの中心軸線Ｃに対し平行になるように、接続口部５２ＦＣに向けて開口する小径部５２ｂ内に延びている。
　図１は、上述のワンチップＩＣで構成されたセンサチップ１６、および、変換基板（変換回路）２４を含んで構成されるシステム構成を示す。
　そのような半導体圧力センサは、圧力室２８Ａ内の圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサユニットを含んで構成されている。センサユニットは、例えば、図３に示されるように、円筒状のステンレス鋼製のハウジング６２と、検出されるべき流体が導入される圧力室２８Ａとハウジング６２の内周部とを隔絶する金属製のダイヤフラム３２と、ダイヤフラム３２で仕切られたハウジング６２の内周部の液封室３３内に配される圧力検出部を有するセンサチップ１６と、接着剤層を介してセンサチップ１６を一端部で支持する金属製のチップマウント部材６８と、センサチップ１６に電気的に接続される入出力端子群（６０ＬＰ１～６０ＬＰ８）と、入出力端子群（６０ＬＰ１～６０ＬＰ８）およびオイル充填用パイプ５８をチップマウント部材６８の外周面とハウジング６２の内周面との間に固定するハーメチックガラス６４と、を主な要素として含んで構成されている。
　図１において、変換基板２４は、上述のセンサユニットの製造工程の最終工程において所定の測定装置４２に着脱可能に接続される。
　変換基板２４は、測定装置４２の出力ポートからポート２４ｂ１に供給された電圧を所定の電圧まで降圧、または、昇圧し、ポート２４ａ１を通じてセンサチップ１６のポート１６Ｐ１に出力する電源電圧変換部２４Ａと、センサチップ１６のポート１６Ｐ２からポート２４ａ２に送出されたセンサ出力（ＤＣ０．５Ｖ～４．５Ｖ）を所定の電圧（ＤＣ０Ｖ～１０Ｖ）まで昇圧（増幅）、または、所定の電圧（ＤＣ０．３Ｖ～３．０Ｖ）まで降圧（減衰）し、ポート２４ｂ２を介して測定装置４２の入力ポートに送出する出力変換部２４Ｂとを含んで構成されている。
　電源電圧変換部２４Ａは、例えば、ポート２４ｂ１に供給された入力電源電圧（ＤＣ１２Ｖ～２４Ｖ）を圧力検出素子の電源電圧ＤＣ５Ｖに降圧し、あるいは、ポート２４ｂ１に供給された入力電源電圧（ＤＣ３．３Ｖ）を圧力検出素子の電源電圧ＤＣ５Ｖに昇圧するものとされる。
　なお、出力変換部２４Ｂは、例えば、センサ出力を所定の電流（ＤＣ４ｍＡ～２０ｍＡ）に変換して出力するものでもよい。また、出力変換部２４Ｂは、例えば、UART：Universal Asynchronous　Receiver Transmitter、または、I2C：Inter-Integrated Circuitなどのシリアルインターフェースデバイスを有し、シリアル通信機能を備えるものでもよい。
　センサチップ１６は、例えば、ワンチップＩＣからなり、圧力を検出するゲージ抵抗からの流体圧力をあらわす検出出力を信号処理部１６Ｂに送出するとともに、その検出出力に対し後述する補正部１６Ｄからの圧力のスパン調整量をあらわす調整信号Ａｃｓ１および、温度のスパン調整量をあらわす調整信号Ａｃｓ２に基づいて検出出力に温度のスパン調整量および圧力のスパン調整量を反映させる圧力検出部１６Ａと、後述するデータ群Ｃａ１に基づいて所定の試験恒温槽（不図示）内の所定の試験温度に応じて変換基板２４の出力変換部２４Ｂから出力される出力電圧が所定の目標電圧となるように、圧力検出部１６Ａにおける圧力検出出力について圧力のスパン調整等、ならびに、出力部１６Ｃにおける出力信号に対し所定の温度特性に応じた温度オフセット調整等を行う補正部１６Ｄと、補正部１６Ｄからの後述する所定の温度特性に応じたオフセット量をあらわす温度オフセット調整信号Ａｖｓ１、および、Ａｖｓ２に基づいて信号処理部１６Ｂからの圧力に比例する電圧値をあらわす出力信号に対し各オフセット量を加算し、出力電圧を形成する出力部１６Ｃと、を含んで構成されている。
　また、センサチップ１６は、図２に示されるように、後述する補正部１６Ｄの各レジスタ１６ＤＲ（ＲＡＭ）からの更新された各データＤｐ、Ｄｔ、ＤＳ１、および、ＤＳ２が順次、送信され格納される記憶部（ＥＰＲＯＭ）１６Ｍを備えている。
　記憶部１６Ｍは、ポート１６Ｐ５に供給される更新しながら書き込みを指令する書き込み制御信号ＣＷ１に基づいて後述する各レジスタ１６ＤＲ（ＲＡＭ）の各データを順次、所定のメモリアドレスに格納する。
　補正部１６Ｄは、例えば、図２に示されるように、上述の圧力検出部１６Ａの一部を形成する温度検出部（ゲージ抵抗部）１６Ｄｔを含んでいる。温度検出部１６Ｄｔからの温度に応じて変化するゲージ抵抗部を流れる電流値をあらわす出力信号Ｓｔは、それぞれ、後述する温度スパン調整部１６ＤＴ、および、温度オフセット調整部１６Ｄｓ１に送信される。
　また、補正部１６Ｄは、加えて、上述の圧力検出出力をあらわす特性線（一次関数）の傾きを調整し検出される最小圧力から最大圧力までの範囲を設定する圧力スパン調整部１６ＤＰと、温度に応じて変化する圧力検出出力をあらわす特性線（一次関数）の傾きを調整する温度スパン調整部１６ＤＴと、温度に応じて変化する圧力検出出力の特性線（一次関数）の切片（オフセット量ともいう）を調整する温度オフセット調整部１６Ｄｓ１と、オフセット調整部１６Ｄｓ２と、を備えている。
　補正部１６Ｄの調整は、補正部１６Ｄにおける圧力スパン調整部１６ＤＰ、温度スパン調整部１６ＤＴ、温度検出部１６Ｄｔ、オフセット調整部１６Ｄｓ２に基づいて行われる。各調整部１６ＤＰ、１６ＤＴ、１６Ｄｓ２は、図示が省略される調整回路からポート１６Ｐ８、１６Ｐ７、１６Ｐ６にそれぞれ送信されるデータ群Ｃａ１、イネーブル信号Ｃａ２、および、クロック信号Ｃａ３に基づいて調整を行う。
　センサチップ１６および変換基板２４を恒温槽（不図示）に入れ、センサチップ１６および変換基板２４が所定の温度になるように恒温槽の温度が制御され、圧力室２８Ａ内の圧力が所定の圧力となるように圧力が制御される。変換基板２４の出力信号が目標電圧となるように補正部１６Ｄの調整は、補正部１６Ｄにおける圧力スパン調整部１６ＤＰ、温度スパン調整部ＤＴ、温度検出部Ｄｔ、オフセット調整部１６Ｄｓ２、温度オフセット調整部１６Ｄｓ１を操作し、調整を行う。調整は、変換基板２４の出力が、１条件以上の温度と、１条件以上の圧力の組み合わせのそれぞれで目標電圧となるように調整を行う。各調整部１６ＤＰ、１６ＤＴ、１６Ｄｓ１、１６Ｄｓ２の最終的な調整データが記憶部(ＥＰＲＯＭ)に記憶される。
　上述したように、センサチップ１６の出力部１６Ｃ、および、変換基板２４の出力変換部２４Ｂの出力が、対となって補正部１６Ｄにより調整されることとなるので電子部品の製造上の誤差に影響されることなく、変換基板２４の変換回路に接続されたセンサユニットのセンサチップ１６の出力特性のばらつきを抑えることができる。
　そして、センサチップ１６および変換基板２４は、センサチップ１６のエージング試験後、上述のセンサユニットの製造工程の最終工程において接続された測定装置４２によって、圧力室２８Ａの圧力が所定の圧力のとき、良品とされるセンサチップ１６に接続された変換基板２４の出力変換部２４Ｂからの出力が、所定の正常な電圧値となっているか否かが、検査される。
　例えば、様々な変換基板に対しワンチップＩＣからなる共通の圧力検出素子を接続することにより、圧力検出素子の調整設備が共通化でき、従って、設備コストを節約できる。また、圧力検出素子と変換基板とをそれぞれ高精度に製作しても、組み合わせることで発生する誤差が解消できないという問題が伴う。一方、上述の例のように、圧力検出素子と変換基板とを組み合わせた状態で出力部の出力を補正することにより、そのような組み合わせ誤差を解消できる。圧力検出素子の消費電流が変化することにより、変換基板の内部電源状態が変動してしまい誤差の原因となるが、これは圧力検出素子と変換基板とを組み合わせるまで分からない。
　なお、上述の例においては、出力部１６Ｃにおいて、各温度オフセット量を信号処理部１６Ｂからの出力信号に加算し、出力電圧を形成しているが、斯かる例に限られることなく、例えば、出力部１６Ｃではなく、信号処理部１６Ｂにおいて、温度オフセット調整部１６Ｄｓ１、および、オフセット調整部１６Ｄｓ２からの温度オフセット調整信号に基づいて出力電圧を形成してもよい。
１６　　センサチップ
１６Ａ　　圧力検出部
１６Ｂ　　信号処理部
１６Ｃ　　出力部
１６Ｄ　　補正部
１６Ｍ　　記憶部
１６ＤＰ　　圧力スパン調整部
１６ＤＴ　　温度スパン調整部
１６Ｄｓ１　　温度オフセット調整部
１６Ｄｓ２　　オフセット調整部
２４　　変換基板
３３　　液封室
５０　　防水ケース
５０Ａ　　内部空間
７０　　接続部材

Claims (9)

  1. 　液体の圧力を受圧する金属製のダイヤフラムと、前記ダイヤフラムとともにオイルを封止する液封室を形成するハウジング部材と、前記液封室内で前記ハウジング部材に固着され、前記液封室内の圧力を検出する圧力検出部と前記圧力検出部の出力信号を補正する集積化された電子回路とが一体に形成された圧力センサチップと、前記圧力センサチップからの電気信号を外部に導出するためのリードピンとを備える液封型の圧力センサであって、
    　前記圧力センサチップの入力部および出力部に接続され電気的な入出力を変換する変換基板を備えることを特徴とする圧力センサ。
  2. 　前記圧力センサチップは、さらに、前記圧力検出部からの検出出力を送出する出力部と、前記圧力検出部の検出出力のスパン調整を行うとともに、前記圧力検出部の一部を形成する温度検出部からの検出信号に基づいて前記圧力検出部の検出出力の温度変化に応じた前記スパン調整の温度補償を行う補正部と、前記補正部からの調整量および温度補償量をあらわすデータを格納する記憶部と、を含むことを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
  3. 　前記補正部は、前記圧力検出部の検出出力のスパン調整を行う圧力のスパン調整部と、前記圧力検出部の一部を形成する温度検出部からの検出信号に基づいて前記圧力検出部の検出出力の温度変化に応じた前記スパン調整の温度補償を行う温度スパン調整部と、前記温度検出部からの検出信号に基づいて前記出力部の検出出力に対し加算するオフセット量を調整する温度オフセット調整部とを含むことを特徴とする請求項２記載の圧力センサ。
  4. 　前記記憶部は、前記圧力のスパン調整部の調整量、および、温度スパン調整部の温度補償量をあらわすデータと、温度オフセット調整部のオフセット量をあらわすデータとを格納することを特徴とする請求項３記載の圧力センサ。
  5. 　前記センサチップは、圧力室内の圧力を検出し検出出力を送出するセンサユニットの液封室内に配置され、前記変換基板は、該センサユニットを収容するセンサユニット収容部内に前記液封室と隔絶されて形成された内部空間に配置されることを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
  6. 　前記変換基板は、電源電圧を降圧して前記圧力センサチップの前記入力部に供給することを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
  7. 　前記変換基板は、電源電圧を昇圧して圧力センサチップの前記入力部に供給することを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
  8. 　前記変換基板は、圧力センサチップの前記出力部の信号を電流信号に変換することを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
  9. 　前記変換基板は、圧力センサチップの前記出力部の信号をデジタル信号に変換することを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
    　
PCT/JP2021/037129 2020-12-11 2021-10-07 圧力センサ WO2022123886A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202180078702.XA CN116472444A (zh) 2020-12-11 2021-10-07 压力传感器
JP2022568069A JP7395021B2 (ja) 2020-12-11 2021-10-07 圧力センサ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020205919 2020-12-11
JP2020-205919 2020-12-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022123886A1 true WO2022123886A1 (ja) 2022-06-16

Family

ID=81973560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/037129 WO2022123886A1 (ja) 2020-12-11 2021-10-07 圧力センサ

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7395021B2 (ja)
CN (1) CN116472444A (ja)
WO (1) WO2022123886A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10325772A (ja) * 1997-05-27 1998-12-08 Nissan Motor Co Ltd 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP2000214029A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 圧力センサ回路
JP2003130747A (ja) * 2001-10-23 2003-05-08 Nok Corp 圧力センサ
US20130285167A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Melexis Technologies Nv Tmap sensor systems and methods for manufacturing those
JP2018040758A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ、その中継基板、及び、その中継基板ユニット
JP2019174382A (ja) * 2018-03-29 2019-10-10 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10325772A (ja) * 1997-05-27 1998-12-08 Nissan Motor Co Ltd 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP2000214029A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 圧力センサ回路
JP2003130747A (ja) * 2001-10-23 2003-05-08 Nok Corp 圧力センサ
US20130285167A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Melexis Technologies Nv Tmap sensor systems and methods for manufacturing those
JP2018040758A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ、その中継基板、及び、その中継基板ユニット
JP2019174382A (ja) * 2018-03-29 2019-10-10 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022123886A1 (ja) 2022-06-16
JP7395021B2 (ja) 2023-12-08
CN116472444A (zh) 2023-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7131334B2 (en) Pressure sensor device and method
JP5107040B2 (ja) 圧力測定システム及び方法
US10371591B2 (en) Method and apparatus for correction of pressure sensors
JP4898984B2 (ja) センサのドリフトを修正する装置及び方法
US4085620A (en) Pressure-electric transducers
US10495538B2 (en) Modular sensor package having adhesive-free seal to housing
US20050087020A1 (en) Pressure sensor device and cell thereof
US9127993B2 (en) High temperature, high bandwidth pressure acquisition system
JP2008511831A (ja) 圧力測定システムおよび方法
US10330547B2 (en) Pressure measuring device
JP6892404B2 (ja) 圧力センサ
JP2005188980A (ja) 圧力センサ
CN107782485A (zh) 集成有共模误差补偿的差压传感器
WO2022123886A1 (ja) 圧力センサ
JP6656125B2 (ja) 圧力センサ、その中継基板、及び、その中継基板ユニット
US5691479A (en) Pressure transducer with a housing for use with a conventionally packaged pressure sensor
US6997059B2 (en) Pressure sensor
CN111751044A (zh) 压力传感器和制造压力传感器的方法
CN111480060B (zh) 用于提供经校准的压力换能器的方法
JP5181648B2 (ja) 半導体圧力センサの特性調整方法および特性調整装置
CN218724360U (zh) 一种小型温压一体变送器
US11015994B2 (en) Differential MEMS pressure sensors with a ceramic header body and methods of making differential MEMS pressure sensors
CN109716087A (zh) 压力传感器
JP2003262560A (ja) 圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21902990

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022568069

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202180078702.X

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21902990

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1