JP2001201418A

JP2001201418A - 静電容量型半導体圧力センサ及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001201418A
Application number: JP2000013569A
Authority: JP
Inventors: Sumio Akai; 澄夫赤井; Hiroshi Saito; 宏齊藤; Kazunari Kuzuhara; 一功葛原; Takashi Saijo; 隆司西條; Shigenari Takami; 茂成高見
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2000-01-21
Filing date: 2000-01-21
Publication date: 2001-07-27

Abstract

(57)【要約】【課題】実装面積が小さく、信頼性の高い静電容量型
半導体圧力センサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】変位電極３に所定の間隔で対向して配置
された固定電極４を有するガラス基板５とを有して、変
位電極３と固定電極４間の静電容量の変化により圧力を
検出する静電容量型半導体圧力センサにおいて、ガラス
基板５が、主表面に対して略直交方向、かつ第１主表面
と第２主表面に端部が露出する１本又は複数本の金属線
１０を有する金属線入りガラス基板５であり、金属線１
０の一方の端部と固定電極４とを接続したことを特徴す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電極間隔の変動に
ともなう静電容量の変化により圧力を検出する静電容量
型半導体圧力センサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の静電容量型半導体圧力センサを図
５に示す。半導体基板１には、異方性エッチングにより
肉薄構造のダイヤフラム２が形成され、ダイヤフラム２
には、絶縁層（図示せず）を介して変位電極３が形成さ
れるとともにこの変位電極３に電気的接続される配線６
が形成されている。また、ガラス基板５の表面には、固
定電極４と、固定電極４に電気的接続された配線７ｂ
と、別の配線７ａが形成されている。そして、半導体基
板１の変位電極３とガラス基板５の固定電極４とが対向
するように位置を合せて半導体基板１とガラス基板５と
が陽極接合されている。ここで、変位電極３と、ガラス
基板５に設けられた配線７ａとが配線６により電気的接
続がなされる。圧力を受けると（図では上部より）ダイ
ヤフラム２が撓み変位電極３と固定電極４間のギャップ
の変化により、静電容量が変化する。この静電容量変化
の電気信号は、配線７ａ，７ｂに出力され、この電気信
号により圧力を検出する。このとき、配線７ａ及び７ｂ
の端部にはワイヤ８によるワイヤボンディングがなされ
て電気信号が外部回路（図示せず）に出力される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧力検
出のための電気信号を外部回路に出力するために、ワイ
ヤボンド用の配線７ａ，７ｂをガラス基板５上に設けな
ければならず、実装面積が大きくなる。また、ワイヤボ
ンドされた箇所は、信頼性を確保するため別途樹脂封止
等により保護する必要があった。

【０００４】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、実装面積が小さく、信頼
性の高い静電容量型半導体圧力センサ及びその製造方法
を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、凹部形成による薄肉構造の
ダイヤフラムを有し、該ダイヤフラムに絶縁層を介して
変位電極を設けた半導体基板と、前記変位電極に所定の
間隔で対向して配置された固定電極を有するガラス基板
とを有して、前記変位電極と前記固定電極間の静電容量
の変化により圧力を検出する静電容量型半導体圧力セン
サにおいて、前記ガラス基板が、主表面に対して略直交
方向、かつ第１主表面と第２主表面に端部が露出する１
本又は複数本の金属線を有する金属線入りガラス基板で
あり、前記金属線の一方の端部と前記固定電極とを接続
したことを特徴するものである。

【０００６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の静
電容量型圧力センサにおいて、前記ダイヤフラムの凹部
側内部に変位電極を有し、該変位電極と接触し、前記凹
部の裏側の主表面に貫通する金属部を有することを特徴
とするものである。

【０００７】請求項３記載の発明は、請求項１記載の静
電容量型半導体圧力センサにおいて、前記変位電極と、
前記金属線入りガラス基板の前記固定電極に接続した金
属線とは別の金属線とを接続したことを特徴とするもの
である。

【０００８】請求項４記載の発明は、請求項２記載の静
電容量型圧力センサの製造方法において、シリコン基板
にダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラムの凹部に絶縁
層を形成し、次に前記凹部の絶縁層上に変位電極を形成
し、該変位電極と接触して前記凹部の裏側の主表面に貫
通する金属部を形成し、別の工程で、金属線入りガラス
基板の金属線の一方の端部に固定電極を形成し、前記変
位電極と前記固定電極が対向するように位置を合せて、
前記シリコン基板と前記金属線入りガラス基板とを陽極
接合するようにしたことを特徴とするものである。

【０００９】請求項５記載の発明は、請求項３記載の静
電容量型半導体圧力センサの製造方法において、シリコ
ン基板にダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラムの凹部
の裏側の主表面に絶縁層を形成し、次に前記絶縁層上に
変位電極を形成するとともに、該変位電極を形成した側
の前記シリコン基板表面上に前記変位電極のリードパタ
ーンを形成し、別の工程で、金属線入りガラス基板の金
属線の一方の端部に固定電極を形成するとともに、該固
定電極を形成した側の前記金属線入りガラス基板表面上
で、別の金属線の端部に金属電極を形成し、前記変位電
極と前記固定電極が対向するように位置を合せるととも
に、前記リードパターンと前記金属電極とが接触するよ
うに、前記シリコン基板と前記金属線入りガラス基板と
を陽極接合するようにしたことを特徴とするものであ
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
静電容量型半導体圧力センサ及びその製造方法について
図１乃至図４にもとづき説明する。尚、半導体基板１及
びガラス基板５において、図における上側の面を上主表
面、下側の面を下主表面と称することとする。

【００１１】図１は本発明の第１の実施の形態の静電容
量型半導体圧力センサを示すための断面図である。半導
体基板（シリコン基板）１には、肉薄構造のダイヤフラ
ム２が形成され、ダイヤフラム２の凹部には、絶縁層
（シリコン酸化膜９）を介して変位電極３が形成されて
いる。ここで、変位電極３の部位において半導体基板１
を貫通する貫通孔が形成され、この貫通孔の内部周辺に
はシリコン酸化膜１１が形成されている。そして、半導
体基板１の変位電極３が形成された反対の主表面（すな
わちダイヤフラム２の凹部の裏側の主表面（上主表
面））及び貫通孔には、シリコン酸化膜９及び１１を介
して配線１２が形成され、この配線１２と変位電極３と
が電気的接続されている。また、ガラス基板５にはガラ
ス基板５の主表面を貫通し、両主表面に端部が露出する
金属線１０が埋設され、その一方の端部（ガラス基板５
の上主表面）に固定電極４が形成されている。尚、固定
電極４は金属線１０の端部にメタライズ層１３を介して
形成されている。さらにもう一方の金属線１０の端部
（ガラス基板５の下主表面）にはバンプ１４が形成され
ている。ここで、変位電極３と固定電極４とが対向する
ように半導体基板１とガラス基板５とが陽極接合されて
いる。

【００１２】図中上部より圧力を受けると、ダイヤフラ
ム２が撓み変位電極３と固定電極４間のギャップの変化
により、静電容量が変化する。この静電容量変化の電気
信号は、配線１２及び金属線１０に出力され、この電気
信号により圧力を検出する。ここで、ガラス基板５は外
部回路である配線基板（図示せず）上に搭載され、バン
プ１４が融解されて、配線基板上の配線と電気的接続が
なされる。つまり対面実装（フリップフロップ実装）が
なされる。

【００１３】このように、半導体基板１に形成されたダ
イヤフラム２の凹部側内部に変位電極３を形成し、この
変位電極３と接続される配線１２を設けて、さらに、ガ
ラス基板５が、主表面に対して略直交方向、かつ第１主
表面と第２主表面に端部が露出する金属線１０を有し、
金属線１０の一方の端部に固定電極４を形成して、固定
電極４と配線基板との電気的接続をガラス基板５の下主
表面で行えるようにしたので、固定電極４側において、
対面実装が行え、ワイヤボンディング箇所が削減でき、
実装も容易で実装面積を少なくでき、また信頼性を向上
させることができるという効果を奏する。

【００１４】図２は本発明の第２の実施の形態の静電容
量型半導体圧力センサを示すための断面図である。半導
体基板（シリコン基板）１には、肉薄構造のダイヤフラ
ム２が形成され、ダイヤフラム２の凹部の裏側主表面
に、絶縁層（シリコン酸化膜９）を介して変位電極３が
形成されている。尚、ここで絶縁層９のダイヤフラム２
の部位において、微小の凹部をが形成され、そこに変位
電極３が形成されている。そしてさらに、この変位電極
３に電気的接続される配線３ａ（リードパターン）が形
成されている。また、ガラス基板５には、ガラス基板５
の主表面を貫通し、両主表面に端部が露出する金属線１
０ａ及び１０ｂが埋設され、先ず、金属線１０ａの一方
の端部（ガラス基板５の上主表面）に固定電極４が形成
されている。尚、固定電極４は金属線１０ａの端部にメ
タライズ層１３を介して形成されている。さらに金属線
１０ａのもう一方の端部（ガラス基板５の下主表面）に
はバンプ１４が形成されている。次に、金属線１０ｂの
一方の端部（ガラス基板５の上主表面）には、金属電極
１９ｂが、メタライズ層１３を介して形成されている。
また、金属線１０ｂのもう一方の端部（ガラス基板５の
下主表面）にはバンプ１４が形成されている。

【００１５】ここで、変位電極３と固定電極４とが対向
するように、かつ、半導体基板１の配線３ａとガラス基
板５側の金属電極１９ｂとが接触して電気的接合がなさ
れるように、半導体基板１とガラス基板５とが陽極接合
されている。図中上部より圧力を受けると、ダイヤフラ
ム２が撓み変位電極３と固定電極４間のギャップの変化
により、静電容量が変化する。この静電容量変化の電気
信号は、金属線１０ｂ及び金属線１０ａに出力され、こ
の電気信号により圧力を検出する。ここで、ガラス基板
５は配線基板（図示せず）上に搭載され、バンプ１４が
融解されて、配線基板上の配線と電気的接続がなされ
る。つまり対面実装がなされる。

【００１６】ここで、半導体基板１の端部において変位
電極３及び配線３ａと同時に形成されたアルミパッド１
８ａ、また、ガラス基板５の端部において固定電極４及
び金属電極１９ｂと同時に形成された金属層１９ｃ、さ
らにメタライズ層１３は、陽極接合において半導体基板
１とガラス基板５とのスペーサの役割を果たす。

【００１７】このように、半導体基板１に形成されたダ
イヤフラム２の部位に変位電極３を形成し、さらに、ガ
ラス基板５が、主表面に対して略直交方向、かつ第１主
表面と第２主表面に端部が露出する金属線１０ａ及び１
０ｂを有し、金属線１０ａに電気的接続される固定電極
４を形成するとともに、ガラス基板５の金属線１０ｂ
に、半導体基板１の変位電極３を電気的接続するように
して、変位電極３及び固定電極４における配線基板との
電気的接続を金属線１０ａ，１０ｂを通してガラス基板
５の下主表面で行えるようにしたので、配線基板に対面
実装を行うことができ、変位電極３と固定電極４の両者
においてワイヤボンディングが不要で、実装も容易であ
るとともに実装面積を少なくでき、より信頼性を向上さ
せることができるという効果を奏する。

【００１８】図３は、本発明の第３の実施の形態とし
て、静電容量型半導体圧力センサの実装構造の第１の製
造方法を示すものである。（単結晶）シリコン基板１
（半導体基板１）を熱酸化することにより、シリコン基
板１の図中において、上主表面と下主表面にシリコン酸
化膜９を形成する。続いて化学的気層成長法（以下ＣＶ
Ｄ法と称する）により、シリコン酸化膜９の表面にシリ
コン窒化膜１５を形成する。続いて、下主表面のシリコ
ン窒化膜１５に、レジスト１６を塗布し、所定の形状に
パターニングした後、そのパターンにしたがって、シリ
コン窒化膜１５とシリコン酸化膜９をエッチング除去す
る（ａ）。

【００１９】次に、エッチングでパターン形成されたシ
リコン窒化膜１５をマスクとして、約８０℃の水酸化カ
リウム水溶液で、異方性エッチングすることにより、ダ
イヤフラム２を形成する。そして、ダイヤフラム２形成
後、シリコン酸化膜９、シリコン窒化膜１５を除去する
（ｂ）。

【００２０】次に熱酸化により、シリコン基板１の両主
表面にシリコン酸化膜９を形成した後、下主表面側に、
スパッタリング法によりアルミ層１７を形成する。続い
て、レジスト１６を下主表面側に塗布して、ダイヤフラ
ム２の凹部にレジスト１６が残るようにパターニングす
る（ｃ）。次に、レジスト１６のパターンによりアルミ
層１７をエッチング除去し、その後、レジスト１６を除
去して、変位電極３を形成する（ｄ）。

【００２１】次に、シリコン基板１の上主表面にレジス
ト１６を塗布し、所定の形状にパターニングした後
（ｅ）、シリコン酸化膜９とシリコン基板１をエッチン
グすることにより、変位電極３へ貫通孔を形成する。続
いて、先に形成した変位電極３への貫通孔の内部周辺
に、シリコン酸化膜１１をＣＶＤ法により堆積し形成す
る。続いてスパッタリング法により、シリコン基板１と
貫通孔にアルミ層を形成した後、レジスト（図示せず）
によるパターニングとエッチングにより、配線１２を形
成する。

【００２２】次に、台座となる金属線入りガラス基板５
の加工工程について説明する。モリブデン（融点２６１
０℃）やタングステン（融点３３８７℃）のような金属
は、融点がガラスの溶融温度（約１５００〜１６００
℃）よりもはるかに高く化学的にも安定なことから、溶
融ガラスにモリブデン等のワイヤ（金属線）を埋め込
み、徐冷し、スライスした後に研磨することにより、ガ
ラスの表面と裏面とを貫通するような金属線１０を埋め
込んだガラス基板５を形成することができる（ａ）。
尚、このようなワイヤ入りガラスとしてＨＯＹＡ社商標
ＳＤ２ガラスを用いて、金属線入りガラス基板５を形成
することができる。

【００２３】この金属線入りガラス基板５の上主表面に
スパッタリング法により、メタライズ層を形成した後、
金属線１０とコンタクトをとるような形状にパターニン
グしてメタライズ層１３を形成する。続いて、メッキ法
により、メタライズ層１３上に固定電極４を形成する
（ｇ）。

【００２４】次に変位電極３と固定電極４が対向するよ
うに、シリコン基板１とガラス基板５とを陽極接合す
る。陽極接合は、例えば真空雰囲気で３００℃以上の温
度と６００Ｖ以上の直流電圧を印可することにより行わ
れる。その後、ガラス基板５の下主表面にニッケル／金
メッキした後、バンプ（例えば金）１４を形成する
（ｈ）。そして、ダイシングを行い、第１の実施の形態
に相当する静電容量型半導体加速度センサを製造するこ
とができる。

【００２５】図４は、本発明の第４の実施の形態とし
て、静電容量型半導体圧力センサの実装構造の第２の製
造方法を示すものである。シリコン基板１を熱酸化する
ことにより、シリコン基板１の上主表面と下主表面にシ
リコン酸化膜９を形成する（ａ）。続いてＣＶＤ法によ
り、シリコン酸化膜９の表面にシリコン窒化膜１５を形
成し、、下主表面のシリコン窒化膜１５に、レジスト
（図示せず）を塗布し、所定の形状にパターニングした
後、そのパターンにしたがって、シリコン窒化膜１５と
シリコン酸化膜９をエッチング除去する。次に、エッチ
ングでパターン形成されたシリコン窒化膜１５をマスク
として、約８０℃の水酸化カリウム水溶液で、異方性エ
ッチングすることにより、ダイヤフラム２を形成する
（ｂ）。そして、ダイヤフラム２形成後、シリコン酸化
膜９、シリコン窒化膜１５を除去する（ｃ）。

【００２６】次に熱酸化により、シリコン基板１の両主
表面にシリコン酸化膜９を形成した後、上主表面におい
て、レジスト１６を塗布し、ダイヤフラム２の部位を除
くようにパターニングを行う。このレジストパターンに
もとづいてシリコン酸化膜９をエッチングする。このと
きのエッチングはシリコン基板１の主表面に到達しない
ように途中で停止するようにして、ダイヤフラム２の部
位にシリコン酸化膜９の凹部を形成するようにする
（ｄ）。

【００２７】次に、スパッタリング法によりアルミ層１
８を形成する。続いて、レジスト１６を上主表面に塗布
して、前工程で形成したシリコン酸化膜９の凹部及び、
該凹部の周辺部の所定の箇所にレジスト１６が残るよう
にパターニングする（ｅ）。次に、レジスト１６のパタ
ーンによりアルミ層１８をエッチング除去し、その後、
レジスト１６を除去して、変位電極３を及び変位電極３
のリード線となる配線３ａを形成するとともに、アルミ
パッド１８ａを形成する（ｆ）。

【００２８】次に、台座となる金属線入りガラス基板５
の加工工程について説明する。金属線入りガラス基板５
の形成については、第３の実施形態で示した第１の製造
方法と同様であるが、金属線１０を金属線１０ａと１０
ｂの２種の形態で活用する。

【００２９】金属線入りガラス基板５の図中の上主表面
にスパッタリング法により、メタライズ層１３を形成し
た後、金属線１０ａ及び金属線１０ｂの各々において、
金属線１０ａ及び１０ｂとコンタクトをとるような形状
にパターニングしてメタライズ層１３ａ，１３ｂを形成
する。また、同時に金属線１０ａ，１０ｂの周辺部位に
メタライズ層１３ｃを形成する。続いて、メッキ法によ
り、メタライズ層１３ａ上に金属層１９ａ（固定電極
４）を形成するとともに、メタライズ層１３ｂ上に金属
層（金属電極）１９ｂを形成する。また、メタライズ層
１３ｃには金属層１９ｃを形成する（ｇ）。

【００３０】次に変位電極３と固定電極４が対向するよ
うに、かつ、配線３ａと金属層１９ｂとが接触して電気
的接続がなされるようにして、シリコン基板１とガラス
基板５とを陽極接合するここで、アルミパッド１８ａ、
メタライズ層１３ｃ、金属層１９ｃは陽極接合において
スペーサの役割を果たす。その後、ガラス基板５の下主
表面にニッケル／金メッキした後、バンプ（例えば金）
１４を形成する（ｈ）。そして、ダイシングを行い、第
２の実施の形態に相当する静電容量型半導体加速度セン
サを製造することができる。

【００３１】

【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項１記載の発
明によれば、凹部形成による薄肉構造のダイヤフラムを
有し、該ダイヤフラムに絶縁層を介して変位電極を設け
た半導体基板と、前記変位電極に所定の間隔で対向して
配置された固定電極を有するガラス基板とを有して、前
記変位電極と前記固定電極間の静電容量の変化により圧
力を検出する静電容量型半導体圧力センサにおいて、前
記ガラス基板が、主表面に対して略直交方向、かつ第１
主表面と第２主表面に端部が露出する１本又は複数本の
金属線を有する金属線入りガラス基板であり、前記金属
線の一方の端部と前記固定電極とを接続するようにした
ので、外部回路と固定電極との電気的接続がガラス基板
下主表面で行うことができ、実装面積が小さく、信頼性
の高い静電容量型半導体圧力センサを提供することがで
きた。

【００３２】請求項２記載の発明においては、前記ダイ
ヤフラムの凹部側内部に変位電極を有し、該変位電極と
接触し、前記凹部の裏側の主表面に貫通する金属部を有
するようにしたので、容易に変位電極と外部回路との電
気的接続を行うことができるという効果を奏する。

【００３３】請求項３記載の発明においては、前記変位
電極と、前記金属線入りガラス基板の前記固定電極に接
続した金属線とは別の金属線とを接続するようにしたの
で、固定電極と同様に、外部回路と変位電極との電気的
接続がガラス基板下主表面で行うことができ、より実装
面積を小さく、またより信頼性を向上させることができ
るという効果を奏する。

【００３４】請求項４記載の発明においては、シリコン
基板にダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラムの凹部に
絶縁層を形成し、次に前記凹部の絶縁層上に変位電極を
形成し、該変位電極と接触して前記凹部の裏側の主表面
に貫通する金属部を形成し、別の工程で、金属線入りガ
ラス基板の金属線の一方の端部に固定電極を形成し、前
記変位電極と前記固定電極が対向するように位置を合せ
て、前記シリコン基板と前記金属線入りガラス基板とを
陽極接合するようにしたので、実装面積が小さく、信頼
性の高い静電容量型半導体圧力センサを製造することが
できるという効果を奏する。

【００３５】請求項５記載の発明においては、シリコン
基板にダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラムの凹部の
裏側の主表面に絶縁層を形成し、次に前記絶縁層上に変
位電極を形成するとともに、該変位電極を形成した側の
前記シリコン基板表面上に前記変位電極のリードパター
ンを形成し、別の工程で、金属線入りガラス基板の金属
線の一方の端部に固定電極を形成するとともに、該固定
電極を形成した側の前記金属線入りガラス基板表面上
で、別の金属線の端部に金属電極を形成し、前記変位電
極と前記固定電極が対向するように位置を合せるととも
に、前記リードパターンと前記金属電極とが接触するよ
うに、前記シリコン基板と前記金属線入りガラス基板と
を陽極接合するようにしたので、より実装面積が小さ
く、信頼性の高い静電容量型半導体圧力センサを製造す
ることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態を示す図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態として第１の製造法
の工程を示す図である。

【図４】本発明の第４の実施の形態として第２の製造法
の工程を示す図である。

【図５】従来例を示す図である。

【符号の説明】

１半導体基板（シリコン基板）２ダイヤフラム３変位電極４固定電極５ガラス基板８（ボンディング）ワイヤ９シリコン酸化膜（絶縁層）１０金属線１１シリコン酸化膜（絶縁層）１２アルミ配線１３メタライズ層１４バンプ１５シリコン窒化膜１６レジスト１７アルミ層１８アルミ層１９金属層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者葛原一功大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者西條隆司大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者高見茂成大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD05 DD07 EE25 FF43 GG01 GG12 4M112 AA01 BA07 CA02 CA11 CA15 CA16 DA04 DA06 DA09 DA11 DA18 EA02 EA06 EA07 EA11 GA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】凹部形成による薄肉構造のダイヤフラム
を有し、該ダイヤフラムに絶縁層を介して変位電極を設
けた半導体基板と、前記変位電極に所定の間隔で対向し
て配置された固定電極を有するガラス基板とを有して、
前記変位電極と前記固定電極間の静電容量の変化により
圧力を検出する静電容量型半導体圧力センサにおいて、前記ガラス基板が、主表面に対して略直交方向、かつ第
１主表面と第２主表面に端部が露出する１本又は複数本
の金属線を有する金属線入りガラス基板であり、前記金
属線の一方の端部と前記固定電極とを接続したことを特
徴する静電容量型半導体圧力センサ。
【請求項２】前記ダイヤフラムの凹部側内部に変位電
極を有し、該変位電極と接触し、前記凹部の裏側の主表
面に貫通する金属部を有することを特徴とする請求項１
記載の静電容量型半導体圧力センサ。
【請求項３】前記変位電極と、前記金属線入りガラス
基板の前記固定電極に接続した金属線とは別の金属線と
を接続したことを特徴とする請求項１記載の静電容量型
半導体圧力センサ。
【請求項４】シリコン基板にダイヤフラムを形成し、
該ダイヤフラムの凹部に絶縁層を形成し、次に前記凹部
の絶縁層上に変位電極を形成し、該変位電極と接触して
前記凹部の裏側の主表面に貫通する金属部を形成し、別
の工程で、金属線入りガラス基板の金属線の一方の端部
に固定電極を形成し、前記変位電極と前記固定電極が対
向するように位置を合せて、前記シリコン基板と前記金
属線入りガラス基板とを陽極接合するようにしたことを
特徴とする請求項２記載の静電容量型半導体圧力センサ
の製造方法。
【請求項５】シリコン基板にダイヤフラムを形成し、
該ダイヤフラムの凹部の裏側の主表面に絶縁層を形成
し、次に前記絶縁層上に変位電極を形成するとともに、
該変位電極を形成した側の前記シリコン基板表面上に前
記変位電極のリードパターンを形成し、別の工程で、金
属線入りガラス基板の金属線の一方の端部に固定電極を
形成するとともに、該固定電極を形成した側の前記金属
線入りガラス基板表面上で、別の金属線の端部に金属電
極を形成し、前記変位電極と前記固定電極が対向するよ
うに位置を合せるとともに、前記リードパターンと前記
金属電極とが接触するように、前記シリコン基板と前記
金属線入りガラス基板とを陽極接合するようにしたこと
を特徴とする請求項３記載の静電容量型半導体圧力セン
サの製造方法。