JP4702586B2 - 指紋センサ及び指紋センサ実装構造並びに該指紋センサを備えた指紋検出器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種検出素子及びその実装構造並びに該検出素子を備えた検出器に関し、特に、高密度化が要求される携帯機器ならびに携帯端末に使用される指紋センサ等の検出素子及びその実装構造並びに該検出素子を備えた検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】
指紋を検出する指紋センサは、従来、入退室管理における扉の鍵に代わるものとして開発されてきたが、近年、コンピュータネットワークにおけるセキュリティ問題から、個人を認証する為の手段としてパーソナルコンピュータへの指紋センサの適用なども一部で始められている。
【0003】
指紋センサを用いた指紋検出方法としては、静電容量の変異を測定する静電容量式検出法と、反射光を検出する光学式検出法に大別されるが、小型化を考慮した場合、静電容量式検出法が有利であり、積極的に開発が進められている。ここで、従来の指紋センサの実装構造について図面を参照して説明する。
【0004】
図7は、従来の指紋センサを実装した指紋検出器の構造を示す断面図である。図に示すように、従来の指紋検出器は、回路基板(外部接続基板5)に指紋センサ1をダイボンディングし、指紋センサ1の接続端子4と外部接続基板5の端子とをボンディングワイヤ20により電気的に接続した後、封止樹脂6で樹脂封止すると共に金属もしくは樹脂の外形保護キャップ9により周辺を覆う構造をとっている。そして、この指紋検出器はセキュリティを維持するパーソナルコンピュータなどの内部にあるドライバ回路やメモリに接続して駆動することにより利用される。
【0005】
また、指紋センサ等のような接触型素子ではないが、CCD(固体撮像素子)などの非接触型素子では、指紋センサと同様のボンディングワイヤによる実装構造の上に、ガラスを利用した気密封止、もしくは透明樹脂を利用した封止が実施された構造となっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年ではインターネット情報化や電子商取引の普及により、セキュリティ対策や個人認証の検討はパーソナルコンピュータのみならず、携帯可能な情報端末機器へと広がってきており、携帯情報端末機器にも搭載可能なように、検出器自体の高密度実装化が図られている。
【0007】
ここで、従来の実装構造は、電気的接続をワイヤボンディングにより行うものであるため、ボンディングワイヤのループ高さを稼ぐために高さを確保する必要があり、また、ボンディングワイヤを接続するための接続エリアを設けなければならず、更に、これらのボンディングワイヤを保護するための樹脂被覆エリアを大きく設けなければならないという問題があり、高密度化に対しては不十分な構造である。
【0008】
さらに、センサ駆動用のLSIや、センサで読み取った情報を記憶するメモリチップをセンサの周辺に2次元的に配置するため、実際の検出器としての容積は大きくなってしまい、高密度化を図ることができない。特に、携帯端末に付属するための検出器としては、より一層の高密度実装化が必要とされている。
【0009】
また、CCDにおける画素数の増加は画質の向上に必要とされているが、電気的な接続点数の増加や、メモリ容量の増加が必要となり、従来のワイヤボンディングによる電気的な接続では接続点数の増加は見込めず、さらに高密度化も図れない。特に、ビデオカメラ、携帯端末などの用途では、小型軽量化、高密度実装化が望まれている。
【0010】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、携帯情報端末などに適用できる小型軽量で、高密度実装が可能な各種センサ及びその実装構造並びにセンサを備えた検出器を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、指紋センサが外部基板に実装されてなる指紋検出器であって、前記指紋センサは、主面に設けた指紋検出面と、裏面に設けた接続電極と、前記指紋検出面と前記接続電極とを接続する貫通電極とを備え、前記指紋センサの前記接続電極と前記外部基板の電極とが対向配置され、接続端子によりフェースダウン接続されており、前記指紋センサの前記接続電極形成面と、前記外部基板の前記電極形成面との間に、前記指紋検出面の平坦性を保つためのスペーサーを備えるものである。
【0019】
また、本発明においては、前記スペーサーが、前記接続端子により生じる前記指紋センサと前記外部基板との隙間内に配設される構成、又は、前記外部基板の前記指紋センサ搭載面側に所定の深さの凹部が形成され、前記スペーサーが、前記接続端子及び前記凹部により生じる前記指紋センサと前記外部基板との隙間内に配設される構成とすることができる。
【0020】
また、本発明においては、少なくとも、前記指紋センサと前記外部基板との間、及び、前記指紋検出面側の前記貫通電極露出面が、樹脂により封止されていることが好ましい。
【0021】
また、本発明においては、前記指紋センサが、0.1mm以下の厚さに加工されていることが好ましい。
【0022】
また、本発明の携帯端末機器は、上記指紋検出器を備えたことを特徴とするものである。
【0023】
本発明においては、前記指紋検出器が、前記携帯機器の筐体に設けた開口部から前記指紋検出面が露出するように配設され、かつ、前記指紋検出面の周囲が前記筐体に固定されている構成とすることができる。
【0024】
このように、本発明に係る指紋センサ等の検出素子は、主面に設けたセンサ面と、裏面に設けた接続電極と、センサ面と裏面に設けた接続電極とを接続する貫通電極とを備えたことを特徴としている。この指紋センサをセンサ面を上面にして、指紋センサの裏面に設けた接続電極と外部接続基板の電極とをハンダなどを介して電気的に接続すると共に、樹脂により外部接続基板と指紋センサの間隙を充填する。指紋センサの外形をケースにより上部から保護し、センサ面を露出させた構造となっている。
【0025】
このように、指紋センサの裏面に接続用の電極を設け、この接続用電極とセンサ面の電極とを貫通電極により接続することによって、従来、ワイヤボンディングによって接続されていた構造に比べ、ワイヤの高さ及び接続に掛かる面積を大きく削減することができ、実装に掛かる容積を最小にすることできるという効果が得られる。
【0026】
また、本発明に係る指紋センサ等の検出素子を実装した検出器によれば、主面に設けたセンサと、裏面に設けた接続電極と、センサ面と裏面に設けた接続電極とを接続する貫通電極とを備え、センサ面を上面にして指紋センサの裏面に設けた接続電極と外部接続基板の電極とをハンダなどを介し電気的に接続すると共に、指紋センサの裏面に指紋センサの駆動に必要な半導体チップを接続したという特徴を有し、樹脂により外部接続基板と指紋センサの間隙を充填し、チップの外形をケースにより上部から保護し、センサ面を露出させた構造となっている。
【0027】
従来であれば、指紋センサの駆動用LSIや指紋センサで読み取った情報を記憶するメモリチップと指紋センサとの接続を外部接続基板を介して行っていたために、駆動用LSIやメモリチップを指紋センサの周辺に2次元的に配置するか、機能を必要とする本体機器に設けなければならず、実際の装置としての容積は大きくなり高密度化が図れなかった。しかし、本発明では、指紋センサの裏面のスペースに指紋センサの駆動に必要な半導体チップを接続することにより、特に携帯端末に付属するための指紋センサ装置としては、より一層の高密度実装化が可能となり、実装密度を著しく向上させる効果が得られる。
【0028】
【発明の実施の形態】
本発明の目的、特徴および利点を明確にすべく、添付した図面を参照しながら、本発明の実施の形態について以下に詳述する。図1は、本発明の一実施形態に係る指紋センサの構造を示す断面図であり、図2は指紋センサを基板に実装した状態を示す断面図である。
【0029】
図1及び図2に示すように、指紋センサ1は、センサ面2に形成された接続電極と、裏面に形成された接続用電極と、センサ面と裏面の接続電極を接続するための貫通電極3とが設けられた構造をとっている。また、指紋センサ1裏面の接続用電極と外部接続基板5とはハンダによる接続端子4によって接続され、センサ主面2を露出した状態で封止樹脂6及び外形保護のキャップ9を取り付けた構成となっている。
【0030】
このような構造によれば、指紋検出器の電気的接続は指紋センサ1の寸法内にある裏面に形成した電極により行なうことができるため、指紋検出器の外形寸法は指紋センサ1の大きさと外形保護の為のキャップ9によって決定され、実装した状態での容積を指紋センサ1に対して最小に抑えることができる。
【0031】
ここで、指紋センサ1の厚さは0.1mm程度であり、接続端子4はハンダによる接合のため、0.09mm程度である。これを0.2mm程度の厚さの外部接続基板5に実装し樹脂封止すると、樹脂封止厚さ略0.1mm、外形保護のためのキャップ略0.2mmを含めて、全体で略0.7mm以下に抑えることができ、高密度に実装できることを確認した。
【0032】
【実施例】
上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【0033】
[実施例1]
まず、本発明の第1の実施例に係る指紋センサの実装構造及び指紋センサを備えた指紋検出器について、図3を参照して説明する。図3は、第1の実施例に係る指紋センサを実装した指紋検出器の構造を示す断面図である。
【0034】
図3に示すように、指紋センサ1には、センサ面2に形成された接続電極と、裏面に形成された外部接続基板5との接続用電極を接続するための貫通電極3とが設けられている。指紋センサ1裏面の接続用電極と外部接続基板5とはハンダによる接続端子4によって接続され、更に、指紋センサ1と外部接続基板5との間にはセンサ面2に指を押圧し指紋を検出する際の指紋センサ1に掛かる圧力を緩和するためのスペーサー8が配置され、センサ主面2を露出した状態で封止樹脂6及び外形保護のキャップ9を取り付けた構成となっている。
【0035】
この構造によれば、指紋検出器の電気的接続は指紋センサ1の寸法内にある裏面に形成した電極により行なうことができるため、指紋検出器の外形寸法は指紋センサ1の大きさと外形保護の為のキャップ9によって決定され、実装した状態での容積を指紋センサ1に対して最小に抑えることができる。また、スペーサー8によってセンサ面2に指を押圧し指紋を検出する際の指紋センサ1に掛かる圧力を緩和することが可能となり、指紋センサ1の破壊、または指紋センサ1の歪によって生じる誤検出を防止することができる。
【0036】
なお、図3では、スペーサー8を独立して挿入する構成としているが、外部接続基板5のスペーサー8に対応する部分が凸形状となった一体型構造としても良い。また、スペーサー8としては、指の押圧で容易に変形しない程度以上の強度を有する任意の材料を用いることができるが、接続端子4との電気的接触を避けるためにプラスチック等のような絶縁性が高く加工が容易で軽量な材料を用いることがこのましい。
【0037】
[実施例2]
次に、本発明の第2の実施例に係る指紋センサの実装構造及び指紋センサを備えた指紋検出器について、図4及び図5を参照して説明する。図4は、第2の実施例に係る指紋センサを実装した指紋検出器の構造を示す断面図である。図5は、指紋検出器の他の構造を示す断面図である。
【0038】
図4に示すように、指紋センサ1には、センサ面2に形成された接続電極と、裏面に形成された外部接続基板5との接続用電極を接続するための貫通電極3とが設けられている。指紋センサ1の裏面には、指紋センサ1の駆動に必要な半導体チップ7が接続され、指紋センサ1は裏面の接続用電極と外部接続基板5はハンダによる接続端子4によって接続され、センサ主面2を露出した状態で封止樹脂6及び外形保護のキャップ9を取り付けた構成となっている。
【0039】
この構造によれば、センサの駆動に必要な半導体チップ7も接続端子4で囲まれたスペースに配置しており、半導体チップ7を実装した状態で、指紋検出器の電気的接続は指紋センサ1の寸法内にある裏面に形成した電極により行なっているため、指紋検出器の外形寸法は指紋センサ1の大きさと外形保護の為のキャップ9によって決定され、実装した状態での容積を指紋センサ1に対して最小に抑え、実装密度を向上させることができる。
【0040】
また、このような構造をとることにより高密度実装が可能になると共に、ドライバICやメモリ等とセンサとの接続距離を短くすることができ、大容量の情報を必要とする場合など、高速化においても効果をあげることが出来る。
【0041】
なお、指紋センサ1の駆動用の半導体チップ7としては、ドライバチップのほか、メモリやマイコンなどを必要に応じて用いることができ、各種半導体チップを1個又は2個以上接続することも可能である。
【0042】
また、指紋センサ1の駆動に必要な半導体チップ7が大きい場合には、図5に示すように、外部接続基板5側を加工し、外形寸法を増加させることなく、高密度に実装することができる。搭載する部品の大きさが異なる場合には、この様な形態をとることによって、本実装構造の適用範囲を広げることができる。
【0043】
[実施例3]
次に、本発明の第3の実施例に係る指紋センサの実装構造及び指紋センサを備えた携帯電話機について、図6を参照して説明する。図6は、第3の実施例に係る指紋センサを実装した携帯電話機の構造を模式的に示す断面図である。
【0044】
図6に示すように、携帯電話の部品を実装する実装基板10の片面に、センサ面2に形成された接続電極と、裏面に形成された接続用電極とを接続するための貫通電極3が形成された指紋センサ1がハンダによる接続端子4によって実装され、センサ主面2を露出した状態で封止樹脂6がコートされている。
【0045】
また、実装基板10の同じ面及び裏面には、その他の携帯電話を構成するLSIやチップ部品が実装されている。この実装基板10は、筐体11の一部に開口された部分に指紋センサ1のセンサ面2が位置するように構成され、センサ面を露出し、外形を保護すると共に、その他のマイク部16、スピーカ部17、アンテナ14、ディスプレイ部12、電池部18、キーパッド13など携帯電話を構成する部品と共に筐体11に収められている。
【0046】
この構造によれば、指紋センサ1の外形を保護するためのキャップ9を使用することなく、機器の筐体裏面を外形保護キャップ9として利用することができ、高密度化を図り、携帯電話等の小型機器に実装することが可能である。また、検出器の電気的接続は指紋センサ1の寸法内にある裏面に形成した電極により行なっているので、検出器の占める外形寸法の割合は指紋センサ1の大きさと等しく、実装密度を向上させることが可能となる。
【0047】
これら一連の発明において、指紋センサ1の厚さは貫通電極3を形成するために薄くすることが望ましく、0.1mm程度の厚さが通常適用される。実装密度向上の観点から指紋センサ1はさらに薄く加工しても良く、現在、0.05mmまで薄く加工することが可能である。また、指紋センサ1の反りや、強度の観点から剛性が必要な場合は0.1mmに限定することなく、適宜厚さを増しても良い。
【0048】
また、第1及び第2の実施例では、外形を保護するキャップ9を取り付けた構造を示したが、センサ面2が露出していれば良く、センサ面2を囲むようにダムを設け、封止樹脂6で封止するのみの構造でも良い。
【0049】
また、裏面電極には接続端子4がハンダによって接続されているが、ハンダによらず、Au、Sn、Cuまたはこれらの合金などを用いた通常の電子機器の実装に使用される接続技術を用いても良い。
【0050】
なお、前記した実施例では、指紋センサならびに携帯電話の実装構造についてのみ記載したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、接触式の他の種類のセンサ、また、非接触式のセンサである固体撮像素子などの実装や、任意の半導体チップの複合実装、小型軽量化が求められる任意の携帯端末機器の実装にも応用することが可能である。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の指紋センサは、主面に設けたセンサ面と、裏面に設けた接続電極と、指紋センサと裏面に設けた接続電極とを接続する貫通電極とを備えており、この指紋センサをセンサ面を上面にして指紋センサの裏面に設けた接続電極と外部接続基板の電極とをハンダなどを介し電気的に接続すると共に、樹脂により外部接続基板と指紋センサの間隙を充填し、チップの外形をケースにより上部から保護し、センサ面を露出させた構造となっている。
【0052】
このような基本構成に基づき、指紋センサの裏面に接続用の電極を設け、この接続用電極とセンサ面の電極とを貫通電極により接続することで、従来、ワイヤボンディングによって接続されていた構造に比べ、ワイヤの高さ及び接続に掛かる面積を大きく削減することができ、実装に掛かる容積を最小にすることできるという効果が得られる。
【0053】
また、スペーサーを指紋センサと外部接続基板との間に設けることにより、指紋を読み取る際のセンサに掛かる押圧力による指紋センサの変形や破損を防ぐことができ、誤検出や破損による故障を防止した信頼性の高い指紋検出器を提供することができる。
【0054】
また、本発明の指紋検出器は、主面に設けたセンサ面と、裏面に設けた接続電極と、指紋センサと裏面に設けた接続電極とを接続する貫通電極とを備え、センサ面を上面にして指紋センサの裏面に設けた接続電極と外部接続基板の電極とをハンダなどを介し電気的に接続すると共に、指紋センサの裏面に指紋センサの駆動に必要な半導体チップを接続し、樹脂により外部接続基板と指紋センサの間隙を充填し、チップの外形をケースにより上部から保護し、センサ面を露出させた構造となっている。
【0055】
従来であれば、指紋センサの駆動用LSIや指紋センサで読み取った情報を記憶するメモリチップと指紋センサの接続を外部接続基板を介して行っていたために、周辺に2次元的に配置するか、機能を必要とする本体機器に設けなければならず、実際の装置としての容積は大きくなり高密度化が図れなかったが、本発明では、指紋センサの裏面のスペースに指紋センサの駆動に必要な半導体チップを接続することにより、特に携帯端末に付属するための指紋センサ装置としては、より一層の高密度実装化が可能となり、実装密度を著しく向上させる効果が得られ、かつ、ドライバICやメモリ等と指紋センサとの接続距離が短くなり、大容量の情報を必要とする場合など、高速化においても効果をあげることができる。
【0056】
また、本発明の携帯電話機は、携帯電話の部品を実装する実装基板の片面にセンサ面に形成された接続電極と、裏面に形成された接続用電極を接続するための貫通電極が形成された指紋センサがハンダによる接続端子によって実装され、センサ主面を露出した状態で封止樹脂がコートされ、また実装基板の同じ面及び裏面にはその他の携帯電話を構成するLSIやチップ部品が実装され、この実装基板は筐体の一部に開口された部分に指紋センサが位置し、センサ面を露出し、外形を保護すると共に、その他のマイク、スピーカ、アンテナ、ディスプレイ、電池、キーパッドなど携帯電話を構成する部品と共に筐体に収められた構造となっている。
【0057】
このような基本構成に基づき、指紋センサの外形保護キャップの簡素化による高密度化を図ることができ、またセンサ装置の電気的接続は指紋センサの寸法内にある裏面に形成した電極により行なっているので、センサ装置の占める外形寸法の割合は指紋センサの大きさと等しく、実装密度を向上させた携帯端末機器の実装構造が提供できる。また、本発明では携帯電話機の実装構造について述べているが、例えば、ICカードや、自動車の鍵、住宅扉の鍵など、小型でかつ個人にて機能を有することでセキュリティが向上する部品や耐候性が必要な部品へ高密度な実装構造を提供することができる。
【0058】
なお、本発明は上記各実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適宜変更され得ることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る指紋センサの構造を示す断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態に係る指紋センサの実装構造を示す断面図である。
【図3】本発明の第1の実施例に係る指紋センサの実装構造を示す断面図である。
【図4】本発明の第2の実施例に係る指紋センサの実装構造を示す断面図である。
【図5】本発明の第2の実施例に係る指紋センサの実装構造を示す断面図である。
【図6】本発明の第3の実施例に係る指紋センサの実装構造を示した携帯端末機器の断面図である。
【図7】従来の指紋センサの実装構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1 指紋センサ
2 センサ面
3 貫通電極
4 接続端子
5 外部接続基板
6 封止樹脂
7 半導体チップ
8 スペーサー
9 外形保護キャップ
10 実装基板
11 筐体
12 ディスプレイ部
13 キーパッド部
14 アンテナ
15 実装部品
16 マイク部
17 スピーカ部
18 電池部
20 ボンディングワイヤ
Claims (7)
- 指紋センサが外部基板に実装されてなる指紋検出器であって、
前記指紋センサは、主面に設けた指紋検出面と、裏面に設けた接続電極と、前記指紋検出面と前記接続電極とを接続する貫通電極とを備え、前記指紋センサの前記接続電極と前記外部基板の電極とが対向配置され、接続端子によりフェースダウン接続されており、
前記指紋センサの前記接続電極形成面と、前記外部基板の前記電極形成面との間に、前記指紋検出面の平坦性を保つためのスペーサーを備えることを特徴とする指紋検出器。 - 前記スペーサーが、前記接続端子により生じる前記指紋センサと前記外部基板との隙間内に配設されることを特徴とする請求項1に記載の指紋検出器。
- 前記外部基板の前記指紋センサ搭載面側に所定の深さの凹部が形成され、前記スペーサーが、前記接続端子及び前記凹部により生じる前記指紋センサと前記外部基板との隙間内に配設されることを特徴とする請求項1に記載の指紋検出器。
- 少なくとも、前記指紋センサと前記外部基板との間、及び、前記指紋検出面側の前記貫通電極露出面が、樹脂により封止されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の指紋検出器。
- 前記指紋センサが、0.1mm以下の厚さに加工されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の指紋検出器。
- 請求項1乃至5のいずれか一に記載の指紋検出器を備えたことを特徴とする携帯端末機器。
- 前記指紋検出器が、前記携帯機器の筐体に設けた開口部から前記指紋検出面が露出するように配設され、かつ、前記指紋検出面の周囲が前記筐体に固定されていることを特徴とする請求項6記載の携帯端末機器。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106129027A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-11-16 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 生物识别封装结构与制作方法 |
CN106252311A (zh) * | 2015-06-04 | 2016-12-21 | 艾马克科技公司 | 指纹感测器以及其制造方法 |
CN106558572A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 茂丞科技股份有限公司 | 指纹感测封装模块及其制造方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6653723B2 (en) * | 2002-03-09 | 2003-11-25 | Fujitsu Limited | System for providing an open-cavity low profile encapsulated semiconductor package |
JP4160851B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-10-08 | 富士通株式会社 | 指紋認識用半導体装置 |
WO2004093005A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 情報処理装置 |
TW200644165A (en) * | 2005-05-04 | 2006-12-16 | Icemos Technology Corp | Silicon wafer having through-wafer vias |
JP4904769B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2012-03-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
JP5217183B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2013-06-19 | カシオ計算機株式会社 | 画像読取装置 |
KR101449226B1 (ko) * | 2010-04-15 | 2014-10-08 | 오쎈테크, 인코포레이티드 | 용량성 렌즈를 포함하는 핑거 센서 및 연관된 방법 |
KR101362348B1 (ko) | 2012-05-15 | 2014-02-13 | 크루셜텍 (주) | 지문센서 패키지 및 그 제조방법 |
KR101356143B1 (ko) * | 2012-05-15 | 2014-01-27 | 크루셜텍 (주) | 지문센서 패키지 및 그 제조방법 |
KR101352605B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2014-01-22 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 지문 인식용 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
KR101435450B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2014-08-28 | (주)와이솔 | 지문 인식용 센서 패키지 및 그 제조 방법 |
CN103793691A (zh) | 2014-01-28 | 2014-05-14 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 指纹识别装置及具有其的移动终端 |
TWI485821B (zh) | 2014-02-24 | 2015-05-21 | Dynacard Co Ltd | 指紋辨識晶片封裝模組及其製造方法 |
CN104051366B (zh) | 2014-07-01 | 2017-06-20 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 指纹识别芯片封装结构和封装方法 |
CN104182746B (zh) * | 2014-08-26 | 2019-03-19 | 南昌欧菲生物识别技术有限公司 | 指纹识别模组及其制造方法 |
KR20160028356A (ko) * | 2014-09-03 | 2016-03-11 | 크루셜텍 (주) | 지문센서 모듈 및 이의 제조방법 |
CN104201115A (zh) | 2014-09-12 | 2014-12-10 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 晶圆级指纹识别芯片封装结构及封装方法 |
CN104538379A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-22 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种基于局部塑封工艺的指纹设计封装结构及其制备方法 |
CN104779222B (zh) * | 2015-04-10 | 2017-11-03 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 生物识别模组结构与制作方法 |
CN105047621A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-11-11 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种传感芯片封装结构及其制备方法 |
KR101944007B1 (ko) * | 2015-12-16 | 2019-01-31 | 주식회사 네패스 | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
WO2018066857A1 (ko) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 하나 마이크론(주) | 지문 센서 패키지 및 이를 포함하는 지문 센서 카드 및 지문 센서 모듈 |
CN108780772B (zh) | 2017-02-13 | 2023-07-14 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体 |
KR101947734B1 (ko) * | 2017-03-21 | 2019-02-13 | 시그네틱스 주식회사 | 지문인식센서 패키지 |
KR20220117570A (ko) * | 2021-02-17 | 2022-08-24 | 삼성전자주식회사 | 센서 모듈을 포함하는 전자 장치 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04279801A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | 紙葉状媒体の静電検出電極 |
JPH06288852A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Honda Motor Co Ltd | 圧力センサー |
JPH09231346A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-09-05 | Harris Corp | 安全性の強化された指紋センサパッケージとその製造方法 |
JPH1126647A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
JP2000028311A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 表面形状認識用センサ回路 |
JP2001005951A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nec Shizuoka Ltd | 指紋読み取り装置における静電気除去方法、指紋読み取り装置及び指紋読み取り装置を備えた端末装置 |
JP2001092951A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Casio Comput Co Ltd | 2次元画像読取装置 |
JP2001167255A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Masahiko Okuno | 非接触型指紋識別装置および方法 |
JP2001201418A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量型半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JP2002544532A (ja) * | 1999-05-16 | 2002-12-24 | デルシイ エレクトロニック コンポーネンツ アーゲー | 人物識別装置 |
JP2003536085A (ja) * | 2000-06-09 | 2003-12-02 | アイデックス・エーエスエー | 特に指紋センサのためのセンサチップ |
-
2001
- 2001-09-10 JP JP2001272873A patent/JP4702586B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04279801A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | 紙葉状媒体の静電検出電極 |
JPH06288852A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Honda Motor Co Ltd | 圧力センサー |
JPH09231346A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-09-05 | Harris Corp | 安全性の強化された指紋センサパッケージとその製造方法 |
JPH1126647A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
JP2000028311A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 表面形状認識用センサ回路 |
JP2002544532A (ja) * | 1999-05-16 | 2002-12-24 | デルシイ エレクトロニック コンポーネンツ アーゲー | 人物識別装置 |
JP2001005951A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nec Shizuoka Ltd | 指紋読み取り装置における静電気除去方法、指紋読み取り装置及び指紋読み取り装置を備えた端末装置 |
JP2001092951A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Casio Comput Co Ltd | 2次元画像読取装置 |
JP2001167255A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Masahiko Okuno | 非接触型指紋識別装置および方法 |
JP2001201418A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量型半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JP2003536085A (ja) * | 2000-06-09 | 2003-12-02 | アイデックス・エーエスエー | 特に指紋センサのためのセンサチップ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106252311A (zh) * | 2015-06-04 | 2016-12-21 | 艾马克科技公司 | 指纹感测器以及其制造方法 |
US11177187B2 (en) | 2015-06-04 | 2021-11-16 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Sensor package and manufacturing method thereof |
US11682598B2 (en) | 2015-06-04 | 2023-06-20 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. | Sensor package and manufacturing method thereof |
US12002725B2 (en) | 2015-06-04 | 2024-06-04 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Sensor package and manufacturing method thereof |
CN106558572A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 茂丞科技股份有限公司 | 指纹感测封装模块及其制造方法 |
CN106129027A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-11-16 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 生物识别封装结构与制作方法 |
CN106129027B (zh) * | 2016-06-24 | 2019-03-05 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 生物识别封装结构与制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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