KR101435450B1 - 지문 인식용 센서 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 지문 인식용 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 및 상기 기판의 상면에 실장되고, 지문 접촉 시 지문 영상을 획득하는 지문 인식 센서, 상기 지문 인식 센서의 가장자리에서 지문 인식 센서를 관통하는 비아홀과 상기 지문 인식 센서의 하면에 형성되고, 상기 비아홀과 접촉되어 상기 기판과 상기 지문 인식 센서를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 지문 인식용 센서 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하는 경우 종래에 비하여 지문 인식용 센서 패키지를 소형화하는 것이 가능할 뿐만 아니라 지문 인식률을 향상시킬 수 있다.

Description

지문 인식용 센서 패키지 및 그 제조 방법{Fingerprint Sensor Package and Manufacturing Method thereof}
본 발명은 지문 인식용 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 지문 접촉시 지문 영상을 획득하는 지문 인식 센서가 구비된 지문 인식용 센서 패키지에 관한 것이다.
지문 인식은 생체 인식의 하나로 각 개인마다 다른 지문 정보를 추출하여 정보화시키는 인증 방식이다. 통상의 지문 인식 방법은 사용자로부터 지문을 입력받아 형성된 지문 영상으로부터 특징점을 추출하고, 이미 저장된 지문 이미지의 특징점들과 매칭하여 수행된다. 여기에서, 특징점은 여러 가지 타입이 있으나 통상적으로 지문의 융선이 분기되는 분기점 및 융선이 끝나는 단점을 말한다.
융선은 피부가 융기한 선으로, 진피 부분이 손상되지 않는 한 평생동안 변하지 않는다. 분기점은 융선이 부드럽게 흐르다가 갈라지는 점이고, 단점은 융선이 부드럽게 흐르다가 끊어지는 점이다. 지문 영상의 크기나 개인에 따라 다소 차이가 있으나, 일반적으로 한 개의 지문에는 이들 특징점이 60~80개 정도 분포하며, 사람마다 그 위치, 방향이 다르므로 이들 특징점의 정보는 지문 인식 시스템에서 개인의 식별 수단으로 이용된다.
상술한 지문 인식을 수행하기 위한 지문 인식 센서가 구비된 패키지를 제조하는 다양한 방법이 선행기술문헌에 개시되어 있다.
미국특허공개공보 제 2011-0215484호(2011.09.08.공개, 이하 선행기술문헌 1이라 함) 미국공개특허공보 제 2006-0108686호(2006.05.25.공개, 이하 선행기술문헌 2라 함) 도 1에는 상기 선행기술문헌 1에 개시된 지문 인식 센서의 단면(선행기술문헌 1의 Fig.6)이 도시되어 있다. 선행기술문헌 1에 개시된 지문 인식 장치는 도 1에서 보이는 바와 같이 지문 인식 센서(도 1의 도면부호 14, 선행기술문헌 1에는 die로 기재됨)가 기판(12) 상에 실장되고, 기판 상의 단자와 지문인식센서를 와이어 본딩(wire-bonding)에 의해 전기적으로 연결시켰다. 도 2에는 상기 선행기술문헌 2에 개시된 지문 인식 센서의 단면(선행기술문헌2의 Fig.4)이 도시되어 있다. 선행기술문헌 2에 개시된 지문 인식 센서는 도 2에 나타난 것과 같이 센서부(도 2의 도면부호 26)가 구비된 반도체 칩(도 2의 도면부호 22)이 기판(도 2의 도면부호 23A)과 stud bump(도 2의 도면부호 37)를 매개로 기판의 가장자리에 배치된 solder ball(도 2의 도면부호 25)과 전기적으로 연결되며, 상기 solder ball에 의해 외부 단자(도 2에는 도시되지 않음)와 접촉한다. 상술한 종래 기술은 여러가지 문제점을 안고 있다. 먼저 선행기술문헌 1에 개시된 형태의 지문 인식 센서는 기판과 와이어 본딩 방식에 의해 전기적으로 연결되는데 도 1에서 보이는 바와 같이 와이어 연결을 위한 공간(도 1 도면부호 12의 좌우 영역)이 필요하여 지문 인식 센서 패키지의 크기가 커지는 단점이 있다. 따라서 휴대 기기 등 소형화 기기에 적합하지 않다. 선행기술문헌 2에 개시된 형태의 지문 인식 센서는 센서부가 구비된 반도체 칩을 외부 단자와 연결하기 위하여 별도의 stud bump와 기판이 필요하므로, stud bump와 기판을 장착시키는 추가적인 공정이 요구되어 지문 인식 센서 패키지를 제조하는 공정이 복잡해질 뿐 아니라 이에 따라 제조 단가가 상승되는 결과를 초래한다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 소형화된 지문 인식용 센서 패키지를 제작하는 것을 목적으로 한다.
또한, 지문 인식용 센서 패키지의 픽셀을 높여 지문 인식률을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
한편, 본 발명은 지문 인식용 센서 패키지의 내구성을 강화하여 외부 충격을 잘 견디도록 하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 지문 인식용 센서 패키지는 기판, 상기 기판의 상면에 실장되고, 지문 접촉 시 지문 영상을 획득하는 지문 인식 센서, 상기 지문 인식 센서의 가장자리에서 지문 인식 센서를 관통하는 비아홀 및 상기 지문 인식 센서의 하면에 형성되고, 상기 비아홀과 접촉되어 상기 기판과 상기 지문 인식 센서를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에서 연결부는 지문 인식 센서 내에 팬인(fan-in)되고, 상기 연결부는 솔더 볼(Solder ball), GGI(Gold to Gold Interconnect) 또는 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film) 중 어느 하나에 의해 형성된다.
본 발명의 일 실시예는 기판 또는 지문 인식 센서의 하면에 상기 지문 인식 센서를 통해 획득된 지문 영상을 분석하는 지문 분석 회로를 더 포함한다.
본 발명의 다른 일 실시예에서는 지문 인식 센서의 상면을 덮는 보호 코팅막이 더 포함되고, 상기 지문 인식 센서의 상면 중 지문이 접촉되지 않는 영역을 덮는 몰딩부를 더 포함할 수 있다.
다른 실시예에서는 기판에 실장되어 상기 지문 인식용 센서 패키지를 2차원 평면상에서 이동시키는 압전 구동기를 더 포함하고, 기판 상에 정전 방지(Electrostatic discharge) 패턴이 형성되는 것도 가능하다.
한편, 상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 지문 인식용 센서 패키지의 제조 방법은 (a) 지문 인식 센서의 가장자리에 지문 인식 센서를 관통하는 비아홀을 형성시키는 단계, (b) 상기 지문 인식 센서의 하면에 상기 비아홀에 접촉되도록 연결부를 결속시키는 단계 및 (c) 상기 연결부를 매개로 상기 지문 인식 센서를 기판 상에 실장시키는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서 상기 (b) 단계는 상기 연결부가 상기 지문 인식 센서 내에 팬인(fan-in)되도록 결속시키고, 상기 (a) 단계 이후에 상기 지문 인식 센서의 상면을 덮는 보호 코팅막을 형성시키는 단계를 더 포함하며, 상기 보호 코딩막을 형성시킨 이후에, 상기 지문 인식 센서의 상면 중 지문이 접촉되지 않는 영역을 덮는 몰딩부를 형성시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 (a) 단계 이후에 기판 또는 지문 인식 센서의 하면에 상기 지문 인식 센서를 통해 획득된 지문 영상을 분석하는 지문 분석 회로를 실장시키는 단계를 더 포함하고,
본 발명의 다른 실시예에서는 상기 지문 인식 센서를 2차원 평면상에서 이동시키는 압전 구동기 또는 기판 상에 정전 방지(Electrostatic discharge) 패턴을 형성시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하는 경우 종래에 비하여 지문 인식용 센서 패키지를 소형화하는 것이 가능하다.
한편, 지문 인식용 센서 패키지의 픽셀을 높이는 것이 가능하여 지문 인식률을 향상시킬 수 있다.
그리고 본 발명에 따르면, 내구성이 강화된 지문 인식용 센서 패키지를 제조할 수 있다.
도 1은 선행기술문헌 1에 포함된 종래의 지문 인식 센서를 나타낸 도면이다.
도 2는 선행기술문헌 2에 포함된 종래의 지문 인식 센서를 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 지문 인식용 센서 패키지의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 지문 인식용 센서 패키지 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 지문 인식용 센서 패키지의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
본 발명의 지문 인식용 센서 패키지는 기판과 상기 기판의 상면에 실장되고, 지문 접촉 시 지문 영상을 획득하는 지문 인식 센서, 상기 지문 인식 센서의 가장자리에서 지문 인식 센서를 관통하는 비아홀 및 상기 지문 인식 센서의 하면에 형성되고, 상기 비아홀과 접촉되어 상기 기판과 상기 지문 인식 센서를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함한다.
본 발명에서는 사용자가 지문 인식을 위하여 지문 인식 센서 상의 센싱 에이리어(sensing area)에 지문을 접촉하면, 상기 센싱 에이리어를 통해 읽어들인 지문 영상을 획득한다. 지문 영상을 획득하기 위한 구체적인 메커니즘은 여러가지가 있으며, 우선 강한 빛을 센싱 에이리어를 통해 투사하고 센싱 에이리어에 접촉된 지문 형태를 반사시켜 반사된 빛을 CCD를 이용하여 전기신호로 변환하는 방식과, 피부의 전기 전도 특성을 이용하여 센싱 에이리어에 손 끝을 접촉시키면 지문의 특수한 모양을 전기 신호로 읽어 들이는 방식으로 지문과 센싱 에이리어에서 발생되는 정전 용량을 측정하고 이를 기초로 지문 패턴을 전기적 신호로 변환하는 방식이 대표적이다.
상기 지문 인식 센서를 통해 전기적 신호로 변환된 지문 영상은 비아홀을 통해 연결부로 전달된다. 비아홀은 지문 인식 센서의 가장자리에 형성되는데, 비아홀의 위치가 지문 인식 센서의 외곽에 가까울수록 센싱 에이리어를 넓게 형성시킬 수 있다. 지문 인식 센서는 픽셀(pixel)이 높을수록 지문을 정교하게 판독할 수 있다. 픽셀을 높이기 위해서는 지문 인식 센서 내에 단위 cell unit을 많이 배치해야 하는데, 상용화된 단위 cell unit의 크기는 정해져 있으므로, 다수의 단위 cell unit을 배치하기 위해서는 단위 cell unit을 배치하는 공간을 넓혀야 한다. 즉, 센싱 에이리어를 넓게 해야한다. 따라서, 본 발명은 지문 인식 센서의 가장자리에서 비아홀을 형성시킴으로써 센싱 에이리어를 최대한 넓게 확보한다.
본 발명의 연결부는 지문 인식 센서의 하면에 형성되고 상기 비아홀과 접촉되어 상기 기판과 상기 지문 인식 센서를 전기적으로 연결한다. 따라서 지문 인식 센서에서 얻어진 지문 영상에 관한 전기적 신호가 비아홀을 거쳐 연결부로 전달되며, 연결부는 전기적 신호를 기판 또는 외부 단자에 전달한다.
본 발명은 상기 연결부가 지문 인식 센서의 하면에 형성되는 것에 있어서 종래 기술과 구분된다. 앞서 살펴본 바와 같이 종래에는 지문 인식 센서에서 획득한 지문 영상을 와이어 본딩에 의해서 기판 또는 외부 단자로 전달하거나(선행기술문헌 1), 또는 stud bump와 별도의 기판을 추가로 구비하여 기판 또는 외부 단자로 전달하였다(선행기술문헌 2). 종래 기술의 경우, 지문 인식 센서가 포함된 패키지 내에 와이어 본딩이 연결될 공간 또는 stud bump와 별도의 기판이 구비되는 공간이 필요하므로, 실제 지문이 접촉되는 영역인 센싱 에이리어가 상대적으로 좁아지는 문제가 있었다. 센싱 에이리어가 좁아짐에 따라 지문 인식 센서의 픽셀이 낮아지게 되고 이는 지문 인식 센서의 인식률 및 정확도가 떨어진다.
그러나 본 발명은 와이어 본딩 또는 stud bump와 별도 기판을 구비하지 않은 채 비아 홀이 지문 인식 센서를 관통하고, 연결부를 지문 인식 센서의 하면에 형성시킴으로써, 종래 기술에 비하여 센싱 에이리어를 넓게 형성시킬 수 있다. 그 결과 동일한 크기의 종래 패키지에 비하여 지문 인식 센서의 인식률 및 정확도가 높은 장점이 있으며, 지문 인식용 센서 패키지 전체의 크기를 소형화할 수 있다.
상기 연결부를 매개로 상기 지문 인식 센서는 기판 상에 실장되며 이로써 지문 인식용 센서 패키지의 일 형태가 완성된다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 연결부가 지문 인식 센서 내에 팬인(fan-in)되는 것을 특징으로 한다.
이를 보다 상세히 설명하면, 연결부가 지문 인식 센서의 하면에 형성되는 데에 있어서 연결부가 지문 인식 센서의 테두리 바깥으로 돌출되지 않도록 형성시킨다는 의미이다. 바꿔 말하면, 지문 인식 센서를 상면에서 바라보았을 때 연결부는 지문 인식 센서에 가려서 보이지 않도록 한다는 것이다.
만약 본 실시예와는 달리 연결부가 팬아웃(fan-out)되는 경우에는 도 1에 도시된 것과는 달리 연결부가 지문 인식 센서 테두리 바깥으로 돌출됨에 따라, 연결부가 접속되는 기판이 지문 인식 센서에 비하여 커져야 하고 이는 패키지 전체의 크기가 커지게 된다. 따라서, 연결부를 지문 인식 센서 내에 팬인(fan-in)시킴으로써 지문 인식용 센서 패키지의 크기를 줄여 소형화 기기 내에 삽입하는 것을 용이하게 할 수 있다.
본 발명의 연결부는 솔더 볼(Solder ball), GGI(Gold to Gold Interconnect) 또는 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film) 중 어느 하나로 제조될 수 있다. 도 3 등은 솔더 볼 또는 GGI에 의해 연결부가 형성된 예를 나타낸 그림이고, 도 6은 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film)에 의해 연결부가 형성된 예를 나타낸 그림이다. 연결부를 형성시키는 각 방식에 따라 연결부를 형성시키는 공정이 다소 달라질 수 있다. 예를 들어 GGI 방식에 의해 연결부가 형성되는 경우 초음파 융착에 의해 연결부와 기판을 결합시키며, 솔더 볼에 의할 경우 리플로우 공정을 진행하는 것도 가능하다.
한편, 본 발명의 지문 인식용 센서 패키지는 지문 인식 센서를 통해 획득된 지문 영상을 분석하는 지문 분석 회로를 더 포함하는 것이 가능하다. 상기 지문 분석 회로는 지문 인식 센서에서 비아홀과 연결부를 매개로 전달되는 지문 영상에 대한 전기적 신호를 분석하여 실제 지문 인식에 필요한 데이터를 추출하는 구성이다. 본 발명은 실시예에 따라 지문 분석 회로를 실장시키는 위치가 달라지는데, 일 실시예에서는 지문 분석 회로를 기판 상에 실장시키며 다른 실시예에서는 지문 인식 센서의 하면에 지문 분석 회로를 실장시킨다.
지문 인식 센서의 하면에 지문 분석 회로를 실장시키는 실시예가 도 7에 도시되어 있다. 본 실시예는 기판 상에 지문 분석 회로를 실장시킬 별도의 공간이 요구되지 않으므로 지문 인식용 센서 패키지 전체의 크기를 소형화할 수 있는 장점이 있다. 다만, 기판 상에 지문 분석 회로를 실장시키는 것에 비하여 지문 분석 회로의 크기가 제한되고, 지문 인식 센서 하면 상에 실장시키는 공정이 어려우며 연결부와의 간섭이 발생하는 등 공정상의 어려움이 수반되나 이를 극복하면, 패키지의 크기를 소형화하는 것이 가능하다.
한편, 도 4에는 본 발명의 다른 일 실시예가 도시되어 있다. 본 실시예는 지문 인식 센서의 상면에 보호 코팅막이 더 포함되는 것을 특징으로 한다. 상기 보호 코팅막에 의해 지문 인식 센서에 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있고, 충격을 흡수할 수 있어 지문 인식 센서를 외부 충격 및 이물질로부터 보호할 수 있다.
도 5에는 본 발명의 다른 일 실시예로, 지문 인식 센서의 상면 중 지문이 접촉되지 않는 영역을 덮는 몰딩부를 더 포함한 지문 인식용 센서 패키지가 도시되어 있다. 본 실시예에 따르면 몰딩부에 의해 지문 인식 센서의 센싱 에이리어를 제외한 영역이 커버되고, 상기 몰딩부가 일종의 베젤(bezel) 역할을 하게 되어 본 발명을 이용하여 지문을 인식시키는 사용자가 센싱 에이리어의 위치를 정확하게 구분할 수 있게 되고, 적절한 지문 접촉에 따라 지문 인식 센서에서의 지문 인식률도 향상된다. 뿐만 아니라, 1차적으로 보호 코팅막에 의해서 보호되는 지문 인식 센서가 상기 몰딩부에 의해 2차적으로 보호되는 효과도 있다.
한편, 도면에는 도시되지 않았지만 본 발명의 다른 실시예에서는 기판에 실장되어 지문 인식용 센서 패키지를 2차원 평면상에서 이동시키는 압전 구동기를 포함할 수 있다. 이로써 고정된 위치에서만 지문을 인식하는 것이 아니라 지문 인식 센서가 이동하면서 지문을 인식하는 것이 가능하다.
도면에는 도시되지 않은 다른 일 실시예에서는 기판 상에 정전 방지(Electrostatic discharge) 패턴을 더 포함하는 것이 가능하다. 상기 정전 방지 패턴에 의해 지문 인식 시 발생 가능한 정전기에 의해 지문 인식 센서가 파괴되거나 오작동을 일으키는 것을 방지할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 지문 인식용 센서 패키지의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 8에는 공정 순서에 따라 본 발명의 지문 인식용 센서 패키지를 제조하는 방법에 대해 도시되어 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 지문 인식용 센서 패키지를 제조하는 방법은 지문 인식 센서의 가장자리에 지문 인식 센서를 관통하는 비아홀을 형성시키는 단계, 상기 지문 인식 센서의 하면에 상기 비아홀에 접촉되도록 연결부를 결속시키는 단계 및 상기 연결부를 매개로 상기 지문 인식 센서를 기판 상에 실장시키는 단계를 포함한다.
도 8의 (a)는 센싱 에이리어가 형성된 지문 인식 센서이며, 도 8의 (b)는 상기 지문 인식 센서의 가장자리에 비아홀을 형성시키는 일례를 나타낸 것이다. 앞서 언급한 바와 같이 비아 홀이 가장자리에 위치할수록 센싱 에이리어를 넓게 확보할 수 있어, 지문 인식 센서의 픽셀이 높아지고 이에 따라 지문 인식률이 향상된다. 또한, 패키지의 크기를 소형화 할 수 있다.
도 8의 (c)는 연결부를 지문 인식 센서의 하면에 비아홀과 접촉된 상태로 결속시키는 것을 나타낸 도면이고, 상기 연결부가 상기 지문 인식 센서 내에 팬인(fan-in)되는 경우 지문 인식용 센서 패키지의 크기를 작게 만들 수 있어 종래 기술에서는 적용이 불가능한 소형 기기에도 지문 인식용 센서 패키지를 삽입할 수 있다.
도 8의 (d)는 지문 인식 센서를 연결부를 매개로 하여 기판 상에 실장시키는 단계를 나타낸 도면이다. 연결부의 종류에 따라 기판 상에 지문 인식 센서를 실장시키는 방식은 달라지며, 일 실시예로 GGI(Gold to Gold Interconnect)를 이용하는 경우 초음파 융착에 의해 연결부가 기판에 결속된다.
도 8의 (e)는 지문 인식 센서의 상면을 덮는 보호 코팅막을 형성시키는 단계를 나타낸 도면이다. 보호 코팅막을 형성시키는 단계는 지문 인식 센서에 비아홀을 관통시킨 이후에 가능한 공정이나, 연결부를 결속시키는 단계 및 지문 인식 센서를 기판 상에 실장시키는 단계와는 공정의 선후가 무관하다.
도 8의 (f)는 보호 코팅막 형성 이후에 지문 인식 센서의 상면 중 지문이 접촉되지 않는 영역을 덮는 몰딩부를 형성시키는 단계를 나타낸 도면이다. 상기 몰딩부는 이미 기술한 것과 같이 지문 인식 센서의 센싱 에이리어를 제외한 영역을 커버하여, 상기 몰딩부가 일종의 베젤(bezel) 역할을 하게 됨으로써 지문을 인식시키는 사용자가 센싱 에이리어의 위치를 정확하게 구분할 수 있게 하고, 적절한 지문 접촉에 따라 지문 인식 센서에서의 지문 인식률도 향상시키며, 지문 인식 센서를 외부 충격으로부터 보호하는 기능도 수행한다.
한편, 몰딩부 형성 단계는 보호 코팅막을 형성시키는 단계 이후에 가능한 공정이나, 연결부를 결속시키는 단계 및 지문 인식 센서를 기판 상에 실장시키는 단계와는 공정의 선후가 무관하다.
본 발명의 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것으로 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 수정, 변경, 부가가 가능한 부분까지 본 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100 지문 인식 센서 110 기판
120 비아홀 130 연결부
132 이방성 도전 필름 140 보호 코팅 막
150 몰딩부 160 지문 분석 회로

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판의 상면에 실장되고, 지문 접촉 시 지문 영상을 획득하는 지문 인식 센서;
    상기 지문 인식 센서의 가장자리에서 지문 인식 센서를 관통하는 비아홀; 및
    상기 지문 인식 센서의 하면에 형성되고, 상기 비아홀과 접촉되어 상기 기판과 상기 지문 인식 센서를 전기적으로 연결하는 연결부;
    상기 지문 인식 센서의 상면을 덮는 보호 코팅막; 및
    상기 지문 인식 센서의 상면에서 지문이 접촉되지 않는 영역을 덮는 몰딩부;
    를 포함하는 지문 인식용 센서 패키지
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 연결부는 지문 인식 센서 내에 팬인(fan-in)되는 것을 특징으로 하는 지문 인식용 센서 패키지
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 연결부는 솔더 볼(Solder ball), GGI(Gold to Gold Interconnect) 또는 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 지문 인식용 센서 패키지
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 기판에 상기 지문 인식 센서를 통해 획득된 지문 영상을 분석하는 지문 분석 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식용 센서 패키지
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 지문 인식 센서의 하면에 상기 지문 인식 센서를 통해 획득된 지문 영상을 분석하는 지문 분석 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식용 센서 패키지
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 기판에 실장되어 상기 지문 인식용 센서 패키지를 2차원 평면상에서 이동시키는 압전 구동기를 더 포함하는 지문 인식용 센서 패키지
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 상에 형성되는 정전 방지(Electrostatic discharge) 패턴을 더 포함하는 지문 인식용 센서 패키지
  10. (a) 지문 인식 센서의 가장자리에 지문 인식 센서를 관통하는 비아홀을 형성시키는 단계;
    (b) 상기 지문 인식 센서의 하면에 상기 비아홀에 접촉되도록 연결부를 결속시키는 단계; 및
    (c) 상기 연결부를 매개로 상기 지문 인식 센서를 기판 상에 실장시키는 단계;
    를 포함하고,
    상기 (a) 단계 이후에 상기 지문 인식 센서의 상면을 덮는 보호 코팅막을 형성시키는 단계; 및
    상기 보호 코딩막을 형성시킨 이후에, 상기 지문 인식 센서의 상면에서 지문이 접촉되지 않는 영역을 덮는 몰딩부를 형성시키는 단계;
    를 더 포함하는 지문 인식용 센서 패키지의 제조 방법
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 연결부가 상기 지문 인식 센서 내에 팬인(fan-in)되도록 결속시키는 것을 특징으로 하는 지문 인식용 센서 패키지의 제조 방법
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 청구항 10에 있어서, 상기 (a) 단계 이후에 기판 상에 상기 지문 인식 센서를 통해 획득된 지문 영상을 분석하는 지문 분석 회로를 실장시키는 단계를 더 포함하는 지문 인식용 센서 패키지의 제조 방법
  15. 청구항 10에 있어서, 상기 (a) 단계 이후 (c) 단계 이전에 상기 지문 인식 센서의 하면에 상기 지문 인식 센서를 통해 획득된 지문 영상을 분석하는 지문 분석 회로를 연결시키는 단계를 더 포함하는 지문 인식용 센서 패키지의 제조 방법
  16. 청구항 10에 있어서, 상기 지문 인식 센서를 2차원 평면상에서 이동시키는 압전 구동기를 기판 상에 실장하는 단계를 더 포함하는 지문 인식용 센서 패키지의 제조 방법
  17. 청구항 10에 있어서, 상기 기판 상에 정전 방지(Electrostatic discharge) 패턴을 형성시키는 단계를 더 포함하는 지문 인식용 센서 패키지의 제조 방법
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