JPH07326808A - 磁気抵抗効果センサの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH07326808A JPH07326808A JP7136235A JP13623595A JPH07326808A JP H07326808 A JPH07326808 A JP H07326808A JP 7136235 A JP7136235 A JP 7136235A JP 13623595 A JP13623595 A JP 13623595A JP H07326808 A JPH07326808 A JP H07326808A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sensor
- detected
- magnetoresistive effect
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被検出体により接近させてより敏感に微小な
磁界の検出を行なえ、ＭＲ（磁気抵抗効果）素子のパタ
ーン設計の自由度が大きく、小型化も図れるＭＲセンサ
を簡単な工程で安価に製造できる製造方法を提供する。 【構成】 基板１の一方の表面に磁性薄膜からなるＭＲ
素子２を形成し、その上に保護膜３を成膜した後、基板
１の少なくともＭＲ素子形成領域において基板１のＭＲ
素子形成面の裏面側部分を研削、研磨、エッチング等に
より除去して基板１を薄くする。このように基板１を薄
くすることにより、基板１のＭＲ素子２を形成した面の
裏面を検出面４として被検出体に対向させて磁界検出を
行なうことができ、ＭＲセンサを被検出体により接近さ
せてより敏感に微小な磁界の検出を行なえ、ＭＲ素子の
パターン設計の自由度も大きくなり、ＭＲセンサの小型
化も図れる。
磁界の検出を行なえ、ＭＲ（磁気抵抗効果）素子のパタ
ーン設計の自由度が大きく、小型化も図れるＭＲセンサ
を簡単な工程で安価に製造できる製造方法を提供する。 【構成】 基板１の一方の表面に磁性薄膜からなるＭＲ
素子２を形成し、その上に保護膜３を成膜した後、基板
１の少なくともＭＲ素子形成領域において基板１のＭＲ
素子形成面の裏面側部分を研削、研磨、エッチング等に
より除去して基板１を薄くする。このように基板１を薄
くすることにより、基板１のＭＲ素子２を形成した面の
裏面を検出面４として被検出体に対向させて磁界検出を
行なうことができ、ＭＲセンサを被検出体により接近さ
せてより敏感に微小な磁界の検出を行なえ、ＭＲ素子の
パターン設計の自由度も大きくなり、ＭＲセンサの小型
化も図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板の一方の表面に磁気
抵抗効果素子としての磁性薄膜を形成して構成される磁
気抵抗効果センサの製造方法に関するものである。
抵抗効果素子としての磁性薄膜を形成して構成される磁
気抵抗効果センサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気抵抗効果センサ（以下ＭＲ
センサという）はＮｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏなどの強磁性
合金薄膜からなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とい
う）の抵抗変化により印加磁界の変化を検出する。従っ
てこのＭＲセンサでは被検出体に対して着磁を施す等す
るだけでよく、ＬＥＤなどの消耗する光源が不可欠なフ
ォトセンサなどよりも構成が簡単で耐久性にも優れてい
る。
センサという）はＮｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏなどの強磁性
合金薄膜からなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とい
う）の抵抗変化により印加磁界の変化を検出する。従っ
てこのＭＲセンサでは被検出体に対して着磁を施す等す
るだけでよく、ＬＥＤなどの消耗する光源が不可欠なフ
ォトセンサなどよりも構成が簡単で耐久性にも優れてい
る。
【０００３】この種のＭＲセンサの従来構造によれば、
基板上にＭＲ素子が形成され、ＭＲ素子の電極に出力信
号を取り出すためのリード線が半田付けまたはそのリー
ド線のパターンを設けたフレキシブルプリント基板を圧
接して接続され、さらにこの接続部分を含めてＭＲ素子
を覆って熱、水分、酸、塩基などからＭＲ素子を保護す
る絶縁性の保護膜が形成される。そしてＭＲセンサはＭ
Ｒ素子を形成した側の表面を検出面として被検出体に対
向して磁界検出を行なうようになっている。
基板上にＭＲ素子が形成され、ＭＲ素子の電極に出力信
号を取り出すためのリード線が半田付けまたはそのリー
ド線のパターンを設けたフレキシブルプリント基板を圧
接して接続され、さらにこの接続部分を含めてＭＲ素子
を覆って熱、水分、酸、塩基などからＭＲ素子を保護す
る絶縁性の保護膜が形成される。そしてＭＲセンサはＭ
Ｒ素子を形成した側の表面を検出面として被検出体に対
向して磁界検出を行なうようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでＦＧ（周波数
信号発生）センサ、磁気式エンコーダに代表される磁気
センサにおいて磁気記録パターンを持つ被検出体を上述
のＭＲセンサを検出体として用いて検出する場合には、
ホール素子に比べると微小な磁界変化を正確に検出でき
るというＭＲ素子の特性を生かしてセンサとして満足で
きる出力を得るために、検出体である処のＭＲ素子を被
検出体の磁気記録パターンに充分狭い至近間隔まで近付
ける必要がある。
信号発生）センサ、磁気式エンコーダに代表される磁気
センサにおいて磁気記録パターンを持つ被検出体を上述
のＭＲセンサを検出体として用いて検出する場合には、
ホール素子に比べると微小な磁界変化を正確に検出でき
るというＭＲ素子の特性を生かしてセンサとして満足で
きる出力を得るために、検出体である処のＭＲ素子を被
検出体の磁気記録パターンに充分狭い至近間隔まで近付
ける必要がある。
【０００５】上述のように、従来のＭＲセンサではＭＲ
素子を設けた側の表面を検出面として被検出体に対向さ
せて検出を行なっている。
素子を設けた側の表面を検出面として被検出体に対向さ
せて検出を行なっている。
【０００６】しかし、上述のようなＭＲ素子の従来構造
では、センサの検出面においてＭＲ素子の電極とリード
線の半田付けなどによる接続部分が多少なりとも盛りあ
がることは避けられない。
では、センサの検出面においてＭＲ素子の電極とリード
線の半田付けなどによる接続部分が多少なりとも盛りあ
がることは避けられない。
【０００７】その結果、この盛り上がり部分の存在によ
ってＭＲセンサを被検出体に近付けられる距離に限界が
生じるという問題が起こる。また上記至近間隔を確保す
るためには邪魔な接続部分からＭＲ素子の感知部をある
程度以上離して設けねばならない。これによりＭＲ素子
のパターン設計の自由度が制限され、それに伴なってＭ
Ｒセンサおよび被検出体の小型化、コストダウンが制限
される。さらに上記至近間隔を確保するためにはＭＲ素
子の保護膜を厚くできないためＭＲセンサの信頼性が低
下するなど、種々の問題があった。
ってＭＲセンサを被検出体に近付けられる距離に限界が
生じるという問題が起こる。また上記至近間隔を確保す
るためには邪魔な接続部分からＭＲ素子の感知部をある
程度以上離して設けねばならない。これによりＭＲ素子
のパターン設計の自由度が制限され、それに伴なってＭ
Ｒセンサおよび被検出体の小型化、コストダウンが制限
される。さらに上記至近間隔を確保するためにはＭＲ素
子の保護膜を厚くできないためＭＲセンサの信頼性が低
下するなど、種々の問題があった。
【０００８】そこで本発明の課題は、これらの問題を解
決できる優れたＭＲセンサを簡単な工程で安価に製造で
きる製造方法を提供することにある。
決できる優れたＭＲセンサを簡単な工程で安価に製造で
きる製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明によれば、ＭＲセンサの製造方法において、基
板の一方の表面にＭＲ素子としての磁性薄膜を形成する
工程と、該工程後に前記基板の少なくともＭＲ素子形成
領域において前記基板のＭＲ素子形成面の裏面側部分を
除去して前記基板を薄くする工程を有する方法を採用し
た。
め本発明によれば、ＭＲセンサの製造方法において、基
板の一方の表面にＭＲ素子としての磁性薄膜を形成する
工程と、該工程後に前記基板の少なくともＭＲ素子形成
領域において前記基板のＭＲ素子形成面の裏面側部分を
除去して前記基板を薄くする工程を有する方法を採用し
た。
【００１０】
【作用】このような製造方法で製造されたＭＲセンサ
は、基板の少なくともＭＲ素子形成領域の部分が薄いの
で、基板のＭＲ素子形成面の少なくともＭＲ素子の形成
領域の裏面を被検出体に対向する検出面として検出を行
なうことができ、それによりＭＲ素子形成面にあるＭＲ
素子の電極とリード線の接続部分を検出面側でなくする
ことができ、先述した接続部分の盛り上りによる問題を
避けることができる。そして、このＭＲセンサを簡単な
工程で歩留りよく安価に製造できる。
は、基板の少なくともＭＲ素子形成領域の部分が薄いの
で、基板のＭＲ素子形成面の少なくともＭＲ素子の形成
領域の裏面を被検出体に対向する検出面として検出を行
なうことができ、それによりＭＲ素子形成面にあるＭＲ
素子の電極とリード線の接続部分を検出面側でなくする
ことができ、先述した接続部分の盛り上りによる問題を
避けることができる。そして、このＭＲセンサを簡単な
工程で歩留りよく安価に製造できる。
【００１１】
【実施例】以下、添付した図を参照して本発明の実施例
の詳細を説明する。
の詳細を説明する。
【００１２】［第１実施例］図１（Ａ）〜（Ｄ）は本発
明の第１実施例によるＭＲセンサの検出部本体の構造と
製造工程を説明するものである。
明の第１実施例によるＭＲセンサの検出部本体の構造と
製造工程を説明するものである。
【００１３】まず、ＭＲセンサの検出部の完成品の断面
を概略的に示す図１（Ｄ）を参照してＭＲセンサの構造
を説明する。
を概略的に示す図１（Ｄ）を参照してＭＲセンサの構造
を説明する。
【００１４】図１（Ｄ）に示すようにＭＲセンサは基板
１の図中上面に薄膜としてのＭＲ素子２を設け、さらに
その上に保護膜３を設けた構造となっている。
１の図中上面に薄膜としてのＭＲ素子２を設け、さらに
その上に保護膜３を設けた構造となっている。
【００１５】基板１はＭＲセンサに使用するのにさしつ
かえない材料で、かつ研削、研磨、エッチングなどの加
工が可能な材料、例えば無アルカリガラスなどから形成
される。
かえない材料で、かつ研削、研磨、エッチングなどの加
工が可能な材料、例えば無アルカリガラスなどから形成
される。
【００１６】またＭＲ素子２は、例えばＮｉ−Ｆｅ，Ｎ
ｉ−Ｃｏなどの強磁性合金の薄膜として、ジグザグ状に
折り返した形状に形成される。図示していないがＭＲ素
子２には検出出力信号を取り出すための電極が形成さ
れ、この電極には外部導出用のリード線が半田付けやプ
リント基板の圧接により接続される。
ｉ−Ｃｏなどの強磁性合金の薄膜として、ジグザグ状に
折り返した形状に形成される。図示していないがＭＲ素
子２には検出出力信号を取り出すための電極が形成さ
れ、この電極には外部導出用のリード線が半田付けやプ
リント基板の圧接により接続される。
【００１７】また保護膜３はＭＲ素子２を熱、水分、
酸、塩基などから保護するものであり、例えばＳｉＯや
有機系樹脂から形成される。
酸、塩基などから保護するものであり、例えばＳｉＯや
有機系樹脂から形成される。
【００１８】ここで本実施例のＭＲセンサでは、基板１
のＭＲ素子形成面の裏面を不図示の被検出体に対向する
検出面４として、基板１を介しても充分な検出出力が得
られる磁界検出を行なえるように、基板１の少なくとも
ＭＲ素子２の形成領域の厚さｔ２を充分小さく形成する
ものとする。すなわち本実施例のＭＲセンサによれば基
板１のＭＲ素子形成面の裏面を検出面４として磁界検出
を行なう。
のＭＲ素子形成面の裏面を不図示の被検出体に対向する
検出面４として、基板１を介しても充分な検出出力が得
られる磁界検出を行なえるように、基板１の少なくとも
ＭＲ素子２の形成領域の厚さｔ２を充分小さく形成する
ものとする。すなわち本実施例のＭＲセンサによれば基
板１のＭＲ素子形成面の裏面を検出面４として磁界検出
を行なう。
【００１９】このようなＭＲセンサの構造によれば、Ｍ
Ｒ素子２の信号取り出し用の電極とリード線の接続部分
はＭＲ素子２側であって検出面４側ではないため、先述
した従来のような上記接続部分の盛り上がりによる問題
を避けることができる。
Ｒ素子２の信号取り出し用の電極とリード線の接続部分
はＭＲ素子２側であって検出面４側ではないため、先述
した従来のような上記接続部分の盛り上がりによる問題
を避けることができる。
【００２０】すなわち盛り上がりによるＭＲ素子と被検
出体の間隔の制限およびＭＲ素子のパターン設計の制限
がなくなり、ＭＲ素子を被検出体に充分接近させて微小
な磁界変化を正確に検出できるとともに、上記パターン
設計の自由さによりＭＲセンサの小型化とこれによるコ
ストダウンを図れる。また保護膜３の厚さの制限もなく
なり充分厚くでき、その厚さをＭＲ素子２を確実に保護
できるものとしてＭＲセンサの信頼性を向上できる。保
護膜３の形成も容易になる。また上記電極とリード線の
半田付けなどによる接続も、盛り上がりの制限がなくな
るため容易になる。
出体の間隔の制限およびＭＲ素子のパターン設計の制限
がなくなり、ＭＲ素子を被検出体に充分接近させて微小
な磁界変化を正確に検出できるとともに、上記パターン
設計の自由さによりＭＲセンサの小型化とこれによるコ
ストダウンを図れる。また保護膜３の厚さの制限もなく
なり充分厚くでき、その厚さをＭＲ素子２を確実に保護
できるものとしてＭＲセンサの信頼性を向上できる。保
護膜３の形成も容易になる。また上記電極とリード線の
半田付けなどによる接続も、盛り上がりの制限がなくな
るため容易になる。
【００２１】次に本実施例のＭＲセンサの製造工程を説
明する。
明する。
【００２２】まず、図１（Ａ）に示すように基板１とし
て厚さｔ１が図１（Ｄ）の仕上げの厚さｔ２より充分大
きなものを先述のように例えば無アルカリガラスなどか
ら形成する。
て厚さｔ１が図１（Ｄ）の仕上げの厚さｔ２より充分大
きなものを先述のように例えば無アルカリガラスなどか
ら形成する。
【００２３】次に図１（Ｂ）に示すように基板１の図中
上面にＭＲ素子２を形成する。これはまずＮｉ−Ｆｅ，
Ｎｉ−Ｃｏなどの強磁性合金薄膜を蒸着などにより成膜
した後に、この薄膜をエッチングなどによりＭＲ素子の
形状に加工して行なう。
上面にＭＲ素子２を形成する。これはまずＮｉ−Ｆｅ，
Ｎｉ−Ｃｏなどの強磁性合金薄膜を蒸着などにより成膜
した後に、この薄膜をエッチングなどによりＭＲ素子の
形状に加工して行なう。
【００２４】次に、ＭＲ素子２の不図示の信号取り出し
用電極に不図示のリード線を半田付けなどで接続する。
用電極に不図示のリード線を半田付けなどで接続する。
【００２５】次に、図１（Ｃ）に示すようにＭＲ素子２
上に保護膜３をＳｉＯ、有機系樹脂あるいはガラスなど
から、真空薄膜形成技術、塗布あるいは溶着などで形成
する。
上に保護膜３をＳｉＯ、有機系樹脂あるいはガラスなど
から、真空薄膜形成技術、塗布あるいは溶着などで形成
する。
【００２６】次に、図１（Ｄ）に点線で示すように、基
板１の少なくともＭＲ素子形成領域において基板１のＭ
Ｒ素子形成面の裏面側部分を除去して基板１の厚さをｔ
１からｔ２に薄くする。この除去はラップ研削や平面研
削などの研削、研磨およびウエットあるいはドライエッ
チングなどのいずれかの単一工程で行なってもよいし、
あるいはこれらを組み合せた複数工程により行なっても
よい。
板１の少なくともＭＲ素子形成領域において基板１のＭ
Ｒ素子形成面の裏面側部分を除去して基板１の厚さをｔ
１からｔ２に薄くする。この除去はラップ研削や平面研
削などの研削、研磨およびウエットあるいはドライエッ
チングなどのいずれかの単一工程で行なってもよいし、
あるいはこれらを組み合せた複数工程により行なっても
よい。
【００２７】なお、この基板１の裏面側部分の除去を行
なうことで、加工の応力や保護膜３との応力バランスの
変化などが原因で基板１に反りが発生することも考えら
れる。この反りは保護膜３の材料を適当に選択すること
や、保護膜３の積層ないし厚膜化などにより抑えるもの
とする。
なうことで、加工の応力や保護膜３との応力バランスの
変化などが原因で基板１に反りが発生することも考えら
れる。この反りは保護膜３の材料を適当に選択すること
や、保護膜３の積層ないし厚膜化などにより抑えるもの
とする。
【００２８】また、基板１の最初の厚さｔ１は保護膜３
の形成までの工程を行なう際に作業上支障のないような
ある程度以上の厚さとする。
の形成までの工程を行なう際に作業上支障のないような
ある程度以上の厚さとする。
【００２９】以上のような簡単な工程により、本実施例
のＭＲセンサを安価に製造できる。
のＭＲセンサを安価に製造できる。
【００３０】ところで、上述した工程で最後に基板１の
裏面側部分を除去する工程では、基板１の仕上げの厚さ
ｔ２を正確に決めるために研削、研磨、エッチングなど
による同工程の除去速度を正確に把握しておき、同工程
の終了点を正確に決める必要がある。
裏面側部分を除去する工程では、基板１の仕上げの厚さ
ｔ２を正確に決めるために研削、研磨、エッチングなど
による同工程の除去速度を正確に把握しておき、同工程
の終了点を正確に決める必要がある。
【００３１】これには図２（Ａ）〜（Ｅ）に示すような
工程により、以下のようにして上記の工程終了点を検出
し、正確に決める方法が考えられる。
工程により、以下のようにして上記の工程終了点を検出
し、正確に決める方法が考えられる。
【００３２】すなわち、まず図２（Ａ）〜（Ｃ）に示す
ように図１（Ａ）〜（Ｃ）と全く同様の工程によって基
板１上にＭＲ素子２と保護膜３を形成した後に、上記工
程終了点検出用として図１（Ｄ）に符号５で示す溝を保
護膜３側から基板１に対して仕上げの厚さｔ２に相当す
る深さまで機械加工により形成する。この際の溝５の基
板１に対する深さ（＝ｔ２）は基板１の図中上面を基準
面として正確に決める。なお、溝５は形成してＭＲ素子
の働きに支障のない部分に形成するのは勿論である。
ように図１（Ａ）〜（Ｃ）と全く同様の工程によって基
板１上にＭＲ素子２と保護膜３を形成した後に、上記工
程終了点検出用として図１（Ｄ）に符号５で示す溝を保
護膜３側から基板１に対して仕上げの厚さｔ２に相当す
る深さまで機械加工により形成する。この際の溝５の基
板１に対する深さ（＝ｔ２）は基板１の図中上面を基準
面として正確に決める。なお、溝５は形成してＭＲ素子
の働きに支障のない部分に形成するのは勿論である。
【００３３】そして図２（Ｅ）に示すように基板１の裏
面側部分を研削、研磨、エッチングなどにより除去する
が、この際に溝５の開口が基板１の裏面１ａすなわち検
出面４となる図中下面に現れることを検出することで工
程終了点を検出し、溝５が現れた点を終了点として工程
を終了すればよい。
面側部分を研削、研磨、エッチングなどにより除去する
が、この際に溝５の開口が基板１の裏面１ａすなわち検
出面４となる図中下面に現れることを検出することで工
程終了点を検出し、溝５が現れた点を終了点として工程
を終了すればよい。
【００３４】このようにして工程終了点を検出し、基板
１の仕上げの厚さｔ２を正確に決め、均一な特性のＭＲ
センサを製造できる。
１の仕上げの厚さｔ２を正確に決め、均一な特性のＭＲ
センサを製造できる。
【００３５】なお、これと同様にして溝を利用して研
削、研磨あるいはエッチングなどによる基板１の除去速
度を予め求めることができ、これにより除去速度を正確
に把握して基板１の除去による厚さを除去の加工時間に
より管理でき、効率良く除去工程を行なえる。
削、研磨あるいはエッチングなどによる基板１の除去速
度を予め求めることができ、これにより除去速度を正確
に把握して基板１の除去による厚さを除去の加工時間に
より管理でき、効率良く除去工程を行なえる。
【００３６】［第２実施例］次に、図３（Ａ）〜（Ｄ）
は本発明の第２実施例によるＭＲセンサの製造方法を説
明するものである。
は本発明の第２実施例によるＭＲセンサの製造方法を説
明するものである。
【００３７】本実施例では、まずＭＲセンサを作成する
ための基板として、図３（Ａ）に示すように、第１層基
板７と第２層基板８を基板全体の板厚方向に積層してな
る積層構造の基板６を用いる。基板６は第１層基板７と
第２層基板８をそれぞれ別々に形成した上で第２層基板
８上に第１層基板７を接着して作成するか、または第２
層基板８上に第１層基板７を真空薄膜形成技術を用いた
物理的方法あるいは化学気相成長や重合反応を用いた化
学的方法などにより形成して作成する。また、第１層基
板７の厚さは先述した基板の最終的な仕上げの厚さｔ２
とし、第２層基板８は以下のＭＲ素子形成、保護膜形成
において第１層基板７を平坦に保てるように材料を選択
し、厚さｔ１′はｔ２より充分大きくするものとする。
ための基板として、図３（Ａ）に示すように、第１層基
板７と第２層基板８を基板全体の板厚方向に積層してな
る積層構造の基板６を用いる。基板６は第１層基板７と
第２層基板８をそれぞれ別々に形成した上で第２層基板
８上に第１層基板７を接着して作成するか、または第２
層基板８上に第１層基板７を真空薄膜形成技術を用いた
物理的方法あるいは化学気相成長や重合反応を用いた化
学的方法などにより形成して作成する。また、第１層基
板７の厚さは先述した基板の最終的な仕上げの厚さｔ２
とし、第２層基板８は以下のＭＲ素子形成、保護膜形成
において第１層基板７を平坦に保てるように材料を選択
し、厚さｔ１′はｔ２より充分大きくするものとする。
【００３８】次に図３（Ｂ）および（Ｃ）に示すよう
に、第１実施例の図１（Ｂ）および（Ｃ）の工程と全く
同様にして基板６上にＭＲ素子２を形成し、さらにその
上に保護膜３を形成する。
に、第１実施例の図１（Ｂ）および（Ｃ）の工程と全く
同様にして基板６上にＭＲ素子２を形成し、さらにその
上に保護膜３を形成する。
【００３９】次に図３（Ｄ）に示すように、第２層基板
８を除去してＭＲセンサが完成する。この除去は、基板
６が第１層基板７と第２層基板８を接着してなるもので
ある場合は接着剤の溶解により行なう。また、基板６が
第２層基板８上に第１層基板７を形成したものである場
合には、第２層基板８を溶解するなど、第１層基板７、
ＭＲ素子２および保護膜３に応力がかからない方法を用
いる。
８を除去してＭＲセンサが完成する。この除去は、基板
６が第１層基板７と第２層基板８を接着してなるもので
ある場合は接着剤の溶解により行なう。また、基板６が
第２層基板８上に第１層基板７を形成したものである場
合には、第２層基板８を溶解するなど、第１層基板７、
ＭＲ素子２および保護膜３に応力がかからない方法を用
いる。
【００４０】このような本実施例の製造工程によれば、
最後の工程の基板６の裏面側部分の除去、すなわち第２
層基板８の除去は、第１実施例の基板１の裏面側部分の
除去に比べて応力が加わらず、破損の恐れのない方法
で、簡単に効率良く行なえる。
最後の工程の基板６の裏面側部分の除去、すなわち第２
層基板８の除去は、第１実施例の基板１の裏面側部分の
除去に比べて応力が加わらず、破損の恐れのない方法
で、簡単に効率良く行なえる。
【００４１】なお、最初に構成する基板６は２層に限ら
ず、３層以上の積層構造としても良い。また、基板とし
て最後に残す層も１層に限らず、先述のように検出可能
な厚さｔ２にできるならば何層でもかまわない。
ず、３層以上の積層構造としても良い。また、基板とし
て最後に残す層も１層に限らず、先述のように検出可能
な厚さｔ２にできるならば何層でもかまわない。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるＭＲセンサの製造方法によれば、基板の一方の表
面にＭＲ素子としての磁性薄膜を形成する工程と、該工
程後に前記基板の少なくともＭＲ素子形成領域において
前記基板のＭＲ素子形成面の裏面側部分を除去して前記
基板を薄くする工程を有する方法を採用したので、基板
のＭＲ素子形成面の少なくともＭＲ素子の形成領域の裏
面を被検出体に対向する検出面として磁界検出を行なう
ことができ、被検出体により接近させてより敏感に微小
な磁界の検出を行なえ、ＭＲ素子のパターン設計の自由
度が大きく、小型化が図れるという優れたＭＲセンサを
簡単な工程で歩留りよく安価に製造できるという優れた
効果が得られる。
によるＭＲセンサの製造方法によれば、基板の一方の表
面にＭＲ素子としての磁性薄膜を形成する工程と、該工
程後に前記基板の少なくともＭＲ素子形成領域において
前記基板のＭＲ素子形成面の裏面側部分を除去して前記
基板を薄くする工程を有する方法を採用したので、基板
のＭＲ素子形成面の少なくともＭＲ素子の形成領域の裏
面を被検出体に対向する検出面として磁界検出を行なう
ことができ、被検出体により接近させてより敏感に微小
な磁界の検出を行なえ、ＭＲ素子のパターン設計の自由
度が大きく、小型化が図れるという優れたＭＲセンサを
簡単な工程で歩留りよく安価に製造できるという優れた
効果が得られる。
【図１】本発明の第１実施例による磁気抵抗効果センサ
の製造工程と構造の説明図である。
の製造工程と構造の説明図である。
【図２】基板の裏面側部分除去工程の終了点検出方法を
説明する製造工程の説明図である。
説明する製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第２実施例による製造工程の説明図で
ある。
ある。
１，６ 基板 ２ ＭＲ素子 ３ 保護膜 ４ 検出面 ５ 工程終了点検出用の溝 ７ 第１層基板 ８ 第２層基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐野 秀人 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤノ ン電子株式会社内 (72)発明者 中橋 光男 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤノ ン電子株式会社内 (72)発明者 林 久範 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤノ ン電子株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の一方の表面に磁気抵抗効果素子と
しての磁性薄膜を形成する工程と、該工程後に前記基板
の少なくとも磁気抵抗効果素子形成領域において前記基
板の磁気抵抗効果素子形成面の裏面側部分を除去して前
記基板を薄くする工程を有することを特徴とする磁気抵
抗効果センサの製造方法。 - 【請求項２】 前記磁気抵抗効果素子形成後の基板の裏
面側部分の除去は研削、研磨およびエッチングのいずれ
かまたはこれらの組み合せにより行なうことを特徴とす
る請求項１に記載の磁気抵抗効果センサの製造方法。 - 【請求項３】 前記基板として複数層を板厚方向に積層
した積層構造の基板を用い、前記磁気抵抗効果素子形成
後の基板の裏面側部分の除去は前記複数層のうち裏面側
の層を除去して行なうことを特徴とする請求項１に記載
の磁気抵抗効果センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7136235A JP2691147B2 (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気抵抗効果センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7136235A JP2691147B2 (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気抵抗効果センサの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62028098A Division JP2554069B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 磁気抵抗効果センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326808A true JPH07326808A (ja) | 1995-12-12 |
| JP2691147B2 JP2691147B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=15170449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7136235A Expired - Lifetime JP2691147B2 (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気抵抗効果センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691147B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929583A (ja) * | 1972-07-14 | 1974-03-16 | ||
| JPS5469395A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Production of semiconductor element |
| JPS6074588A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗素子のパッケ−ジング方法 |
-
1995
- 1995-06-02 JP JP7136235A patent/JP2691147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929583A (ja) * | 1972-07-14 | 1974-03-16 | ||
| JPS5469395A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Production of semiconductor element |
| JPS6074588A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗素子のパッケ−ジング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2691147B2 (ja) | 1997-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6683749B2 (en) | Magnetic transducer having inverted write element with zero delta in pole tip width | |
| US4195323A (en) | Thin film magnetic recording heads | |
| JP3260921B2 (ja) | 可動体変位検出装置 | |
| JP2000349363A (ja) | 磁電変換素子及びその製造方法 | |
| JP2000340856A (ja) | 磁電変換素子及びその製造方法 | |
| JP5348080B2 (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
| EP1037289B1 (en) | Semiconductor magnetoresistance device, magnetic sensor, and production method thereof | |
| JPH11261131A (ja) | 磁電変換素子及びその製造方法 | |
| JP2691147B2 (ja) | 磁気抵抗効果センサの製造方法 | |
| JP2005227134A (ja) | 磁気センサー | |
| JP2554069B2 (ja) | 磁気抵抗効果センサ | |
| CN112995871B (zh) | Mems传感器及电子设备 | |
| EP1536490A1 (en) | Magnetoresistance effect element and production method and application method therefor | |
| JP2006278439A (ja) | 磁気センサの製造方法 | |
| JPH10125975A (ja) | 磁気抵抗磁気センサの製造方法およびこの方法を用いて得られるセンサ | |
| JP3465280B2 (ja) | 磁気センサの製造方法 | |
| JP2006261401A (ja) | 磁気センサおよびその製法 | |
| JP2996562B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| CN210639270U (zh) | 一种mems磁传感器的电连接结构及mems磁传感器 | |
| JP7207676B1 (ja) | Ｇｓｒ素子の製造方法 | |
| JP4133758B2 (ja) | 磁気検出素子および磁気検出装置 | |
| JP3588952B2 (ja) | 半導体薄膜磁気抵抗素子 | |
| CN210639269U (zh) | 一种mems磁传感器的电连接结构及mems磁传感器 | |
| US4801881A (en) | Magnetoresistive sensor having protective dummy elements | |
| CA1212469A (en) | Method of manufacturing magnetic thin film transducer head |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |