JPH11261131A - 磁電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
磁電変換素子及びその製造方法Info
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- JPH11261131A JPH11261131A JP10063575A JP6357598A JPH11261131A JP H11261131 A JPH11261131 A JP H11261131A JP 10063575 A JP10063575 A JP 10063575A JP 6357598 A JP6357598 A JP 6357598A JP H11261131 A JPH11261131 A JP H11261131A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で低磁場での感度を向上させるとともに
生産性を向上させる磁電変換素子及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 磁電変換素子は、シリコン基板１１と、
シリコン基板１１の表面１３側に形成され且つ外部磁界
の大きさに応じた電気信号を出力するホール素子部１５
と、シリコン基板１１の裏面１７側のホール素子部１５
に対向する部分で且つホール素子部１５の近傍までの部
分に、裏面１７からホール素子部１５に向かうに従って
小径となるテーパ状に形成されたエッチング溝１９と、
このエッチング溝１９に埋め込まれ且つ外部磁界をホー
ル素子部に集束させる高透磁率の磁性体２１とを備え
る。
生産性を向上させる磁電変換素子及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 磁電変換素子は、シリコン基板１１と、
シリコン基板１１の表面１３側に形成され且つ外部磁界
の大きさに応じた電気信号を出力するホール素子部１５
と、シリコン基板１１の裏面１７側のホール素子部１５
に対向する部分で且つホール素子部１５の近傍までの部
分に、裏面１７からホール素子部１５に向かうに従って
小径となるテーパ状に形成されたエッチング溝１９と、
このエッチング溝１９に埋め込まれ且つ外部磁界をホー
ル素子部に集束させる高透磁率の磁性体２１とを備え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ギア等の
回転数を検出する磁気センサに用いられる磁電変換素子
及びその製造方法に関する。
回転数を検出する磁気センサに用いられる磁電変換素子
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、家電製品や産業機械、自動車のイ
ンテリジェント化に伴い、各種のセンサ技術が重要なも
のになっている。磁気センサの一つであるホール素子
は、磁界の大きさに応じた電圧信号を出力するものであ
り、非接触型で汚れに強い特徴を持ち、広い分野で応用
されている。例えば、自動車等の車両では、ホール素子
を有する磁気センサをギア等の回転数を検出する回転セ
ンサとして用いている。
ンテリジェント化に伴い、各種のセンサ技術が重要なも
のになっている。磁気センサの一つであるホール素子
は、磁界の大きさに応じた電圧信号を出力するものであ
り、非接触型で汚れに強い特徴を持ち、広い分野で応用
されている。例えば、自動車等の車両では、ホール素子
を有する磁気センサをギア等の回転数を検出する回転セ
ンサとして用いている。
【０００３】この場合、凹凸のあるギア（被検出対象）
とバイアス磁石との間にホール素子を配置すると、バイ
アス磁石からの外部磁界はホール素子を貫き、ギアの凹
凸面に向かう。すると、ホール素子からは外部磁界の大
きさに応じた電圧信号が出力される。
とバイアス磁石との間にホール素子を配置すると、バイ
アス磁石からの外部磁界はホール素子を貫き、ギアの凹
凸面に向かう。すると、ホール素子からは外部磁界の大
きさに応じた電圧信号が出力される。
【０００４】ここで、凹凸のあるギアが回転すると、磁
界がギアの凹凸により変化するので、ホール素子を貫く
磁界も変化し、この磁界の変化によりホール素子から取
り出される電圧信号も変化する。従って、電圧信号の変
化によりギアの回転数を検出することができる。
界がギアの凹凸により変化するので、ホール素子を貫く
磁界も変化し、この磁界の変化によりホール素子から取
り出される電圧信号も変化する。従って、電圧信号の変
化によりギアの回転数を検出することができる。
【０００５】しかし、ホール素子の感度が低い場合に
は、適切な検出電圧出力が得られなくなる。そこで、従
来では、低磁場でのホール素子の感度を向上させるため
に、集磁体付ホール素子が考案されている。この集磁体
付ホール素子の概略図を図８（ａ）に、側面図を図８
（ｂ）に示す。同図からもわかるように、化合物半導体
から構成されるホール素子本体１０１は、ＮｉＺｎ系の
フェライトからなるサブスレート１０３上に形成され、
さらに４本のリードフレーム１０５に入出力端子１０
７，１０８，１０９，１１０がそれぞれ接続されてい
る。
は、適切な検出電圧出力が得られなくなる。そこで、従
来では、低磁場でのホール素子の感度を向上させるため
に、集磁体付ホール素子が考案されている。この集磁体
付ホール素子の概略図を図８（ａ）に、側面図を図８
（ｂ）に示す。同図からもわかるように、化合物半導体
から構成されるホール素子本体１０１は、ＮｉＺｎ系の
フェライトからなるサブスレート１０３上に形成され、
さらに４本のリードフレーム１０５に入出力端子１０
７，１０８，１０９，１１０がそれぞれ接続されてい
る。
【０００６】また、ホール素子本体１０１の上面には、
角形磁性体または円筒形磁性体からなる集磁体としての
トップジャケット１１１が配置され、このトップジャケ
ット１１１、サブストレート１０３及びリードフレーム
は接着剤１１３により固定されている。そして、トップ
ジャケット１１１により外部磁界をホール素子本体１０
１に集束させることで低磁場でのホール素子の感度を向
上させている。
角形磁性体または円筒形磁性体からなる集磁体としての
トップジャケット１１１が配置され、このトップジャケ
ット１１１、サブストレート１０３及びリードフレーム
は接着剤１１３により固定されている。そして、トップ
ジャケット１１１により外部磁界をホール素子本体１０
１に集束させることで低磁場でのホール素子の感度を向
上させている。
【０００７】また、特開平７−１９８４３３号公報には
集磁体付の磁気センサを用いた面積式流量計が記載され
ている。この集磁体付の磁気センサを図９（ａ），図９
（ｂ）に示す。磁気センサであるホール素子Ａの各感磁
面に、パーマロイ合金などの高透磁率のテーパ状の集磁
体１２７を設けている。そして、マグネットで発生した
磁界を集磁体１２７で捕捉し、捕捉された磁界を集磁体
１２７の小経な基部に集束されて感度が大となるので、
磁界はホール素子の感磁面に集束されてホール素子の出
力が増大される。
集磁体付の磁気センサを用いた面積式流量計が記載され
ている。この集磁体付の磁気センサを図９（ａ），図９
（ｂ）に示す。磁気センサであるホール素子Ａの各感磁
面に、パーマロイ合金などの高透磁率のテーパ状の集磁
体１２７を設けている。そして、マグネットで発生した
磁界を集磁体１２７で捕捉し、捕捉された磁界を集磁体
１２７の小経な基部に集束されて感度が大となるので、
磁界はホール素子の感磁面に集束されてホール素子の出
力が増大される。
【０００８】さらに、特開昭５９−１５４０８５号公報
には磁気抵抗効果素子が記載されている。この公報に記
載された磁気抵抗効果素子は、高透磁率の強磁性体薄膜
よりなる集磁用パタンを、絶縁体薄膜を介して電気的に
絶縁を保ちながら、電気抵抗変化の検出に用いるセンサ
パタンに近接して設置したものである。
には磁気抵抗効果素子が記載されている。この公報に記
載された磁気抵抗効果素子は、高透磁率の強磁性体薄膜
よりなる集磁用パタンを、絶縁体薄膜を介して電気的に
絶縁を保ちながら、電気抵抗変化の検出に用いるセンサ
パタンに近接して設置したものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
５９−１５４０８５号公報に記載された磁気抵抗効果素
子にあっては、磁性体の配置ではセンサ面に水平方向の
磁界に感度を有する強磁性体磁気抵抗素子には有効であ
るが、ホール素子のような素子面に対して鉛直方向に感
度を有するものには有効ではない。
５９−１５４０８５号公報に記載された磁気抵抗効果素
子にあっては、磁性体の配置ではセンサ面に水平方向の
磁界に感度を有する強磁性体磁気抵抗素子には有効であ
るが、ホール素子のような素子面に対して鉛直方向に感
度を有するものには有効ではない。
【００１０】また、図８，図９に示したホール素子にあ
っては、ホール素子に対して後付けで磁性体を貼り付け
る必要があり、センサ全体の厚みが増加してしまう。ま
た、磁性体を一つ一つホール素子に取り付けなければな
らず、その作業が大変であった。さらに、ホール素子の
サイズが小さくなるに従って、磁性体をホール素子に貼
り付けが困難になる。このため、ホール素子の生産性が
悪かった。
っては、ホール素子に対して後付けで磁性体を貼り付け
る必要があり、センサ全体の厚みが増加してしまう。ま
た、磁性体を一つ一つホール素子に取り付けなければな
らず、その作業が大変であった。さらに、ホール素子の
サイズが小さくなるに従って、磁性体をホール素子に貼
り付けが困難になる。このため、ホール素子の生産性が
悪かった。
【００１１】本発明は、小型で低磁場での感度を向上さ
せるとともに生産性を向上させることのできる磁電変換
素子及びその製造方法を提供することを課題とする。
せるとともに生産性を向上させることのできる磁電変換
素子及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために以下の構成とした。請求項１の磁電変換素子
の発明は、半導体素子からなるウェハと、このウェハの
表面側及び裏面側の一方の面側に形成され且つ外部磁界
の大きさに応じた電気信号を出力する磁電変換素子部
と、前記ウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記
磁電変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変
換素子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から
前記磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ
状に形成された溝部と、この溝部に埋め込まれ且つ前記
外部磁界を前記磁電変換素子部に集束させる磁性体とを
備えることを特徴とする。
するために以下の構成とした。請求項１の磁電変換素子
の発明は、半導体素子からなるウェハと、このウェハの
表面側及び裏面側の一方の面側に形成され且つ外部磁界
の大きさに応じた電気信号を出力する磁電変換素子部
と、前記ウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記
磁電変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変
換素子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から
前記磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ
状に形成された溝部と、この溝部に埋め込まれ且つ前記
外部磁界を前記磁電変換素子部に集束させる磁性体とを
備えることを特徴とする。
【００１３】この発明によれば、外部磁界は溝部に埋め
込まれたテーパ状の磁性体により磁電変換素子部に集束
される。すなわち、磁電変換素子部の表面及び裏面に鉛
直方向の磁界を集束させるため、低磁場での磁電変換素
子の感度が向上する。また、ウェハ内に磁電変換素子部
を形成し、溝部に磁性体を埋め込むので、最初のウェハ
厚みからの大きな厚み増加がなく、小型化を図ることが
できる。また、磁性体の形成を含め、ウェハ上に沢山の
素子を一度に作成できるので、磁電変換素子の生産性が
向上する。
込まれたテーパ状の磁性体により磁電変換素子部に集束
される。すなわち、磁電変換素子部の表面及び裏面に鉛
直方向の磁界を集束させるため、低磁場での磁電変換素
子の感度が向上する。また、ウェハ内に磁電変換素子部
を形成し、溝部に磁性体を埋め込むので、最初のウェハ
厚みからの大きな厚み増加がなく、小型化を図ることが
できる。また、磁性体の形成を含め、ウェハ上に沢山の
素子を一度に作成できるので、磁電変換素子の生産性が
向上する。
【００１４】請求項２の磁電変換素子の発明は、半導体
素子からなるウェハと、このウェハの表面側及び裏面側
の一方の面側に形成され且つ外部磁界の大きさに応じた
電気信号を出力する磁電変換素子部と、前記ウェハの表
面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部に対
向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍まで
のウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素子部
に向かうに従って小径となるテーパ状に形成された溝部
と、この溝部の表面上に形成され且つ前記外部磁界を前
記磁電変換素子部に集束させる磁性体薄膜とを備えるこ
とを特徴とする。
素子からなるウェハと、このウェハの表面側及び裏面側
の一方の面側に形成され且つ外部磁界の大きさに応じた
電気信号を出力する磁電変換素子部と、前記ウェハの表
面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部に対
向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍まで
のウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素子部
に向かうに従って小径となるテーパ状に形成された溝部
と、この溝部の表面上に形成され且つ前記外部磁界を前
記磁電変換素子部に集束させる磁性体薄膜とを備えるこ
とを特徴とする。
【００１５】この発明によれば、外部磁界はテーパ状の
溝部の表面に形成された磁性体薄膜により磁電変換素子
部に集束されるので、低磁場での磁電変換素子の感度が
向上する。また、磁性体を溝部に埋め込ませるよりも、
磁性体薄膜を形成する方が作製作業が容易であり、生産
性がさらに向上する。
溝部の表面に形成された磁性体薄膜により磁電変換素子
部に集束されるので、低磁場での磁電変換素子の感度が
向上する。また、磁性体を溝部に埋め込ませるよりも、
磁性体薄膜を形成する方が作製作業が容易であり、生産
性がさらに向上する。
【００１６】請求項３の磁電変換素子の発明は、請求項
１における磁電変換素子の発明に、さらに、前記ウェハ
の一方の面上に積層された絶縁膜と、この絶縁膜の上に
積層され且つ前記磁電変換素子部に対向する位置に配置
された磁性体膜とを備えることを特徴とする。
１における磁電変換素子の発明に、さらに、前記ウェハ
の一方の面上に積層された絶縁膜と、この絶縁膜の上に
積層され且つ前記磁電変換素子部に対向する位置に配置
された磁性体膜とを備えることを特徴とする。
【００１７】この発明によれば、絶縁膜を介して磁電変
換素子部の上部に磁性体膜を配置したので、磁性体と磁
性体膜との相乗効果によりより磁電変換素子部に、より
多くの外部磁界が集束するので、磁電変換素子の感度が
さらに向上する。
換素子部の上部に磁性体膜を配置したので、磁性体と磁
性体膜との相乗効果によりより磁電変換素子部に、より
多くの外部磁界が集束するので、磁電変換素子の感度が
さらに向上する。
【００１８】請求項４の磁電変換素子の発明において、
前記溝部は、異方性エッチングにより台形溝に形成され
てなることを特徴とする。この発明によれば、異方性エ
ッチングを用いて溝部を台形形状に形成するので、この
溝部に埋め込まれた台形形状の磁性体により外部磁界が
磁電変換素子部に集束されやすくなる。
前記溝部は、異方性エッチングにより台形溝に形成され
てなることを特徴とする。この発明によれば、異方性エ
ッチングを用いて溝部を台形形状に形成するので、この
溝部に埋め込まれた台形形状の磁性体により外部磁界が
磁電変換素子部に集束されやすくなる。
【００１９】請求項５の磁電変換素子の製造方法の発明
は、半導体素子からなるウェハの表面側及び裏面側の一
方の面側に外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力す
る磁電変換素子部を形成する第１の工程と、前記ウェハ
の表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部
に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍
までのウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素
子部に向かうに従って小径となるテーパ状の溝部を形成
する第２の工程と、形成された溝部に前記外部磁界を前
記磁電変換素子部に集束させる磁性体を埋め込む第３の
工程とを含むことを特徴とする。
は、半導体素子からなるウェハの表面側及び裏面側の一
方の面側に外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力す
る磁電変換素子部を形成する第１の工程と、前記ウェハ
の表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部
に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍
までのウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素
子部に向かうに従って小径となるテーパ状の溝部を形成
する第２の工程と、形成された溝部に前記外部磁界を前
記磁電変換素子部に集束させる磁性体を埋め込む第３の
工程とを含むことを特徴とする。
【００２０】請求項６の磁電変換素子の製造方法の発明
は、半導体素子からなるウェハの表面側及び裏面側の一
方の面側に外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力す
る磁電変換素子部を形成する第１の工程と、前記ウェハ
の表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部
に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍
までのウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素
子部に向かうに従って小径となるテーパ状の溝部を形成
する第２の工程と、形成された溝部の表面上に前記外部
磁界を前記磁電変換素子部に集束させる磁性体薄膜を形
成する第３の工程とを含むことを特徴とする。
は、半導体素子からなるウェハの表面側及び裏面側の一
方の面側に外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力す
る磁電変換素子部を形成する第１の工程と、前記ウェハ
の表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部
に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍
までのウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素
子部に向かうに従って小径となるテーパ状の溝部を形成
する第２の工程と、形成された溝部の表面上に前記外部
磁界を前記磁電変換素子部に集束させる磁性体薄膜を形
成する第３の工程とを含むことを特徴とする。
【００２１】請求項７の磁電変換素子の製造方法の発明
は、請求項５の磁電変換素子の製造方法の発明に、さら
に、前記ウェハの一方の面上に絶縁膜を積層する第４の
工程と、前記絶縁膜上の前記磁電変換素子部に対向する
位置に磁性体膜を積層する第５の工程とを含むことを特
徴とする。
は、請求項５の磁電変換素子の製造方法の発明に、さら
に、前記ウェハの一方の面上に絶縁膜を積層する第４の
工程と、前記絶縁膜上の前記磁電変換素子部に対向する
位置に磁性体膜を積層する第５の工程とを含むことを特
徴とする。
【００２２】請求項８の磁電変換素子の製造方法の発明
は、前記溝部を、異方性エッチングにより台形溝に形成
したことを特徴とする。
は、前記溝部を、異方性エッチングにより台形溝に形成
したことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁電変換素子及び
その製造方法の実施の形態を図面を参照して詳細に説明
する。
その製造方法の実施の形態を図面を参照して詳細に説明
する。
【００２４】＜実施の形態１＞図１に実施の形態１の磁
電変換素子の側面図を示す。図１を用いて磁電変換素子
の構成を説明する。磁電変換素子は、シリコンホール素
子であり、シリコンウェハとしてのシリコン基板１１の
表面１３側に、外部磁界の大きさに応じた電気信号を出
力するホール素子部１５が形成されている。また、シリ
コン基板１１の裏面１７側のホール素子部１５に対向す
る部分で且つホール素子部１５の近傍までの部分には、
台形形状のエッチング溝１９が形成されている。
電変換素子の側面図を示す。図１を用いて磁電変換素子
の構成を説明する。磁電変換素子は、シリコンホール素
子であり、シリコンウェハとしてのシリコン基板１１の
表面１３側に、外部磁界の大きさに応じた電気信号を出
力するホール素子部１５が形成されている。また、シリ
コン基板１１の裏面１７側のホール素子部１５に対向す
る部分で且つホール素子部１５の近傍までの部分には、
台形形状のエッチング溝１９が形成されている。
【００２５】このエッチング溝１９は、図２に示すよう
に、４つの傾斜面と１つの溝底面２０からなり、裏面１
７からホール素子部１５に向かうに従って小径となるテ
ーパ状の台形溝である。このエッチング溝１９には外部
磁界をホール素子部１５に集束させる高透磁率材料から
なるパーマロイ、フェライトなどの磁性体２１が埋め込
まれている。
に、４つの傾斜面と１つの溝底面２０からなり、裏面１
７からホール素子部１５に向かうに従って小径となるテ
ーパ状の台形溝である。このエッチング溝１９には外部
磁界をホール素子部１５に集束させる高透磁率材料から
なるパーマロイ、フェライトなどの磁性体２１が埋め込
まれている。
【００２６】シリコン基板１１の厚みは、例えば、３５
０μｍ〜４５０μｍである。溝底面２０とホール素子部
１５の下面とのギャップは、例えば、１０μｍ〜５０μ
ｍである。
０μｍ〜４５０μｍである。溝底面２０とホール素子部
１５の下面とのギャップは、例えば、１０μｍ〜５０μ
ｍである。
【００２７】次に、磁電変換素子の製造方法を説明す
る。まず、シリコン基板１１の表面１３側において、不
純物拡散またはエピタキシャル成長によってホール素子
部１５を形成し、図示しないリード線などの配線を行っ
てホール素子を形成する。
る。まず、シリコン基板１１の表面１３側において、不
純物拡散またはエピタキシャル成長によってホール素子
部１５を形成し、図示しないリード線などの配線を行っ
てホール素子を形成する。
【００２８】次に、シリコン基板１１の裏面１７側にお
いて、裏面１７からホール素子部１５に対応する部分で
ホール素子部１５の近傍までシリコン異方性エッチング
により台形形状にエッチングを行い、エッチング溝１９
を形成する。この場合、Ｓｉの（１００）に近い面方位
のウェハを使用すると、裏面１７とエッチング溝１９と
のなす角度θは、５４．７゜（条件により４０〜７０
゜）となる。なお、シリコン異方性エッチングについて
は、後で詳細に説明する。
いて、裏面１７からホール素子部１５に対応する部分で
ホール素子部１５の近傍までシリコン異方性エッチング
により台形形状にエッチングを行い、エッチング溝１９
を形成する。この場合、Ｓｉの（１００）に近い面方位
のウェハを使用すると、裏面１７とエッチング溝１９と
のなす角度θは、５４．７゜（条件により４０〜７０
゜）となる。なお、シリコン異方性エッチングについて
は、後で詳細に説明する。
【００２９】さらに、形成されたエッチング溝１９に高
透磁率の磁性体２１を埋め込むことにより、ホール素子
部１５の近傍に磁性体２１を配置した集磁体付ホール素
子を形成することができる。
透磁率の磁性体２１を埋め込むことにより、ホール素子
部１５の近傍に磁性体２１を配置した集磁体付ホール素
子を形成することができる。
【００３０】このようなホール素子によれば、図示しな
いバイアス磁石からの外部磁界は磁性体２１により溝底
面２０及びギャップを通り、ホール素子部１５に集束さ
れる。すなわち、ホール素子部１５の表面及び裏面に鉛
直方向の磁界を集束させる。このため、低磁場でのホー
ル素子の感度が向上する。
いバイアス磁石からの外部磁界は磁性体２１により溝底
面２０及びギャップを通り、ホール素子部１５に集束さ
れる。すなわち、ホール素子部１５の表面及び裏面に鉛
直方向の磁界を集束させる。このため、低磁場でのホー
ル素子の感度が向上する。
【００３１】また、シリコン異方性エッチング等のＩＣ
プロセスにより、シリコン基板１１内にホール素子部１
５を形成し、エッチング溝１９に磁性体２１を形成する
ので、最初の基板厚みからの大きな厚み増加がなく、小
型化を図ることができる。
プロセスにより、シリコン基板１１内にホール素子部１
５を形成し、エッチング溝１９に磁性体２１を形成する
ので、最初の基板厚みからの大きな厚み増加がなく、小
型化を図ることができる。
【００３２】また、磁性体２１の形成を含め、シリコン
基板１１上に沢山の素子を一度に作成できるので、ホー
ル素子の生産性が向上する。さらに、シリコン基板１１
を用いているので、ホール素子以外の部分に増幅回路等
のＩＣ（集積回路）を組み込むことができる。
基板１１上に沢山の素子を一度に作成できるので、ホー
ル素子の生産性が向上する。さらに、シリコン基板１１
を用いているので、ホール素子以外の部分に増幅回路等
のＩＣ（集積回路）を組み込むことができる。
【００３３】＜実施の形態２＞図３に実施の形態２の磁
電変換素子の側面図を示す。図３の磁電変換素子におい
て、シリコン基板１１の表面１３側にホール素子部１５
が形成され、シリコン基板１１の裏面１７側には台形形
状のエッチング溝１９が形成されている。エッチング溝
１９の表面上には、外部磁界をホール素子部１５に集束
させる高透磁率材料からなる磁性体薄膜２３が形成され
ている。
電変換素子の側面図を示す。図３の磁電変換素子におい
て、シリコン基板１１の表面１３側にホール素子部１５
が形成され、シリコン基板１１の裏面１７側には台形形
状のエッチング溝１９が形成されている。エッチング溝
１９の表面上には、外部磁界をホール素子部１５に集束
させる高透磁率材料からなる磁性体薄膜２３が形成され
ている。
【００３４】次に、磁電変換素子の製造方法を説明す
る。まず、シリコン基板１１の表面１３側において、不
純物拡散またはエピタキシャル成長によってホール素子
部１５を形成し、図示しないリード線などの配線を行っ
てホール素子を形成する。
る。まず、シリコン基板１１の表面１３側において、不
純物拡散またはエピタキシャル成長によってホール素子
部１５を形成し、図示しないリード線などの配線を行っ
てホール素子を形成する。
【００３５】次に、シリコン基板１１の裏面１７側にお
いて、裏面１７からホール素子部１５に対応する部分で
ホール素子部１５の近傍までシリコン異方性エッチング
により台形形状にエッチングを行い、エッチング溝１９
を形成し、形成されたエッチング溝１９の表面上に蒸着
等により高透磁率の磁性体薄膜２３を形成する。
いて、裏面１７からホール素子部１５に対応する部分で
ホール素子部１５の近傍までシリコン異方性エッチング
により台形形状にエッチングを行い、エッチング溝１９
を形成し、形成されたエッチング溝１９の表面上に蒸着
等により高透磁率の磁性体薄膜２３を形成する。
【００３６】このようなホール素子によれば、実施の形
態１の効果とほぼ同様な効果が得られる。また、実施の
形態１の高透磁率の磁性体２１をエッチング溝１９に埋
め込ませるのは、かなりの成形技術を要するが、実施の
形態２の磁性体薄膜２３であれば、そのような問題もな
くなり、生産性がさらに向上する。
態１の効果とほぼ同様な効果が得られる。また、実施の
形態１の高透磁率の磁性体２１をエッチング溝１９に埋
め込ませるのは、かなりの成形技術を要するが、実施の
形態２の磁性体薄膜２３であれば、そのような問題もな
くなり、生産性がさらに向上する。
【００３７】＜実施の形態３＞図４に実施の形態３の磁
電変換素子の側面図を示す。図４の磁電変換素子は、図
１の磁電変換素子の構成に、さらに、絶縁膜２５、磁性
体膜２７を追加したものである。絶縁膜２５は、シリコ
ン基板１１の表面１３の面上に積層され、磁性体膜２７
は、絶縁膜２５の上に積層され且つホール素子部１５に
対向する位置に配置されている。
電変換素子の側面図を示す。図４の磁電変換素子は、図
１の磁電変換素子の構成に、さらに、絶縁膜２５、磁性
体膜２７を追加したものである。絶縁膜２５は、シリコ
ン基板１１の表面１３の面上に積層され、磁性体膜２７
は、絶縁膜２５の上に積層され且つホール素子部１５に
対向する位置に配置されている。
【００３８】次に、磁電変換素子の製造方法を説明す
る。まず、実施の形態１の磁電変換素子の製造方法の各
工程を行う。その後に、シリコン基板１１の表面１３の
面上に絶縁膜２５を積層し、その後、絶縁膜２５上のホ
ール素子部１５に対向する位置に磁性体膜２７を積層す
る。
る。まず、実施の形態１の磁電変換素子の製造方法の各
工程を行う。その後に、シリコン基板１１の表面１３の
面上に絶縁膜２５を積層し、その後、絶縁膜２５上のホ
ール素子部１５に対向する位置に磁性体膜２７を積層す
る。
【００３９】このような磁電変換素子によれば、絶縁膜
２５を介してホール素子部１５の上部に磁性体膜２７を
配置したので、磁性体２１と磁性体膜２７との相乗効果
によりよりホール素子部１５に、より多くの外部磁界が
集束するので、ホール素子の感度がさらに向上すること
ができる。
２５を介してホール素子部１５の上部に磁性体膜２７を
配置したので、磁性体２１と磁性体膜２７との相乗効果
によりよりホール素子部１５に、より多くの外部磁界が
集束するので、ホール素子の感度がさらに向上すること
ができる。
【００４０】＜実施の形態４＞図５に実施の形態４の磁
電変換素子の側面図を示す。図５の磁電変換素子は、図
１の磁電変換素子の構成に、さらに、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2）２９を追加したものである。ここでは、ＳＯＩ
（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェ
ハ、すなわち、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９が形成され
たシリコン基板１１を用いる。この酸化ケイ素（ＳｉＯ
2）２９の上面側にはホール素子部１５が形成されてい
る。酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９の下面側にはホール素
子部１５に対向して磁性体２１を埋め込んだエッチング
溝１９が形成されている。
電変換素子の側面図を示す。図５の磁電変換素子は、図
１の磁電変換素子の構成に、さらに、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2）２９を追加したものである。ここでは、ＳＯＩ
（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェ
ハ、すなわち、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９が形成され
たシリコン基板１１を用いる。この酸化ケイ素（ＳｉＯ
2）２９の上面側にはホール素子部１５が形成されてい
る。酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９の下面側にはホール素
子部１５に対向して磁性体２１を埋め込んだエッチング
溝１９が形成されている。
【００４１】次に、磁電変換素子の製造方法を説明す
る。まず、基板にＳＯＩウェハを用い、酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2）２９が形成されたシリコン基板１１の表面１３
側において、不純物拡散またはエピタキシャル成長によ
ってホール素子部１５を酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９の
上面まで形成し、図示しないリード線などの配線を行っ
てホール素子を形成する。
る。まず、基板にＳＯＩウェハを用い、酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2）２９が形成されたシリコン基板１１の表面１３
側において、不純物拡散またはエピタキシャル成長によ
ってホール素子部１５を酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９の
上面まで形成し、図示しないリード線などの配線を行っ
てホール素子を形成する。
【００４２】次に、シリコン基板１１の裏面１７側にお
いて、裏面１７からホール素子部１５に対応する部分で
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９の下面までシリコン異方性
エッチングにより台形形状にエッチングを行い、エッチ
ング溝１９を形成し、形成されたエッチング溝１９に高
透磁率の磁性体２１を埋め込む。
いて、裏面１７からホール素子部１５に対応する部分で
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９の下面までシリコン異方性
エッチングにより台形形状にエッチングを行い、エッチ
ング溝１９を形成し、形成されたエッチング溝１９に高
透磁率の磁性体２１を埋め込む。
【００４３】すなわち、基板にＳＯＩウェハを用いるこ
とにより、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９のエッチストッ
プ効果によって、ホール素子部１５と磁性体２１との距
離の制御性が良くなる。このため、できるだけホール素
子部１５の近傍まで磁性体２１を近づけることができる
ので、ホール素子の感度がより向上する。
とにより、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）２９のエッチストッ
プ効果によって、ホール素子部１５と磁性体２１との距
離の制御性が良くなる。このため、できるだけホール素
子部１５の近傍まで磁性体２１を近づけることができる
ので、ホール素子の感度がより向上する。
【００４４】（シリコン異方性エッチング）次に、実施
の形態１乃至実施の形態４で上げたシリコン異方性エッ
チングについて詳細に説明する。シリコン異方性エッチ
ングとは、ある種のアルカリエッチング液によりシリコ
ンを異方的にエッチングするものである。これは、エッ
チング速度がシリコンの結晶面方位によって異なるため
であり、この性質を利用して横方向に狭く縦方向に深い
エッチング溝を作製できる。エッチング液としては、Ｅ
ＤＰ、ＫＯＨ、Ｎ2Ｈ4、ＮａＯＨ等が上げられる。
の形態１乃至実施の形態４で上げたシリコン異方性エッ
チングについて詳細に説明する。シリコン異方性エッチ
ングとは、ある種のアルカリエッチング液によりシリコ
ンを異方的にエッチングするものである。これは、エッ
チング速度がシリコンの結晶面方位によって異なるため
であり、この性質を利用して横方向に狭く縦方向に深い
エッチング溝を作製できる。エッチング液としては、Ｅ
ＤＰ、ＫＯＨ、Ｎ2Ｈ4、ＮａＯＨ等が上げられる。
【００４５】図６（ａ）に（１００）面シリコンウェハ
のエッチング形状を示し、図６（ｂ）に各面を示す。
（１００）面をもつシリコン基板にエッチング用のマス
ク窓を通して深いシリコンエッチングを行ったとき、
（１００）面上で（１１０）方向に配列した４個の辺に
より囲まれたエッチング溝が形成される。
のエッチング形状を示し、図６（ｂ）に各面を示す。
（１００）面をもつシリコン基板にエッチング用のマス
ク窓を通して深いシリコンエッチングを行ったとき、
（１００）面上で（１１０）方向に配列した４個の辺に
より囲まれたエッチング溝が形成される。
【００４６】図６（ａ）に示すように、エッチング窓の
形状により、最終的にエッチングされる溝の形状が異な
る。エッチング溝４１は、任意の形状をしたマスク窓５
１に外接する矩形（長方形）となり、エッチング溝４３
は、円形のマスク窓５３に外接する矩形（正方形）とな
る。エッチング溝４５の場合には、一辺が（１１０）方
向に配列した長方形のマスク窓５５を通してエッチング
を行ったときのエッチング形状を示している。
形状により、最終的にエッチングされる溝の形状が異な
る。エッチング溝４１は、任意の形状をしたマスク窓５
１に外接する矩形（長方形）となり、エッチング溝４３
は、円形のマスク窓５３に外接する矩形（正方形）とな
る。エッチング溝４５の場合には、一辺が（１１０）方
向に配列した長方形のマスク窓５５を通してエッチング
を行ったときのエッチング形状を示している。
【００４７】図７に（１００）面シリコンウェハのエッ
チング形状断面図を示す。エッチング溝は、（１１１）
面に配向した４つの壁により構成される。溝が小さいと
きには、同図の左に示すようにエッチング溝が逆ピラミ
ッドの形状となり、エッチングが自動的に停止する。
（１１１）面は基板表面（１００）面と５４．７度の傾
きをもっているため、このエッチングの深さはエッチン
グ溝の一辺の長さに２の平方根を除した値となる。
チング形状断面図を示す。エッチング溝は、（１１１）
面に配向した４つの壁により構成される。溝が小さいと
きには、同図の左に示すようにエッチング溝が逆ピラミ
ッドの形状となり、エッチングが自動的に停止する。
（１１１）面は基板表面（１００）面と５４．７度の傾
きをもっているため、このエッチングの深さはエッチン
グ溝の一辺の長さに２の平方根を除した値となる。
【００４８】また、エッチング溝が大きくなると、同図
の右に示すようにエッチングの底に薄いダイアフラム面
（図１の溝底面２０に対応）が形成される。このダイア
フラム面の大きさはエッチング開始時のマスク窓の大き
さよりも、エッチング深さの２の平方根だけ小さい値と
なる。
の右に示すようにエッチングの底に薄いダイアフラム面
（図１の溝底面２０に対応）が形成される。このダイア
フラム面の大きさはエッチング開始時のマスク窓の大き
さよりも、エッチング深さの２の平方根だけ小さい値と
なる。
【００４９】（磁場解析シミュレーション結果）次に、
磁電変換素子について、有限要素法を用いた磁場解析の
シミュレーションを行った解析結果を説明する。解析モ
デルは、二次元の静磁場であり、モデル形状としては、
エッチング溝１９に磁性体２１を完全に埋め込んだ埋め
込み型（図１に示す実施の形態１）と、エッチング溝１
９に沿って磁性体薄膜２３を形成した薄膜型（図３に示
す実施の形態２）と、シリコン基板１１の表面１３側の
ホール素子部１５の上部に磁性体膜２７を形成した積層
型（図４に示す実施の形態３）との３つの型である。そ
れぞれについて、その形状や磁性体の透磁率の相違によ
る磁界強度分布の変化について検討した。
磁電変換素子について、有限要素法を用いた磁場解析の
シミュレーションを行った解析結果を説明する。解析モ
デルは、二次元の静磁場であり、モデル形状としては、
エッチング溝１９に磁性体２１を完全に埋め込んだ埋め
込み型（図１に示す実施の形態１）と、エッチング溝１
９に沿って磁性体薄膜２３を形成した薄膜型（図３に示
す実施の形態２）と、シリコン基板１１の表面１３側の
ホール素子部１５の上部に磁性体膜２７を形成した積層
型（図４に示す実施の形態３）との３つの型である。そ
れぞれについて、その形状や磁性体の透磁率の相違によ
る磁界強度分布の変化について検討した。
【００５０】解析結果として、３つの型の基本的な磁界
強度分布は、裏面１７の溝底面２０からホール素子部１
５に向かうに従って磁界強度が急激に小さくなり、ま
た、磁界強度は溝底面２０の縁の周りでは大きく、溝底
面２０の中央部では小さくなっている。磁性体形状の相
違に対しては、エッチング溝１９の溝底面２０の幅が小
さいほど、集束される磁界強度は大きい。
強度分布は、裏面１７の溝底面２０からホール素子部１
５に向かうに従って磁界強度が急激に小さくなり、ま
た、磁界強度は溝底面２０の縁の周りでは大きく、溝底
面２０の中央部では小さくなっている。磁性体形状の相
違に対しては、エッチング溝１９の溝底面２０の幅が小
さいほど、集束される磁界強度は大きい。
【００５１】また、シリコン基板１１の厚みが３５０μ
ｍ〜４５０μｍの範囲では、エッチング溝１９の深さ
（磁性体台形の高さ）による影響は小さい。薄膜型では
磁性体薄膜２３の透磁率の影響が大きい。ホール素子部
１５の上部の磁性体膜２７により溝底面２０の中央部の
磁界強度が大きくなる。ホール素子部１５の上部の磁性
体膜２７の幅が広いほど、裏面１７の磁性体２１とのギ
ャップ部分の磁界強度が強くなるという解析結果を得
た。
ｍ〜４５０μｍの範囲では、エッチング溝１９の深さ
（磁性体台形の高さ）による影響は小さい。薄膜型では
磁性体薄膜２３の透磁率の影響が大きい。ホール素子部
１５の上部の磁性体膜２７により溝底面２０の中央部の
磁界強度が大きくなる。ホール素子部１５の上部の磁性
体膜２７の幅が広いほど、裏面１７の磁性体２１とのギ
ャップ部分の磁界強度が強くなるという解析結果を得
た。
【００５２】なお、本発明は前述した実施の形態１乃至
実施の形態４に限定されるものではなく、実施の形態１
乃至実施の形態４を組み合わせて用いても良い。例え
ば、図４に示す実施の形態３や図５に示す実施の形態４
において、磁性体２１に代えて、図３に示す実施の形態
２の磁性体薄膜２３を用いても良い。また、図４に示す
実施の形態３と図５に示す実施の形態４とを組み合わせ
てもよい。
実施の形態４に限定されるものではなく、実施の形態１
乃至実施の形態４を組み合わせて用いても良い。例え
ば、図４に示す実施の形態３や図５に示す実施の形態４
において、磁性体２１に代えて、図３に示す実施の形態
２の磁性体薄膜２３を用いても良い。また、図４に示す
実施の形態３と図５に示す実施の形態４とを組み合わせ
てもよい。
【００５３】また、実施の形態１乃至実施の形態４で
は、シリコン基板１１にシリコンウェハを用い、シリコ
ン異方性エッチングを行い、エッチング溝１９に磁性体
２１を配置し、シリコンウェハに鉛直方向の磁界を集束
させた。従って、シリコンウェハ上に形成でき、素子に
鉛直な方向に感度があるものであれば、シリコンホール
素子以外の磁電変換素子を用いても良い。
は、シリコン基板１１にシリコンウェハを用い、シリコ
ン異方性エッチングを行い、エッチング溝１９に磁性体
２１を配置し、シリコンウェハに鉛直方向の磁界を集束
させた。従って、シリコンウェハ上に形成でき、素子に
鉛直な方向に感度があるものであれば、シリコンホール
素子以外の磁電変換素子を用いても良い。
【００５４】さらに、実施の形態１乃至実施の形態４で
は、エッチング溝１９を台形形状としたが、台形形状に
限定されるものではなく、裏面からホール素子部１５に
向かうに従って小径となるテーパ状になっていれば良
い。従って、テーパ状の角形溝やテーパ状の円筒溝など
でも良い。
は、エッチング溝１９を台形形状としたが、台形形状に
限定されるものではなく、裏面からホール素子部１５に
向かうに従って小径となるテーパ状になっていれば良
い。従って、テーパ状の角形溝やテーパ状の円筒溝など
でも良い。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、外部磁界は溝部に埋め
込まれたテーパ状の磁性体により磁電変換素子部に集束
される。すなわち、磁電変換素子部の表面及び裏面に鉛
直方向の磁界を集束させるため、低磁場での磁電変換素
子の感度が向上する。また、ウェハ内に磁電変換素子部
を形成し、溝部に磁性体を埋め込むので、最初のウェハ
厚みからの大きな厚み増加がなく、小型化を図ることが
できる。また、磁性体の形成を含め、ウェハ上に沢山の
素子を一度に作成できるので、磁電変換素子の生産性が
向上する。
込まれたテーパ状の磁性体により磁電変換素子部に集束
される。すなわち、磁電変換素子部の表面及び裏面に鉛
直方向の磁界を集束させるため、低磁場での磁電変換素
子の感度が向上する。また、ウェハ内に磁電変換素子部
を形成し、溝部に磁性体を埋め込むので、最初のウェハ
厚みからの大きな厚み増加がなく、小型化を図ることが
できる。また、磁性体の形成を含め、ウェハ上に沢山の
素子を一度に作成できるので、磁電変換素子の生産性が
向上する。
【００５６】また、外部磁界はテーパ状の溝部の表面に
形成された磁性体薄膜により磁電変換素子部に集束され
るので、低磁場での磁電変換素子の感度が向上し、磁性
体を溝部に埋め込ませるよりも、磁性体薄膜を形成する
方が作製作業が容易であり、生産性がさらに向上する。
形成された磁性体薄膜により磁電変換素子部に集束され
るので、低磁場での磁電変換素子の感度が向上し、磁性
体を溝部に埋め込ませるよりも、磁性体薄膜を形成する
方が作製作業が容易であり、生産性がさらに向上する。
【００５７】また、絶縁膜を介して磁電変換素子部の上
部に磁性体膜を配置したので、磁性体と磁性体膜との相
乗効果によりより磁電変換素子部に、より多くの外部磁
界が集束するので、磁電変換素子の感度がさらに向上す
る。
部に磁性体膜を配置したので、磁性体と磁性体膜との相
乗効果によりより磁電変換素子部に、より多くの外部磁
界が集束するので、磁電変換素子の感度がさらに向上す
る。
【００５８】また、異方性エッチングを用いて溝部を台
形形状に形成するので、この溝部に埋め込まれた台形形
状の磁性体により外部磁界が磁電変換素子部に集束され
やすくなる。
形形状に形成するので、この溝部に埋め込まれた台形形
状の磁性体により外部磁界が磁電変換素子部に集束され
やすくなる。
【図１】本発明の磁電変換素子の実施の形態１の側面図
である。
である。
【図２】エッチング溝の詳細図である。
【図３】本発明の磁電変換素子の実施の形態２の側面図
である。
である。
【図４】本発明の磁電変換素子の実施の形態３の側面図
である。
である。
【図５】本発明の磁電変換素子の実施の形態４の側面図
である。
である。
【図６】（１００）面シリコンウェハのエッチング形状
を示す図である。
を示す図である。
【図７】（１００）面シリコンウェハのエッチング形状
断面図である。
断面図である。
【図８】従来の集磁体付きホール素子の一例を示す構成
図である。
図である。
【図９】従来の集磁体付きホール素子の他の例を示す構
成図である。
成図である。
１１ シリコン基板 １３ 表面 １５ ホール素子部 １７ 裏面 １９ エッチング溝 ２０ 溝底面 ２１ 磁性体 ２３ 磁性体薄膜 ２５ 絶縁膜 ２７ 磁性体膜 ２９ 酸化ケイ素（ＳｉＯ2） ４１，４３，４５ マスク窓 １０１ ホール素子本体 １０３ サブスレート １０５ リードフレーム １１１ トップジャッケット １１３ 接着剤 １２７ 集磁体
フロントページの続き (72)発明者 大澤 潤 愛知県愛知郡東郷町御岳１−19−８
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体素子からなるウェハと、 このウェハの表面側及び裏面側の一方の面側に形成され
且つ外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力する磁電
変換素子部と、 前記ウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電
変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素
子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から前記
磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ状に
形成された溝部と、 この溝部に埋め込まれ且つ前記外部磁界を前記磁電変換
素子部に集束させる磁性体と、を備えることを特徴とす
る磁電変換素子。 - 【請求項２】 半導体素子からなるウェハと、 このウェハの表面側及び裏面側の一方の面側に形成され
且つ外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力する磁電
変換素子部と、 前記ウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電
変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素
子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から前記
磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ状に
形成された溝部と、 この溝部の表面上に形成され且つ前記外部磁界を前記磁
電変換素子部に集束させる磁性体薄膜と、を備えること
を特徴とする磁電変換素子。 - 【請求項３】 さらに、前記ウェハの一方の面上に積層
された絶縁膜と、 この絶縁膜の上に積層され且つ前記磁電変換素子部に対
向する位置に配置された磁性体膜と、を備えることを特
徴とする請求項１記載の磁電変換素子。 - 【請求項４】 前記溝部は、異方性エッチングにより台
形溝に形成されてなることを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれか１項記載の磁電変換素子。 - 【請求項５】 半導体素子からなるウェハの表面側及び
裏面側の一方の面側に外部磁界の大きさに応じた電気信
号を出力する磁電変換素子部を形成する第１の工程と、 前記ウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電
変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素
子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から前記
磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ状の
溝部を形成する第２の工程と、 形成された溝部に前記外部磁界を前記磁電変換素子部に
集束させる磁性体を埋め込む第３の工程と、を含むこと
を特徴とする磁電変換素子の製造方法。 - 【請求項６】 半導体素子からなるウェハの表面側及び
裏面側の一方の面側に外部磁界の大きさに応じた電気信
号を出力する磁電変換素子部を形成する第１の工程と、 前記ウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電
変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素
子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から前記
磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ状の
溝部を形成する第２の工程と、 形成された溝部の表面上に前記外部磁界を前記磁電変換
素子部に集束させる磁性体薄膜を形成する第３の工程
と、を含むことを特徴とする磁電変換素子の製造方法。 - 【請求項７】 さらに、前記ウェハの一方の面上に絶縁
膜を積層する第４の工程と、 前記絶縁膜上の前記磁電変換素子部に対向する位置に磁
性体膜を積層する第５の工程と、を含むことを特徴とす
る請求項５記載の磁電変換素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記溝部を、異方性エッチングにより台
形溝に形成したことを特徴とする請求項５乃至請求項７
のいずれか１項記載の磁電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10063575A JPH11261131A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10063575A JPH11261131A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11261131A true JPH11261131A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13233204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10063575A Abandoned JPH11261131A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11261131A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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