JP2007263951A - 磁気センサ - Google Patents

Abstract

【課題】ベース基板両面のセンサ感度がともに高く、それぞれの感度特性が安定し、薄型の磁気センサの提供を図る。
【解決手段】磁気センサ３１は、磁電変換素子３と、磁電変換素子３を主面側に搭載するベース基板２と、磁性体部材１９と、磁電変換素子３を封止するモールド樹脂４と、を備える。磁性体部材１９は磁性体材料を含むベース基板２とともに集磁効果を高める。磁電変換素子３は、磁電変換素子基板３Ａと、磁電変換素子基板３Ａの一方の主面に形成した薄膜感磁部３Ｂと、を備える。磁電変換素子３のバンプ電極７は、ベース基板２の接続電極５にバンプ接合し、磁電変換素子３の薄膜感磁部３Ｂをベース基板２に対向させる。
【選択図】図６

Description

この発明は、磁気抵抗素子やホール素子などの磁電変換素子を利用して磁束変化を検出し、磁束の大きさに応じた電気信号を出力する磁気センサに関するものである。

磁束変化によって抵抗値が変化する磁気抵抗素子や、磁界によってホール電圧を発生するホール素子などの磁電変換素子を、ベース基板上に搭載するとともにモールド樹脂により封止した磁気センサが従来から知られており、ホール素子を用いた磁気センサが特許文献１に示されている。

ここで、特許文献１を参考にした従来の磁気センサの構成を図１に基づいて説明する。
図１に磁気センサ５１の断面を示す。磁気センサ５１はベース基板５２の主面側（図上側）に設けた銀ペースト５７上に磁電変換素子（ホール素子）５３を搭載し、この磁電変換素子５３をモールド樹脂５４でベース基板５２に対して樹脂封止して構成される。磁電変換素子５３は、磁電変換素子基板５３ＡであるＧａＡｓ基板に、ＧａＡｓ基板の活性層である薄膜感磁部５３Ｂを形成し、薄膜感磁部５３Ｂの両端部それぞれに接続電極５３Ｃを形成したものである。この磁電変換素子５３は、薄膜感磁部５３Ｂがベース基板５２および銀ペースト５７とは逆向きになるように、ベース基板５２の主面方向（図上方向）に向け載置される。また、磁電変換素子５３の接続電極５３Ｃはベース基板５２の接続電極５５に対してボンディングワイヤー５６によってワイヤーボンディングされる。さらに、その全体がモールド樹脂５４により樹脂封止される。
特開２０００−１６４９４９号公報

ところで、従来の磁気センサにおいては、磁電変換素子５３とベース基板５２との接着に銀ペースト５７など接着剤を用いていたために、薄膜感磁部５３Ｂのベース基板５２からの高さ寸法がばらつき、製品ごとの磁電変換素子の搭載精度、ひいては製品ごとの薄膜感磁部５３Ｂの感度特性が安定し難かった。

更には、ベース基板５２の裏面方向（図下方向）の薄膜感磁部５３Ｂの感度特性は、磁電変換素子基板５３Ａ、銀ペースト５７、ベース基板５２のそれぞれの透磁率や厚さに影響され、薄膜感磁部の主面方向に比べて裏面方向の感度が著しく小さくなり、両面ともに高い感度を必要とする用途に用いることができなかった。

また、モールド樹脂５４表面からの物理的な衝撃や変形によって薄膜感磁部５３Ｂやボンディングワイヤー５６に損傷が生じる問題もあり、薄膜感磁部５３Ｂやボンディングワイヤー５６を保護する必要からもモールド樹脂５４の主面方向（図上方向）の厚みに十分な余裕を持たせておく必要があった。したがって、パッケージサイズのさらなる低背化が困難であった。また、薄膜感磁部５３Ｂやボンディングワイヤー５６の保護の観点からモールド樹脂表面の研磨などの加工には制限があり、また、ボンディングワイヤー５６を接続するためのベース基板５２の接続電極５５を磁電変換素子５３の脇に配置する必要があり、そのため基板面積も大きなものであった。

また、銀ペースト５７やモールド樹脂５４の厚みが一様で無い場合、銀ペースト５７やモールド樹脂５４の硬化歪みが大きい場合などは、ベース基板５２の主面側および裏面側のセンサ感度が製品ごとに安定せず、モールド樹脂表面の研磨などの加工によっても感度特性を所定のものに設定できないことがあった。

そこで、この発明の目的は、上記問題を解決し、ベース基板両面のセンサ感度がともに高く、且つそれぞれの感度特性が安定した、低背な磁気センサを提供することにある。

上記課題を解決するためにこの発明は、磁束密度変化によって電気抵抗値が変化する、または磁界によってホール電圧が発生する薄膜感磁部を一方の主面に形成した磁電変換素子基板を備える磁電変換素子と、前記磁電変換素子を搭載するベース基板と、前記ベース基板との間で前記磁電変換素子を封止するモールド樹脂と、を備える磁気センサにおいて、前記磁電変換素子の前記薄膜感磁部を前記ベース基板に対向させた状態で、前記磁電変換素子の接続電極を前記ベース基板の接続電極にバンプ接合したことを特徴とする。

この構成によると、磁電変換素子の薄膜感磁部がベース基板に対向した状態で磁電変換素子とベース基板とがバンプ接合し、薄膜感磁部と接続電極とがパッケージの中央付近に配置されることになる。

したがってベース基板の裏面方向の感度特性がほとんどベース基板にのみ影響されることになり、ベース基板の裏面方向のセンサ感度を高めるとともに、主面方向と裏面方向のセンサ感度を略等しく設定できる。したがって、この磁気センサを両面ともに高いセンサ感度を必要とする用途に使用できる。

また、薄膜感磁部およびバンプ接合部分がパッケージの中央付近に配置されるのでモールド樹脂表面からの衝撃や変形によって、薄膜感磁部に物理的な損傷が生じることを抑制でき、接続の信頼性を高めることができる。モールド樹脂をきわめて薄くする、または、モールド樹脂を研磨することができ、磁気センサ全体を低背化できる。

また、この発明では前記ベース基板、前記モールド樹脂、および前記磁電変換素子基板のうち、少なくともひとつが磁性体材料を含むので、それぞれの部材を透過する磁束に対しての集磁効果が得られ、その部材が用いられる面側のセンサ感度をあげることができる。

また、この発明ではベース基板に設けた凹部に、該凹部の深さよりも薄い磁電変換素子基板を配した構成により、磁電変換素子基板をベース基板に埋設することができ磁気センサ全体をさらに低背化できる。

また、この発明では、磁電変換素子基板の薄膜感磁部の形成面とは反対の面に、磁性材料を含むまたは磁性体から成る、磁性部材を配置するとともに、当該磁性部材を薄膜感磁部の形成面に平行な断面で見たとき、薄膜感磁部に近い位置である程、断面積が小さくなるような形状としたことにより、薄膜感磁部を通る磁束密度が高まり、より高い磁電変換感度が得られる。

このように本発明によれば、ベース基板の主面方向および裏面方向の感度を略等しく設定することが可能になり、両面ともに高い感度を必要とする用途に用いることができ、また、モールド樹脂をきわめて薄くする、または、モールド樹脂を研磨することができる。また、パッケージ全体を低背化できる。

また、モールド樹脂表面からの衝撃や変形によって薄膜感磁部やボンディングワイヤーに物理的な損傷が生じる問題を解消でき、モールド樹脂表面からの衝撃や変形によって、薄膜感磁部に物理的な損傷が生じることがほとんど無く、接続の信頼性を高めることができるので、薄膜感磁部を保護してパッケージの信頼性や品質の安定性を高めることができる。

《第１の実施形態》
まず、第１の実施形態の磁気センサの構成について図２を基に説明する。以下の説明では、ベース基板２の接続電極５を設けた面を主面、外部電極６を設けた面を裏面という。
図２（Ａ）に磁気センサ１の断面を示す。磁気センサ１は、ベース基板２と、ベース基板２の主面側に載置される磁電変換素子３と、磁電変換素子３をベース基板２に樹脂封止するモールド樹脂４とにより構成される。

ベース基板２はフェライト粉を焼結成型した基板であり、一様な厚みを有する六面体形状である。ここではフェライトによりベース基板２の透磁率を高め、磁気センサ周辺の磁束をこの部位に集中させる集磁効果を得ている。このベース基板２には、主面側に、Ａｕ，Ｎｉなどからなる接続電極５を形成し、磁電変換素子３の接続用および電気信号取り出し用の電極として用いる。また、前記主面側に対する裏面側にも同様にＡｕ，Ｎｉなどからなる外部電極６を形成し、主面側の接続電極５とスルーホール（不図示）を介して電気的に接続している。この外部電極６は、磁気センサ１のパッケージの接続用および電気信号取り出し用の電極として用いる。

ここでベース基板２の接続電極５に磁電変換素子３を搭載する。なお、実際にはベース基板２には複数の磁電変換素子や他の電子部品を搭載するが、本実施形態においては、磁気センサ１の構成を簡略化し、ベース基板２上に単一の磁電変換素子３のみを配置した構成としている。

磁電変換素子３は、そのバンプ電極７が接続電極５にのるようにベース基板２上に搭載したものである。ベース基板２と磁電変換素子３との接続にバンプ接合を採用することにより、銀ペーストなどの接着剤によって磁電変換素子３をベース基板２に接着する工程を除くことができ、製造工程における工数を少なくしてコストダウンが可能になる。また、ボンディングワイヤーのように断線などの危険が無く接続の信頼性が向上する。

磁電変換素子３としては、ホール素子や磁気抵抗（ＭＲ）素子を用いることができるが、本実施形態ではＭＲ素子を用いた構成としている。このＭＲ素子である磁電変換素子３は、シリコン基板である磁電変換素子基板３Ａの一面に、真空蒸着法によりＩｎＳｂ薄膜である薄膜感磁部３Ｂを形成し、ＩｎＳｂ薄膜の一部を除去して、その除去部分にバンプ電極７を形成したものである。なお、ＩｎＳｂ薄膜のバンプ電極７を形成した部分以外には、保護膜としてポリイミド樹脂（不図示）を形成している。磁電変換素子基板３Ａは一様な厚みの六面体形状であり、ベース基板２よりも、その主面側面積を小さく設定されたものである。また、ベース基板への搭載前のバンプ電極７は図において破線の円内に示すボンディング層７Ａとコンタクト層７Ｂとバンプ７Ｃとから構成される。ボンディング層７Ａとコンタクト層７Ｂは磁電変換素子の取り出し電極であり、バンプ７Ｃはこの取り出し電極に熱または超音波などにより接合されたものである。ボンディング層７ＡはＡｕ，Ａｌ，Ｃｕなど、またはそれらの合金からなる。また、コンタクト層７ＢはＣｒ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔなど、またはそれらの合金からなる。またバンプ７ＣはＡｕ単体からなる。

バンプ接合時にはこのバンプ電極７をベース基板２の接続電極５に載置し、熱や超音波などによりその接触部分をさらに溶着させることで、磁電変換素子３とベース基板２とを電気的および機械的に接合する。このバンプ接合により、接合後のベース基板２と磁電変換素子３との間の隙間は数〜数十μｍになり接触しない状態で維持される。この隙間の寸法はバンプ高さにしたがって定まるが、製品ごとのばらつきは高々バンプ高さであり、バンプ高さと同様にばらつきも小さくできる。したがって磁電変換素子３の搭載精度が高まり、ひいては薄膜感磁部３Ｂの感度特性が安定する。
なお、本実施形態ではバンプ電極７として、バンプ７Ｃが１つの突出部で形成される例を示したが、複数の突出部が形成されたバンプや、他の形状のバンプを用いてもよい。

また、モールド樹脂４は、磁電変換素子３を覆うようにポッティングされることでベース基板２に磁電変換素子３を封止するものである。本実施形態ではモールド樹脂４としてフェライト粉を混合したエポキシ系の樹脂を用いる。ここではフェライト粉を混合することでモールド樹脂４の透磁率を高め、集磁効果を得ている。なお、エポキシ系の樹脂は硬化時の応力が小さく、硬化後の水分の透過が少ないために、磁電変換素子３のモールド樹脂として好適な素材である。このモールド樹脂により磁電変換素子を外気から遮断する。

本実施形態では、このモールド樹脂４の硬化後にモールド樹脂４の一部を研磨によって除くことで、図２（Ｂ）に示すように磁気センサ１全体をさらに低背化できる。また、研磨していない図２（Ａ）の状態で磁気センサ１をセットメーカに供給することで、セットメーカが磁気センサ１のパッケージ実装に際して、研磨によりパッケージ高さを自由に設定できる。

以上の構成により、磁電変換素子３とベース基板２とがバンプ接合し、ＩｎＳｂ薄膜の薄膜感磁部３Ｂとバンプ電極７とがベース基板２と磁電変換素子基板３Ａとの間に位置し、パッケージの中央付近に配置される。したがってバンプ接合により、薄膜感磁部３Ｂのベース基板２からの寸法が安定し、搭載精度が高まり、ひいては薄膜感磁部３Ｂの感度特性が安定する。

また、薄膜感磁部３Ｂがパッケージの中央付近に配置されることにより、ベース基板２の外部電極６が形成される裏面方向の感度特性は、ほとんどベース基板２の透磁率と厚さ精度にのみ影響されることになり、この裏面方向の感度特性を従来よりも高め、ベース基板２の主面方向および裏面方向のセンサ感度を略等しく設定することが可能になる。これにより、磁気センサ１を、両面ともに高いセンサ感度を必要とする用途に用いることができる。

また、薄膜感磁部３Ｂおよびバンプ電極７がパッケージの中央付近に配置されるために、モールド樹脂４表面からの衝撃や変形によっても薄膜感磁部３Ｂやバンプ電極７に物理的な損傷が生じることがほとんど無くなる。したがってモールド樹脂４の主面方向の厚みを低背化でき、従来よりもパッケージサイズを低背化できる。また、モールド樹脂４表面の研磨などの加工などを行っても、その振動や変形によって薄膜感磁部３Ｂやバンプ電極７が破損することを抑制でき、薄膜感磁部３Ｂやバンプ電極７を保護できる。

また、主面方向の感度特性はモールド樹脂４および磁電変換素子基板３Ａの透磁率と厚さ精度に影響されるが、磁電変換素子基板３Ａの厚みは一様で、またモールド樹脂の厚みも薄く一様にできるので、モールド樹脂４の硬化歪みの影響を殆んど受けることなく、この主面方向の感度特性を安定させることができる。また、裏面方向の感度特性はベース基板２の透磁率と厚さ精度に影響されるが、ベース基板２の厚みも一様にできるので、この裏面方向の感度特性も安定させることができる。

またベース基板２とモールド樹脂４が磁性体材料であるフェライトを含むものであるので、それぞれの部材を透過する磁束に対しての集磁効果が得られ、薄膜感磁部の各面側のセンサ感度をあげることができる。なお、本実施形態では、磁電変換素子基板３Ａを単なるシリコン基板として説明したが、これもフェライト粉を混合したコンポジット材などの素材であってもよい。また、ベース基板２や磁電変換素子基板３Ａがフェライトを焼結成型したものであってもよく、それ以外のいかなる素材であっても良い。これらが磁性体材料を含むものであると集磁効果の点で好ましい。

なお、磁電変換素子の薄膜感磁部３Ｂとベース基板２表面との間にモールド樹脂４が介在していても磁気センサとして正しく作用するが、その部分にモールド樹脂４が介在していない（充填していない）方が特性の安定性の面で好ましい。すなわち、薄膜感磁部３Ｂとベース基板２表面との間にモールド樹脂４が介在せず、応力フリーの間隙であることにより、薄膜感磁部にモールド樹脂による応力が掛からず、感度や抵抗値のばらつきが生じにくい。

《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態の磁気センサの構成について図３を基に説明する。
図３に示す磁気センサ２１においては、ベース基板１２に凹部１８を設け、この凹部の深さよりも薄い磁電変換素子基板１３Ａを凹部１８に配して埋設した点で第１の実施形態と異なる。

磁気センサ２１は、ベース基板１２と、ベース基板１２の主面側の凹部１８に載置される磁電変換素子１３と、磁電変換素子１３をベース基板１２に樹脂封止するモールド樹脂１４とにより構成される。

ベース基板１２はフェライト粉を焼結成型した基板であり、一様な厚みＤ１を有する六面体の中央に底面から裏面までの厚みＤ２を有する凹部１８を設けた形状である。なお、このベース基板１２の底面部分の厚みＤ２は一様で、底面には接続電極１５を形成している。ここでベース基板１２の接続電極１５に磁電変換素子１３を搭載する。この磁電変換素子１３は、磁気抵抗（ＭＲ）素子であり、一様な厚みＤ３の六面体形状である。ここでベース基板１２に設けた凹部１８の厚みＤ２と磁電変換素子１３の厚みＤ３との合計はベース基板１２の厚みＤ１よりも小さく、磁電変換素子１３をモールド樹脂１４によりベース基板１２の凹部１８に埋設するようにしている。

このモールド樹脂１４によって磁電変換素子１３を覆うように樹脂充填し、このモールド樹脂１４の硬化後にモールド樹脂１４表面を研磨によって除き、磁気センサ２１全体を低背化し、略ベース基板厚の磁気センサ２１を構成している。

以上のような構成により、磁気センサを低背化するとともに、ベース基板の主面方向および裏面方向の感度を略等しく設定することが可能になり、両面ともに高い感度を必要とする用途に用いることができる。また、衝撃や変形による薄膜感磁部やボンディングワイヤーの物理的な損傷を抑制し、薄膜感磁部を保護してパッケージの信頼性や品質の安定性を高めることができる。

なお、本実施形態では、磁電変換素子全体が完全にベース基板の凹部に埋設される構成を示したが、ここで示した形態に限らず、例えば磁電変換素子の主面側が凹部から突出するような構成など、他の形態でも同様の作用効果を奏することができる。

《第３の実施形態》
次に、第３の実施形態の磁気センサの構成について図４〜図６を基に説明する。
この第３の実施形態は磁性体部材を付加して磁気検出感度をより高めたものである。

図４（Ａ）は、上記磁性体部材を備えた磁気センサの断面図である。この磁気センサは、ベース基板２と、ベース基板２の主面側に載置される磁電変換素子３と、この磁電変換素子３の上部に配置される磁性体部材９と、この磁性体部材９および磁電変換素子３をベース基板２に樹脂封止するモールド樹脂４とにより構成される。

上記磁性体部材９は例えばフェライトやフェライト粉を混合した樹脂材料からなり、図４（Ａ）の例では平板状をなしている。この磁性体部材９以外の構造は第１の実施形態で図２に示したものと同様である。

図４（Ｂ）（Ｃ）は図４（Ａ）に示したものとは異なる他の磁性体部材の形状の例であり、（Ｂ）は断面円弧型、（Ｃ）は断面Ｖ字型の三角柱形状をなしている。このように磁性体部材９の有無・形状によって、薄膜感磁部での磁束密度が異なる。この結果を次に示す。

先ず、図４（Ａ）各部の寸法は次のとおりである。
〔磁石〕
２×０．５ｍｍ
表面磁束密度５００ｍＴ
〔磁気センサ各部の寸法〕
ｗ０：０．７ｍｍ
ｗ１：１．４ｍｍ
ｗ２：１．１ｍｍ
ｈ１：０．３ｍｍ
ｈ２：０．１ｍｍ
〔磁石ＭＡＧと磁気センサ表面との間隔〕
Ｌ：０．３ｍｍ
〔磁性体部材９〕
比透磁率：１０００
〔ベース基板２〕
比透磁率：１０００
各試料の構成は次のとおりである。
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
〈試料〉 〈磁性体部材〉 〈ベース基板〉
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
（１） 無し 磁性無し
（２） 平板状 磁性有り
（３） 断面円弧型 磁性有り
（４） 断面Ｖ字型 磁性有り
（５） 無し 磁性有り
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

図５は上記（１）〜（５）の試料についての薄膜感磁部の中心点での磁束密度を算出した結果である。

このように磁性体部材９を付加することによって薄膜感磁部への集磁効果が更に高まることがわかる。また、磁性を有するベース基板２を用いることによっても薄膜感磁部への集磁効果が高まる。そのため、磁性体部材９を付加することによって、さらには磁性体のベース基板２を用いることによって磁気検出感度が２倍近くまで高まる。

また、図４（Ｂ）（Ｃ）に示したように、磁性体部材９は、下方に凸形状または先細り形状とすることにより、この磁性体部材９の図における上面位置より下面位置で磁束密度が高まる。そのため磁気センサ３の下方すなわち薄膜感磁部３Ｂへ磁束がより集中することになる。逆に磁性体部材を、上方に凸形状または先細り形状とすれば、その磁性体の上方に磁束が集中することになり、磁気センサ３の薄膜感磁部３Ｂへの集磁効果があまり得られない。

なお、この例ではモールド樹脂４は非磁性体である。モールド樹脂４と磁性体部材９との比透磁率が大きく異なる場合に、磁性体部材の形状による特性差が顕著となる。

図６は、図４（Ｂ）に示した磁性体部材を用いた磁気センサの具体的な構成例である。
図６（Ａ）に示すように、磁気センサ３１は、ベース基板２と、ベース基板２の主面側に載置される磁電変換素子３と、この磁電変換素子３の上部に配置される磁性体部材１９と、この磁性体部材１９および磁電変換素子３をベース基板２に樹脂封止するモールド樹脂４と、により構成される。磁性体部材１９の部分以外は第１の実施形態で示したものと同様である。

図６（Ｂ）は、磁性体部材による集磁効果の概念を示す図である。磁性体部材１９が磁電変換素子基板３Ａの、薄膜感磁部の形成面とは反対面に配置したことにより、磁性体部材１９はそこを通る磁束Ｂを集磁するので、薄膜感磁部を通る磁束の密度が高まる。特に樹脂モールド側に存在する被検出物体の磁気検出感度を高めることができる。

また、磁性体部材１９を、薄膜感磁部の形成面に平行な断面で見たとき、薄膜感磁部に近い位置である程、断面積が小さくなる形状とすることにより、薄膜感磁部３Ｂのうち、磁電変換に最も寄与する中央部の磁束密度が高まり、磁気検出感度が高まる。

なお、磁性体部材１９は中心軸に平行な面で切断した円柱の部分形状またはその近似形状であってもよいが、球体の部分形状またはその近似形状であってもよい。このように磁性体部材１９を回転対称形とすれば、磁気センサの厚み方向の軸を中心とする回転方向の磁気検出感度特性を均一にすることができる。

《第４の実施形態》
次に、第４の実施形態の磁気センサの構成について図７を基に説明する。
この第４の実施形態は第３の実施形態と同じく磁性体部材を備えているが、その配置構造が異なるものである。

図７において、磁性体部材２９は図４（Ｃ）に示したものと同様の断面Ｖ字形状の磁性体からなる。磁電変換素子基板３Ａの薄膜感磁部形成面とは反対面（上面）には、磁性体部材２９を嵌め込む断面Ｖ字形状の溝を形成していて、その溝に磁性体部材２９を嵌め込んだ状態で樹脂モールドしている。その他の構成は第３の実施形態の場合と同様である。

このように、磁電変換素子基板３Ａの薄膜感磁部形成面とは反対面に磁性体部材を嵌め込む溝を形成することによって、薄膜感磁部に対する磁性体部材の位置精度が高めるとともに樹脂モールドが容易になる。また、薄膜感磁部と磁性体部材との間隔が狭まるので、その分、磁性体部材２９の集磁効果による感度向上効果が高まる。

なお、磁性体部材２９は柱状のプリズム型であってもよいが、四角錐形状、円錐形状またはそれらの近似形状であってもよい。このように磁性体部材２９を回転対称形とすれば、磁気センサの厚み方向の軸を中心とする回転方向の磁気検出感度特性を均一にすることができる。

また、第３・第４の実施形態で示した磁性体部材を第２の実施形態で示した図３の構造に適用することもでき、同様の作用効果を奏する。

また、以上に示した各実施形態では、磁電変換素子としてＭＲ素子を用いて説明したが、ホール素子であっても同様な作用効果を奏する。

従来の磁気センサの構成を示す図である。 第１の実施形態に係る磁気センサの構成を示す図である。 第２の実施形態に係る磁気センサの構成を示す図である。 第３の実施形態に係る磁気センサの構成を示す図である。 第３の実施形態に係る磁気センサの特性向上効果を示す図である。 第３の実施形態に係る磁気センサの具体的な構成例を示す図である。 第４の実施形態に係る磁気センサの構成を示す図である。

符号の説明

１，２１，３１，４１，５１−磁気センサ
２，１２，５２−ベース基板
３，１３，５３−磁電変換素子
３Ａ，１３Ａ，５３Ａ−磁電変換素子基板
３Ｂ，１３Ｂ，５３Ｂ−薄膜感磁部
４，１４，５４−モールド樹脂
５，１５，５３Ｃ，５５−接続電極
６，１６−外部電極
７，１７−バンプ電極
７Ａ−ボンディング層
７Ｂ−コンタクト層
７Ｃ−バンプ
９，１９，２９−磁性材部材
１８−凹部
５６−ボンディングワイヤー
５７−銀ペースト
ＭＡＧ−磁石

Claims (4)

1. 磁束密度変化によって電気抵抗値が変化する、または磁界によってホール電圧が発生する薄膜感磁部を一方の主面に形成した磁電変換素子基板を備える磁電変換素子と、前記磁電変換素子を搭載するベース基板と、前記ベース基板との間で前記磁電変換素子を封止するモールド樹脂と、を備える磁気センサにおいて、
   前記磁電変換素子の前記薄膜感磁部を前記ベース基板に対向させた状態で、前記磁電変換素子の接続電極を前記ベース基板の接続電極にバンプ接合したことを特徴とする磁気センサ。
2. 前記ベース基板、前記モールド樹脂、および前記磁電変換素子基板のうち、少なくともひとつが磁性体材料を含む請求項１に記載の磁気センサ。
3. 前記ベース基板に設けた凹部に、該凹部の深さよりも薄い前記磁電変換素子基板を配した請求項１または２に記載の磁気センサ。
4. 前記磁電変換素子基板の前記薄膜感磁部の形成面とは反対の面に、磁性材料を含むまたは磁性体から成る、磁性部材を配置するとともに、当該磁性部材を前記薄膜感磁部の形成面に平行な断面で見たとき、前記薄膜感磁部に近い位置である程、断面積が小さくなる形状とした請求項１、２または３に記載の磁気センサ。

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