JP4393323B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ Download PDF

Info

Publication number
JP4393323B2
JP4393323B2 JP2004269923A JP2004269923A JP4393323B2 JP 4393323 B2 JP4393323 B2 JP 4393323B2 JP 2004269923 A JP2004269923 A JP 2004269923A JP 2004269923 A JP2004269923 A JP 2004269923A JP 4393323 B2 JP4393323 B2 JP 4393323B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer case
pressure sensor
semiconductor pressure
chip
conductive member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004269923A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006084339A (ja
Inventor
康夫 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Finetech Miyota Co Ltd
Original Assignee
Citizen Finetech Miyota Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Finetech Miyota Co Ltd filed Critical Citizen Finetech Miyota Co Ltd
Priority to JP2004269923A priority Critical patent/JP4393323B2/ja
Publication of JP2006084339A publication Critical patent/JP2006084339A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4393323B2 publication Critical patent/JP4393323B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

本発明は半導体圧力センサに関するものである。
従来、腕時計や家電製品、さらには自動車、航空機等に至る幅広い分野において用いられる圧力センサがある。その一種としてシリコン結晶板の上面にピエゾ抵抗を形成し、これらのピエゾ抵抗を感圧部として圧力を検出する半導体圧力センサがある。この半導体圧力センサは、半導体製造プロセス技術をそのまま転用することができるため製造が容易で、構造が簡素にできるという利点がある。また、電圧感度が極めて大きく、簡単に増幅可能であるため精度の良い圧力センサが得られることから様々な分野で広く用いられている。
図3は従来の半導体圧力センサを示す斜視図で、図4は図3の対角断面図である。3はシリコン結晶基板からなる半導体圧力センサチップである(以下単にチップという)。該チップ3は受圧面を上面にし、外ケース11の底部所定位置に図示しない接着材により固定されている。2a、2b、2c、2dは金属ピンで、外ケース11を貫通する形態で埋設されており、前記外ケース11内部に位置する前記金属ピン2a、2b、2c、2dの端部と前記チップ3上に設けられたボンディングパッド6は、ボンディングワイヤー4によりそれぞれ接続されている。ガラス接着材15は金属ピン2a、2b、2c、2dを接着固定するものである。前記外ケース11の外周方向に突出する前記金属ピン2a、2b、2c、2dの端部は、図示しない回路基板と接続される構成である。
外ケース11は、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、PPO(ポリフェニレンオキサイド)、PBT(ポリブチレンテレフタレート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)等の樹脂を射出成形して形成したものやセラミックから成るものが好適に用いられている。
外ケース11内部には図示しないゲル状ポッティング樹脂が、チップ3の受圧面及びボンディングワイヤー4を覆うように充填され半導体圧力センサが構成される。該構成により、前記ゲル状ポッティング樹脂を介してチップ3に圧力が加わると、その圧力に応じてピエゾ抵抗の抵抗値が変化し、この抵抗値に基づき圧力が測定される(例えば、特許文献1参照)。
特開平5−40068号公報
従来技術による半導体圧力センサでは、実装条件または固定方法により半導体圧力センサの外ケース外部側面に外力を受けた場合、外ケース側面の歪みに伴い、内部保護部材であるゲル状のポッティング樹脂が歪み、半導体圧力センサチップまで外力は影響し、やがては受圧面(検知部)に悪影響を及ぼすこととなる。この結果、正確な圧力が検知できなくなってしまうといった不具合が発生する。特に外ケースが角形であった場合は、その辺に相当する部分はコーナー部に比べ外力に対する強度が劣るために上記の不具合は特に顕著である。半導体圧力センサチップにおいてもそれ自体が矩形状のため、その辺に相当する部分は角部に比べ外力に対する強度が劣る。従来技術による半導体圧力センサは、前記の外力に対する強度が劣る部分同士の位置関係、つまり、外力に弱い外ケースの辺部と、外力に弱い半導体圧力センサチップの辺部とが対向した位置関係となっているため、外力を受けた場合、ポッティング樹脂の歪みが半導体圧力センサチップに伝わり、受圧面(検知部)に悪影響を及ぼすことがあった。
本発明は、外ケース外部側面方向からの外力が加わっても、その影響を受けることのない高精度な半導体圧力センサを提供することにある。
一端面を開口とする断面が凹形状に形成された角形器状外ケースと、
前記外ケースを貫通してなる導電部材と、圧力を検知して検知レベルに応じた電気信号を発生する矩形状の半導体圧力センサチップと、前記半導体圧力センサチップと前記導電部材とを導通させるワイヤーとを備え、前記半導体圧力センサチップの受圧面と前記外ケースの開口とが一致する向きにて前記半導体圧力センサチップを前記外ケース内部に搭載し、前記外ケース内に保護部材を充填してなる半導体圧力センサにおいて、前記導電部材が前記外ケースの辺の中央部に対向する位置に、前記外ケースの内壁部に接触した状態で埋設されて成る半導体圧力センサとする。
前記導電部材が、前記外ケースの辺の中央部に対向する位置であって、且つ、前記半導体圧力センサチップの辺の中央部と対向する位置に埋設されている半導体圧力センサとする。
本発明による半導体圧力センサでは、導電部材を外力に弱い前記外ケースの辺の中央部に対向する位置に、前記外ケースの内壁部に接触した状態で埋設したので、半導体圧力センサの角形器状外ケース外部側面に外力を受けた場合で、外ケースの辺に相当する部分に外力が加わったとしても、前記導電部材が外力に対する補強機能として働くので、これにより外力に対する強度が従来構成と比べて増すこととなる。よって、半導体圧力センサ受圧面(検知部)への悪影響を軽減できる。
一端面を開口とする断面が凹形状に形成された角形器状外ケースと、前記外ケースを貫通してなる導電部材と、圧力を検知して検知レベルに応じた電気信号を発生する矩形状の半導体圧力センサチップと、前記半導体圧力センサチップと前記導電部材とを導通させるワイヤーとを備え、前記半導体圧力センサチップの受圧面と前記外ケースの開口とが一致する向きにて前記半導体圧力センサチップを前記外ケース内部に搭載し、前記外ケース内に保護部材を充填してなる半導体圧力センサにおいて、前記導電部材を前記外ケースの辺の中央部に対向する位置に該外ケースの内壁に接触した状態で埋設し、外ケースの外力に弱い辺部を補強することで外圧による誤検出を生じない半導体圧センサを得る。
以下、本発明の具体的実施例を図に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明による半導体圧力センサの概略斜視図で、図2は図1の断面図である。
図1において、21はセラミック製の角形器状の外ケースで、該外ケースの角形状の辺に相当する部分に対向して角柱状金属導電部材22aから22dが配置されている。また、前記角柱状金属導電部材22aから22dはそれぞれ前記外ケースの内壁部に接触した状態で埋設されている。該構成により、外ケース21の外部側面からの外力に対する強度を向上させており、半導体圧力センサチップ3(以下単にチップという)への悪影響を軽減させる構造としている。また、外ケース21の底面部を貫通した形態で角柱状金属導電部材22aから22dはガラス接着(図2で説明)により配置固定している。この角柱状金属導電部材22aから22dの上端面は、ボンディングワイヤー4が接続され、外ケース1の外部とチップ3が導通となる。ボンディングワイヤー4には金線が利用されているため、その接続強度を得るために角柱状金属導電部材22aから22dの少なくとも上端面(ボンディングワイヤー4を接続する面)は金メッキにて表面処理されている。さらに、角形器状の外ケース1のおおむね中央部にチップ3が、接着材により固定配置されている(接着剤は不図示)。該チップ3の辺の中央部外側に前記導電部材22aから22dが配置される構成である。
前記導電部材22aから22dは外ケース21との関係において、該外ケース21の角形状の辺に相当する部分(4ヶ所)のほぼ中央部に対向して配置されている。さらに、チップ3との関係においてもチップ3の辺に相当する部分(4ヶ所)のほぼ中央部に対向して埋設するのが最も効果的である。また、前記導電部材22aから22dは前記外ケース21の内壁部に接触若しくは埋め込むようにして配置することで補強効果がさらに向上する。また、前記チップ3はその角部を前記導電部材22aから22dに対向して配置しても良い。このように、角形器状の外ケース1の内部構造が各種所定配置された後、一般的手法であるゲル状のポッティング樹脂(不図示)を充填して半導体圧力センサが完成となる。
図2は、外ケース21の外側面および底面部とほぼ同一面と成るように配置された角柱状金属導電部材22aから22dを、ガラス接着25により固定する。ここで、チップ3が接着固定される所定位置にガラス接着材25が流れ込むことは好ましくないので、図2に示すように、チップ3の所定位置をガラス接着材25が固定しようとしている面より高くしている。また、この形状に限らず前述のチップ3が接着固定される所定位置にガラス接着材25が流れ込むことを防止する形状であればこれに限定されるものではない。さらに、チップ3の上端面に位置するボンディングパッド6の高さと、角柱状金属導電部材22aから22dの上端面はおおむね一致しており、ボンディングワイヤー4の接続が容易になるよう構成している。加えて、ボンディングワイヤー4のループ高さよりやや高い位置まで外ケース1の側壁(全周にわたり)を設けることで、ポッティング樹脂(不図示)でボンディングワイヤー4を保護出来るまで充填しても、ポッティング樹脂が外ケース1の外へ流れ出ることが無い。
前記のごとく、本発明を実施するための形態を説明したが、セラミック製の角形器状の外ケース1は絶縁部材であれば良く樹脂材でも可能であり、角柱状金属導電部材22aから22dを固定する手段は、ガラス接着のみ成らずエポキシ接着等々が可能である。また、ボンディングワイヤー4はアルミ線でも可能で、アルミ線の場合の接続方法により角柱状金属導電部材22aから22dの少なくとも上端面(ボンディングワイヤー4を接続する面)の金メッキが不要となることは一般的である。このように、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を実施し得るのはもちろんである。
本発明による半導体圧力センサの概略斜視図。(実施例1) 本発明による半導体圧力センサの断面図。(実施例1) 従来技術による半導体圧力センサの概略斜視図。 従来技術による半導体圧力センサの対角の断面図。
符号の説明
1 外ケース
2a 金属ピン
2b 金属ピン
2c 金属ピン
2d 金属ピン
3 半導体圧力センサチップ
4 ボンディングワイヤー
5 ガラス接着材
6 ボンディングパッド
21 外ケース
22a 角柱状金属導電部材
22b 角柱状金属導電部材
22c 角柱状金属導電部材
22d 角柱状金属導電部材
25 ガラス接着材

Claims (2)

  1. 一端面を開口とする断面が凹形状に形成された角形器状外ケースと、
    前記外ケースを貫通してなる導電部材と、
    圧力を検知して検知レベルに応じた電気信号を発生する矩形状の半導体圧力センサチップと、
    前記半導体圧力センサチップと前記導電部材とを導通させるワイヤーとを備え、
    前記半導体圧力センサチップの受圧面と前記外ケースの開口とが一致する向きにて前記半導体圧力センサチップを前記外ケース内部に搭載し、前記外ケース内に保護部材を充填してなる半導体圧力センサにおいて、
    前記導電部材が前記外ケースの辺の中央部に対向する位置に、前記外ケースの内壁部に接触した状態で埋設されて成ることを特徴とする半導体圧力センサ。
  2. 前記導電部材が、前記外ケースの辺の中央部に対向する位置であって、且つ、前記半導体圧力センサチップの辺の中央部と対向する位置に埋設されていることを特徴とする請求項1記載の半導体圧力センサ。
JP2004269923A 2004-09-16 2004-09-16 半導体圧力センサ Expired - Fee Related JP4393323B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004269923A JP4393323B2 (ja) 2004-09-16 2004-09-16 半導体圧力センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004269923A JP4393323B2 (ja) 2004-09-16 2004-09-16 半導体圧力センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006084339A JP2006084339A (ja) 2006-03-30
JP4393323B2 true JP4393323B2 (ja) 2010-01-06

Family

ID=36162963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004269923A Expired - Fee Related JP4393323B2 (ja) 2004-09-16 2004-09-16 半導体圧力センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4393323B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7251509B2 (ja) * 2020-03-31 2023-04-04 株式会社デンソー 蒸発燃料漏れ検査装置の圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006084339A (ja) 2006-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7855546B2 (en) Current sensor having core with magnetic gap
JP4548066B2 (ja) 圧力センサ
KR20050059273A (ko) 센서장치
US20150137281A1 (en) Physical quantity measurement sensor
KR100697404B1 (ko) 물리량 검출 장치 및 물리량 검출 수단 저장 케이스
US10692917B2 (en) Sensor package structure
JP2014048072A (ja) 圧力センサモジュール
JP3915605B2 (ja) 圧力センサ装置
JP2007263951A (ja) 磁気センサ
JP4393323B2 (ja) 半導体圧力センサ
US20070277607A1 (en) Semiconductor acceleration sensor
US10732057B2 (en) Low cost overmolded leadframe force sensor with multiple mounting positions
JP3438879B2 (ja) 圧力検出装置
US20120206888A1 (en) Sensor arrangement and chip comprising additional fixing pins
JP4393322B2 (ja) 半導体圧力センサ
US20200399118A1 (en) Electronic device
JP4168813B2 (ja) 圧力センサ装置
JP4304482B2 (ja) 圧力センサ
JP2006084337A (ja) 半導体圧力センサ
JP2008082903A (ja) センサモジュール
JP2007192790A (ja) 半導体圧力センサ
JPH08226861A (ja) 圧力センサ並びにその実装構造
JP4218558B2 (ja) 圧力センサ
JP4019966B2 (ja) 圧力センサ装置
JPH11211599A (ja) 圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091002

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091007

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091013

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees