JPH1022545A - 磁電変換装置 - Google Patents
磁電変換装置Info
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- JPH1022545A JPH1022545A JP8191414A JP19141496A JPH1022545A JP H1022545 A JPH1022545 A JP H1022545A JP 8191414 A JP8191414 A JP 8191414A JP 19141496 A JP19141496 A JP 19141496A JP H1022545 A JPH1022545 A JP H1022545A
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- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 claims abstract description 74
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 36
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄型化を図ると共に、磁気増幅効果を目的と
した磁性部材の取付位置精度を向上して安定した特性を
得る。 【解決手段】 ホール効果素子10を挟むようにして磁
性部材18と磁性体チップ12とを配置し、磁性体チッ
プ12による磁界に加えて磁性部材18による磁界をホ
ール効果素子10に印加して、高い出力電圧を得て所望
の高感度磁電変換装置を得る一方で、ホール効果素子1
0の電極部10cと基台13の導電性接続部14aとを
対面接続すると共にこの基台13内に磁性部材18を配
設し、従来技術の支持体に相当する厚さ分をなくすと共
に支持体を覆うような封止構造を不要にし、高さ方向を
短くし得るように構成し、且つホール効果素子10の感
磁部に対応する位置に形成された収納部13aに磁性部
材18を配設し、ホール効果素子10に対する磁性部材
18の位置精度が良好となるように構成してなるもの。
した磁性部材の取付位置精度を向上して安定した特性を
得る。 【解決手段】 ホール効果素子10を挟むようにして磁
性部材18と磁性体チップ12とを配置し、磁性体チッ
プ12による磁界に加えて磁性部材18による磁界をホ
ール効果素子10に印加して、高い出力電圧を得て所望
の高感度磁電変換装置を得る一方で、ホール効果素子1
0の電極部10cと基台13の導電性接続部14aとを
対面接続すると共にこの基台13内に磁性部材18を配
設し、従来技術の支持体に相当する厚さ分をなくすと共
に支持体を覆うような封止構造を不要にし、高さ方向を
短くし得るように構成し、且つホール効果素子10の感
磁部に対応する位置に形成された収納部13aに磁性部
材18を配設し、ホール効果素子10に対する磁性部材
18の位置精度が良好となるように構成してなるもの。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁電変換装置に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばブラシレスモータ等の磁気
センサとして、例えばホール効果素子等を用いた磁電変
換装置が採用されている。この磁電変換装置にあって、
高い出力電圧を得るには、強い磁界をホール効果素子に
印加して磁気増幅を行う必要があり、このような所謂高
感度磁電変換装置(高感度ホール効果素子)の提案が、
例えば特開平4−329682号公報、特開平4−22
9670号公報等になされている。
センサとして、例えばホール効果素子等を用いた磁電変
換装置が採用されている。この磁電変換装置にあって、
高い出力電圧を得るには、強い磁界をホール効果素子に
印加して磁気増幅を行う必要があり、このような所謂高
感度磁電変換装置(高感度ホール効果素子)の提案が、
例えば特開平4−329682号公報、特開平4−22
9670号公報等になされている。
【0003】図8は、特開平4−329682号公報に
記載の装置を表したものである。同図において、符号1
は支持体を示しており、この支持体1上には、例えばフ
ェライト等よりなる磁性体チップ(軟磁性体)2が接着
剤3により接着され、この磁性体チップ2上には、ホー
ル効果素子4が接着剤5により接着されている。このホ
ール効果素子4は、感磁部及びこの感磁部に連設される
4箇所の電極部を有している。この電極部にはワイヤ6
の一端がそれぞれボンディングされており、このワイヤ
6の他端は上記支持体1上の所定箇所にそれぞれボンデ
ィングされている。上記支持体1、ワイヤ6、磁性体チ
ップ2、ホール効果素子4等は、例えば樹脂等のパッケ
ージ(封止剤)7により封止されており、このパッケー
ジ7の上記ホール効果素子4に対向する位置に、磁性体
挿入孔が設けられ、この磁性体挿入孔に、磁気増幅のた
めの磁性部材9が挿入固定されている。
記載の装置を表したものである。同図において、符号1
は支持体を示しており、この支持体1上には、例えばフ
ェライト等よりなる磁性体チップ(軟磁性体)2が接着
剤3により接着され、この磁性体チップ2上には、ホー
ル効果素子4が接着剤5により接着されている。このホ
ール効果素子4は、感磁部及びこの感磁部に連設される
4箇所の電極部を有している。この電極部にはワイヤ6
の一端がそれぞれボンディングされており、このワイヤ
6の他端は上記支持体1上の所定箇所にそれぞれボンデ
ィングされている。上記支持体1、ワイヤ6、磁性体チ
ップ2、ホール効果素子4等は、例えば樹脂等のパッケ
ージ(封止剤)7により封止されており、このパッケー
ジ7の上記ホール効果素子4に対向する位置に、磁性体
挿入孔が設けられ、この磁性体挿入孔に、磁気増幅のた
めの磁性部材9が挿入固定されている。
【0004】すなわち、高感度磁電変換装置では、図8
に示されるように、ホール効果素子4を挟むようにして
磁性体チップ(軟磁性体)2と磁性部材9とを配置し、
磁性体チップ2による磁界に加えて磁性部材9による磁
界もホール効果素子4に印加することによって、高い出
力電圧(ホール電圧)を得る構成になされている。
に示されるように、ホール効果素子4を挟むようにして
磁性体チップ(軟磁性体)2と磁性部材9とを配置し、
磁性体チップ2による磁界に加えて磁性部材9による磁
界もホール効果素子4に印加することによって、高い出
力電圧(ホール電圧)を得る構成になされている。
【0005】また、特開平4−229670号公報記載
の装置では、ホール効果素子4の感磁部上にパッシベー
ション膜を介して磁性部材9を積層し、ホール効果素子
4と磁性部材9とをさらに接近させて、より高感度とし
得る構成になされている。
の装置では、ホール効果素子4の感磁部上にパッシベー
ション膜を介して磁性部材9を積層し、ホール効果素子
4と磁性部材9とをさらに接近させて、より高感度とし
得る構成になされている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記磁
電変換装置においては、以下の問題がある。すなわち、
ホール効果素子4の電極部をワイヤ6により支持体1に
接続する構成を採用していると共に、支持体1、磁性体
チップ2、ホール効果素子4、磁性部材9等高さ方向に
積み上げる部品が多く、且つ支持体1を覆うようにして
磁性体チップ2、ホール効果素子4、ワイヤ6等をパッ
ケージする構成を採用しているため、高さ方向(図示上
下方向)が厚くなり、薄型化を図れないといった問題が
あった。
電変換装置においては、以下の問題がある。すなわち、
ホール効果素子4の電極部をワイヤ6により支持体1に
接続する構成を採用していると共に、支持体1、磁性体
チップ2、ホール効果素子4、磁性部材9等高さ方向に
積み上げる部品が多く、且つ支持体1を覆うようにして
磁性体チップ2、ホール効果素子4、ワイヤ6等をパッ
ケージする構成を採用しているため、高さ方向(図示上
下方向)が厚くなり、薄型化を図れないといった問題が
あった。
【0007】また、磁性部材9の大きさ、形状等によっ
ては、当該磁性部材9とワイヤ6とが干渉する畏れがあ
るといった問題がある。
ては、当該磁性部材9とワイヤ6とが干渉する畏れがあ
るといった問題がある。
【0008】また、特開平4−329682号公報記載
の装置のように、パッケージ7に磁性部材9を設ける構
成では、ホール効果素子4との位置精度が得られず、特
性が悪化するといった問題がある。
の装置のように、パッケージ7に磁性部材9を設ける構
成では、ホール効果素子4との位置精度が得られず、特
性が悪化するといった問題がある。
【0009】また、特開平4−229670号公報記載
の装置では、フォトリソ、ダイシング等の工程により成
形を行っているため、工程が複雑となり、簡易に製造で
きないといった問題がある。
の装置では、フォトリソ、ダイシング等の工程により成
形を行っているため、工程が複雑となり、簡易に製造で
きないといった問題がある。
【0010】また、上記磁電変換装置においては、磁気
バイアスの関係から、被検出体としての例えば駆動マグ
ネットに対して図示下側が対向するように配置されて、
支持体1のリード1aを折り曲げて外部回路基板8に対
して接続を行う構成となるため、さらに薄型化を図れな
いといった問題がある。
バイアスの関係から、被検出体としての例えば駆動マグ
ネットに対して図示下側が対向するように配置されて、
支持体1のリード1aを折り曲げて外部回路基板8に対
して接続を行う構成となるため、さらに薄型化を図れな
いといった問題がある。
【0011】そこで本発明は、薄型化を図れると共に、
磁性部材の大きさに関係なく電気的接続を行うことがで
き、しかも磁気増幅効果を目的とした磁性部材の取付位
置精度を向上できて安定した特性を得ることができ、そ
の上簡易に製造することができる磁電変換装置を提供す
ることを目的とする。
磁性部材の大きさに関係なく電気的接続を行うことがで
き、しかも磁気増幅効果を目的とした磁性部材の取付位
置精度を向上できて安定した特性を得ることができ、そ
の上簡易に製造することができる磁電変換装置を提供す
ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の磁電変換装置は、磁性体チップと、この
磁性体チップに絶縁層を介して形成され感磁部及び電極
部を有するホール効果素子と、このホール効果素子の感
磁部に対応する位置に形成された収納部を有すると共に
表面に導電性接続部を有する基台と、この基台の収納部
に配設された磁性部材と、を備え、前記ホール効果素子
の電極部が設けられた面と前記基台の導電性接続部が設
けられた面とを対向させて、前記電極部と前記導電性接
続部とを対面接続してなる。
に、請求項1の磁電変換装置は、磁性体チップと、この
磁性体チップに絶縁層を介して形成され感磁部及び電極
部を有するホール効果素子と、このホール効果素子の感
磁部に対応する位置に形成された収納部を有すると共に
表面に導電性接続部を有する基台と、この基台の収納部
に配設された磁性部材と、を備え、前記ホール効果素子
の電極部が設けられた面と前記基台の導電性接続部が設
けられた面とを対向させて、前記電極部と前記導電性接
続部とを対面接続してなる。
【0013】上記目的を達成するために、請求項2の磁
電変換装置は、請求項1に加えて、ホール効果素子の電
極部が設けられた面と基台の導電性接続部が設けられた
面とを対向させた時、前記電極部が、前記導電性接続部
の一部に重なるように形成されていることを特徴として
いる。
電変換装置は、請求項1に加えて、ホール効果素子の電
極部が設けられた面と基台の導電性接続部が設けられた
面とを対向させた時、前記電極部が、前記導電性接続部
の一部に重なるように形成されていることを特徴として
いる。
【0014】上記目的を達成するために、請求項3の磁
電変換装置は、請求項1または2に加えて、電極部と導
電性接続部は、半田若しくは導電性接着剤により対面接
続されていることを特徴としている。
電変換装置は、請求項1または2に加えて、電極部と導
電性接続部は、半田若しくは導電性接着剤により対面接
続されていることを特徴としている。
【0015】上記目的を達成するために、請求項4の磁
電変換装置は、請求項1乃至3の何れか一つに加えて、
導電性接続部は、基台の表面に被膜形成されたものであ
り、ホール効果素子の電極部に対面接続される面と外部
回路基板に接続される面とに連通して形成されているこ
とを特徴としている。
電変換装置は、請求項1乃至3の何れか一つに加えて、
導電性接続部は、基台の表面に被膜形成されたものであ
り、ホール効果素子の電極部に対面接続される面と外部
回路基板に接続される面とに連通して形成されているこ
とを特徴としている。
【0016】上記目的を達成するために、請求項5の磁
電変換装置は、請求項4に加えて、基台の外部回路基板
に接続される面に形成された導電性接続部は、外部回路
基板に設けられた接続端子に直接接続されることを特徴
としている。
電変換装置は、請求項4に加えて、基台の外部回路基板
に接続される面に形成された導電性接続部は、外部回路
基板に設けられた接続端子に直接接続されることを特徴
としている。
【0017】上記目的を達成するために、請求項6の磁
電変換装置は、請求項4または5記載の磁電変換装置に
対して、基台におけるホール効果素子の電極部に対面接
続される面から磁性体チップ側が、封止剤により封止さ
れていることを特徴としている。
電変換装置は、請求項4または5記載の磁電変換装置に
対して、基台におけるホール効果素子の電極部に対面接
続される面から磁性体チップ側が、封止剤により封止さ
れていることを特徴としている。
【0018】上記目的を達成するために、請求項7の磁
電変換装置は、請求項6に加えて、磁性体チップのホー
ル効果素子側とは反対側の面が、封止剤から露出してい
ることを特徴としている。
電変換装置は、請求項6に加えて、磁性体チップのホー
ル効果素子側とは反対側の面が、封止剤から露出してい
ることを特徴としている。
【0019】上記目的を達成するために、請求項8の磁
電変換装置は、請求項1乃至7の何れか一つに加えて、
基台は、ホール効果素子の感磁部に対応する位置に形成
されると共に磁性部材が配設される収納部と、この収納
部よりホール効果素子側に形成された凹設部と、を備
え、この凹設部に、磁性体チップ及び絶縁層並びにホー
ル効果素子よりなる積層構造を収納して、ホール効果素
子の電極部と基台の凹設部に設けられた導電性接続部と
を対面接続したことを特徴としている。
電変換装置は、請求項1乃至7の何れか一つに加えて、
基台は、ホール効果素子の感磁部に対応する位置に形成
されると共に磁性部材が配設される収納部と、この収納
部よりホール効果素子側に形成された凹設部と、を備
え、この凹設部に、磁性体チップ及び絶縁層並びにホー
ル効果素子よりなる積層構造を収納して、ホール効果素
子の電極部と基台の凹設部に設けられた導電性接続部と
を対面接続したことを特徴としている。
【0020】このような本発明における磁電変換装置に
よれば、ホール効果素子を挟むようにして、磁性部材と
磁性体チップとが配置され、磁性体チップによる磁界に
加えて磁性部材による磁界が磁気増幅されて、高い出力
電圧が得られる。この時、ホール効果素子の電極部と基
台(従来技術の支持体に相当)の導電性接続部とが対面
接続されると共にこの基台内に磁性部材が配設され、支
持体に相当する厚さ分がなくされると共に支持体を覆う
ような封止構造が不要にされるため、高さ方向が短くさ
れ得る。また、ワイヤによる接続構造を採用していない
ため、磁性部材がワイヤに干渉するという従来技術にお
ける畏れがなくされる。また、ホール効果素子の感磁部
に対応する位置に形成された収納部に磁性部材が配設さ
れるため、当該ホール効果素子に対する磁性部材の位置
精度が良好に得られる。また、フォトリソ、ダイシング
等の工程が敢えて必要とされない積層構造になされてい
るため、製造工程が簡略化され得る。
よれば、ホール効果素子を挟むようにして、磁性部材と
磁性体チップとが配置され、磁性体チップによる磁界に
加えて磁性部材による磁界が磁気増幅されて、高い出力
電圧が得られる。この時、ホール効果素子の電極部と基
台(従来技術の支持体に相当)の導電性接続部とが対面
接続されると共にこの基台内に磁性部材が配設され、支
持体に相当する厚さ分がなくされると共に支持体を覆う
ような封止構造が不要にされるため、高さ方向が短くさ
れ得る。また、ワイヤによる接続構造を採用していない
ため、磁性部材がワイヤに干渉するという従来技術にお
ける畏れがなくされる。また、ホール効果素子の感磁部
に対応する位置に形成された収納部に磁性部材が配設さ
れるため、当該ホール効果素子に対する磁性部材の位置
精度が良好に得られる。また、フォトリソ、ダイシング
等の工程が敢えて必要とされない積層構造になされてい
るため、製造工程が簡略化され得る。
【0021】また特に、請求項5における磁電変換装置
によれば、基台の外部回路基板に接続される面に形成さ
れた導電性接続部が、外部回路基板に設けられた接続端
子に直接接続されるため、支持体のリードを折り曲げて
外部回路基板に対して接続を行う従来技術に比してより
高さ方向が短くされ得る。
によれば、基台の外部回路基板に接続される面に形成さ
れた導電性接続部が、外部回路基板に設けられた接続端
子に直接接続されるため、支持体のリードを折り曲げて
外部回路基板に対して接続を行う従来技術に比してより
高さ方向が短くされ得る。
【0022】また特に、請求項6における磁電変換装置
によれば、基台におけるホール効果素子の電極部に対面
接続される面から磁性体チップ側が、封止剤により封止
されているため、当該封止剤によって、塵芥等の付着が
防止されるようになる。
によれば、基台におけるホール効果素子の電極部に対面
接続される面から磁性体チップ側が、封止剤により封止
されているため、当該封止剤によって、塵芥等の付着が
防止されるようになる。
【0023】また特に、請求項7における磁電変換装置
によれば、磁性体チップのホール効果素子側とは反対側
の面が、封止剤から露出しているため、当該露出面に対
して所謂チップマウント装置による吸着が良好になされ
るようになる。
によれば、磁性体チップのホール効果素子側とは反対側
の面が、封止剤から露出しているため、当該露出面に対
して所謂チップマウント装置による吸着が良好になされ
るようになる。
【0024】また特に、請求項8における磁電変換装置
によれば、基台に形成された凹設部に、磁性体チップ及
び絶縁層並びにホール効果素子よりなる積層構造が収納
され、収納されたホール効果素子の電極部と基台の凹設
部に設けられた導電性接続部とが対面接続されるため、
該積層構造が基台に対して簡易且つ高精度に位置決めさ
れるようになる。
によれば、基台に形成された凹設部に、磁性体チップ及
び絶縁層並びにホール効果素子よりなる積層構造が収納
され、収納されたホール効果素子の電極部と基台の凹設
部に設けられた導電性接続部とが対面接続されるため、
該積層構造が基台に対して簡易且つ高精度に位置決めさ
れるようになる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態における
磁電変換装置を表した横断面図である。
基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態における
磁電変換装置を表した横断面図である。
【0026】同図において、符号10はホール効果素子
を示している。このホール効果素子10は、図2に示さ
れるように、基板10aに例えば蒸着により十文字状に
形成されたInSb(インジウムアンチモン)感磁部
(感磁膜)10b及びこの感磁部10bの各端部に卍を
なすように連設された4個の電極部10cを備えてい
る。
を示している。このホール効果素子10は、図2に示さ
れるように、基板10aに例えば蒸着により十文字状に
形成されたInSb(インジウムアンチモン)感磁部
(感磁膜)10b及びこの感磁部10bの各端部に卍を
なすように連設された4個の電極部10cを備えてい
る。
【0027】ホール効果素子10の上面(図1における
上側面)には、図1に示されるように、磁性体チップと
しての例えばフェライト基板(軟磁性体)12が接着剤
(絶縁層)11により接着されている。
上側面)には、図1に示されるように、磁性体チップと
しての例えばフェライト基板(軟磁性体)12が接着剤
(絶縁層)11により接着されている。
【0028】一方、ホール効果素子10の下面には、基
台13が配置されており、この基台13の下面には、外
部回路基板15が配置されている。上記基台13は、例
えば感光性ガラスまたはセラミック若しくは樹脂等から
なり、その表面には、例えば厚膜印刷またはエッチング
若しくはメッキ等の工法によって、基台13の上面及び
側面並びに下面に連続する導電性接続部(電気配線)1
4が、上記電極部10cに対応する個数、すなわち4箇
所形成されている。
台13が配置されており、この基台13の下面には、外
部回路基板15が配置されている。上記基台13は、例
えば感光性ガラスまたはセラミック若しくは樹脂等から
なり、その表面には、例えば厚膜印刷またはエッチング
若しくはメッキ等の工法によって、基台13の上面及び
側面並びに下面に連続する導電性接続部(電気配線)1
4が、上記電極部10cに対応する個数、すなわち4箇
所形成されている。
【0029】導電性接続部14のうちの基台13の上面
に形成されている導電性接続部14aは、上記基板10
aの下面4隅に形成された電極部10cにそれぞれ対向
する位置に一部が重なるように形成されている。導電性
接続部14のうちの基台13の下面に形成されている導
電性接続部14cは、図3に示されるように、外部回路
基板15上に形成されている所定の接続端子15aにそ
れぞれ対向し一部が重なるように形成されている。そし
て、各導電性接続部14a,14cは、基台13の側面
に形成されている各導電性接続部14bにより接続がそ
れぞれなされている。
に形成されている導電性接続部14aは、上記基板10
aの下面4隅に形成された電極部10cにそれぞれ対向
する位置に一部が重なるように形成されている。導電性
接続部14のうちの基台13の下面に形成されている導
電性接続部14cは、図3に示されるように、外部回路
基板15上に形成されている所定の接続端子15aにそ
れぞれ対向し一部が重なるように形成されている。そし
て、各導電性接続部14a,14cは、基台13の側面
に形成されている各導電性接続部14bにより接続がそ
れぞれなされている。
【0030】基台13の上面に形成されている各導電性
接続部14aと上記各電極部10cとは、図1に示され
るように、半田のバンプ16を介した対面接続により電
気的接続がそれぞれなされている。この半田接続に代え
て、導電性接着剤若しくは異方性導電接着剤等により、
各導電性接続部14aと各電極部10cとを電気的に対
面接続するようにしても良い。
接続部14aと上記各電極部10cとは、図1に示され
るように、半田のバンプ16を介した対面接続により電
気的接続がそれぞれなされている。この半田接続に代え
て、導電性接着剤若しくは異方性導電接着剤等により、
各導電性接続部14aと各電極部10cとを電気的に対
面接続するようにしても良い。
【0031】基台13の下面に形成されている各導電性
接続部14cと上記各接続端子15aとは、各接続端子
15a上に各導電性接続部14cが直接載置された状態
で、例えば半田17により固定がなされている。すなわ
ち、各導電性接続部14cと各接続端子15aとは、上
記半田17により固定された状態で電気的に対面接続さ
れている。
接続部14cと上記各接続端子15aとは、各接続端子
15a上に各導電性接続部14cが直接載置された状態
で、例えば半田17により固定がなされている。すなわ
ち、各導電性接続部14cと各接続端子15aとは、上
記半田17により固定された状態で電気的に対面接続さ
れている。
【0032】基台13における上記ホール効果素子10
の感磁部10bに対応する位置には、収納部としての例
えば貫通孔13aが形成されており、この収納部13a
には、磁性部材としての例えば集磁チップ18が収納さ
れている。この集磁チップ18としては、例えばフェラ
イトの切片等が用いられているが、例えば接着剤に磁性
粉を混合したものを収納部13aに流し込んで充填する
ようにしても良い。
の感磁部10bに対応する位置には、収納部としての例
えば貫通孔13aが形成されており、この収納部13a
には、磁性部材としての例えば集磁チップ18が収納さ
れている。この集磁チップ18としては、例えばフェラ
イトの切片等が用いられているが、例えば接着剤に磁性
粉を混合したものを収納部13aに流し込んで充填する
ようにしても良い。
【0033】そして、上記基台13の上面から磁性体チ
ップ側(図1における上側)には、例えばエポキシ樹脂
等の封止剤19が堆積されており、当該側が封止される
構成になされている。
ップ側(図1における上側)には、例えばエポキシ樹脂
等の封止剤19が堆積されており、当該側が封止される
構成になされている。
【0034】次に、図1に示した磁電変換装置の製造手
順を簡単に説明する。先ず、フェライト基板12及び接
着剤11並びにホール効果素子10からなる積層構造2
0を形成する。そうしたら、この積層構造20を上記バ
ンプ16により基台13に対面接続すると共に固定し、
次いで上記封止剤19による封止を行い、次いで基台1
3の下面側から集磁チップ18を充填し、次いで基台1
3を上記半田17により外部回路基板15に直接接続す
ると共に固定する。すると、図1に示した磁電変換装置
が得られることになる。なお、集磁チップ18の収納部
13aに対する収納は、基台13単体時に予め行うよう
にしても良い。
順を簡単に説明する。先ず、フェライト基板12及び接
着剤11並びにホール効果素子10からなる積層構造2
0を形成する。そうしたら、この積層構造20を上記バ
ンプ16により基台13に対面接続すると共に固定し、
次いで上記封止剤19による封止を行い、次いで基台1
3の下面側から集磁チップ18を充填し、次いで基台1
3を上記半田17により外部回路基板15に直接接続す
ると共に固定する。すると、図1に示した磁電変換装置
が得られることになる。なお、集磁チップ18の収納部
13aに対する収納は、基台13単体時に予め行うよう
にしても良い。
【0035】因に、図1に示した磁電変換装置では、磁
気バイアスが図示上側から下側に向かって大→小となる
ため、被検出体としての例えば駆動マグネット等は、図
示上側に配置されることになる。
気バイアスが図示上側から下側に向かって大→小となる
ため、被検出体としての例えば駆動マグネット等は、図
示上側に配置されることになる。
【0036】このように、本実施形態においては、ホー
ル効果素子10を挟むようにして、集磁チップ18とフ
ェライト基板12とを配置しているため、フェライト基
板12による磁界に加えて集磁チップ18による磁界を
ホール効果素子10に印加して、高い出力電圧を得るこ
とができるようになっており、所望の高感度磁電変換装
置を得ることが可能となっている。この時、フェライト
基板12、ホール効果素子10、集磁チップ18は近接
配置されているため、より高感度な磁電変換装置となっ
ている。
ル効果素子10を挟むようにして、集磁チップ18とフ
ェライト基板12とを配置しているため、フェライト基
板12による磁界に加えて集磁チップ18による磁界を
ホール効果素子10に印加して、高い出力電圧を得るこ
とができるようになっており、所望の高感度磁電変換装
置を得ることが可能となっている。この時、フェライト
基板12、ホール効果素子10、集磁チップ18は近接
配置されているため、より高感度な磁電変換装置となっ
ている。
【0037】また、特に本実施形態においては、ホール
効果素子10の電極部10cと基台13(従来技術の支
持体1に相当)の導電性接続部14aとを対面接続する
と共に基台13内に集磁チップ18を配設しているた
め、支持体1に相当する厚さ分をなくすことができると
共に支持体1を覆うような封止構造を不要にでき、高さ
方向を短くし得るようになっており、従来技術に比して
薄型化を図ることが可能となっている。
効果素子10の電極部10cと基台13(従来技術の支
持体1に相当)の導電性接続部14aとを対面接続する
と共に基台13内に集磁チップ18を配設しているた
め、支持体1に相当する厚さ分をなくすことができると
共に支持体1を覆うような封止構造を不要にでき、高さ
方向を短くし得るようになっており、従来技術に比して
薄型化を図ることが可能となっている。
【0038】また、ワイヤ6(図8参照)による接続構
造を採用していないため、集磁チップ(従来技術におけ
る磁性部材9に相当)18がワイヤ6に干渉するという
従来技術における畏れをなくすことができるようになっ
ており、該集磁チップ18の大きさに関係なく電気的接
続を行うことが可能となっている。
造を採用していないため、集磁チップ(従来技術におけ
る磁性部材9に相当)18がワイヤ6に干渉するという
従来技術における畏れをなくすことができるようになっ
ており、該集磁チップ18の大きさに関係なく電気的接
続を行うことが可能となっている。
【0039】また、ホール効果素子10の感磁部10b
に対応する位置に形成された収納部13aに集磁チップ
18を配設しているため、当該ホール効果素子10に対
する集磁チップ18の位置精度を良好にし得るようにな
っており、安定した特性を得ることが可能となってい
る。
に対応する位置に形成された収納部13aに集磁チップ
18を配設しているため、当該ホール効果素子10に対
する集磁チップ18の位置精度を良好にし得るようにな
っており、安定した特性を得ることが可能となってい
る。
【0040】また、フォトリソ、ダイシング等の工程を
敢えて必要としない積層構造としているため、製造工程
を簡略化でき、簡易に製造することが可能となってい
る。
敢えて必要としない積層構造としているため、製造工程
を簡略化でき、簡易に製造することが可能となってい
る。
【0041】また、基台13の導電性接続部14cを、
外部回路基板15の接続端子15aに直接接続している
ため、支持体1のリードを折り曲げて外部回路基板8に
対して接続を行う従来技術に比してより高さ方向を短く
できるようになっており、より薄型化を図ることが可能
となっている。
外部回路基板15の接続端子15aに直接接続している
ため、支持体1のリードを折り曲げて外部回路基板8に
対して接続を行う従来技術に比してより高さ方向を短く
できるようになっており、より薄型化を図ることが可能
となっている。
【0042】また、基台13におけるホール効果素子1
0の電極部10cに対面接続される面から磁性体チップ
側を、封止剤19により封止しているため、この封止剤
19によって、塵芥等の付着防止を図ることができ、寿
命及び信頼性の向上を図ることが可能となっている。
0の電極部10cに対面接続される面から磁性体チップ
側を、封止剤19により封止しているため、この封止剤
19によって、塵芥等の付着防止を図ることができ、寿
命及び信頼性の向上を図ることが可能となっている。
【0043】ところで、基台としては、図1に示したよ
うな収納部として貫通孔を有する構成のものに限定され
るものではなく、例えば図4(a)に示されるように、
収納部を下側に開放される溝13abとし、当該溝13
ab内に上記集磁チップ18を収納する構成のもの、例
えば図4(b)に示されるように、収納部を上側に開放
される溝13acとし、当該溝13ac内に上記集磁チ
ップ18を収納する構成のもの、例えば図4(c)に示
されるように、収納部を下側に向かって大径となるテー
パー状の貫通孔13adとし、当該テーパー状の貫通孔
13ad内に上記集磁チップ18を収納する構成のもの
等に代えることも可能である。
うな収納部として貫通孔を有する構成のものに限定され
るものではなく、例えば図4(a)に示されるように、
収納部を下側に開放される溝13abとし、当該溝13
ab内に上記集磁チップ18を収納する構成のもの、例
えば図4(b)に示されるように、収納部を上側に開放
される溝13acとし、当該溝13ac内に上記集磁チ
ップ18を収納する構成のもの、例えば図4(c)に示
されるように、収納部を下側に向かって大径となるテー
パー状の貫通孔13adとし、当該テーパー状の貫通孔
13ad内に上記集磁チップ18を収納する構成のもの
等に代えることも可能である。
【0044】なお、図4(c)に示されるように、収納
部を下側に向かって大径となるテーパー状の貫通孔13
adとし、当該テーパー状の貫通孔13ad内に上記集
磁チップ18を収納する構成の基台とすると、より集磁
効果を高めることができるので、好ましい。
部を下側に向かって大径となるテーパー状の貫通孔13
adとし、当該テーパー状の貫通孔13ad内に上記集
磁チップ18を収納する構成の基台とすると、より集磁
効果を高めることができるので、好ましい。
【0045】図5は本発明の他の実施形態における磁電
変換装置を表した横断面図である。この実施形態の磁電
変換装置にあっては、フェライト基板12のホール効果
素子側とは反対側の面12aが、上記封止剤19から露
出するように、該封止剤19による封止がなされてい
る。
変換装置を表した横断面図である。この実施形態の磁電
変換装置にあっては、フェライト基板12のホール効果
素子側とは反対側の面12aが、上記封止剤19から露
出するように、該封止剤19による封止がなされてい
る。
【0046】従って、所謂チップマウント装置を用い
て、上記磁電変換装置を吸着し当該磁電変換装置を外部
回路基板15の所定位置に搭載するというマウント動作
を行う場合には、上記露出面12aに対してチップマウ
ント装置による吸着を良好に行うことができるようにな
っており、当該チップマウント装置によるマウント動作
をより正確に行うことが可能となっている。
て、上記磁電変換装置を吸着し当該磁電変換装置を外部
回路基板15の所定位置に搭載するというマウント動作
を行う場合には、上記露出面12aに対してチップマウ
ント装置による吸着を良好に行うことができるようにな
っており、当該チップマウント装置によるマウント動作
をより正確に行うことが可能となっている。
【0047】因に、フェライト基板12のホール効果素
子側とは反対側の面12aが、上記封止剤19により被
膜されている場合には(図1参照)、封止剤19の表面
に凹凸があることもあり、チップマウント装置による吸
着動作が良好に行われない畏れがある。
子側とは反対側の面12aが、上記封止剤19により被
膜されている場合には(図1参照)、封止剤19の表面
に凹凸があることもあり、チップマウント装置による吸
着動作が良好に行われない畏れがある。
【0048】図6は本発明のさらに他の実施形態におけ
る磁電変換装置を表した各横断面図である。図6(a)
に示される磁電変換装置にあっては、基台23に、ホー
ル効果素子10の感磁部10bに対応する位置に形成さ
れると共に集磁チップ18が配設される上記実施形態と
同様な収納部23aが設けられている一方で、該収納部
23aよりホール効果素子側に、上側に向かって大径と
なるテーパー状の凹設部23bが形成されている。この
凹設部23bには、上述した積層構造20が、上記テー
パー形状をガイドにしながら挿入配置されており、当該
テーパー形状により基台23に対する積層構造20の位
置決めがなされている。
る磁電変換装置を表した各横断面図である。図6(a)
に示される磁電変換装置にあっては、基台23に、ホー
ル効果素子10の感磁部10bに対応する位置に形成さ
れると共に集磁チップ18が配設される上記実施形態と
同様な収納部23aが設けられている一方で、該収納部
23aよりホール効果素子側に、上側に向かって大径と
なるテーパー状の凹設部23bが形成されている。この
凹設部23bには、上述した積層構造20が、上記テー
パー形状をガイドにしながら挿入配置されており、当該
テーパー形状により基台23に対する積層構造20の位
置決めがなされている。
【0049】基台23の凹設部23bに形成されている
各導電性接続部24aと上記各電極部10cとは、上記
実施形態と同様な半田のバンプ16を介した対面接続に
より電気的接続がそれぞれなされている。また、基台2
3の下面に形成されている各導電性接続部24cと上記
各接続端子15aとは、上記実施形態と同様に各接続端
子15a上に各導電性接続部24cが直接載置された状
態で、例えば半田17により固定がなされており、各導
電性接続部24a,24cは、上記実施形態と同様に基
台23の側面に形成されている各導電性接続部24bに
より接続がそれぞれなされている。
各導電性接続部24aと上記各電極部10cとは、上記
実施形態と同様な半田のバンプ16を介した対面接続に
より電気的接続がそれぞれなされている。また、基台2
3の下面に形成されている各導電性接続部24cと上記
各接続端子15aとは、上記実施形態と同様に各接続端
子15a上に各導電性接続部24cが直接載置された状
態で、例えば半田17により固定がなされており、各導
電性接続部24a,24cは、上記実施形態と同様に基
台23の側面に形成されている各導電性接続部24bに
より接続がそれぞれなされている。
【0050】そして、上記凹設部23b内は、積層構造
20が基台23に接続された後に、上記と同様な封止剤
19により封止がなされている。
20が基台23に接続された後に、上記と同様な封止剤
19により封止がなされている。
【0051】このように、図6(a)に示される実施形
態においては、上記テーパー状の凹設部23bによっ
て、該積層構造20を、上記実施形態に比して基台23
に対して簡易且つ高精度に位置決めできるようになって
おり、より簡易に製造することが可能となっている。
態においては、上記テーパー状の凹設部23bによっ
て、該積層構造20を、上記実施形態に比して基台23
に対して簡易且つ高精度に位置決めできるようになって
おり、より簡易に製造することが可能となっている。
【0052】なお、凹設部23bの形状は、テーパー状
にこだわることはなく、積層構造20が位置決めされる
凹部形状であれば良く、例えば図6(b)に示されるよ
うに、当該凹設部23bを、上記積層構造20を収容し
得る凹部23baと、この凹部23baに連設され図示
上部側に向かって大径となるテーパー状の凹部23bb
と、からなる凹部形状としても良い。
にこだわることはなく、積層構造20が位置決めされる
凹部形状であれば良く、例えば図6(b)に示されるよ
うに、当該凹設部23bを、上記積層構造20を収容し
得る凹部23baと、この凹部23baに連設され図示
上部側に向かって大径となるテーパー状の凹部23bb
と、からなる凹部形状としても良い。
【0053】また、基台13(23)の導電性接続部と
外部回路基板15の接続端子15aとの接続は、図1及
び図6に示されるように、基台13の下面に形成されて
いる導電性接続部14cにより必ずしも行う必要はな
く、例えば図7に示されるように、基台13(23)の
側面に形成されている導電性接続部14b(24b)に
より行うようにしても良い。
外部回路基板15の接続端子15aとの接続は、図1及
び図6に示されるように、基台13の下面に形成されて
いる導電性接続部14cにより必ずしも行う必要はな
く、例えば図7に示されるように、基台13(23)の
側面に形成されている導電性接続部14b(24b)に
より行うようにしても良い。
【0054】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変形可能であるというのはいうまでもない。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変形可能であるというのはいうまでもない。
【0055】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の磁電変換装
置は、ホール効果素子を挟むようにして、磁性部材と磁
性体チップとを配置し、磁性体チップによる磁界に加え
て磁性部材による磁界をホール効果素子に印加して、高
い出力電圧を得るように構成したものであるから、所望
の高感度磁電変換装置を得ることが可能となる。この
時、本発明の磁電変換装置は、ホール効果素子の電極部
と基台(従来技術の支持体に相当)の導電性接続部とを
対面接続すると共にこの基台内に磁性部材を配設し、支
持体に相当する厚さ分をなくすと共に支持体を覆うよう
な封止構造を不要にし、高さ方向を短くし得るように構
成したものであるから、薄型化を図ることが可能とな
る。また、ワイヤによる接続構造を採用せずに、磁性部
材がワイヤに干渉するという従来技術における畏れをな
くすように構成したものであるから、該磁性部材の大き
さに関係なく電気的接続を行うことが可能となる。ま
た、ホール効果素子の感磁部に対応する位置に形成され
た収納部に磁性部材を配設し、ホール効果素子に対する
磁性部材の位置精度が良好となるように構成したもので
あるから、安定した特性を得ることが可能となる。ま
た、フォトリソ、ダイシング等の工程を敢えて必要とし
ない積層構造とし、製造工程を簡略化し得るように構成
したものであるから、簡易に製造することが可能とな
る。
置は、ホール効果素子を挟むようにして、磁性部材と磁
性体チップとを配置し、磁性体チップによる磁界に加え
て磁性部材による磁界をホール効果素子に印加して、高
い出力電圧を得るように構成したものであるから、所望
の高感度磁電変換装置を得ることが可能となる。この
時、本発明の磁電変換装置は、ホール効果素子の電極部
と基台(従来技術の支持体に相当)の導電性接続部とを
対面接続すると共にこの基台内に磁性部材を配設し、支
持体に相当する厚さ分をなくすと共に支持体を覆うよう
な封止構造を不要にし、高さ方向を短くし得るように構
成したものであるから、薄型化を図ることが可能とな
る。また、ワイヤによる接続構造を採用せずに、磁性部
材がワイヤに干渉するという従来技術における畏れをな
くすように構成したものであるから、該磁性部材の大き
さに関係なく電気的接続を行うことが可能となる。ま
た、ホール効果素子の感磁部に対応する位置に形成され
た収納部に磁性部材を配設し、ホール効果素子に対する
磁性部材の位置精度が良好となるように構成したもので
あるから、安定した特性を得ることが可能となる。ま
た、フォトリソ、ダイシング等の工程を敢えて必要とし
ない積層構造とし、製造工程を簡略化し得るように構成
したものであるから、簡易に製造することが可能とな
る。
【0056】また特に、請求項5における磁電変換装置
は、基台の外部回路基板に接続される面に形成された導
電性接続部を、外部回路基板に設けられた接続端子に直
接接続し、支持体のリードを折り曲げて外部回路基板に
対して接続を行う従来技術に比してより高さ方向を短く
し得るように構成したものであるから、より薄型化を図
ることが可能となる。
は、基台の外部回路基板に接続される面に形成された導
電性接続部を、外部回路基板に設けられた接続端子に直
接接続し、支持体のリードを折り曲げて外部回路基板に
対して接続を行う従来技術に比してより高さ方向を短く
し得るように構成したものであるから、より薄型化を図
ることが可能となる。
【0057】また特に、請求項6における磁電変換装置
は、基台におけるホール効果素子の電極部に対面接続さ
れる面から磁性体チップ側を、封止剤により封止し、当
該封止剤によって、塵芥等の付着防止を図るように構成
したものであるから、寿命及び信頼性の向上を図ること
が可能となる。
は、基台におけるホール効果素子の電極部に対面接続さ
れる面から磁性体チップ側を、封止剤により封止し、当
該封止剤によって、塵芥等の付着防止を図るように構成
したものであるから、寿命及び信頼性の向上を図ること
が可能となる。
【0058】また特に、請求項7における磁電変換装置
は、磁性体チップのホール効果素子側とは反対側の面
を、封止剤から露出し、当該露出面に対して所謂チップ
マウント装置による吸着を良好に行い得るように構成し
たものであるから、当該チップマウント装置により該磁
電変換装置を所定位置に対して搭載するというマウント
動作をより正確に行うことが可能となる。
は、磁性体チップのホール効果素子側とは反対側の面
を、封止剤から露出し、当該露出面に対して所謂チップ
マウント装置による吸着を良好に行い得るように構成し
たものであるから、当該チップマウント装置により該磁
電変換装置を所定位置に対して搭載するというマウント
動作をより正確に行うことが可能となる。
【0059】また特に、請求項8における磁電変換装置
は、基台に形成された凹設部に、磁性体チップ及び絶縁
層並びにホール効果素子よりなる積層構造を収納し、収
納したホール効果素子の電極部と基台の凹設部に設けら
れた導電性接続部とを対面接続して、該積層構造を基台
に対して簡易且つ高精度に位置決めし得るように構成し
たものであるから、より簡易に製造することが可能とな
る。
は、基台に形成された凹設部に、磁性体チップ及び絶縁
層並びにホール効果素子よりなる積層構造を収納し、収
納したホール効果素子の電極部と基台の凹設部に設けら
れた導電性接続部とを対面接続して、該積層構造を基台
に対して簡易且つ高精度に位置決めし得るように構成し
たものであるから、より簡易に製造することが可能とな
る。
【図1】本発明の一実施形態における磁電変換装置を表
した横断面図である。
した横断面図である。
【図2】図1に示したホール効果素子を表した平面図で
ある。
ある。
【図3】図1に示した基台の導電性接続部と外部回路基
板の接続端子との接続位置関係を表した説明図である。
板の接続端子との接続位置関係を表した説明図である。
【図4】基台の他の実施形態を表した各横断面図であ
る。
る。
【図5】本発明の他の実施形態における磁電変換装置を
表した横断面図である。
表した横断面図である。
【図6】本発明のさらに他の実施形態における磁電変換
装置を表した各横断面図である。
装置を表した各横断面図である。
【図7】基台の導電性接続部と外部回路基板の接続端子
との接続構造の他の実施形態を要部のみ表した横断面図
である。
との接続構造の他の実施形態を要部のみ表した横断面図
である。
【図8】従来技術における磁電変換装置を表した横断面
図である。
図である。
10 ホール効果素子 10b 感磁部 10c 電極部 11 絶縁層 12 磁性体チップ 12a 磁性体チップのホール効果素子側とは反対側の
面 13,23 基台 13a,13ab,13ac,13ad,23a 収納
部 14,24 導電性接続部 14a,24a 電極部に接続される導電性接続部 14b,14c,24b,24c 外部回路基板に接続
される導電性接続部 15 外部回路基板 15a 外部回路基板の接続端子 17 半田 18 磁性部材 19 封止剤 20 積層構造 23b 基台の凹設部
面 13,23 基台 13a,13ab,13ac,13ad,23a 収納
部 14,24 導電性接続部 14a,24a 電極部に接続される導電性接続部 14b,14c,24b,24c 外部回路基板に接続
される導電性接続部 15 外部回路基板 15a 外部回路基板の接続端子 17 半田 18 磁性部材 19 封止剤 20 積層構造 23b 基台の凹設部
Claims (8)
- 【請求項1】 磁性体チップと、 この磁性体チップに絶縁層を介して形成され感磁部及び
電極部を有するホール効果素子と、 このホール効果素子の感磁部に対応する位置に形成され
た収納部を有すると共に表面に導電性接続部を有する基
台と、 この基台の収納部に配設された磁性部材と、を備え、 前記ホール効果素子の電極部が設けられた面と前記基台
の導電性接続部が設けられた面とを対向させて、前記電
極部と前記導電性接続部とを対面接続してなる磁電変換
装置。 - 【請求項2】 ホール効果素子の電極部が設けられた面
と基台の導電性接続部が設けられた面とを対向させた
時、 前記電極部が、前記導電性接続部の一部に重なるように
形成されていることを特徴とする請求項1記載の磁電変
換装置。 - 【請求項3】 電極部と導電性接続部は、半田若しくは
導電性接着剤により対面接続されていることを特徴とす
る請求項1または2記載の磁電変換装置。 - 【請求項4】 導電性接続部は、基台の表面に被膜形成
されたものであり、ホール効果素子の電極部に対面接続
される面と外部回路基板に接続される面とに連通して形
成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか
一つに記載の磁電変換装置。 - 【請求項5】 基台の外部回路基板に接続される面に形
成された導電性接続部は、外部回路基板に設けられた接
続端子に直接接続されることを特徴とする請求項4記載
の磁電変換装置。 - 【請求項6】 請求項4または5記載の磁電変換装置
は、基台におけるホール効果素子の電極部に対面接続さ
れる面から磁性体チップ側が、封止剤により封止されて
いることを特徴とする磁電変換装置。 - 【請求項7】 磁性体チップのホール効果素子側とは反
対側の面が、封止剤から露出していることを特徴とする
請求項6記載の磁電変換装置。 - 【請求項8】 基台は、ホール効果素子の感磁部に対応
する位置に形成されると共に磁性部材が配設される収納
部と、 この収納部よりホール効果素子側に形成された凹設部
と、を備え、 この凹設部に、磁性体チップ及び絶縁層並びにホール効
果素子よりなる積層構造を収納して、 ホール効果素子の電極部と基台の凹設部に設けられた導
電性接続部とを対面接続したことを特徴とする請求項1
乃至7の何れか一つに記載の磁電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8191414A JPH1022545A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 磁電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8191414A JPH1022545A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 磁電変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1022545A true JPH1022545A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16274222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8191414A Withdrawn JPH1022545A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 磁電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1022545A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007263951A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサ |
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-
1996
- 1996-07-02 JP JP8191414A patent/JPH1022545A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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