JPS624956Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案は円筒状磁区制御の記憶媒体としての
磁気バブルメモリデバイスに関する。

(b) 技術の背景 一軸異方性の磁性を有するガーネツト結晶等
からなるバブルメモリチツプと、該メモリチツ
プに対する発生バブル保持用のバイアス磁界用
マグネツトとバブル転送用の回転磁界発生用の
フラツトコイルと反射板等を組立てたメモリデ
バイスは、ソレノイドコイルを用いるものに比
べ組立性が良好で且つ小型・薄型化が図れる。

本考案は係るメモリデバイスに於て、特にメ
モリチツプの封止組立に係る気密性能を向上
し、併せて一層の組立性向上を意図する提案で
ある。

(c) 従来技術の問題点 第１図は、フラツトコイルと反射板とを有す
るメモリデバイスの基本構成斜視図である。

図中、１はメモリチツプ、２は非磁性で且つ
導電性の金属薄板例えば銅板（メモリチツプ駆
動の周波数により異なるが約0.3mm程度の薄
板）等からなる反射板、３は反射導板２の上方
に平行して配置される平面状のフラツトコイル
で、これは図示の様な積層されたＸとＹの平面
コイルCx，Cyよりなる。フラツトコイル３と
反射板２は、メモリチツプ１を上下から挟んで
バブル転送の回転磁界を印加する。

又、図中の４はフエライト薄板もしくはパー
マロイ薄板等よりなる強磁性板で、通称ホモジ
ナイザと呼ばれる。５はメモリチツプ１内のバ
ブルを定常的に保持するバイアス磁界用のマグ
ネツトである。

尚、前記フラツトコイル３と反射導板２との
構成方法等に就いては、「特公昭52−061652号
公報、磁気バブル駆動用コイル」に詳細に説明
されている。

ところで、従来のこの種前記構成の磁気バブ
ルメモリデバイスは携帯に便利な小型化特に薄
形に重点指向があり、パツケージ内チツプの気
密シールについては考慮されてなかつた。

(d) 考案の目的 本考案の目的は問題点を解決することにあ
る。

即ち、メモリデバイスの気密封止機能の充実
を図ると共に、併せてより薄形で組立性も一層
良好な磁気バブルメモリデバイスを実現するに
ある。

(e) 考案の構成 前記の目的は、磁気バブルメモリチツプと、
該メモリチツプ内のバブルを転送する回転磁界
発生用のＸ，Ｙ平面コイルが積層されてなるフ
ラツトコイルと非磁性で且つ導電性の金属から
なる反射板とを少なくとも具備し、前記メモリ
チツプが前記反射板上に固定され、且つ該メモ
リチツプを挟んで該反射板に平行にフラツトコ
イルが配置された磁気バブルメモリデバイスに
おいて、絶縁性基板からなり、該基板平面の略
中央には前記メモリチツプを収容する凹部を該
基板平面の外周部には上方へ突出した枠縁を一
体に備えると共に、該枠縁の外方には前記メモ
リチツプの外部引出し用の外部端子が多数導出
しており、且つ該基板内部には前記反射板がそ
の中央部を前記凹部の底面に露呈させて埋設さ
れている回路基板と、裏面側に前記フラツトコ
イルが接着されている封止板とを有し、前記凹
部内の前記反射板上に固定された前記メモリチ
ツプと前記フラツトコイルが対向するように、
前記封止板が前記回路基板上に載置され、且つ
該封止板の周辺部と前記枠縁とが気密封止され
ていることを特徴とした磁気バブルメモリデバ
イスにより達成される。

(f) 考案の実施例 以下、本考案の実施例図である第２図〜第４
図とにより本考案を詳細に説明する。

第２図はメモリデバイス構成要素を示す分解
斜視図、第３図は第２図封止板の構成を明示す
る正面図、第４図は気密封止パツケージ組立完
成の断面図である。

第２図に於て、メモリチツプ１、銅薄板から
なる反射板２、及びＸとＹの平面コイルCxと
Cyが積層されたフラツトコイル３等、前図と
同一構成部分は同一参照番号が付されている。

図中、反射板２は絶縁性の回路基板６に埋設
され（第４図断面図の２参照）、デバイス組立
完了後はフラツトコイル３と平行する配置とな
つている。反射板２はフラツトコイル３による
回転磁界で渦電流を生じ、単又は複数装置のメ
モリチツプ１に対するイメージコイルとして作
用しバブル転送用回転磁界を発生する。

第２図斜視図中、６は絶縁体例えばセラミツ
ク等より成形される回路基板で、その外周部に
は上方へ突出する一体的に形成された枠縁７を
有し、その表面は封止板１０との鑞付け接合面
となる。

８は回路基板６の中央部分に接着されるメモ
リチツプ１の外部引出し用の外部端子、及び９
は回路基板６の略中央部に設ける長方形の凹部
であり、該凹部底面には埋設された反射板２が
露呈する。

第２図中、１０は回路基板６の表面側に鑞接
合されるセラミツク等から形成される封止板で
ある。該封止板１０の裏面側には第３図正面図
に示すＸ，Ｙ平面コイルの積み重ねる構成にな
るフラツトコイル３が接着されている。１１は
フラツトコイルの外部端子である。

尚、第２図中の４は強磁性薄板からなるメモ
リチップに均一なバイアス磁界（静磁界）を与
える前記のホモジナイザであり、該ホモジナイ
ザの上には前記のバイアス磁界用マグネツトが
位置し、これらが封止板１０の表面側に設けら
れる。

回路基板６の凹部９内の反射板２上に装着す
るメモリチップ１はチツプ封止に当り、該回路
基板６の枠縁７と封止板１０とを鑞付して行
う。この為、鑞付けの接合面となる封止板１０
の周辺部１２には予め、金（Au）又は金合金
組成（例えばAu・Ge、あるいはAu・Sn等）
のハーメチツクシール面が被着形成される。そ
してこれと対接する枠縁７の表面にも同様のシ
ール面が形成される。然し、枠縁シール面は鑞
接合と限るものではなく、例えば半田によるシ
ールとするも構わない。更に、金属シールにか
わつて有機樹脂例えばエポキシ樹脂シールとす
ることも考えられる。

第４図は、メモリチップ１を接着した回路基
板６と封止板１０とを気密接合せる本考案メモ
リデバイス封止完成体の断面図である。

回路基板６の反射板２はセラミツク基板焼成
前の生シート時に埋設されて図示状態に形成さ
れる。然し、図示状態の反射板は例えば予形成
のスリツトを設けて基板焼成後、基板側面から
銅箔もしくは銀箔貼合の適宜厚さの反射板を嵌
入して組立て、ついでスリツトを接着剤等で塞
ぐ構成にしても構わない。

尚、第４図図中、１３は回路基板６に接着し
たメモリチツプ１と該基板面に形成され且つ外
部端子８に接続した導体回路とを接続するボン
デイングワイヤである。

この様なメモリチツプ封止構成とすることに
より気密性の良い薄形のデバイスが実現され、
且つ組立ても予じめ反射板とフラツトコイルを
夫々回路基板と封止板とに装着して各部品のユ
ニツト化が行なわれているので組立作業が簡易
になる。

(g) 考案の効果 以上詳細に説明した本考案のバブルメモリデ
バイスによれば、フラツトコイルと反射板とを
備えて構成される偏平型パツケージにおけるメ
モリチップの気密封止が実現される。またフラ
ツトコイルや反射板および両者の間隔を定める
スペーサとしての枠縁が予じめ回路基板と封止
板に組付けられて形成してユニツトを図つてい
るため、組立時の部品点数や組立作業が少なく
なり、組立性が一層向上し、安価なデバイスが
得られる。しかも、回路基板に反射板を埋設し
たことにより該反射板の分デバイスが一層薄形
になり、且つ該回路基板の機械的強度も向上し
信頼性の高いバブルメモリデバイスが提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はフラツトコイルと反射板とを備える従
来のメモリデバイスの基本的構成を示す斜視図、
第２図〜第４図は本考案の実施例図である。但
し、第２図はデバイス組立の主要部品要素を示す
分解斜視図、第３図は第２図の封止板の裏面側正
面図、第４図は本考案のデバイス組立体の断面図
である。 図中、１はメモリチツプ、２は反射板、３はフ
ラツトコイル、４はフエライト磁性薄板、６は回
路基板、７は枠縁、９は凹部、１０は封止板、１
２は鑞付け接合面、１３はボンデイングワイヤで
ある。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 磁気バブルメモリチツプと、該メモリチツプ内
   のバブルを転送する回転磁界発生用のＸ，Ｙ平面
   コイルが積層されてなるフラツトコイルと非磁性
   で且つ導電性の金属からなる反射板とを少なくと
   も具備し、前記メモリチツプが前記反射板上に固
   定され、且つ、該メモリチツプを挟んで該反射板
   に平行に前記フラツトコイルが配置された磁気バ
   ブルメモリデバイスにおいて、 絶縁性基板からなり、該基板平面の略中央には
   前記メモリチツプを収容する凹部を、該基板平面
   の外周部には上方へ突出した枠縁を一体に備える
   と共に、該枠縁の外方には前記メモリチツプの外
   部引出し用の外部端子が多数導出しており、且つ
   該基板内部には前記反射板がその中央部を前記凹
   部の底面に露呈させて埋設されている回路基板
   と、 裏面側に前記フラツトコイルが接着されている
   封止板とを有し、 前記凹部内の前記反射板上に固定された前記メ
   モリチツプと前記フラツトコイルが対向するよう
   に、前記封止板が前記回基板上に載置され、且
   つ、該封止板の周辺部と前記枠縁とが気密封止さ
   れていることを特徴とした磁気バブルメモリデバ
   イス。