JPS61248289A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

磁気バブルメモリ装置

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JPS61248289A
JPS61248289A JP8866885A JP8866885A JPS61248289A JP S61248289 A JPS61248289 A JP S61248289A JP 8866885 A JP8866885 A JP 8866885A JP 8866885 A JP8866885 A JP 8866885A JP S61248289 A JPS61248289 A JP S61248289A
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magnetic
magnetic bubble
chip
bubble memory
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Yutaka Akiba
豊 秋庭
Kazuo Hirota
和夫 廣田
Nobuo Kijiro
木城 伸夫
Toshio Futami
二見 利男
Tatsuo Hamamoto
辰雄 濱本
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野」 本発明は磁気パズルメモリ装置、特に薄形化。
不服化、低消費電力化2組立性の改善に好適な磁気バブ
ルメモリ装置に関する。
〔発明の背景〕
ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマクントした8字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Xコイル。
Yコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み立てた構造
となっている。Xコイル及びYコイルは磁気パズルメモ
リチップだけでなく、チップよりもはるかに大きい配線
基板を巻く構造であるため、各コイルの端から端迄長さ
が長くなり、駆動電圧、消費電力が大きくなってしまう
。また、Xコイル、Yコイルは磁気バブルメモリ素子に
均一かつ安定した面内回転磁界を付与するために均一な
インダクタバランスが要求されることから、そのコイル
形状が互いに異なる非対称構造となりかつ大型化構造と
ならざるを得なかった。さらにはこれらのXコイル、Y
コイルの外面には磁気バブルメモリ素子に垂直方向のバ
イアス磁界を付与する一対の永久磁石板およびその整磁
板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂七−ルドにより
被覆されている構造であるため、垂直方向の積層厚が増
大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形化、小屋化への
要請に対して障害となっていた。
本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては特
開昭54−55129号公報が挙げられる。
この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完全
に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。しか
しながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されておら
ず、例えば導体ケースで完全にとり凹んでいるチップへ
の電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させる
ことなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石、
!I磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。
〔発明の目的」 本発明の目的は、薄形化、小型化を可能にするとともに
、フレキシブル配線基板のチップ接続部の補強を図った
磁気バブルメモリ装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、7レキシプル配線基板の開口部に露出された
配線用リードと電気的に接続された磁気バブルメモリチ
ップを、2組の対向する2辺にそれぞれ巻線を施こした
長方形環状のコアに囲まれた位置に配置し、上記磁気バ
ブルメモリチップ、巻線及びコアを回転磁界閉じ込めケ
ースで覆うようになした磁気バブルメモリ装置であって
、上記開口部は、複数本の配線用IJ−ドな一束とした
ブロック毎に複数個設けられ、該複数個の開口部を区分
けする連結部により上記7レキシプル配線基板の強度を
向上せしめるように構成したことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図および第2図A、Bは本発明による磁気バブルメ
モリデバイスの一実施例を説明するための図であり、第
1図は一部破断斜視図、第2図Aはその底面図、第2図
Bは第2図Aの2B−2B断面図である。これらの図に
おいて、CHIは磁気バブルメモリチップ(以下チップ
と称する)であり、これらの図ではテップCHIは省略
して1個のみ表示しているが本実施例では2個並べて配
置しているものとする。(1つの大容量チップよりも、
合計記憶容量をそれに合せた複数分割チップ構成の方が
チッペ歩留が良い。)FPCは2個のチップCHIを搭
載しかつ4隅にテップCHIと外部接続端子との結線用
線群延長部を有するフレキシブル配線基板(以下基板と
称する)である。
COIは2個のチップCHIをほぼ同一平面上でとり凹
み対向辺が互いに平行となるように配置された駆動コイ
ル(以下コイルと称する。
第3図においては、付号20m、20b、20c、20
dを付して示している。)、CORは四角形コイル集合
体COIの中空部分を貫通するように固定配置された軟
磁性材からなる額縁形コア(以下コアと称する)であり
、このコアCORと各コイルCOIとでチップCHIに
面内回転磁界を付与する磁気回路PFCを構成している
RFSは基板FPCの中央四角形部分と、2個のチップ
CHIおよび磁気回路PFCの全体を収納する回転磁界
閉じ込めケース(以下ケースと称する)である。ケース
RFSは2枚の独立した板を加工して形成され、ケース
の側面部で上下の板は電気的に接続されている。これら
のケースRFSには、チップCHIが配置された部分よ
りやや広めの範囲で中央部分の隙間が狭くなるよう周辺
部分に絞り部(第3図1こおける50.55 )が形成
されている。この絞り部は後述する磁石体の位置決めに
も利用できる。ケースRFSは回転磁界閉じ込めと軟弱
な基板FPCを機械的に支持する一石二鳥の効果、働き
を持っている。
ケースRF’SとチップCHIとの間には、特にテップ
CHIの側面部に隙間SIRがあるが、チップCHIの
平面部も含めてこの隙間部分SIRにはシリコーン樹脂
がコーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に
異物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側
面部に侵入することが少なくなるよう、ハッシペーショ
ン効果が意図されて匹る。もし、ケースRFSの外側で
完全な気密封止ができる場合、樹脂SIRの充填は省略
しても良い。
INMはケースRFSの外側に配置された磁性材からな
る一対の傾斜板であり、第2図で上側の傾斜板INMは
左に寄るに従ってまた下側の傾斜板INMは右に寄るに
従って板厚が厚くなっており、双方はケースRFS側に
傾斜面が形成されている。傾斜板INNの材料としては
、透磁率μが高く保持力Heの小さいソフト・フェライ
トやパーマロイ等を使用すれば良く、本実施例では傾斜
面の加工が容易なソフト・フェライトを選んだ。MAG
は一対の傾斜板INMの内側でそれと重ねて配置された
一対の永久磁石板(以下磁石板と称する)である。RO
Mは前記各磁石板MAGの内側でそれと重ねて配置され
たソフトフェライトのような磁性材からなる一対の整磁
板である。磁石板MAGは全面にわたって均一の板厚を
有して形成されている。
INNは一対の整磁板HOMの内側対向面にそれと重ね
て配置された銅のように熱伝導性が良く非磁性体の材料
からなる一対の傾斜板である。
これらの傾斜板INNは傾斜板INMとほぼ同等の傾斜
角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されている。傾斜
板INM、磁石板MAG、整磁板ROM及び傾斜板IN
Nは、それぞれ積み重ねて配置し一体化してバイアス磁
界発生用磁石体B IM(以下磁石体と称する)を構成
したときに、積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面にわた
って均一となるように形成されている。一対の磁石体B
IMはケースRFSの絞り部によって囲まれた中央の平
な部分に接着されている。
BICは磁石体BIMの周縁部とケースRFSとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル(
以下バイアスコイルと称する)である。バイアスコイル
BICは磁石板MAGの磁力をチップCHIf)%性に
合せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテスト
する際、チップCHIのバブルをオールクリア(全消去
)する場合に駆動される。
SHIは前記チップCHIを搭載した基板FPCおよび
磁気回路PFCを収納したケースRFSと、その外側で
、一対の磁石体B IMa 。
BIMbおよびバイアスコイルBICを収納する磁性材
からなる外部磁気シールドケース(以下シールドケース
と称する)である。シールドケースSHIの材料として
は、透磁率μが高く、飽和磁束密度USが大きく、HC
の小さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライトが
そのような特性を持っているが、本実施例では折り曲げ
加工に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄
・ニッケル合金が選択された。
PKGは前記シールドケースSHIの外周面に接着ある
いははめ込みにより取り付けられた熱伝導率が高く、加
工のし易いAlのような材質からなるパッケージングケ
ースである。CNPは、前記基板FPCの4隅から延長
して設けられシールドケースSHIの背面に折り返され
た外部接続端子に接触するように配置されたコンタクト
パッドである。TEFは各コンタクトパッドCNPを開
口部の段差部で支持固定する絶縁性部材からなる端子固
定板である。REGはパッケージングケースPKGの内
側4隅に封入されかつシールドケース31(1組立体を
パッケージングケースPKG内部に固定する樹脂モール
ド剤である。
第3図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、4隅に突出して入出力配線
の接続部3を有しかつ中央部にチップ搭載部1を有する
基板FPC上に2個のチップCHIを搭載した基板組立
体BNDを、底面に絶縁性シート36を接着配置した外
側ケースRFSa内に配置し、さらにこの基板FPC上
に磁気回路PFCを組み込んだ後、シリコーン樹脂5I
R(図示せず)を充填しその上部に内側ケースRF8 
bを外側ケースRFSaに対して組み込み、外側ケース
RFS aと内側ケースRFSbとの側面接触部分を半
田付等により電気的に接続する。
次にこれらの内側ケースRFSbおよび外側ケースRF
Saの外面に設けられている凹状の絞り部5(1,55
に上側磁石体B I M aおよび下側磁石体BIMb
を配置した後、この上側磁石体BIMaの外縁部と内側
ケースRFS bの内側とで形成される図示しない隙間
に整列巻きされたバイアスコイルBICを配置し、これ
らを外側シールドケースSHI a内に収納し、更に内
側シールドケース5HIbを組み込み、外側シールドケ
ース5HIaと内(Qlシールドケース5HIbとの側
面接触部分を溶接等により磁気的に接続する。
次にシールドケースSHIの4隅から外側ケースRFS
aの切欠き部35.外側シールドケース5HIaの切欠
き部54を介して突出している前記基板FPCの外部接
続端子接続部6を内側シールドケース5HIbの切欠き
部58を介してその背面に折り曲げ部2をもって第1図
に示すように折り返し、内側シールドケース5HIbの
背面全体を覆うように組み合わせて配置し、これらの接
続部3にそれぞれ設けられている半田等で被覆された各
外部接続端子9bに、コンタクトパッドGNPを各開口
部に搭載した端子固定板TEFを接触配置して熱圧着等
により各外部接続端子9bとコンタクトパッドGNPを
半田付等により電気的に接続させる。
次にこれらの組立体をパッケージングクースPKG内に
収納し、端子固定板TEFとパッケージングケースPK
σの接触部においてハーメチックシール等の封止を行っ
て組み立てられる。
このようにして組立てられたデバイスの一部破断斜視図
を第1図に、また断面図を第2図Bに示している。
さて本発明の特徴は、第6図のllぼ中央部に示された
フレキシブル配線基板FPCにある。
以下第4図を用いて本発明の詳細な説明する。
第4図は基板FPCの平面図である。同図において、基
板FPCは、中央部に角形状のチップ搭載部1と、こめ
4隅に巾の小さい折り曲げ部2 (2a、2b、2c、
2d )と、この先端部に角形状の外部接続端子接続部
(以下接続部と称する)3 (5m、5b、5c、5d
 )とを有し、全体形状がほぼ風車状をなして一体的に
形成されており、また、このチップ搭載部10対向辺側
には第3図に示した2個のチップC)IIを搭載しその
端子部を接続させる2重枠構造の矩形状開口部4(4a
〜4h)および位置決め用の3個の穿孔5 (5m、5
b。
5c)が設けられ、さらに1個の接続部3cの先端には
位置決め用の基板突出部6が設けられている0 また、この基板FPCは、はぼ絶縁層−配線層−絶縁層
の6層構造になっており、厚さ例えば約50μm程度の
ポリイミド樹脂フィルムからなるベースフィルム7上に
エポキシ系の接着剤を介して銅薄膜を形成し、これを所
要のパターン形状にエツチングすることにより、第4図
に示すような配線用リード9m、円形状の外部端子9b
、楕円状のコイルリード接続用端子9c、記号9dおよ
びインデックスマーク9e等のパターンが形成され、さ
らにこれらの上面には前記同様な部材からなる接着剤を
介して透光ないし半透光性のカバーフィルム10が接着
配置されている。
そして、本発明においては、この基板FPCの開口部4
においては、チップCHI搭載側とナルベースフィルム
7の部分的な連結部によって複数個の開口部4a〜4h
が形成され、また、その上面側カバーフィルム10には
比較的寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィ
ルム7とカバーフィルム10との間には、チップCHI
のブロック毎に複数本の配線用リードを一束とした複数
束の配線用リード9麿が露出し、この配線用リード?a
の表面には例えば錫メッキ層が形成され、開口形状が2
層構造でかつ2重枠構造を有して扉成されている。前記
テップCHIは、この露出された配線用リードh上に例
えばリードボンディングされる。一方、接続部31こお
いては、カバーフィルム10の前記円形状外部端子9b
および図示しない楕円状の外部端子9Cと対応する部位
に円形状の開口12が形成され、その開口12から露出
した外部端子9b、9c銅薄膜パターン上にはめつき或
いはディップ等による半田層が形成されている。そして
、これらの接続部3に設けられた各外部端子9b、9c
は各接続部3m、3b、3c、3dおよび折り曲げ部2
a、2b、2c、2d並びにチップ搭載部1上に連続し
て形成された各配線用リード9aに接続され、これらの
配線用リード9mはチップ搭載部1に設けられた各開口
部4a〜4hの開口端の一部に各接続部5m、3b、5
c。
3dのブロックを更に2分割したブロック毎に集結して
その先端部が各開口部4厘〜4h内に露出されている。
すなわち第4図に示すように接続部3aの配線用リード
9mは開口部4d、4cに、接続部3bの配線用リード
9mは開口部4h、4gに、接続部3cの配線用リード
9mは開口部4a、4b lこ、また接続部6dの配線
用リード9mは開口部4e、4fにそれぞれ配線されて
いる。
そして、この基板FPCは、第3図で説明した工程で各
接続部5m、5b、5c、5dが各折り曲げ部2m、2
b、2c、2dで折り曲げられて内側シールドケース5
HIbの背面全体を覆うように組み合わされ、半田層を
形成した各外部端子9b、9cが表面に露出し、また、
配線用リード9m 、記号9dおよびインデックスマー
ク9eは表面がカバーフィルム10により被覆されてい
るので、これらのパターンはカバーフィルム10を透か
して容易に判読できるように構成されている。
〔発明の効果〕
以上詳しく説明したように、本発明によれば、磁気バブ
ルメモリチップを接続する7レキシプル配線基板の開口
部をベースフィルム7の連結部によって区分けしている
ので、軟弱なフレキシブル基板の強度向上を図って基板
のハンドリング性を向上させ、また露出された配線用リ
ード周辺を補強することによってリードの変形を防止し
、信頼性の向上に大きく寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第2図人は底面図、第2図Bは
同図Aの2B−2B断面図、第5図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第4図は本発明によるフレキシブル配線
基板F’PCの平面図である。 FPC・・・フレキシブル配線基板、 1・・・チップ搭載部、 2.2a、2b、2c、2d−・−折り曲げ部、5.3
m、5b、5c、3d ・・−外部接続端子接続部、4
.4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h 
−・−開口部、7・・・ベースフィルム、 9a・・・配線用リード、 9b・・・外部端子、 10・・・カバーフィルム、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フレキシブル配線基板の開口部に露出された配線用リー
    ドと電気的に接続された磁気バブルメモリチップを、2
    組の対向する2辺にそれぞれ巻線を施こした長方形環状
    のコアに囲まれた位置に配置し、上記磁気バブルメモリ
    チップ、巻線及びコアを回転磁界閉じ込めケースで覆う
    ようになした磁気バブルメモリ装置であって、上記開口
    部は、複数本の配線用リードを一束としたブロック毎に
    複数個設けられ、該複数個の開口部を区分けする連結部
    により上記フレキシブル配線基板の強度を向上せしめる
    ように構成したことを特徴とする磁気バブルメモリ装置
JP8866885A 1985-04-26 1985-04-26 磁気バブルメモリ装置 Expired - Lifetime JPH0644390B2 (ja)

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JPH0644390B2 JPH0644390B2 (ja) 1994-06-08

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