JPS61248293A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ装置、特に薄形化小型化、低
消費電力化１組立性の改善に好適な磁気バブルメモリ装
置に関する。

〔発明の背景〕

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントした８字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Ｘコイル。

Ｘコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み立てた構造
となっている。Ｘコイル及びＸコイルは磁気バブルメモ
リチップだけでなく、チップよりもはるかに大きい配線
基板を巻く構造であるため、各コイルの端から端迄長さ
が長くなり、駆動電圧、消費電力が大きくなってしまう
。また、Ｘコイル、Ｙｊイルは磁気バブルメモリ素子に
均一かつ安定した面内回転磁界を付与するために均一な
インダクタバランスが要求されることから、そのコイル
形状が互いに異なる非対称構造となりかつ大型化構造と
ならざるを得なかった。さらにはこれらのＸコイル、Ｘ
コイルの外面には磁気バブルメモリ素子に垂直方向のバ
イアス磁界を付与する一対の永久磁石板およびその整磁
板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂モールドにより
被覆されている構造であるため、垂直方向の積層厚が増
大し、磁気バブルメモリグノ９イスの薄形化、小屋化へ
の要請に対して障害となっていた。

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては特
開昭５４−５５１２９号公報が挙げられる。この公報に
は、チップを囲む額縁屋コアとそれらを完全に囲む導電
性磁界反射箱の構造が記載されている。しかしながら、
それ以上の具体的な構造は何ら示されておらず、例えば
導体ケースで完全にとり囲んでいるチップへの電気的結
線を導体ケースの外側からそれに短絡させることなく行
うことは理論的に不可能であり、永久磁石、整磁板、バ
イアスコイル等の取付方法が不明であることも含め、そ
の記載をきっかけに実用化しようと思い立つには見るか
らに不十分である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、薄形化、小屋化を可能にするとともに
、磁石体の組立性を改善した磁気バブルメモリ装置を提
供することにある。

〔発明の概要〕　一 本発明は、回転磁界閉じ込めケースの内部に磁気バブル
メモリチップ及び該チップに回転磁界を供給する回転磁
気回路を収納するとともにその外部に上記チップにバイ
アス磁界を供給する磁石体を配置し、これらを磁気シー
ルドケース内に収納するようになした磁気パズルメモリ
装置であって、上記磁気シールドケースの内側に、上記
磁石体を傾斜状態にて保持する傾斜部を設け、磁石体の
組立性向上及びその部品点数削減を図ったことを特徴と
する。

〔発明の実施例〕

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。

第１図および第２図Ａ、Ｂは本発明において対象とする
磁気バブルメモリデバイスの例’５−説明するための図
であり、第１図は一部破断斜視図、第２図Ａはその底面
図、第２図Ｂは＠２図Ａの２　Ｂ　−２Ｂ断面図である
。これらの図において、ＣＨＩは磁気バブルメモリチッ
プ（以下チップと称する）であり、これらの図ではチッ
プＣ）ＩＩは省略して１個のみ表示しているか本例では
２個並べて配置しているものとする。

（１つの大容量チップよりも、合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い。）Ｆ
ＰＣは２個のチップＣＨＩを搭載しかつ４隅にチップＣ
）（Ｉと外部接続端子との結線用線群延長部を有する７
レキシプル配線基板（以下基板と称する）である。

ＣＯＩは２個のチップＣＨＩをほぼ同一平面上でとり囲
み対向辺が互いに平行となるように配置された駆動コイ
ル（以下コイルと称する〇第３図においては、符号２０
ａ　、　２０ｂ　、　２０ｃ、２０ｄを付して示してい
る。）、ＣＯＲは四角形コイル集合体ＣＯＩの中空部分
を貫通するように固定配置された軟磁性材からなる額縁
形コア（以下コアと称する）であり、このコアＣＯＲと
各コイルＣＯＩとでチップＣＨＩに面内回転磁界を付与
する磁気回路ＰＦＣを構成している。

ＲＦＳは基板ＦＰＣの中央四角形部分と、２個のチップ
ＣＨＩおよび磁気回路ＰＦＣの全体を収納する回転磁界
閉じ込めケース（以下ケースと称する）である。ケース
ＲＦＳは２枚の独立した板を加工して形成され、ケース
の側面部で上下の板は電気的に接続されている。これら
のケースＲＦＳには、チップＣＩ（Ｉが配置された部分
よりやや広めの範囲で中央部分の隙間が狭くなるよう周
辺部分に絞り部（第５図における５０．５３）が形成さ
れている。この絞り部は後述する磁石体の位置決めにも
利用できる。ケースＲＦＳは回転磁界閉じ込めと軟弱な
基板ＦＰＣを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを
持っている。

ケースＲＦＳとチップＣＩ（Ｉとの間には、特にチップ
ＣＨＩの側面部に隙間ＳＩＲがあるが、チップＣ１（Ｉ
の平面部も含めてこの隙間部分ＳＩＲににシリコーン樹
脂がコーティング又は充填され、チップ主表面に組立中
に異物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は
側面部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーシ
ョン効果が意図されている。もし、ケースＲＦＳの外側
で完全な気密封止ができる場合、樹脂ＳＩＲの充填は省
略しても良い。

ＩＮＭはケースＲＦＳの外側に配置された磁性材からな
る一対の傾斜板であり、第２図で上側の傾斜板ＩＮＭは
左に寄るに従ってまた下側の傾斜板ＩＮＭは右に寄るに
従って板厚が厚くなって・おり、双方はケースＲＦＳ側
に傾斜面が形成されている。傾斜板ＩＮＭの材料として
は、透磁率μが高く保持力Ｈａの小さいソフト・フェラ
イトやパーマロイ等を使用すれば良く、本実施例では傾
斜面の加工が容易なソフト・フェライトを選んだ。ＭＡ
Ｇは一対の傾斜板ＩＮＭの内側でそれと重ねて配置され
た一対の永久磁石板（以下出方板と称する）である。Ｉ
（ＯＭは前記各磁石板ＭＡＧの内側でそれと重ねて配置
されたソフト７エライトのような磁性材からなる一対の
整磁板である。磁石板ＭＡＧは全面にわたって均一の板
厚を有して形成されている。

ＩＮＮは一対の整磁板ＨＯＭの内側対向面にそれと重ね
て配置された銅のように熱伝導性が良く非磁性体の材料
からなる一対の傾斜板である。

これらの傾斜板ＩＮＮは傾斜板ＩＮＭとほぼ同等の傾斜
角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されている。傾斜
板ＩＮＭ、磁石板ＭＡＧ、整磁板１−ｆＯＭ及び傾斜板
Ｉ　Ｎ　Ｎは、それぞれ積み重ねて配置し一体化してバ
イアス磁界発生用磁石体ＢＩＭ（以下磁石体と称する）
を構成したときに、積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面
にわた・りて均一となるように形成されている。一対の
磁石体ＢＩＭはケースＲＦＳの絞り部によって囲まれた
中央の平な部分に接着されている。

ＢＩＣは磁石体ＢＩＭの周縁部とケースＲＦＳとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用フィル（
以下バイアスコイルと称する）である。バイアスコイル
ＢＩＣは磁石板ＭＡＧの磁力をチップＣＨＩの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際チップＣＨＩのバブルをオールクリア（全消去）す
る場合に駆動される。

５）（Ｉは前記チップＣ）ＩＩを搭載した基板ＦＰＣお
よび磁気回路ＰＦＣを収納したケースＲＦＳと、その外
側で、一対の磁石体ＢＩＭａ。

ＢＩＭｂおよびバイアスコイルＢＩＣを収納する磁性材
からなる外部磁気シールドケース（以下シールドケース
と称する）である。シールドケースＳＨＩの材料として
は、透磁率μが高く、飽和磁束密度Ｂ３が大きく　、Ｈ
（！の小さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライ
トがそのような特性を持っているが、本例では折り曲げ
加工に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄
・ニッケル合金が選択された。

ＰＫＧは前記シールドケースＳＨＩの外周面に接着ある
いははめ込みにより取り付けられた熱伝導率が高く、加
工のし易いＡＩのような材質からなるパッケージングケ
ースである。ＧＮＰは、前記基板ＦＰＣの４隅から延長
して設けられシールドケースＳＨＩの背面に折り返され
た外部接続端子に接触するように配置されたコンタクト
パッドである。ＴＥＦは各コンタクトパッドＧＮＰを開
口部の段差部で支持固定する絶縁性部材からなる端子固
定板である。ＲＥＧはパッケージングケースＰＫＧの内
側４隅に封入されかつシールドケースＳＨＩ組立体をパ
ッケージングケースＰＫＧ内部に固定する樹脂モールド
剤である。

第３図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明する念めの組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、４隅に突出して入出力配線
の接続部３を有しかつ中央部にチップ搭載部１を有する
基板ＦＰＣ上に２個のチップＣＨＩを搭載した基板組立
体ＢＮＤを、底面に絶縁性シート３６を接着配置した外
側ケースＲＦＳａ内に配置し、さらにこの基板ＦＰＣ上
に磁気回路ＰＦＣを組み込んだ後、シリコーン樹脂５Ｉ
Ｒ（図示せず）を充填しその上部に内側ケースＲＦＳｂ
を外側ケースＲＦＳａに対して組み込み、外側ケースＲ
ＦＳａと内側ケースＲＦＳｂとの側面接触部分を半田付
等により電気的に接続する。

次にこれらの内側ケースＲＦＳｂおよび外側ケ−スＲＦ
Ｓａの外面に設けられている凹状の絞り部ｓｏ、ｓ３に
上側磁石体ＢＩＭａおよび下側磁石体ＢＩＭｂを配置し
た後、この上側磁石体ＢＩＭａの外縁部と内側ケースＲ
ＦＳｂの内側とで形成される図示しない隙間に整列巻き
されなバイアスコイルＢＩＣを配置し、これらを外側シ
ールドケース５ＨＩａ内に収納し、更に内側シールドケ
ース５ＨＩｂを組み込み、外側シールドケースＳＨＩ　
ａと内側シールドケース５ＨＩｂとの側面接触部分を溶
接等により磁気的に接続する。

次にシールドケースＳＨＩの４隅から外側ケースＲＦＳ
ａの切欠き部３５．外側シールドケース５ＨＩａの切欠
き部５４を介して突出している前記基板ＦＰＣの外部接
続端子接続部３を内側シールドケース５ＨＩｂの切欠き
部５８を介してその背面に折り曲げ部２をもって第１図
に示すように折シ返し、内側シールドケース５ＨＩｂの
背面全体を覆うように組み合わせて配置し、これらの接
続部３にそれぞれ設けられている早出等で被覆され六各
外部接続端子９ｂに、コンタクトパッドＧＮＰを各開口
部ｉこ搭載した端子固定板ＴＥＦを接触配置して熱圧着
等により各外部接続端子９ｂとコンタクトパ−ラドＣＮ
Ｐを半田付等により電気的に接続させる。

次にこれらの組立体をパッケージングケースＰＫＧ内に
収納し、端子固定板ＴＥＦとパッケージングケースＰＫ
Ｇの接触部においてハーメチックシール等の封止を行っ
て組み立てられる。

このようにして組立てられたデバイスの一部破断斜視図
を第１図に、また断面図を第２図Ｂに示している。

さて本発明の特徴は、第３図に示されたシールドケース
ＳＨＩの内面構造及びこれに伴なう磁石体ＢＩＭの構造
にある。以下第４図及び第５図を用いて本発明の詳細な
説明する。

第４図及び第５図において、ＲＦＳａ、ＲＦＳｂは前述
した外側ケース、内側ケースであり、この組全体の内部
には前述したように基板ＦＰＣ（図示省略）に搭載され
たチップＣＨＩと、磁気回路ＰＦＣを構成するコアＣＯ
ＲとコイルＣＯＩが実装される０また、５ＨＩａ、５Ｈ
Ｉｂはそれぞれ本発明による外側シールドケース、内側
シールドケースであり、８１図乃至第３図に示したもの
と異なる点は、第４図１こおいては偏肉加工でまな第５
図においては絞り加工にて、それぞれ傾斜部６０ｍ、６
０ｂが設けられている点である。その傾斜角は、チップ
Ｃ）ＩＩに対する磁石板ＭＡＧの角度に対応するもので
、第２図Ｂ及び第３図における傾斜板ＩＮＭ、ＩＮＮの
角度に相当している。

一方、前記ケースＲＦＳと上記シールドケースＳＨＩの
傾斜部６０ａ、、　６０ｂとの間には、それぞれ磁石板
ＭＡＧ、整磁板ＨＯＭ及び傾斜板ＩＮＮから成る磁石体
ＢＩＭが介挿される０即ちこの磁石体ＢＩＭは、ケース
ＲＦＳの絞り部３０．５３とシールドケースＳＨＩの傾
斜部６０ａ。

６０ｂとによって位置決めされ、チップＣ）（Ｉへのバ
イアス磁界源を構成している。

〔発明の効果〕

このように、本発明においては、シールドケースに偏肉
加工又は絞り加工を施こして、チップＣＨＩと磁石板Ｍ
ＡＧ間の傾斜によって生じたシールドケース５Ｉ（Ｉと
磁石板ＭＡＧ間のエアギャップを埋めるものであるから
、第２図Ｂ第３図に示した傾斜板ＩＮＭが不要となって
部品数が削減できるだけでなく、組立性も改善されるも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明において対象とする磁気バブルメモリデ
バイスの全体を示す一部破断斜視図、第２図Ａは底面図
、第２図Ｂは同図Ａの２Ｂ−２Ｂ断面図、第３図は積み
重ね構造を示す分解斜視図、第４図及び第５図は本発明
の２つの実施例を示す断面図である。 ＣＨＩ・・・磁気バブルメモリチップ ＣＯＩ・・・駆動コイル　ＣＯＲ・・・コアＲＦＳ・・
・回転磁界閉じ込めケース ５０．５５−・・絞り部　　　ＭＡＧ・・・磁石板ＨＯ
Ｍ・・・整磁板　　　ＩＮＮ・・・傾斜板ＢＩＭ・・・
磁石体 ＳＨＩ　ａ・・・外側シールドケース ＳＨＩ　ｂ・・・内側シールドケース ６０ａ　、　６０ｂ　−傾斜部 躬４　口 第５圀

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 回転磁界閉じ込めケースの内部に磁気バブルメモリチッ
   プ及び該チップに回転磁界を供給する回転磁気回路を収
   納するとともにその外部に上記チップにバイアス磁界を
   供給する磁石体を配置し、これらを磁気シールドケース
   内に収納するようになした磁気バブルメモリ装置であっ
   て、上記磁気シールドケースの内側に、上記磁石体を傾
   斜状態にて保持する傾斜部を設けたことを特徴とする磁
   気バブルメモリ装置。